JP5736003B2 - ウェハを吸着保持する静電チャック - Google Patents
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Description
chip)のように多品種少量生産へ移行しつつある。それに伴い、製造工程数が増加し、各工程毎の歩留まり向上は必須となり、プロセス起因の欠陥検査が重要になる。本発明は、半導体プロセスにおける各工程後のウェハの検査のためのシートビーム式検査装置に好適な荷電粒子線に用いることができる静電チャックに関する。
本発明の第1の実施の形態は、写像投影方式の電子線装置を提供する。そのため、第1の実施の形態は、
特定幅を有する電子線を照射するビーム発生手段と、
前記荷電粒子線を検査対象となる基板表面に到達させる一次電子光学系と、
前記基板から発生した二次電子線を補足し画像処理系へ導く二次電子光学系と、
前記基板を少なくとも一自由度の連続性をもって移送可能に保持するステージと、
前記基板の検査室と、
前記検査室に基板を搬入出する基板搬送機構と、
前記基板の欠陥を検出する画像処理解析装置と、
前記検査室の除振機構と、
前記検査室の真空を保持する真空系と、
前記基板の欠陥位置を表示又は記憶する制御系と、
を具備することを特徴とする基板検査装置、基板検査方法およびこうした基板検査装置を用いたデバイス製造方法、
を提供する。
本発明の第2の実施の形態は、
電子線源からの一次電子線を前記検査対象に照射し、前記一次電子線の照射により放出された二次電子線の像を投影する電子光学系及び前記電子光学系により投影された二次電子線像を検出する検出器を有する電子光学装置と、
前記検査対象を保持して前記電子光学系に関して相対的に移動させるステージ装置と、
清浄気体を前記検査対象に流して前記検査対象への塵埃の付着を阻止するミニエンバイロメント装置と、
前記ステージ装置を収容しておりかつ真空雰囲気に制御可能になっているワーキングチャンバと、
前記ミニエンバイロメント装置と前記ワーキングチャンバとの間に配置されていて、それぞれ独立して真空雰囲気に制御可能になっている少なくとも二つのローディングチャンバと、
前記ミニエンバイロメント装置と前記ローディングチャンバの一つ内との間で前記検査対象を移送可能な搬送ユニット及び前記一つのローディングチャンバ内と前記ステージ装置上との間で前記検査対象を移送可能な別の搬送ユニットを有するローダーと、を備え、
前記ワーキングチャンバ及びローディングチャンバが振動遮断装置を介して支持されるよう構成されている検査装置、
を提供する。
電子線源からの一次電子線を前記検査対象に照射し、前記一次電子線の照射により放出された二次電子線を減速電界型対物レンズで加速してその像を投影する電子光学系、前記電子光学系により投影された二次電子線像を検出する検出器及び前記減速電界型対物レンズと前記検査対象との間に配置されていて前記検査対象の前記一次電子線の照射面における電界強度を制御する電極を有する電子光学装置と、
前記検査対象を保持して前記電子光学系に関して相対的に移動させるステージ装置と、
前記ステージ装置を収容しておりかつ真空雰囲気に制御可能になっているワーキングチャンバと、
前記ワーキングチャンバ内の前記ステージ装置上に前記検査対象を供給するローダーと、
前記ワーキングチャンバ内に配置された前記検査対象に電子線を照射して前記検査対象の帯電むらを減少する、あるいは意図的に帯電させるプレチャージユニット及び前記検査対象に電位を印加する電位印加機構と、を備え、
前記ワーキングチャンバが振動遮断装置を介して支持された支持装置により支持されるよう構成されている検査装置、
を提供する。
本発明の第3の実施の形態は、
複数の電子線源から放出された電子線を電子光学系を介して試料の面上に結像させる電子線装置であって、
前記電子線源と前記電子光学系とを分離する仕切板を備えてなり、該仕切板が前記電子線を通過させるためのアスペクト比の大きい穴を有する
ことを特徴とする電子線装置、
を提供する。
本発明の第4の実施の形態は、
静電レンズを含む静電光学系によって電子線を試料に入射させ、前記電子線の入射により前記試料から発生した二次電子線を検出してデータを形成し、前記データに基づいて前
記試料を評価する評価装置において、
前記静電光学系内の電極を仕事関数が5eV以上の金属でコーティングしたことを特徴とする評価装置、
を提供する。
静電レンズを含む静電光学系によって電子線を試料に入射させ、前記電子線の入射により前記試料から発生した二次電子線を検出してデータを形成し、前記データに基づいて前記試料を評価する評価装置において、
前記静電レンズは、電位差のある少なくとも2つの電極と前記少なくとも2つの電極の間にあって前記少なくとも2つの電極を支持する絶縁材料とを含み、
前記少なくとも2つの電極のうち少なくとも一方の電極は、前記少なくとも2つの電極間において最短の電極間距離となる第1の電極面と、前記第1の電極面よりも電極間距離が長い第2の電極面と、前記第1の電極面と前記第2の電極面との間に前記少なくとも2つの電極間方向の段差とを有し、
前記絶縁材料は、前記少なくとも2つの電極間において前記第2の電極面と他方の電極の電極面を略垂直に支持し、前記絶縁材料の前記少なくとも2つの電極間における最短沿面距離は、支持された電極部分における電極間距離と略同じ長さであることを特徴とする評価装置、
をも提供する。
上記の評価装置を用いたデバイス製造方法であって、デバイス製造途中において前記評価装置を用いて前記試料であるところの半導体ウェハのパターンを評価することを特徴とするデバイス製造方法、
をも提供する。
一次光学系によって試料に一次電子線を照射し、試料から放出された二次電子線をE×B分離器で一次光学系から分離して二次光学系に導く電子線装置において、
二次電子線の上記E×B分離器の磁場による偏向量を電場による偏向量の2倍とし、且つ、前記磁場による偏向方向と前記電場による偏向方向とを逆としたことを特徴する電子線装置、
を提供する。
一次光学系によって一次電子線を試料に照射し、該試料から放出された二次電子線をE×B分離器により一次光学系から分離して二次光学系に導く電子線装置において、一次電子線の前記分離器の磁場による偏向量を電場による偏向量の2倍とし、且つ、前記磁場による偏向方向と前記電場による偏向方向とを逆としたことを特徴とする電子線装置、
をも提供する。
また、本発明の第5の実施の形態は、上記の電子線装置を用いてプロセス途中の半導体デバイスを検査することを特徴とするデバイス製造方法をも提供する。
電子線装置であって、
前記対物レンズの少なくとも3つの励起電圧に関して、前記第1の方向に平行なパターン・エッジを前記第2の方向に走査したときの二次電子線信号波形の立ち上がりを表す第1のデータと、前記第2の方向に平行なパターン・エッジを前記第1の方向に走査したと
