JP6339599B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
前記第1ステージの位置情報を計測する第1計測システムと、前記液体の供給口および回収口と、前記レンズの射出面よりも低く配置される下面と、を有し、前記レンズを囲むように前記投影光学系の下端側に設けられ、前記供給口を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成するとともに、前記回収口を介して前記液浸領域の液体を回収するノズルユニットと、前記液浸領域と接触可能な上面と、前記上面の凹部内に設けられ、前記基板を保持するホルダと、を有し、前記投影光学系の下方に配置されるとともに、前記上面によって、前記凹部内で前記ホルダに保持される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持可能な第2ステージと、前記第2ステージを駆動する第2モータを有する第2駆動系と、前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に配置されるように前記投影光学系の下端側に設けられ、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記投影光学系の光軸と垂直な所定面内で互いに直交する第1、第2方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測可能な第2計測システムと、前記第1、第2計測システムで計測される位置情報に基づいて前記第1、第2駆動系をそれぞれ制御するとともに、前記基板の走査露光において前記照明光に対して前記マスクと前記基板がそれぞれ相対移動されるように前記第1、第2駆動系を制御する制御装置と、を備え、前記第2ステージの移動中、前記第2計測システムで前記6自由度方向のうち前記所定面内の3自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報の計測に用いられる、前記格子部と対向する、3つのヘッドの1つの代わりに、前記3つのヘッドと異なる別のヘッドが用いられるように前記ヘッドの切換が行われ、前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りの2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの前記位置情報が計測され、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドによって計測される前記位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記第2ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光装置が、提供される。
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
=2KVycos[(θ1−θ0)/2]cosθ
+2KVzcos[(θ1−θ0)/2]sinθ …(7)
ここで、θ=π/2−(θ1+θ0)/2なので、上式を変形して、次式(8)を得る。
2πfD=KVy(sinθ1+sinθ0)+KVz(cosθ1+cosθ0)…(8)
ここで、入射角θ0と散乱角θ1には次式の関係(回折条件)が成立する。
ただし、λは光の波長、pは回折格子のピッチ、nは回折次数である。なお、回折次数nは、散乱角(回折角)−θ0の零次回折光を基準にして、+Y方向に散乱(発生)される回折光に対して正、−Y方向に発生される回折光に対し負となる。式(9)に式(10)を代入すると、位相シフトφは、次式(11)のように書き換えられる。
上式(11)より明らかなように、反射面DSが停止していれば、すなわちΔY=ΔZ=0ならば、位相シフトφも零となる。
ただし、回折条件を、次式(13)で与えた。
一方、光束LB2は角度θb0で反射型回折格子RGに入射し、nb次回折光が角度θb1で発生される。この回折光が、反射鏡R2bによって反射され、同じ光路を辿って反射鏡R1bに戻るとする。光束LB2が被る全位相シフトは、式(12)と同様に、次式(14)のように求められる。
ただし、回折条件を、次式(15)で与えた。
+2KΔZf(θa0,θa1,θb0,θb1)+φ0 …(16)
ここで、反射鏡R1a,R1b,R2a,R2bの配置と回折条件(13)、(15)とから定まる幾何学的因子を、次式(17)のように表記した。
=cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0 …(17)
また、上式(16)において、その他の要因(例えば、変位ΔL,ΔY,ΔZの基準位置の定義など)より定まる定位相項をφ0と表記した。
その場合、式(16)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(19)が得られる。
上式(19)より、位相差φsymは光の波長λに依存しないことがわかる。そして、干渉光の強度Iは、変位ΔYが計測単位(計測ピッチとも呼ぶ)p/4n増加あるいは減少する毎に、強弱を繰り返すことがわかる。そこで、予め定められた基準位置からの変位ΔYに伴う干渉光の強度の強弱の回数を計測する。そして、その計数値(カウント値)cΔYを用いることにより、変位ΔYの計測値CΔYが、次式(20)より算出される。
上式(21)において、定位相項φ0を位相オフセット(ただし、0≦φ0<2πと定義する)とし、変位ΔYの基準位置での位相φsym(ΔY=0)を保持することとする。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(23)
上式(22)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(23)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
hC=(yC1−yC0)/φ ……(25)
hD=(xD1−xD0)/φ ……(27)
上式(24)、(25)からわかるように、ウエハステージWSTのピッチング量をφxとすると、ウエハステージWSTのピッチングに伴う、Yエンコーダ70A,70Cのアッベ誤差ΔAA、ΔACは、次式(28)、(29)で表せる。
ΔAC=hC・φx ……(29)
上式(26)、(27)からわかるように、ウエハステージWSTのローリング量をφyとすると、ウエハステージWSTのローリングに伴う、Xエンコーダ70B,70Dのアッベ誤差ΔAB、ΔADは、次式(30)、(31)で表せる。
ΔAD=hD・φy ……(31)
CY=r’・ey’ …(35b)
ここで、ex’,ey’は、ウエハステージWSTにのった相対座標系(X’,Y’,θz’)におけるX’,Y’単位ベクトルで、基準座標系(X,Y,θz)におけるX,Y単位ベクトルex,eyと、次式(36)の関係がある。
CY=−(p−X)sinθz+(q−Y)cosθz ……(37b)
C2=−(p2−X)sinθz+(q2−Y)cosθz ……(38b)
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz ……(38c)
上式(39)において、p4,q4は、エンコーダEnc4の計測点のX座標値、Y座標値である。エンコーダEnc4のY座標値q4として前述のヘッド位置のキャリブレーションの際に取得した位置情報が、エンコーダEnc4のX座標値p4としては、設計上の位置情報が、メモリ34内からそれぞれ読み出されて用いられる。
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz …(38c)
C4= (p4−X)cosθz+(q4−Y)sinθz …(38d)
なお、4つめのエンコーダがYヘッドの場合には、理論式(38d)の代わりに次の理論式(38e)を用いた連立方程式(38b)(38c)(38e)を用いれば良い。
本実施形態では、ウエハステージWSTの3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測するために、常時、エンコーダシステム70A〜70Dを構成するXエンコーダ(ヘッド)及びYエンコーダ(ヘッド)の内、少なくとも1つのXヘッドと少なくとも2つのYヘッドを含む少なくとも3つのヘッドを使用している。そのため、ウエハステージWSTの移動に伴って使用するヘッドを切り換える際には、切り換えの前後でステージ位置の計測結果を連続につなぐために、3つのヘッドの組み合わせから別の3つのヘッドの組み合わせへと切り換える方式を採用している。この方式を、第1方式と呼ぶことにする。
CY4=−(p4−X)sinθz+(q4−Y)cosθz ……(39b)
ここで、(p3,q3),(p4,q4)はYヘッド643,644のX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド643,644のY設置位置は等しい(q3=q4)と仮定する。この仮定の下、上式(39a)(39b)より、次式(40)が得られる。
