KR102089311B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 고신뢰성의 대전방지막을 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상부 기판과 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 대전 방지막을 형성하는 단계와; 상기 상부 기판과 하부 기판을 서로 대향하도록 합착하는 단계를 포함하며, 상기 대전 방지막을 형성하는 단계는 전도성 고분자와 실리카 전구체를 혼합하여 졸-겔 용액을 형성하는 단계와; 상기 졸-겔 용액에 Ti-OR 전구체를 0.1~10중량%첨가하여 코팅 용액을 형성하는 단계와; 상기 코팅 용액을 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 코팅한 후 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 고신뢰성의 대전방지막을 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display) 분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판 표시장치(Flat Display Device)가 개발되고 있다.
이 같은 평판 표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 플라즈마 표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED) 등을 들 수 있다.
최근에는 시청자가 디스플레이 장치에 표시되는 2차원 영상에서 입체감 있는 3차원 영상을 시청할 수 있는 입체 영상 표시 장치가 개발되고 있다.
그러나, 평판 표시 장치 및 입체 영상 표시 장치 각각은 외부에서 발생되는 정전기로 인하여 정전기성 화질 불량이 발생되어 신뢰성이 저하되는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 고신뢰성의 대전방지막을 가지는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치의 제조 방법은 상부 기판과 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 대전 방지막을 형성하는 단계와; 상기 상부 기판과 하부 기판을 서로 대향하도록 합착하는 단계를 포함하며, 상기 대전 방지막을 형성하는 단계는 전도성 고분자와 실리카 전구체를 혼합하여 졸-겔 용액을 형성하는 단계와; 상기 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 코팅 용액을 형성하는 단계와; 상기 코팅 용액을 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 코팅한 후 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 Ti-OR 전구체에서 R은 알킬기(CnH2n+1)이며, 상기 알킬기에 포함되는 탄소 원자의 수(n)는 1~20개인 것을 특징으로 한다.
상기 Ti-OR전구체는 상기 전도성 고분자와 상기 실리카 전구체의 반응 이후 1분에서 수시간 이후에 첨가되는 것을 특징으로 한다.
상기 졸-겔 용액은 1~10중량%의 상기 전도성 고분자와, 10~30중량%의 상기 실리카 전구체와, 60중량%~89중량%의 용매로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 전도성 고분자로는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트(PEDOT/:PSS), 폴리아닐린(polyaniline: PAN), 폴리피롤(polypyrrol: PPy), 폴리티오펜(polythiophene: PT) 등이 이용되며, 상기 실리카전구체로는 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS) 또는 테트라메틸오쏘실리케이트(TMOS)를 실리카 전구체 등이 이용되며, 상기 순수물(DI), 메탄올(MeOH), 에탄올(EtOH), 이소프로판올(IPA) 또는 부탄올(BuOH), n-프로필알코올, 메틸셀로솔브, 프로필렌클리콜메틸에테르, 디에세톤알코올, 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸셀로솔브(EC), 메틸에틸케톤(MEK),디메틸포름아마이드(DMF) 또는 N-메틸피롤리돈(NMP)등이 이용되는 것을 특징으로 한다.
상기 표시 장치의 제조 방법은 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판에 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 표시 장치는 상부 기판과; 상기 상부 기판과 대향하면서 합착된 하부 기판과; 상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면에 형성되는 대전 방지층을 구비하며; 상기 대전 방지층은 전도성 고분자와 실리카 전구체로 이루어진 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 형성된 코팅 용액을 건조하여 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 표시 장치 및 그 제조 방법은 1~10중량%의 전도성 고분자와, 10~30중량%의 실리카(SiO2)전구체와, 60중량%~89중량%의 용매로 이루어진 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 형성된 코팅 용액을 상부 기판의 상부면에 코팅한 후 건조함으로써 대전 방지막이 형성된다. 이러한 본 발명의 대전 방지막은 Ti-OR전구체에 의해 반응 중합도가 증가되어 막의 밀도가 향상되고 미세 기공의 크기가 감소된다. 이에 따라, 본 발명의 대전 방지막은 외부 환경으로부터 수분의 흡습 및 산소의 침투에 의해 유전율의 변화 및 전도성 고분자의 분해 및 변형을 방지할 수 있어 소자의 수명이 향상된다. 뿐만 아니라, 본 발명의 대전 방지막은 스퍼터링 등의 진공 증착과 같은 고온 공정 및 고온의 가열 공정이 필요한 투명 도전막으로 형성된 대전 방지막에 비해 저온의 코팅 공정을 통해 형성되므로 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 표시 장치를 나타내는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 대전 방지막의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부된 도면 및 실시 예를 통해 본 발명의 실시 예를 구체적으로 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 액정 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1에 도시된 액정 표시 장치는 박막트랜지스터 기판(110), 컬러 필터 기판(120) 및 대전 방지막(140)을 구비한다.