きの二次電子線信号波形の立ち上がりを表す第2のデータとを測定する測定手段と、
前記第1のデータと前記第2のデータとをそれぞれ二次式で近似し、それぞれの前記二次式の最小値を示す前記対物レンズの励起条件を求める手段と、
前記対物レンズを、求められた前記励起条件の代数平均に合せる手段と、
を具備したことを特徴とする電子線装置、
を提供する。
対物レンズを含む電子光学系により電子線を集束させ、パターンを前記電子線で走査することにより、該パターンの評価を行う電子線装置であって、
前記対物レンズは、アースに近い電圧が印加される第1の電極と、アースから遠い電圧が印加される第2の電極とを備え、
前記第1の電極に印加される電圧を変化させることによって、前記対物レンズの焦点距離を変化させることができ、
前記励起手段が、前記対物レンズの焦点距離を大きく変化させるために前記第2の電極に印加する電圧を変える手段と、前記焦点距離を短時間で変化させるために前記第1の電極に印加する電圧を変える手段とを備える
ことを特徴とする電子線装置、
を提供する。
本発明の第7の実施の形態は、
電子線を物質に照射することにより、該物質の加工、製造、観測及び検査のうち少なくともいずれかを実行する電子線装置であって、
物質に対する電子線の位置を定める機械構造体と、機械構造体の振動により力を受けるように該機械構造体に取り付けられた、圧電素子と、圧電素子に電気的に接続され、該圧電素子から出力された電気エネルギーを減衰させる、振動減衰用回路とを具備する電子線装置、
を提供する。
せるための光学系の光学部品、このような光学系を収容する鏡筒、物質を載置する支持台、或いは、電子線を物質に照射したことにより発生する二次的な電子線を検出器に結像させるための光学系の光学部品、このような光学系を収容する鏡筒、検出器を収容する鏡筒等である。
本発明の第9の実施の形態は、
XYステージに試料を載置し、該試料を真空中で任意の位置に移動して試料面に電子線を照射する装置において、
該XYステージには、静圧軸受けによる非接触支持機構と差動排気による真空シール機構とを設け、
該試料面上の電子線が照射される箇所と、該XYステージの静圧軸受け支持部との間にコンダクタンスが小さくなる仕切りを設け、
電子線照射領域と静圧軸受け支持部との間に圧力差が生じるようにしたことを特徴とする電子線装置、
を提供する。
、ステージ装置が真空内で高精度な位置決め性能を発揮することができ、更に、電子線照射位置との間にコンダクタンスを小さくする仕切りを形成することによって、ステージのスライド部が高圧ガス部から真空環境へ移動する度にスライド部表面に吸着していたガスが放出されても、電子線照射位置に該放出ガスが届きにくくなっているため、電子線照射位置の圧力が上昇しにくい。すなわち、上記の構成をとることによって、試料面上の電子線照射位置の真空度を安定させ、かつステージを高精度に駆動させることができるため、試料表面を汚染することなく、試料に対する電子線による処理を高精度に行うことができる。
不活性ガスを用いれば、スライド部が静圧軸受け部から真空環境に移動しても、放出ガス量が少なく、かつ放出ガス量の減衰も速いため真空度の悪化を小さくすることができる。このため、ステージが移動した時の圧力上昇を低く抑えることが可能になる。
XYステージ上に載置された試料に電子線を照射する装置において、
該XYステージはハウジング内に収容されかつ静圧軸受けによりハウジングに対して非接触で支持されており、
該ステージが収容されたハウジングは真空排気され、
該電子線装置の該試料面上に電子線を照射する部分の周囲には、試料面上の該電子線が照射される領域を排気する差動排気機構が設けられたことを特徴とする電子線装置、
を提供する。
るので、試料表面やハウジングにより形成される真空チャンバ内の構造物の表面を水分や油分等で汚染する恐れがない上に、試料表面に不活性ガス分子が吸着しても、差動排気機構或いは電子線照射領域の高真空部に晒されれば速やかに試料表面から離脱するので、電子線照射領域の真空度に対する影響を最小限に抑えることが可能になり、電子線による試料への処理を安定化させることができる。
一次電子線を発生し、集束して試料上に走査させて照射させ、前記試料の電子線照射部分から放出された二次電子線を検出器で検出する光学系を複数個備えた電子線装置において、前記試料にリターディング電圧を印加するためのリターディング電圧印加装置と、前記試料に依存して最適なリターディング電圧を前記試料に印加する機能と、を備え、前記光学系は、一体の絶縁物を加工し、表面に金属コーティングして軸対称レンズとした少なくとも一つの軸対称レンズを備えて構成されていることを特徴とする電子線装置、
を提供する。
一次電子線を発生し、集束して試料上に走査させて照射する一次光学系を有し、前記試料の電子線照射部分から放出された二次電子線を加速し、E×B分離器で前記一次光学系から分離して検出器で検出する電子線装置において、前記試料にリターディング電圧を印加するためのリターディング電圧印加装置と、前記試料のチャージアップ状態を調査するチャージアップ調査機能と、前記チャージアップ調査機能からのチャージアップ状態に関する情報に基づいて最適なリターディング電圧を決定し、それを前記試料に印加する機能又は最適な電子線電流に変更する機能と、を備えて構成されていることを特徴とする電子線装置、
を提供する。
電子線を試料に照射する光学系と、チャージアップ調査機能とを有し、前記チャージアップ調査機能は、前記試料に一次電子線が照射されて発生した二次電子線を検出して画像を形成したとき、前記試料の特定部分のパターン歪み或いはパターンボケを評価し、その結果パターン歪み或いはパターンボケが大きい場合をチャージアップが大きいと評価するように構成されていることを特徴とする電子線装置、
をも提供する。
り、少なくとも二つのリターディング電圧を印加した状態で、試料のパターン密度が大きく変化している境界付近の画像形成を行い、上記画像をオペレータがパターン歪み或いはパターンボケを評価可能なように表示する装置を有していてもよい。
本発明の第12の実施の形態は、
試料の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、試料上で部分的に重なり合いながら互いから変位された複数の被検査領域の画像を各々取得する画像取得手段と、 基準画像を記憶する記憶手段と、
画像取得手段により取得された複数の被検査領域の画像と、記憶手段に記憶された基準画像とを比較することによって試料の欠陥を判断する欠陥判断手段と、を具備することを特徴とする欠陥検査装置、
を提供する。ここで、検査対象となる試料は、欠陥を検出することができる任意のものが選択可能であるが、本発明は、半導体ウェハを対象とするとき、優れた効果を奏することができる。