従って、後に停止される第1ヘッド643の計測値を上式(40)の右辺のCY3に代入して、左辺のCY4を求めることにより、新たに使用する第2ヘッド644の計測値を予測することができる。
ここで、(pA,qA)はYヘッド64AのX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64AのY設置位置qAは、Yヘッド643,644のY設置位置q3,q4と等しい(qA=q3=q4)と仮定する。
ただし、定数c=(p3−p4)/(qA−q3)と置いた。従って、Yヘッド643,64Aの計測値のそれぞれを上式(41)の右辺のCY3,CYAに代入して左辺のCY4を求めることにより、新たに使用するYヘッド644の計測値を予測することができる。
Claims (38)
- 液体を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記照明光が通過する射出面が前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有する投影光学系と、
前記投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージと、
前記第1ステージを駆動する第1モータを有する第1駆動系と、
前記第1ステージの位置情報を計測する第1計測システムと、
前記液体の供給口および回収口と、前記レンズの射出面よりも低く配置される下面と、を有し、前記レンズを囲むように前記投影光学系の下端側に設けられ、前記供給口を介して供給される液体によって前記投影光学系の下に液浸領域を形成するとともに、前記回収口を介して前記液浸領域の液体を回収するノズルユニットと、
前記液浸領域と接触可能な上面と、前記上面の凹部内に設けられ、前記基板を保持するホルダと、を有し、前記投影光学系の下方に配置されるとともに、前記上面によって、前記凹部内で前記ホルダに保持される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持可能な第2ステージと、
前記第2ステージを駆動する第2モータを有する第2駆動系と、
前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に配置されるように前記投影光学系の下端側に設けられ、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記投影光学系の光軸と垂直な所定面内で互いに直交する第1、第2方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測可能な第2計測システムと、
前記第1、第2計測システムで計測される位置情報に基づいて前記第1、第2駆動系をそれぞれ制御するとともに、前記基板の走査露光において前記照明光に対して前記マスクと前記基板がそれぞれ相対移動されるように前記第1、第2駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記第2ステージの移動中、前記第2計測システムで前記6自由度方向のうち前記所定面内の3自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報の計測に用いられる、前記格子部と対向する、3つのヘッドの1つの代わりに、前記3つのヘッドと異なる別のヘッドが用いられるように前記ヘッドの切換が行われ、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りの2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの前記位置情報が計測され、
前記切換前に用いられる前記3つのヘッドによって計測される前記位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記第2ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に取得される露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記補正情報の取得および前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記第2計測システムは、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報を計測する露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記補正情報は、前記切換の前後で、前記第2ステージの位置が実質的に維持される、あるいは前記第2ステージの位置情報が実質的に連続的につながるように取得される露光装置。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板の露光動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測されるとともに、前記ヘッドの切換が行われる露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージは、前記基板の表面が前記上面とほぼ同一面となるように前記凹部内で前記基板を保持する露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して吊り下げ支持される露光装置。 - 請求項10又は11に記載の露光装置において、
前記ヘッドは、前記第2ステージに設けられるとともに、前記格子部は、前記フレーム部材に設けられ、
前記第2ステージは、前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項10〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項10〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ノズルユニットは、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項10〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記フレーム部材と異なるフレーム部材を、さらに備え、
前記ノズルユニットは、前記異なるフレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項10〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられ、前記基板にビームを照射して前記基板の位置情報を計測する基板計測系を、さらに備え、
前記基板の計測動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項16に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記基板の露光動作において、前記基板計測系による前記基板の計測結果と、前記計測動作において前記第2計測システムで計測される位置情報と、を用いて、前記第2計測システムで計測される位置情報に基づく前記第2駆動系の駆動を制御する露光装置。 - 請求項16又は17に記載の露光装置において、
前記基板計測系は、前記基板のマークを検出するマーク検出系と、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報を計測する位置計測装置と、を有する露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 液体を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記照明光が通過する射出面が前記液体と接するレンズを含む複数の光学素子を有する投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージの位置情報を、第1計測システムで計測することと、
前記液体の供給口および回収口と、前記レンズの射出面よりも低く配置される下面と、を有し、前記レンズを囲むように前記投影光学系の下端側に設けられるノズルユニットによって、前記投影光学系の下に液体で液浸領域を形成するために、前記供給口を介して前記投影光学系の下に液体を供給するとともに、前記回収口を介して前記投影光学系の下に供給される液体を回収することと、
前記液浸領域と接触可能な上面と、前記上面の凹部内に設けられ、前記基板を保持するホルダと、を有し、前記投影光学系の下方に配置されるとともに、前記上面によって、前記凹部内で前記ホルダに保持される基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持可能な第2ステージを移動することと、
前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に配置されるように前記投影光学系の下端側に設けられる第2計測システムの、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記投影光学系の光軸と垂直な所定面内で互いに直交する第1、第2方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測することと、