컬러 필터 기판(120)은 상부기판(111) 상에 순차적으로 형성된 블랙매트릭스(116), 컬러필터(112), 공통 전극(114) 및 컬럼 스페이서(도시하지 않음)를 구비한다.
박막 트랜지스터 기판(110)은 액정층(130)을 사이에 두고 컬러 필터 기판(120)과 대향한다. 이러한 박막트랜지스터 기판(110)은 하부 기판(101) 위에 서로 교차하게 형성된 게이트 라인(102) 및 데이터 라인(104)과, 그 교차부에 인접한 박막 트랜지스터(106)와, 그 교차 구조로 마련된 화소 영역에 형성된 화소 전극(108)을 구비한다.
대전방지막(140)은 상부 기판(111)의 상부면, 즉 하부 기판(101)의 대향되지 않는 반대면에 약 107~109Ω/□의 표면저항을 가지도록 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이 대전 방지막(140)은 상부 기판(111)의 외부면전체에 소정의 두께로 형성되거나, 소정 형태(예를 들어, 메쉬(Mesh)) 형태의 패턴으로 형성될 수 있다.
이러한 대전 방지막(140)은 1~10중량%의 전도성 고분자와, 10~30중량%의 실리카(SiO2)전구체와, 60중량%~89중량%의 용매로 이루어진 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 형성된 코팅 용액을 상부 기판(111)의 상부면에 코팅한 후 건조함으로써 형성된다.
이와 같은 대전 방지막(140)은 Ti-OR전구체에 의해 반응 중합도가 증가되어 막의 밀도가 향상되고 미세 기공의 크기가 감소된다. 이에 따라, 대전 방지막(140)은 외부 환경으로부터 수분의 흡습 및 산소의 침투에 의해 유전율의 변화 및 전도성 고분자의 분해 및 변형을 방지할 수 있어 소자의 수명이 향상된다.
뿐만 아니라, 대전 방지막(140)은 스퍼터링 등의 진공 증착과 같은 고온 공정 및 고온의 가열 공정이 필요한 투명 도전막으로 형성된 대전 방지막에 비해 저온의 코팅 공정을 통해 형성되므로 비용을 절감할 수 있다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2에 도시된 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치는 박막트랜지스터 기판(110), 컬러 필터 기판(120) 및 대전 방지막(140)을 구비한다. 이러한 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치는 도 1에 도시된 액정 표시 장치와 대비하여 사용자의 터치를 검출하기 위한 터치 검출 라인(132)을 더 구비하는 것을 제외하고는 동일한 구성요소를 구비한다. 이에 따라, 동일한 구성요소에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
터치 검출 라인(132)은 상부 기판(111) 및 하부 기판(101) 중 적어도 어느 한 기판에 별도로 형성되거나 상부 기판(111) 상에 형성된 블랙매트릭스(116)를 터치 검출 라인으로 사용하여 사용자의 터치에 따른 정전용량(Ctc)의 변화에 따라 터치 위치(TS)를 검출한다.
대전방지막(140)은 상부 기판(111)의 상부면, 즉 하부 기판(101)의 대향되지 않는 반대면에 약 107~109Ω/□의 표면저항을 가지도록 형성되어 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지한다. 이 대전 방지막(140)은 상부 기판(111)의 외부면 전체에 소정의 두께로 형성되거나, 소정 형태(예를 들어, 메쉬(Mesh)) 형태의 패턴으로 형성될 수 있다.
이러한 대전 방지막(140)은 1~10중량%의 전도성 고분자와, 10~30중량%의 실리카(SiO2)전구체와, 60중량%~89중량%의 용매로 이루어진 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 형성된 코팅 용액을 상부 기판(111)의 상부면에 코팅한 후 건조함으로써 형성된다.