本発明に係る荷電粒子線装置の第1の実施の形態は、電子線を用いた写像投影方式に関するもので、まず、写像投影方式について説明をする。
レンズ作用は、カソードレンズ2008の1番目、2番目の電極に電圧を印加し、3番目の電極をゼロ電位にすることで行われる。
いる。
子レンズはアライメント精度が厳しいといった制約はあるが、回転対称レンズに比べ、強い収束作用を持つ特徴があり、回転対称レンズの球面収差に相当する開口収差を開口収差補正電極に適切な電圧を印加することで補正を行うことができる。これにより、所定の領域に均一な面ビームを照射することができる。
033a、2033bで制御することにより、二次電子線はウィーンフィルタ2010を直進して、上記写像投影光学部に入射する。ここで、vは電子の速度(m/s)、Bは磁場(T)、eは電荷量(C)、Eは電界(V/m)である。
図3は、本発明の第1の実施の形態を用いた、半導体デバイスの製造方法の一例を示しており、以下の主工程を含んでいる。
(1)ウェハを製造するウェハ製造工程(又はウェハを準備するウェハ準備工程)
(2)露光に使用するマスクを製造するマスク製造工程(又はマスクを準備するマスク準備工程)
(3)ウェハに必要な加工処理を行うウェハプロセッシング工程
(4)ウェハ上に形成されたチップを1個ずつ切り出し、動作可能にならしめるチップ組立工程
(5)できたチップを検査するチップ検査工程。
(A)絶縁層となる誘電体薄膜や配線部、或いは電極部を形成する金属薄膜等を形成する薄膜形成工程(CVDやスパッタリング等を用いる)
(B)この薄膜層やウェハ基板を酸化する酸化工程
(C)薄膜層やウェハ基板等を選択的に加工するためにマスク(レチクル)を用いてレジストパターンを形成するリソグラフィー工程
(D)レジストパターンに従って薄膜層や基板を加工するエッチング工程(例えばドライエッチング技術を用いる)
(E)イオン・不純物注入拡散工程
(F)レジスト剥離工程
(G)加工されたウェハを検査する検査工程。
なお、ウェハプロセッシング工程は必要な層数だけ繰り返し行い、設計通り動作する半導体デバイスを製造する。
(a)前段の工程で回路パターンが形成されたウェハ上にレジストをコートするレジスト塗布工程
(b)レジストを露光する工程
(c)露光されたレジストを現像してレジストパターンを得る現像工程
(d)現像されたレジストパターンを安定化するためのアニール工程。
本発明の第2の実施の形態は、電子線を用いて検査対象の表面に形成されたパターンの
欠陥等を検査するのに適した電子線装置に関し、例えば、半導体製造工程におけるウェハの欠陥を検出する場合のように、電子線を検査対象に照射してその表面の性状に応じて変化する二次電子線を捕捉して画像データを形成し、その画像データに基づいて検査対象の表面に形成されたパターン等を高いスループットで検査する検査装置に好適な電子線装置、並びにそのような電子線装置を用いて歩留まり良くデバイスを製造するデバイス製造方法に関する。
ところで、SEMを応用した欠陥検査装置では、ビーム寸法が小さく、当然画素寸法が小さく、ラスタ幅も小さいため、欠陥検査に多くの時間を必要としていた。また、高スループットにするため、ビーム電流を大きくすると絶縁物が表面にあるウェハでは帯電して良好なSEM像が得られない問題があった。
電子線を用いた電子光学系を使用すると共に、その電子光学系と、装置を構成するその他の構成機器との調和を図ってスループットを向上した電子線装置、
検査対象を蓄えるカセットと電子光学系に関して検査対象を位置決めするステージ装置との間で検査対象を搬送するローダー及びそれと関連する装置を改善して検査対象を効率的にかつ精度良く検査することを可能とする電子線装置、
SEMで問題のあった帯電の問題を解決して検査対象を精度良く検査可能な電子線装置、
上記の電子線装置を用いてウェハ等の検査対象の検査を行うことにより歩留まりの良いデバイス製造方法、
を提供する。
と、ウェハに電位を印加する電位印加機構83(図12に図示)と、電子線キャリブレーション機構85(図13に図示)と、ステージ装置上でのウェハの位置決めを行うためのアライメント制御装置87を構成する光学顕微鏡871とを備えている。
施の形態では空気)を清浄にして一つ又はそれ以上の気体吹き出し口(図示せず)を通して清浄空気を真下に向かって層流状に流す気体供給ユニット231と、ミニエンバイロメント空間内において底壁222の上に配置されていて、底に向かって流れ下った空気を回収する回収ダクト232と、回収ダクト232と気体供給ユニット231とを接続して回収された空気を気体供給ユニット231に戻す導管233とを備えている。
ウェハの軸線O−Oの周りの回転方向の位置を約±1度の精度で予め位置決めしておくようになっている。プリアライナーは請求項に記載された発明の検査対象の座標を決める機構の一部を構成し、検査対象の粗位置決めを担当する。このプリアライナー自体は公知の構造のものでよいので、その構造、動作の説明は省略する。
図5及び図6(a)において、ワーキングチャンバ31を画成する主ハウジング30は、ハウジング本体32を備え、そのハウジング本体32は、台フレーム36上に配置された振動遮断装置すなわち防振装置37の上に載せられたハウジング支持装置33によって支持されている。ハウジング支持装置33は矩形に組まれたフレーム構造体331を備え
ている。ハウジング本体32はフレーム構造体331上に配設固定されていて、フレーム構造体上に載せられた底壁321と、頂壁322と、底壁321及び頂壁322に接続されて四周を囲む周壁323とを備えていてワーキングチャンバ31を外部から隔離している。底壁321は、この実施の形態では、上に載置されるステージ装置等の機器による加重で歪みの発生しないように比較的肉厚の厚い鋼板で構成されているが、その他の構造にしてもよい。
出入り口435が形成されている。また、周壁433のミニエンバイロメント装置及び主ハウジングに隣接した部分には出入り口436及び437が形成されている。このローダハウジング40のハウジング本体43は、ハウジング支持装置33のフレーム構造体331上に載置されてそれによって支持されている。したがって、このローダハウジング40にも床の振動が伝達されないようになっている。
行うものである。各部において必要な真空度を達成するように真空バルブが制御される。このために、真空度のモニターを常時行い、異常時には、インターロック機能により隔離バルブ等の緊急制御を行って真空度を確保する。真空ポンプとしては、主排気にはターボ分子ポンプを、粗引き用としてはルーツ式のドライポンプを使用する。検査場所(電子線照射部)の圧力は10−3〜10−5Pa、好ましくはその1桁下の10−4〜10−6Paが実用的である。