前記基板の走査露光において前記照明光に対して前記マスクと前記基板がそれぞれ相対移動されるように、前記第1計測システムで計測される位置情報に基づいて前記第1ステージを駆動するとともに、前記第2計測システムで計測される位置情報に基づいて前記第2ステージを駆動することと、を含み、
前記第2ステージの移動中、前記第2計測システムで前記6自由度方向のうち前記所定面内の3自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報の計測に用いられる、前記格子部と対向する、3つのヘッドの1つの代わりに、前記3つのヘッドと異なる別のヘッドが用いられるように前記ヘッドの切換が行われ、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りの2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの前記位置情報が計測され、
前記切換前に用いられる前記3つのヘッドによって計測される前記位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記第2ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光方法。 - 請求項20に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に取得される露光方法。 - 請求項20又は21に記載の露光方法において、
前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項20〜22のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記補正情報の取得および前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項23に記載の露光方法において、
前記第2計測システムは、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報を計測する露光方法。 - 請求項24に記載の露光方法において、
前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - 請求項20〜25のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記補正情報は、前記切換の前後で、前記第2ステージの位置が実質的に維持される、あるいは前記第2ステージの位置情報が実質的に連続的につながるように取得される露光方法。 - 請求項20〜26のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板の露光動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測されるとともに、前記ヘッドの切換が行われる露光方法。 - 請求項20〜27のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記第2ステージの上面とほぼ同一面となるように前記凹部内で保持される露光方法。 - 請求項20〜28のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系を支持するフレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項29に記載の露光方法において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して吊り下げ支持される露光方法。 - 請求項29又は30に記載の露光方法において、
前記ヘッドは、前記第2ステージに設けられるとともに、前記格子部は、前記フレーム部材に設けられ、
前記第2ステージは、前記格子部の下方で移動される露光方法。 - 請求項29〜31のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように前記フレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項29〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ノズルユニットは、前記フレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項29〜32のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ノズルユニットは、前記フレーム部材と異なるフレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項29〜34のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられ、前記基板にビームを照射する基板計測系によって、前記基板の位置情報が計測され、
前記基板の計測動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項35に記載の露光方法において、
前記基板の露光動作において、前記基板計測系による前記基板の計測結果と、前記計測動作において前記第2計測システムで計測される位置情報と、を用いて、前記第2計測システムで計測される位置情報に基づく前記第2ステージの移動を制御する露光方法。 - 請求項35又は36に記載の露光方法において、
前記計測動作において、前記基板のマークが検出されるとともに、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報が計測される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項20〜37のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
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US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
US9760028B2 (en) | 2012-03-08 | 2017-09-12 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system and method for processing a target, such as a wafer |
US8779635B2 (en) * | 2012-04-10 | 2014-07-15 | Kla-Tencor Corporation | Arrangement of reticle positioning device for actinic inspection of EUV reticles |
JP5936478B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
JP5936479B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2016-06-22 | キヤノン株式会社 | 計測装置、リソグラフィー装置、および物品の製造方法 |
KR102203305B1 (ko) | 2012-10-02 | 2021-01-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
US9977341B2 (en) | 2013-02-08 | 2018-05-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP6381184B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 |
US20160336101A1 (en) | 2013-09-04 | 2016-11-17 | Ckd Corporation | Armature coil for electromagnetic actuator, electromagnetic actuator, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP6452086B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2019-01-16 | キヤノン株式会社 | 形状算出装置及び方法、計測装置、物品製造方法、及び、プログラム |
DE102014205523A1 (de) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | Etel S.A. | Positioniereinrichtung in Portalbauweise |