이와 같은 대전 방지막(140)은 Ti-OR전구체에 의해 반응 중합도가 증가되어 막의 밀도가 향상되고 미세 기공의 크기가 감소된다. 이에 따라, 대전 방지막(140)은 외부 환경으로부터 수분의 흡습 및 산소의 침투에 의해 유전율의 변화 및 전도성 고분자의 분해 및 변형을 방지할 수 있어 소자의 수명이 향상된다.
뿐만 아니라, 대전 방지막(140)은 스퍼터링 등의 진공 증착과 같은 고온 공정 및 고온의 가열 공정이 필요한 투명 도전막으로 형성된 대전 방지막에 비해 저온의 코팅 공정을 통해 형성되므로 비용을 절감할 수 있다.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 대전 방지막의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
먼저, 1~10중량%의 전도성 고분자와, 10~30중량%의 실리카(SiO2)전구체와, 60중량%~89중량%의 용매로 이루어진 졸-겔 용액을 마련한다(S10단계). 전도성 고분자로는 폴리-3, 4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트(PEDOT/:PSS), 폴리아닐린(polyaniline: PAN), 폴리피롤(polypyrrol: PPy), 폴리티오펜(polythiophene: PT) 등이 이용된다. 여기서, 전도성 고분자의 함량이 1중량%미만이면 전도도가 너무 낮아져 정전기 방지 목적을 제대로 실행할 수 없으며, 10중량%를 초과하면 전도성 고분자의 고유 색상으로 인해 투명도가 저하된다. 실리카(SiO2)전구체로는 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS) 또는 테트라메틸오쏘실리케이트(TMOS)를 실리카 전구체 등이 이용된다. 용매로는 순수물(DI), 메탄올(MeOH), 에탄올(EtOH), 이소프로판올(IPA) 또는 부탄올(BuOH), n-프로필알코올, 메틸셀로솔브, 프로필렌클리콜메틸에테르, 디에세톤알코올, 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸셀로솔브(EC), 메틸에틸케톤(MEK),디메틸포름아마이드(DMF) 또는 N-메틸피롤리돈(NMP)등이 사용된다. 상기 용매는 단독 또는 하나이상의 혼합물로 사용된다.
이에 따라, 실리카(SiO2)전구체는 화학식 1과 같이 용매와 반응하여 가수분해(Hydrolysis)된다(S12단계). 가수분해시 산촉매를 첨가하여 축합 반응 속도를 지연시킨다.
Figure 112013009253153-pat00001
그런 다음, 가수분해물을 혼합하여 화학식 2와 같이 축합 반응이 일어나며(S14단계), 축합 반응에 의해 생성된 물분자는 제거된다.
Figure 112013009253153-pat00002
이 때, 가수분해물에 Ti-OR(여기서, R은 알킬기(CnH2n+1)이며, 알킬기에 포함되는 탄소원자(n)의 수는 1~20개이다.)전구체를 0.1~10중량%첨가한다. 바람직하게는, Ti-OR전구체와 실리카(SiO2)전구체의 반응속도 차이를 고려하여 전도성 고분자와 실리카(SiO2)의 반응 이후 1분~수시간 이후에 Ti-OR전구체를 첨가한다.
여기서, Ti-OR전구체의 첨가 함량이 0.1중량%미만이면, Ti-OR의 역할인 반응촉진효과를 얻을 수 없으며, Ti-OR전구체의 첨가 함량이 10중량%를 초과하면, Ti의 함량의 증가로 대전방지막(140)의 표면저항이 낮아져 원하는 대전방지효과를 얻을 수 없다.
한편, Ti-OR전구체와 실리카(SiO2)전구체를 가수분해시 동시에 투입하면 반응 속도차에 의한 상분리 현상을 발생된다. 따라서, Ti-OR전구체와 실리카(SiO2)전구체의 투입 시기를 달리하는 것이 상분리 현상을 최소화할 수 있다.
가수분해물에 첨가된 Ti-OR전구체의 중심 금속인 티타늄(Ti)는 표 1에 도시된 바와 같이 실리카 전구체의 중심 금속인 실리콘(Si)보다 정극성(Positive)전하 특성을 보이므로 반응속도 및 중합도가 향상된다.
R-SiOH(실리카전구체,TEOS) Ti-OR
금속 부분 전하 δ(Si)=+0.32 δ(Ti)=+0.63
중합도 1.0 2.4
이에 따라, Ti-OR전구체는 화학식 3과 같이 미반응된 실리카 네트워크들 사이의 반응을 촉진시켜 반응중합도를 향상되므로 미 반응된 실리카 네트워크를 최소화할 수 있다.