られた)を押さえて位置決めするようになっている。ウェハチャック機構は、二つの固定位置決めピンと、一つの押圧式クランクピンとを備えている。クランプピンは、自動チャック及び自動リリースを実現できるようになっており、かつ電圧印加の導通箇所を構成している。
カセットホルダ10は、前述のように人手によりカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが、また自動的にカセットをセットする場合にはそれに適した構造のものが使用される。この実施の形態において、カセットcがカセットホルダ10の昇降テーブル11の上にセットされると、昇降テーブル11は昇降機構12によって降下されカセットcが出入り口225に整合される。
タ装置46が動作して扉461で密閉していた出入り口434を開き、第2の搬送ユニット63のアーム632が伸びて先端の把持装置でウェハ受け47から1枚のウェハを受け取る(先端の上に載せて或いは先端に取り付けられたチャックで把持して)。ウェハの受け取りが完了するとアームが縮み、シャッタ装置46が再び動作して扉461で出入り口435を閉じる。
次に、上記構成の電子光学装置70の動作に付いて説明する。
ここで、ウェハWにビアbがある場合に、電極725に与える電圧を−200Vとすると、ウェハの電子線照射面の電界は、0〜−0.1V/mm(−はウェハW側が高電位であることを示す)となった。この状態で、対物レンズ系724とウェハWとの間に放電は発生せずに、ウェハWの欠陥検査は行えたが、二次電子線の検出効率が若干下がってしまう。したがって、電子線線を照射し二次電子線を検出する一連の動作を、例えば4回行い、得られた4回分の検出結果を累積加算や平均化等の処理を施して所定の検出感度を得た。
図13において、電子線キャリブレーション機構85は、前記回転テーブル上でウェハの載置面541の側部の複数箇所に設置された、ビーム電流測定用のそれぞれ複数のファラデーカップ851及び852を備えている。ファラデーカップ851は細いビーム用(約φ2μm)で、ファラデーカップ852太いビーム用(約φ30μm)である。細いビーム用のファラデーカップ851では回転テーブルをステップ送りすることで、ビームプロフィルを測定し。太いビーム用のファラデーカップ852ではビームの総電流量を計測する。ファラデーカップ851及び852は、上表面が載置面541上に載せられたウェハWの上表面と同じレベルになるように配置されている。このようにして電子線源から放出される一次電子線を常時監視する。これは、電子線源が常時一定の電子線を放出できるわけでなく、使用しているうちにその放出量が変化するためである。
なパターンを有する半導体デバイスであっても、スループット良く検査を行うことができるので、全数検査も可能になり、製品の歩留まりを向上させ、欠陥製品の出荷を防止することができる。これに関しては、図3および図4の(a)、(b)に関する説明を援用することにし、ここでの説明は省略する。
ここで、図15を用いて、本発明に係る電子線装置の第3の実施の形態である電子線装置を説明する。この電子線装置は、最小線幅が0.1ミクロン以下のパターンを有するウェハ、マスク等の試料の評価や検査を高スループット、高信頼性で行うのに適しており、デバイス製造に用いることができる。
は充分な剛性を持つように所定の厚みを持つことが必要であり、仕切板Sの剛性が充分でない場合には、隣り合う電子線源室901の間に補強用のリブを配置することが望ましい。なお、各電子線源室901は排気のためイオンポンプ(図示せず)と接続されている。
本発明の第4の実施の形態は、電子線を試料に照射する静電レンズを用いた電子光学系において絶縁破壊を防止する電極構造を備える電子線装置、および該装置を用いてたデバ
イス製造方法に関する。
とすることができる。しかし、電極間距離を短くして電極間の電位差大きくすると、電極間において放電が生じ易くなり、電極間で絶縁破壊を起こす確率が増加してしまうという問題がある。
について説明する。尚、絶縁破壊発生率は、金属毎に相対的な大小関係で表している。また、写像投影型評価装置において、電極をコーティングする金属の種類を除く他の検査条件は同一とした。
導体ウェハ1006側の電極1022には高電圧、例えば15kVの電圧が印加され、電極1020には5kVの電圧が印加されている。
が可能となる。これに関しては、図3および図4の(a)、(b)に関する説明を援用することにし、ここでの説明は省略する。
本発明の第5の実施の形態は、最小線幅が0.2マイクロメートル以下のパターンの欠陥検査、線幅測定、合わせ精度測定、つなぎ測定及び高時間分解能電位コントラスト測定等を高スループット、高信頼性で行なうことができる電子線装置および該装置を用いたデバイス製造方法に関する。
α/(1−△V/Vo)=β
だけ、光軸Xから左へ、即ち光軸Xに近づくように偏向されることになり、同時に、Voよりも△Vだけ小さいエネルギーを持つ二次電子線1111は磁石1107によって角度
2α/{1―(△V/Vo)}1/2=γ
だけ、光軸Xに関して右へ、即ち光軸Xから遠ざかるように偏向される。第一次近似では、
(1―△V/Vo)−1=(1+△V/Vo)
であり、
2{1−(△V/Vo)}―1/2=2{1+(1/2)(△V/Vo)}
であるから、
γ−β=2α{1+(1/2)(△V/Vo)}―α(1+△V/Vo)=α
が成り立つ。換言すると、ウィーンフィルタ1105の静電偏向作用と電磁偏向作用との相殺により二次電子線のエネルギ幅に関する項が消去され、二次電子線1111はウィーンフィルタ1105によって光軸Xに関して右へ、即ち光軸Xから遠ざかるように角度αだけ偏向されるのみであるので、ウィーンフィルタ1105による色収差を無視することができる。
る。このとき、一次電子線1102と光軸Xとのなす角度はαである。一次電子線1102はウィーンフィルタ1105によって角度αだけ曲げられて試料1108に垂直な光軸Xに沿って進み、更に対物レンズ1125及び対称電極1126によって縮小されてから試料1108を照射する。
α/(1―△V/Vo)=δ
だけ偏向される。この値はαより大きいので、余分に右へ、即ち光軸Xから遠ざかるように偏向されることになり、同時に、Voよりも△Vだけ小さいエネルギーを持つ一次電子線は磁石1107によって角度
2α(1―△V/Vo)−1/2=θ
だけ偏向される。この値は2αより大きいので、余分に左へ、即ち光軸Xに近づくように偏向される。そこで、これらの角度の差として、
θ−δ=2α(1―△V/Vo)―1/2−α(1―△V/Vo)−1
が求まる。△VはVoに比べて極めて小さいので、第一次近似として、
(1―△V/Vo)―1/2≒(1+△V/2Vo)
が成り立つので、結局、
θ−δ≒2α(1―△V/2Vo)−α(1―△V/Vo)