WO2015147039A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
CN108957966B (zh) | 2014-03-28 | 2021-02-02 | 株式会社尼康 | 移动体装置 |
JP6465565B2 (ja) | 2014-05-19 | 2019-02-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置、位置合わせ方法およびデバイス製造方法 |
JP6342738B2 (ja) * | 2014-07-24 | 2018-06-13 | 株式会社Screenホールディングス | データ補正装置、描画装置、検査装置、データ補正方法、描画方法、検査方法およびプログラム |
WO2016030090A1 (en) * | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Asml Netherlands B.V. | Encoder system calibration method, object positioning system, lithographic apparatus and device device manufacturing method |
KR102552792B1 (ko) | 2015-02-23 | 2023-07-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI768342B (zh) | 2015-02-23 | 2022-06-21 | 日商尼康股份有限公司 | 測量裝置、微影系統及曝光裝置、測量方法及曝光方法 |
EP3680717A1 (en) | 2015-02-23 | 2020-07-15 | Nikon Corporation | Substrate processing system and substrate processing method, and device manufacturing method |
JP6958354B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2021-11-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
CN111650818B (zh) | 2015-09-30 | 2024-03-15 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平面显示器的制造方法、及组件制造方法 |
CN113267964B (zh) | 2015-09-30 | 2023-05-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
WO2017057539A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
KR20180059814A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
CN108139694B (zh) | 2015-09-30 | 2021-08-03 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及平面显示器制造方法 |
CN111929992A (zh) | 2015-09-30 | 2020-11-13 | 株式会社尼康 | 移动体装置、曝光装置、平面显示器的制造方法、及元件制造方法、以及物体的移动方法 |
CN108139683B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-11-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
KR20180059813A (ko) | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법 및 노광 방법 |
WO2017057590A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法 |
US10338481B2 (en) | 2015-10-27 | 2019-07-02 | Asml Holding N.V. | Polarization independent metrology system |
US10585357B2 (en) | 2015-12-28 | 2020-03-10 | Asml Netherlands B.V. | Alternative target design for metrology using modulation techniques |
CN205427436U (zh) * | 2016-03-23 | 2016-08-03 | 北京京东方光电科技有限公司 | 显示器件的对位检测设备及曝光工艺系统 |
JP6925783B2 (ja) * | 2016-05-26 | 2021-08-25 | 株式会社アドテックエンジニアリング | パターン描画装置及びパターン描画方法 |
JP6438441B2 (ja) | 2016-08-04 | 2018-12-12 | ファナック株式会社 | エンコーダの信号処理装置、エンコーダ、信号処理方法及びプログラム |
EP3506012A4 (en) * | 2016-08-24 | 2020-04-15 | Nikon Corporation | MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
KR102296327B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2021-09-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 이동 방법, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP6787404B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-11-18 | 株式会社ニコン | 移動体装置、移動方法、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、並びにデバイス製造方法 |
KR102295115B1 (ko) | 2016-09-30 | 2021-08-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 반송 장치, 노광 장치, 노광 방법, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 반송 방법 |
CN113238461B (zh) | 2016-09-30 | 2024-01-12 | 株式会社尼康 | 曝光装置、平板显示器的制造方法、元件制造方法、及曝光方法 |
WO2018077873A1 (en) * | 2016-10-27 | 2018-05-03 | Asml Netherlands B.V. | System and method for determining and calibrating a position of a stage |
US10754049B2 (en) * | 2016-11-01 | 2020-08-25 | Shimadzu Corporation | Method for calibrating imaging magnification of radiation computed tomography scanner |
US11036045B2 (en) * | 2017-03-14 | 2021-06-15 | Pioneer Corporation | Display device |
US10877370B2 (en) * | 2017-07-31 | 2020-12-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Stretchable layout design for EUV defect mitigation |
CN107687814B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-05-12 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种测量装置 |
CN107806822B (zh) * | 2017-09-21 | 2020-06-09 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种测量装置 |
TWI663845B (zh) * | 2017-11-09 | 2019-06-21 | 美商Tt電子公司 | 光學編碼裝置及方法 |
EP3759537B1 (en) * | 2018-03-02 | 2023-07-19 | Gooch And Housego PLC | Mounting ring for maintaining optical device alignment |