Figure 112013009253153-pat00003
이와 같이 형성된 코팅 용액은 기판 상에 스핀 코팅, 바코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 코팅, 스프레이 코팅 등의 방법을 통해 전면 도포된 후, 건조공정을 통해 도 1 및 도 2에 도시된 대전 방지막(140)으로 형성된다(S16단계).
표 2는 Ti-OR전구체를 첨가된 본 발명에 따른 코팅막과, Ti-OR전구체가 첨가되지 않은 종래의 코팅막의 면저항 변화량을 나타낸 것이다.

 시간별 면저항(MΩ/□) 면저항
변화량
0hr 140hr 280hr 570hr
종래(TEOS+PEDOT:PSS) 63 199 794 1000 937
실시예1(TEOS+PEDOT:PSS+1중량%의Ti-OR전구체) 100 158 316 398 298
실시예2(TEOS+PEDOT:PSS+2중량%의Ti-OR전구체) 316 398 501 794 478
표 2에서 종래는 TEOS와 PEDOT:PSS으로 이루어진 졸-겔 용액을 스핀 코팅 방법을 통해 기판 상에 코팅하여 형성된 코팅막을 80도의 신뢰성 챔버내에서 보관하면서 면저항의 변화를 측정한 결과이다. 실시 예1은 TEOS와 PEDOT:PSS으로 이루어진 졸-겔 용액에 1중량%의 Ti-OR전구체가 첨가된 용액을 스핀 코팅 방법을 통해 기판 상에 코팅하여 형성된 코팅막을 80도의 신뢰성 챔버내에서 보관하면서 면저항의 변화를 측정한 결과이다. 실시 예2는 TEOS와 PEDOT:PSS으로 이루어진 졸-겔 용액에 2중량%의 Ti-OR전구체가 첨가된 용액을 스핀 코팅 방법을 통해 기판 상에 코팅하여 형성된 코팅막을 80도의 신뢰성 챔버내에서 보관하면서 면저항의 변화를 측정한 결과이다.
표 2와 같이 Ti-OR전구체가 첨가된 졸-겔 용액으로 형성된 실시예의 코팅막은 TEOS와 PEDOT:PSS만으로 이루어진 졸-겔 용액으로 형성된 종래의 코팅막에 비해 면저항 변화량이 적음을 알 수 있다. 이러한 실시예의 코팅막으로 형성된 본 발명의 대전 방지막은 고온 신뢰성 및 안정성이 향상됨을 알 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 터치 스크린이 내장된 액정 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, a)에 도시된 바와 같이, 하부 기판(101)과 상부 기판(111)을 마련한다.
그런 다음, b)에 도시된 바와 같이 상부 기판(111)의 외부면에 외부로부터 유입되는 정전기가 내부로 침투하는 것을 방지하기 위하여 전술한 도 3에 도시된 제조 방법으로 대전 방지층(140)이 형성된다.
그런 다음, c)에 도시된 바와 같이 블랙 매트릭스(116), 컬러필터(112), 및 공통전극(114)이 상부 기판(111) 상에 순차적으로 형성되어 컬러 필터 기판(120)이 완성된다. 또한, 하부 기판(101) 상에 게이트 라인(102), 데이터 라인(104), 박막트랜지스터(106), 화소 전극(108) 및 터치 검출 라인(132)이 형성되어 박막트랜지스터 기판(110)이 완성된다.
그런 다음, d)에 도시된 바와 같이, 합착 공정을 통해 액정층(130)을 사이에 두고 하부 기판(101)과 상부 기판(111)이 서로 대향되도록 합착된다.
한편, 본 발명에서는 대전 방지막(140)이 상부 기판(111)의 외부면에 형성되는 것을 예로 들어 설명하였지만, 이외에도 하부 기판(101)의 외부면에도 형성될 수 있다. 즉, 본 발명의 대전 방지막(140)은 상부 기판(111) 및 하부 기판(101) 중 적어도 어느 한 기판의 외부면에 형성된다.