=α
が成立する。こうして、一次電子線1102がウィーンフィルタ1105によって光軸Xに近づくように角度αだけ偏向されるとき、一次電子線の持つエネルギー幅を無視することができるので、ウィーンフィルタ1105による色収差を解消することができる。
本発明の第6の実施の形態は、0.1ミクロン以下の線幅を持つパターンの欠陥検査、CD測定、合わせ精度測定、高時間分解能での電位測定等の諸評価を高スループット、高精度且つ高信頼性で行うことができる電子線装置および該装置を用いたデバイス製造方法に関する。
に大きく取る必要があるが、そうすると電子光学系の収差等の問題が無視し得なくなる。しかしながら、電子光学系の焦点合わせと電子光学系の収差等の問題の解消とを同時に行う手段がないのが実状であった。
査・検出系1220を構成する。なお、電子線走査・検出系1220の初期焦点合わせは、電圧±△Voを例えば−10ボルトに固定しておき、正電圧Voを変化させることによって行い得る。
(p2/a2)−(q−c)2/b2=1
と表せる。そこで、3つのqの値q1、q2、q3とそれらに対応するpの値p1、p2、p3を上式に代入すると、次の3つの式が得られる。
(p2 2/a2)−(q2−c)2/b2=1 (2)
(p3 2/a2)−(q3−c)2/b2=1 (3)
これらの式(1)〜(3)からa,b及びcの値が算出され、q=cのとき、最小値となる。即ち、立ち上がり幅が最小となる対物レンズ電圧−△Vo(x)を3つのレンズ条件で求めることができたことになる。全く同様にして、+△Vo(y)を求めることができる。
以上説明したように電子線走査・検出系における焦点合わせを行ってから、試料1214の評価を行うプロセスに移行する。本発明の第6の実施の形態を用いた欠陥検査装置を、図3および図4の(a)、(b)を参照して説明したデバイス製造方法における検査工程(G)に対して用いることにより、微細なパターンを有する半導体デバイスをも、スルプットよく検査することができるので、全数検査が可能となり、製品の歩留りを向上させ、欠陥製品の出荷防止が可能となる。これに関しては、図3および図4の(a)、(b)に関する説明を援用することにし、ここでの説明は省略する。
本発明の第7の実施の形態は、電子線を物質の目標位置に照射することにより、当該物質の加工、製造、観測及び検査のうち少なくともいずれかを実行する電子線装置に係り、
より詳しくは、電子線を位置決めする機械構造体に生じる不要な機械的振動を減少させた電子線装置、その制振方法および該装置を用いた半導体デバイスの加工、製造、観測及び検査のうち少なくともいずれかを実行する工程を備えた半導体製造プロセスに関する。
一次電子線によって順次走査される。なお、ステージ1304は固定台1330の上に載置される。
る。これにより、圧電素子1350は、往復振動1388により、鏡筒1346が向かってくるときは正の圧力、鏡筒1346が遠ざかるときは負の圧力を受ける。圧電素子1350は、鏡筒1346の振動1388を抑制するため効果的な位置に設置される。例えば、振動1388の方向が、電極1352a及び1352bと直交するように配置されるのが好ましい。
fo’=1/{2π(LC)1/2}
で表される。本発明では、直列共振回路の共振周波数f0’が鏡筒1346の共振周波数f0に略一致するように、各パラメータが設定される。即ち、与えられた圧電素子1350の電気容量Cに対して、
fo=1/{2π(LC)1/2}
が成立するように、可変インダクタンス1358のインダクタンスLが調整される。実際には、圧電素子1350の容量Cは、機械的共振周波数に合わせて共振回路を形成する上では小さく、このため非常に大きなインダクタンスLを必要とする場合が多いが、この場合には演算増幅器等を用いて等価的に大きなインダクタンスを形成することで共振回路を実現することができる。
本発明の第8の実施の形態は、電子線装置においてウェハを静電的に吸着保持する静電チャック、ウェハと静電チャックとの組合わせ、特に減速電界対物レンズを用いた電子線装置で使用可能な静電チャックとウェハとの組合わせ、ならびに、静電チャックとウェハとの組合わせを備える電子線装置を使用するデバイス製造方法に関する。
態を示すものである。静電チャック1410は、図33に示すように、基板1405、電極板1412、絶縁層1404から成る積層構造を有する。電極板1412は、第1電極1401及び第2電極1402を含む。第1電極1401及び第2電極1402は、別々に電圧が印加できるように分離され、磁場中で渦電流を発生しないで高速で移動可能であるように、薄膜で形成される。
静電チャックが4kVの電位差がなくても2kVの電位差でもウェハを吸着保持する場合には、図34に1点鎖線で示すように、第1電極及び第2電極にそれぞれに2kVの電圧A’、B’が印加される。ウェハに−4kVが印加されるとき、第1電極及び第2電極にそれぞに、−2kVが印加される。このようにして、電圧印加によって必要以上に電圧を絶縁層2104に印加しないようにできるので、絶縁層の破壊を防止できる。
造方法における検査工程(G)に用いることにより、微細なパターンを有する半導体デバイスでもスループットよく検査でき、全数検査が可能になり、製品の歩留まり向上、欠陥製品の出荷防止が可能である。これに関しては、図3および図4の(a)、(b)に関する説明を援用することにし、ここでの説明は省略する。
本発明の第9の実施の形態は、XYステージ上に載置された試料に電子線を照射する装置、その装置を利用した欠陥検査装置又は露光装置、および、それらの装置を使用したデバイス製造方法に関する。
もまったく同様の静圧軸受け及び溝が設けられていて、ステージ台1507に対して非接触で支持されており、X方向に自在に移動することができる。
真空度の低下を防止して電子線による検査や加工等の処理を安定して行える電子線装置、
静圧軸受けによる非接触支持機構と差動排気による真空シール機構を有し、電子線の照射領域と静圧軸受けの支持部との間に圧力差を発生させるようにした電子線装置、
静圧軸受けに面する部品表面から放出するガスを低減した電子線装置、
上記の電子線装置を用いて試料表面を検査する欠陥検査装置、或いは試料の表面にパターンを描画する露光装置、
上記のような電子線装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体製造方法、
を提供する。
台1507およびハウジング1508を貫通してハウジング1508の外部に通じている。また、排気通路1511−2はX方向可動部1506に形成され、X方向可動部1506の下面に開口している。