JP7137363B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-14 | キヤノン株式会社 | 露光方法、露光装置、物品の製造方法及び計測方法 |
US11764111B2 (en) * | 2019-10-24 | 2023-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Reducing cross-wafer variability for minimum width resistors |
JP7360978B2 (ja) * | 2020-03-18 | 2023-10-13 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 荷電粒子ビーム装置 |
CN111580455B (zh) * | 2020-06-05 | 2021-06-25 | 广东省智能制造研究所 | 一种数控设备的定位精度可靠性评估方法 |
US11874144B2 (en) * | 2020-07-28 | 2024-01-16 | Li Lin | Displacement measurement system |
JP2023000112A (ja) * | 2021-06-17 | 2023-01-04 | キオクシア株式会社 | 計測装置および計測プログラム |
CN113552534B (zh) * | 2021-08-05 | 2022-02-01 | 中国人民解放军战略支援部队航天工程大学 | 基于脉冲信号的旋转基线干涉仪相位标校方法 |
TWI791343B (zh) * | 2021-12-01 | 2023-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 旋轉軸的幾何誤差的獲取方法與獲取設備 |
CN116674205B (zh) * | 2023-08-01 | 2023-12-15 | 易加三维增材技术(杭州)有限公司 | 位移控制方法、装置、非易失性存储介质及电子设备 |
CN117733873B (zh) * | 2024-02-19 | 2024-04-19 | 深圳市德富莱智能科技股份有限公司 | 一种三维自动校准系统 |
Family Cites Families (210)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE224448C (ja) | ||||
US4465A (en) | 1846-04-18 | Improvement in plows | ||
DE221563C (ja) | ||||
US368A (en) | 1837-08-31 | John williamson | ||
US4215938A (en) * | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5070250A (en) | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5021649A (en) * | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) * | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
DE4033556A1 (de) * | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
JP3149472B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
JP3030386B2 (ja) | 1991-05-15 | 2000-04-10 | 敏一 中村 | 抗ガン剤 |
DE4219311C2 (de) * | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) * | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JPH05173639A (ja) * | 1991-12-20 | 1993-07-13 | Fujitsu Ltd | 位置制御装置及びその制御方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3309871B2 (ja) * | 1993-04-27 | 2002-07-29 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
JP3319819B2 (ja) * | 1993-06-25 | 2002-09-03 | 株式会社リコー | 画像形成装置管理システム |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JP3382389B2 (ja) * | 1993-10-26 | 2003-03-04 | キヤノン株式会社 | 位置ずれ検出方法及びそれを用いた位置ずれ検出装置 |
US5625453A (en) * | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH07318699A (ja) * | 1994-05-27 | 1995-12-08 | Canon Inc | ステージ装置及びこれを有する露光装置とデバイス製造方法 |
US6018384A (en) | 1994-09-07 | 2000-01-25 | Nikon Corporation | Projection exposure system |
JP3379238B2 (ja) | 1994-09-08 | 2003-02-24 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置 |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH09115820A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-05-02 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び露光方法 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1022218A (ja) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 基板のアライメント方法 |
JP3300856B2 (ja) * | 1996-08-12 | 2002-07-08 | イーエルオー・タッチシステムズ・インコーポレイテッド | 複数の相互非直交波を使用した音響式状態センサ |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
ATE404906T1 (de) * | 1996-11-28 | 2008-08-15 | Nikon Corp | Ausrichtvorrichtung und belichtungsverfahren |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
JP3626504B2 (ja) | 1997-03-10 | 2005-03-09 | アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ | 2個の物品ホルダを有する位置決め装置 |
JP3963037B2 (ja) * | 1997-03-19 | 2007-08-22 | ソニー株式会社 | 記録装置及び再生装置 |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JPH11121325A (ja) * | 1997-09-03 | 1999-04-30 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP4210871B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
KR100819239B1 (ko) * | 1998-03-11 | 2008-04-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 자외 레이저 장치, 레이저 장치, 노광 장치와 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 자외광 조사 장치, 물체 패턴 검출 장치, 자외광 조사 방법 및 물체 패턴 검출 방법 |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP4505989B2 (ja) | 1998-05-19 | 2010-07-21 | 株式会社ニコン | 収差測定装置並びに測定方法及び該装置を備える投影露光装置並びに該方法を用いるデバイス製造方法、露光方法 |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