또한, 본 발명에서는 화소 전극(108)과 공통 전극(114)이 서로 다른 기판 상에 형성된 구조를 예로 들어 설명하였지만 이외에도 화소 전극(108)과 공통 전극(114)이 동일한 기판, 예를 들어 하부 기판(101) 상에 형성될 수도 있으며, 화소 전극(108) 및 공통 전극(114) 중 적어도 어느 하나에 슬릿이 형성될 수도 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 종래의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
102 : 게이트 라인 104 : 데이터 라인
106 : 박막트랜지스터 108 : 화소 전극
140 : 대전 방지막

Claims (12)

  1. 상부 기판과 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 대전 방지막을 형성하는 단계와;
    상기 상부 기판과 하부 기판을 서로 대향하도록 합착하는 단계를 포함하며,
    상기 대전 방지막을 형성하는 단계는
    전도성 고분자와 실리카 전구체를 혼합하여 졸-겔 용액을 형성하는 단계와;
    상기 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 코팅 용액을 형성하는 단계와;
    상기 코팅 용액을 상기 상부 기판과 상기 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면 상에 코팅한 후 건조하는 단계를 포함하며,
    상기 Ti-OR 전구체에서 R은 알킬기(CnH2n+1)이며, 상기 알킬기에 포함되는 탄소 원자의 수(n)는 1~20개인 표시 장치의 제조 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 Ti-OR전구체는 상기 전도성 고분자와 상기 실리카 전구체의 반응 이후 1분에서 수시간 이후에 첨가되는 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 졸-겔 용액은
    1~10중량%의 상기 전도성 고분자와,
    10~30중량%의 상기 실리카 전구체와,
    60중량%~89중량%의 용매로 이루어지는 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자로는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트(PEDOT/:PSS), 폴리아닐린(polyaniline: PAN), 폴리피롤(polypyrrol: PPy), 폴리티오펜(polythiophene: PT) 등이 이용되며,
    상기 실리카전구체로는 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS) 또는 테트라메틸오쏘실리케이트(TMOS)를 실리카 전구체 등이 이용되며,
    상기 용매로는 순수물(DI), 메탄올(MeOH), 에탄올(EtOH), 이소프로판올(IPA) 또는 부탄올(BuOH), n-프로필알코올, 메틸셀로솔브, 프로필렌클리콜메틸에테르, 디에세톤알코올, 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸셀로솔브(EC), 메틸에틸케톤(MEK),디메틸포름아마이드(DMF) 또는 N-메틸피롤리돈(NMP)등이 이용되는 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판에 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  7. 상부 기판과;
    상기 상부 기판과 대향하면서 합착된 하부 기판과;
    상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판의 외부면에 배치되는 대전 방지층을 구비하며;
    상기 대전 방지층은 전도성 고분자와 실리카 전구체로 이루어진 졸-겔 용액에 Ti-OR전구체를 0.1~10중량%첨가하여 형성된 코팅 용액을 건조하여 형성되며,
    상기 Ti-OR 전구체에서 R은 알킬기(CnH2n+1)이며, 상기 알킬기에 포함되는 탄소 원자의 수(n)는 1~20개인 표시 장치.
  8. 삭제
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 졸-겔 용액은
    1~10중량%의 상기 전도성 고분자와,
    10~30중량%의 상기 실리카 전구체와,
    60중량%~89중량%의 용매로 이루어지는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자로는 폴리-3,4-에틸렌디옥시티오펜/폴리스티렌술포네이트(PEDOT/:PSS), 폴리아닐린(polyaniline: PAN), 폴리피롤(polypyrrol: PPy), 폴리티오펜(polythiophene: PT) 등이 이용되며,
    상기 실리카전구체로는 테트라에틸오르쏘실리케이트(Tetraethylorthosilicate, TEOS) 또는 테트라메틸오쏘실리케이트(TMOS)를 실리카 전구체 등이 이용되며,
    상기 용매로는 순수물(DI), 메탄올(MeOH), 에탄올(EtOH), 이소프로판올(IPA) 또는 부탄올(BuOH), n-프로필알코올, 메틸셀로솔브, 프로필렌클리콜메틸에테르, 디에세톤알코올, 부틸아세테이트, 에틸아세테이트, 에틸셀로솔브(EC), 메틸에틸케톤(MEK),디메틸포름아마이드(DMF) 또는 N-메틸피롤리돈(NMP)등이 이용되는 표시 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 상부 기판 및 하부 기판 중 적어도 어느 한 기판에는 사용자의 터치에 따른 터치 위치를 검출하기 위한 터치 검출 라인이 배치되는 표시 장치.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 대전 방지층은 메쉬 형태의 패턴으로 이루어지는 표시 장치.
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