チャンバCから隔てている。この仕切り1526は、銅やアルミニュウム等の熱伝導性の良い材料からなる支持部材1529を介して冷凍機1530に連結されており、−100℃ないし−200℃程度に冷却されている。部材1527は冷却されている仕切り1526と鏡筒の間の熱伝導を阻害するためのものであり、セラミックスや樹脂材等の熱伝導性の悪い材料から成っている。また、部材1528はセラミックス等の非絶縁体から成り、仕切り1526の下端に形成されて試料Sと仕切り1526が放電することを防ぐ役割を持っている。
図42は、本発明の第9の実施の形態における第4の変形例を示している。ステージ1503の両可動部には、図38に示したのと同様に仕切り板1512、1514が設けられており、試料台1504が任意の位置に移動しても、これらの仕切りによってステージ内の空間1513とチャンバC内とが絞り1550、1551を介して仕切られる。更に、電子線照射部1502の周りには図39に示したのと同様の仕切り1516が形成されており、チャンバC内と電子線照射部1502のある空間1524が絞り1552を介して仕切られている。このため、ステージ移動時、ステージに吸着しているガスが空間1513に放出されてこの部分の圧力を上昇させても、チャンバCの圧力上昇は低く抑えられ、空間1524の圧力上昇は更に低く抑えられる。これにより、電子線照射空間1524の圧力を低い状態に保つことができる。また、仕切り1516に示したように差動排気機構を内蔵した仕切り1519としたり、図40に示したように冷凍機で冷却された仕切り1526とすることによって、空間1524を更に低い圧力で安定に維持することができるようになる。
ィーンフィルタ1566の偏向中心面に一辺が1.25mmの正方形に結像される。ウィーンフィルタ1566は、試料の法線に垂直な平面内において、電界と磁界とを直交させた構造となっており、電界、磁界、電子線のエネルギの関係が一定の条件を満たす時には電子線を直進させ、それ以外の時にはこれら電界、磁界及び電界のエネルギの相互の関係により所定方向に偏向されるようになっている。図23においては、電子線源からの電子線を試料Sに垂直に入射させ、また試料から放出された二次電子線を検出器2280の方向に直進させるように設定されている。ウィーンフィルタ1566で偏向された成形ビームはレンズ系1567、1568で1/5に縮小されて試料Sに投影される。試料Sから放出されたパターン画像の情報を持った二次電子線はレンズ系1567、1568及び1572、1573で拡大され、検出器1580で二次電子線画像を形成する。この4段の拡大レンズは、レンズ系1567及び1568が対称タブレットレンズを形成し、レンズ系1572及び1573もやはり対称タブレットレンズを形成しているので無歪みレンズとなっている。
本発明の第10の実施の形態は、XYステージ上に載置された試料に電子線を照射する装置に関し、更に詳しくは、XYステージに差動排気機構を設けることなく鏡筒周りに差動排気機構を設けた電子線装置、その装置を利用した欠陥検査装置又は露光装置、および、それらの装置を使用したデバイス製造方法に関する。
XYステージの差動排気機構をなくして構造が簡単でコンパクト化が可能な電子線装置、
XYステージを収容しているハウジング内を真空排気すると共に該試料面上の電子線が照射される領域を排気する差動排気機構を設けた電子線装置、
上記の電子線装置を用いて試料表面を検査する欠陥検査装置、或いは試料の表面にパターンを描画する露光装置、
上記のような電子線装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体製造方法、
を提供する。
以下、図を用いて本発明の第10の実施の形態を説明する。図44において、電子線を試料に向かって照射する鏡筒1601の先端部すなわち電子線照射部1602が真空チャンバCを画成するハウジング1614に取り付けられている。鏡筒1601の直下には、XYステージ1603のX方向(図44において左右方向)の可動テーブル上に載置されている試料Sが配置されるようになっている。この試料Sは高精度なXYステージ1603によって、その試料面上の任意の位置に対して正確に電子線を照射させることができる
。
き、電子線を問題なく照射することができる。
静圧軸受けに供給する高圧ガスは、一般にドライ窒素が使用される。しかしながら、可能ならば、更に高純度の不活性ガスにすることが好ましい。これは、水分や油分等の不純物がガス中に含まれると、これらの不純物分子が真空チャンバを画成するハウジングの内面やステージ構成部品の表面に付着して真空度を悪化させたり、試料表面に付着して電子線照射空間の真空度を悪化させてしまうからである。
XYステージ1603の静圧軸受けには、フレキシブル配管1621、1622を通し
て高純度の不活性ガス(N2ガス、Arガス等)が供給される。静圧軸受けから噴出したこれらのガス分子は真空チャンバ内に拡散し、排気口1619、1620a、1620bを通してドライ真空ポンプ2353によって排気される。また、差動排気機構や電子線照射空間に侵入したこれらのガス分子は環状溝1627或いは鏡筒1601の先端部から吸引され、排気口1628及び1618を通ってターボ分子ポンプ1651及び1652によって排気され、ターボ分子ポンプから排出された後ドライ真空ポンプ1653によって排気される。
一方、ドライ真空ポンプ1653の排気口は、配管1676を介して圧縮機1654に接続され、圧縮機2316の排気口は配管1677、1678、1679及びレギュレータ1661、1662を介してフレキシブル配管1621、1622に接続されている。このため、ドライ真空ポンプ1653から排出された高純度不活性ガスは、圧縮機1654によって再び加圧されレギュレータ1661、1662で適正な圧力に調整された後、再びXYテーブルの静圧軸受けに供給される。
この部分には循環配管系を構築することはできないことになる。また、ドライ真空ポンプの代わりに、ダイヤフラム式ドライポンプ等、他方式のドライポンプを使用することももちろん可能である。
まりの向上、欠陥製品の出荷防止が可能となる。これに関しては、図3および図4の(a)、(b)に関する説明を援用することにし、ここでの説明は省略する。
本発明の第11の実施の形態は、試料の表面に形成されたパターン等を評価する電子線装置及びその電子線装置を用いてプロセス途中又は終了後の試料の評価を行うデバイス製造方法に関し、詳しくは、最小線幅0.1μm以下のパターンを有する、試料上のデバイス等の欠陥検査、CD測定、電位コントラストの測定、高時間分解電位測定等の評価を高いスループットで且つ高い信頼性のもとで行える電子線装置及びそのような電子線装置を用いてプロセス途中又は終了後の試料の評価を行うデバイス製造方法に関するものである。