EP1014199B1 (en) | 1998-12-24 | 2011-03-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage control apparatus, exposure apparatus and method of manufacturing a semiconductor device |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) * | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP2001118768A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-27 | Nikon Corp | マスクのアライメント方法および露光装置 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
WO2001052004A1 (en) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Abbe error correction system and method |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US6970245B2 (en) * | 2000-08-02 | 2005-11-29 | Honeywell International Inc. | Optical alignment detection system |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
JP2002031895A (ja) | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Nikon Corp | 露光装置 |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US6557190B2 (en) | 2001-08-31 | 2003-05-06 | National Rv Holdings, Inc. | Storable bed assembly |
JP2002164269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4714403B2 (ja) | 2001-02-27 | 2011-06-29 | エーエスエムエル ユーエス,インコーポレイテッド | デュアルレチクルイメージを露光する方法および装置 |
EP1402755A2 (en) * | 2001-03-27 | 2004-03-31 | 1... Limited | Method and apparatus to create a sound field |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
JP4198338B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
KR20010112204A (ko) * | 2001-12-01 | 2001-12-20 | 엄경미 | 위생패드 |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
CN100345252C (zh) | 2002-01-29 | 2007-10-24 | 株式会社尼康 | 成像状态调节系统、曝光方法和曝光装置以及程序和信息存储介质 |
US6987555B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
JP2004014876A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Nikon Corp | 調整方法、空間像計測方法及び像面計測方法、並びに露光装置 |
JP3833148B2 (ja) | 2002-06-25 | 2006-10-11 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置及びその制御方法、露光装置、デバイスの製造方法、半導体製造工場、露光装置の保守方法 |
JP2004041362A (ja) | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Sankyo Kk | 弾球遊技機およびスロットマシン |
WO2004012245A1 (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-05 | Nikon Corporation | 位置計測方法、位置制御方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI242691B (en) | 2002-08-23 | 2005-11-01 | Nikon Corp | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
SG125922A1 (en) * | 2002-09-20 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Device inspection |
CN1245668C (zh) * | 2002-10-14 | 2006-03-15 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 曝光系统及其曝光方法 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
CN101349876B (zh) * | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101607209B (zh) * | 2002-11-18 | 2014-07-02 | 优美科触媒日本有限公司 | 废气净化用催化剂的制备方法与废气净化方法 |
WO2004051184A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Nikon Corporation | 形状計測方法、形状計測装置、チルト計測方法、ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
WO2004053955A1 (ja) | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
CN100429748C (zh) * | 2002-12-10 | 2008-10-29 | 株式会社尼康 | 曝光装置和器件制造方法 |
KR101238142B1 (ko) | 2003-04-10 | 2013-02-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
CN101002140B (zh) * | 2003-04-11 | 2010-12-08 | 株式会社尼康 | 保持平板印刷投射透镜下面的浸没流体的设备和方法 |
KR101273713B1 (ko) | 2003-05-06 | 2013-06-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7025498B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050027487A1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-02-03 | Supriya Iyer | Product defect analysis and resolution system |
KR101298864B1 (ko) * | 2003-07-28 | 2013-08-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법 |
JP4492239B2 (ja) * | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR20180120816A (ko) * | 2003-08-21 | 2018-11-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
JP4524601B2 (ja) * | 2003-10-09 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、デバイス製造方法 |
TWI295408B (en) * | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
JP2005159322A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
WO2005076325A1 (ja) | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Nikon Corporation | 露光装置及び方法、位置制御方法並びにデバイス製造方法 |
JP4429037B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
JP2005283357A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Sendai Nikon:Kk | 光電式エンコーダ |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7126109B2 (en) | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
WO2005124834A1 (ja) | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
US20060013959A1 (en) * | 2004-07-15 | 2006-01-19 | Morales Hector D | Process to apply a polimeric coating on non-ferrous substrates |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
US7701550B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG155929A1 (en) * | 2004-09-17 | 2009-10-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
JP4852951B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US20080068568A1 (en) | 2004-09-30 | 2008-03-20 | Nikon Corporation | Projection Optical Device And Exposure Apparatus |
EP2426700B1 (en) * | 2004-10-15 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
WO2006049134A1 (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-11 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TWI553703B (zh) * | 2004-11-18 | 2016-10-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
CN101576716A (zh) | 2004-11-25 | 2009-11-11 | 株式会社尼康 | 移动体系统、曝光装置及组件制造方法 |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP4450739B2 (ja) | 2005-01-21 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
JP2007054987A (ja) * | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Soshiodaiya Systems Kk | 印刷装置及び印刷方法 |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) * | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
JP4164508B2 (ja) * | 2005-10-04 | 2008-10-15 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7978339B2 (en) * | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
TWI538012B (zh) | 2006-01-19 | 2016-06-11 | 尼康股份有限公司 | 移動體驅動方法及移動體驅動系統、圖案形成方法及圖案形成裝置、曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
JPWO2007097350A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2009-07-16 | 株式会社ニコン | 位置計測装置及び位置計測方法、移動体駆動システム及び移動体駆動方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR101333872B1 (ko) | 2006-02-21 | 2013-11-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 패턴 형성 장치 및 패턴 형성 방법, 이동체 구동 시스템 및 이동체 구동 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP5195417B2 (ja) * | 2006-02-21 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
CN102866591B (zh) * | 2006-02-21 | 2015-08-19 | 株式会社尼康 | 曝光装置及方法、以及元件制造方法 |
US7602489B2 (en) * | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) * | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
US20080050680A1 (en) * | 2006-08-24 | 2008-02-28 | Stefan Brandl | Lithography systems and methods |
EP3418807A1 (en) * | 2006-08-31 | 2018-12-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
KR101565277B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2015-11-02 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI655517B (zh) * | 2006-08-31 | 2019-04-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus and method, and component manufacturing method |
JP5035247B2 (ja) * | 2006-09-01 | 2012-09-26 | 株式会社ニコン | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、デバイス製造方法、並びにキャリブレーション方法 |
TWI600979B (zh) * | 2006-09-01 | 2017-10-01 | Nippon Kogaku Kk | Moving body driving method and moving body driving system, pattern forming method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) * | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
TWI602033B (zh) * | 2007-12-28 | 2017-10-11 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus, moving body driving system, pattern forming apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
-
2007
- 2007-08-31 EP EP18184704.7A patent/EP3418807A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 SG SG2011060241A patent/SG174091A1/en unknown
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