圧印加装置(以下、印加装置という)1750と、チャージアップ調査及びリターディング電圧決定システム(以下、調査及び決定システムという)1760とを備えている。調査及び決定システム1760は、画像形成部1733に電気的に接続されたモニタ1761と、モニタ1761に接続されたオペレータ1762と、オペレータ1762に接続されたCPU1763とを備えている。CPU1763は、印加装置1750並びに偏向器1717に信号を供給する。
を基準パターンと比較することにより、試料Sの欠陥を検出することができる。なお、この実施の形態では単一の電子線を使用しているが、複数のビームを使用することにより、スループットの向上という点では単ビームより良い場合がある。
本発明の第12の実施の形態は、半導体ウェハ等の試料の画像を予め用意された基準画像と比較することにより該試料の欠陥を検査するための欠陥検査装置及びこのような欠陥検査装置を用いて半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造方法に関するものである。
料の欠陥の有無を自動的に判定する。
リレーレンズ1854がこの蛍光をCCD撮像センサ1856に導き、CCD撮像センサ1856は、ウェハ1805表面上の二次電子の強度分布を素子毎の電気信号即ちデジタル画像データに変換して制御部1816に出力する。
在を警告する(ステップ1918)。警告の方法として、例えば、CRT1815の表示部に欠陥の存在を知らせるメッセージを表示したり、これと同時に欠陥の存在するパターンの拡大画像1817を表示してもよい。このような欠陥ウェハを直ちに試料室1803から取り出し、欠陥の無いウェハとは別の保管場所に格納してもよい(ステップ1919)。
更に、偏向電極1811は、対物レンズ1810とウェハ1805との間のみならず、一次電子線の照射領域を変更できる限り任意の位置に置くことができる。例えば、ウィーンフィルタ1803と対物レンズ1810との間、電子線源1801とウィーンフィルタ1803との間などがある。更には、ウィーンフィルタ1803が生成する場を制御することによって、その偏向方向を制御するようにしてもよい。即ち、ウィーンフィルタ1803に偏向電極1811の機能を兼用させてもよい。
本発明は、第2の実施の形態から理解されるとおり、
1.荷電粒子線を用いた写像投影方式の検査装置の全体構成が得られ、高いスループットで検査対象を処理することができる。
等の格別の効果を奏することができる。
1.荷電粒子線源と電子光学系とを仕切板により分離するので、各部毎に独立に所要の真空度を達成することが可能である、
2.荷電粒子線源と電子光学系とをコンダクタンスの小さい穴で結合するようにしたので、荷電粒子線源と電子光学系との間の圧力差を大きく取ることが可能である、
3.仕切板には、それぞれの荷電粒子線源の光軸から離れた位置に穴が形成されるので、試料又は電子光学系の方から光軸上を正イオンが荷電粒子線源のカソードの方へ戻って来ても、この仕切板によって遮られるため、正イオンによってカソードが損傷されることがない、
等の格別の効果を奏する。
1.電極又は電極の一部を仕事関数が5eV以上の金属でコーティングしたので、電極から二次荷電粒子線が放出されることが少なく、電極間において放電が生じにくくなり、電極間で絶縁破壊されることが少なくなる、
2.電極又は電極の一部を白金(仕事関数:5、3[eV])又は白金を主材料とする合金でコーティングしたので、電極から二次荷電粒子線が放出されることが少なく、電極間において放電が生じにくくなり、電極間で絶縁破壊されることが少なくなる、
3.試料が半導体ウェハであっても、半導体ウェハのパターン上に、電極にコーティングされた白金が付着することがあってもデバイスの性能を劣化させることもないので、半導体ウェハの検査に好適である、
4.絶縁材料によって電極を支持することによって、電極間の放電が、したがって電極間の絶縁破壊が生じにくい、
5.少なくとも一方の電極の形状を、第1の電極面と第2の電極面と、これら電極面の間に段差を設けるようにすることによって、絶縁材料表面をヒダ形状等に加工することがなく、加工費用が安価になる、
6.絶縁材料の電極間における最短沿面距離は、支持された電極部分における電極間距離と略同じ長さであるので、電極間における絶縁材料表面にはほとんと凹凸部分が無く、絶縁材料からの放出ガスが多くなることも無いので、装置のビーム通路の真空度を下げることもない、
等の格別の効果を奏する。
1.試料面の高さを測定するための光学式センサを使用する必要がないので、対物レンズと試料との間を電子光学系のみで最適設計することが可能になる、
2.荷電粒子線走査・検出系の焦点合わせは低電圧の調整のみで可能であるので、整定時間を短縮することができる、即ち、短時間で焦点合わせを行うことができる、
3.必要に応じて、焦点合わせの操作の中で、非点補正をも短時間で行うことが可能である、
4.プロセス途中の試料を短時間で評価することができることになるので、デバイス製造の歩留まりを向上させることができる、
という格別の効果を奏する。
1.機械構造体の振動により力を受けるように該機械構造体に圧電素子を取り付け、該圧電素子から出力された電気エネルギーを減衰させる振動減衰用回路を該圧電素子に電気的に接続したので、ビームを位置決めする構造体の共振による不要な振動を、必ずしも構造体の剛性を向上させなくても、ビームの位置決めを高精度に維持できるよう適切に減衰可能となる、
2.したがってって、設計上の制約の緩和、装置の小型軽量化、経済性の向上を実現させることができる、
3.半導体デバイスの製造工程において、上記のような荷電粒子線装置を用いることにより、半導体デバイスの効率良い製造、検査、加工、観測等が可能となる、
という優れた効果を奏する。
1.静電チャック及びウェハと静電チャックの組合わせにより、ウェハの吸着保持に必要な電圧がウェハの印加電圧に連動して印加されるので、ウェハの検査が終了する迄確実にウェハを吸着保持することができる、
2.チャック側に中央が凹に歪んだウェハでも確実にウェハ前面が吸着保持される。更にまたウェハに形成される放電跡が必要最小限の大きさにされ、放電時のパーティクルの発生が極めて少ない、
3.本発明の静電チャック及びウェハと静電チャックの組合わせをデバイス製造方法に使用することにより、ウェハが移動台の静電チャックに検査中確実に吸着保持され、微細なパターンを有する半導体デバイスでも高いスループットで検査可能となり、それ故全数検査が可能であり、製品の歩留まり向上、欠陥製品の出荷防止が可能である、
等の格別の効果を奏する。
1.ステージ装置が真空内で高精度な位置決め性能を発揮することができ、更に、荷電粒子線照射位置の圧力が上昇しにくい。すなわち、試料に対する荷電粒子線による処理を高精度に行うことができる、
2.静圧軸受け支持部から放出されたガスが仕切りを通過して荷電粒子線照射領域側に通過することがほとんどできない。これによって荷電粒子線照射位置の真空度を更に安定させることができる、
3.荷電粒子線照射領域側に放出ガスが通過することが困難になり、荷電粒子線照射領
域の真空度を安定に保ち易くなる、
4.真空チャンバ内が、荷電粒子線照射室、静圧軸受け室及びその中間室の3室に小さいコンダクタンスを介して分割された形になり、それぞれの室の圧力を、低い順に荷電粒子線照射室、中間室、静圧軸受け室となるように真空排気系を構成するので、中間室への圧力変動は仕切りによって更に低く抑えられ、荷電粒子線照射室への圧力変動は、もう一段の仕切りによって更に低減され、圧力変動を実質的に問題ないレベルまで低減することが可能となる、
5.ステージが移動した時の圧力上昇を低く抑えることが可能になる。
7.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線の照射領域の真空度が安定した検査装置を実現することができるので、検査性能が高く、試料を汚染する恐れのない検査装置を提供することができる、
8.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線照射領域の真空度が安定した露光装置を実現することができるので、露光精度が高く、試料を汚染する恐れのない露光装置を提供することができる、
9.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線照射領域の真空度が安定した装置によって半導体を製造することにより、微細な半導体回路を形成できる、
等の格別の効果を奏する。
1.大気中で一般に用いられる静圧軸受け式のステージと同様の構造を持ったステージ(差動排気機構を持たない静圧軸受け支持のステージ)を使用して、ステージ上の試料に対して荷電粒子線による処理を安定に行うことができる、
2.荷電粒子線照射領域の真空度に対する影響を最小限に抑えることが可能になり、荷電粒子線による試料への処理を安定化させることができる、
3.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線の照射領域の真空度が安定した検査装置を安価に提供することができる、
4.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線照射領域の真空度が安定した露光装置を安価に提供することができる、
5.ステージの位置決め性能が高精度で、かつ荷電粒子線照射領域の真空度が安定した装置によって半導体を製造することにより、微細な半導体回路を形成できる、
等の格別の効果を奏する。
1.スループットが光学系の数に比例した倍数に向上できる、
2.チャージアップ状態が最も少ない状態でウェハの評価が行われるので、信頼性の高い評価ができる、
3.チャージアップ性能を、各種の電流を測定して行うのでなく、実際の画像で評価しているので、より正しい評価結果が得られる、
等の格別の効果を奏する。
1.試料上で部分的に重なり合いながら互いから変位された複数の被検査領域の画像を各々取得し、これらの被検査領域の画像と基準画像とを比較することによって、試料の欠陥を検査するようにしたので、被検査画像と基準画像との位置ずれによる欠陥検査精度の低下を防止できる、
2.上記のような欠陥検査装置を用いて試料の欠陥検査を行うようにしたので、製品の歩留まりの向上及び欠陥製品の出荷防止が図れる、
という格別の効果を奏する。
Claims (5)
- ウェハを吸着保持する方法であって、
相互に絶縁された第1電極と第2電極とを有する静電チャック電極板であって、前記第1電極は、前記静電チャック電極板の中央部分及び周辺部分の一部に形成され、前記第2電極は、前記中央部分を取り囲む馬蹄形状に形成されている静電チャック電極板と、ナイフエッジ状の金属部分を有する接触子とを備えた静電チャック上に前記ウェハを配置するステップと、
前記ナイフエッジ状の金属部分を前記ウェハに接触させるステップと、
前記接触子を接地電位として前記ウェハを接地電位とした状態で、所定の第1時点で前記第1電極に正の第1電圧を印加し、その所定時間後の第2時点で前記第2電極に前記第1電圧を印加することによって、前記ウェハを吸着保持するステップと
を備えることを特徴とする方法。 - 請求項1記載の方法において、該方法はさらに、
前記第2時点の所定時間後の第3時点で、前記第1及び第2電極に印加する電圧を前記第1電圧から所定の第2電圧まで徐々に低減するとともに、前記接触子の電圧を接地電位から所定の第3電圧まで徐々に低減して、該徐々に低減される電圧を前記ウェハに印加するステップ
を備えていることを特徴とする方法。 - ウェハを評価する方法であって、
請求項2記載の方法により前記静電チャックに前記ウェハを吸着保持するステップと、
電子線で前記ウェハを照射するステップと、
前記ウェハから放出される二次電子線を検出して、前記ウェハ上の画像を取得するステップと、
取得された前記画像に基づいて前記ウェハを評価するステップと、
前記ウェハに印加された電圧を前記第3電圧から接地電位に変更して、前記静電チャックから前記ウェハを取り出すステップと
を備えることを特徴とする方法。 - ウェハを吸着保持するための静電チャックであって、
基板と、
前記基板上に設けられ、相互に絶縁された第1電極と第2電極とを有する静電チャック電極板であって、前記第1電極は、前記静電チャック電極板の中央部分及び周辺部分の一部に形成され、前記第2電極は、前記中央部分を取り囲む馬蹄形状に形成されている静電チャック電極板と、
前記静電チャック電極板と前記ウェハとの間に配置される絶縁層と、
前記ウェハと接触し且つ前記ウェハと電気的に導通するよう構成された、ナイフエッジ状の金属部分を有する接触子と、
を具備していることを特徴とする静電チャック。 - 請求項4記載の静電チャックにおいて、該静電チャックはさらに、前記第1及び第2電極並びに前記ウェハに電圧を印加する電圧印加手段を備え、該電圧印加手段は、
前記ウェハを吸着保持するために、前記接触子を接地電位として前記ウェハを接地電位とした状態で、所定の第1時点で前記第1電極に正の第1電圧を印加し、その所定時間後の第2時点で前記第2電極に前記第1電圧を印加し、かつ、前記第2時点の所定時間後の第3時点で、前記第1及び第2電極に印加する電圧を前記第1電圧から所定の第2電圧まで徐々に低減するとともに、前記接触子の電圧を接地電位から所定の第3電圧まで徐々に低減して、該徐々に低減される電圧を前記ウェハに印加し、
前記ウェハの吸着保持を開放するために、前記ウェハに印加された電圧を前記第3電圧から接地電位に変更する
よう構成されていることを特徴とする静電チャック。
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