JP3151308B2 - 光学鏡筒 - Google Patents
光学鏡筒Info
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- JP3151308B2 JP3151308B2 JP25687992A JP25687992A JP3151308B2 JP 3151308 B2 JP3151308 B2 JP 3151308B2 JP 25687992 A JP25687992 A JP 25687992A JP 25687992 A JP25687992 A JP 25687992A JP 3151308 B2 JP3151308 B2 JP 3151308B2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
- G21K1/08—Deviation, concentration or focusing of the beam by electric or magnetic means
- G21K1/093—Deviation, concentration or focusing of the beam by electric or magnetic means by magnetic means
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば１ｋｅＶ以下の
低エネルギ領域で大電流のマイクロビーム（概ね０．５
μｍ以下）を得ることができる光学鏡筒に係り、とりわ
け簡単な構造で大電流のマイクロビームを得ることがで
きる光学鏡筒に関する。
低エネルギ領域で大電流のマイクロビーム（概ね０．５
μｍ以下）を得ることができる光学鏡筒に係り、とりわ
け簡単な構造で大電流のマイクロビームを得ることがで
きる光学鏡筒に関する。
【０００２】
【従来の技術】大電流のマイクロビームを得るための電
子光学系として、従来から行なわれている最も一般的な
手法は、円形形状の熱陰極（点光源）を縮小レンズ系で
円形ビームに集束させるものである。このときの電子光
学系の構成は回転対称系のレンズで構成される。この方
法において、点光源のような陰極先端の狭い領域から電
子を引き出すので、得られる電流の上限は、点光源から
の電子放出電流密度と空間電荷効果によって制限され
る。
子光学系として、従来から行なわれている最も一般的な
手法は、円形形状の熱陰極（点光源）を縮小レンズ系で
円形ビームに集束させるものである。このときの電子光
学系の構成は回転対称系のレンズで構成される。この方
法において、点光源のような陰極先端の狭い領域から電
子を引き出すので、得られる電流の上限は、点光源から
の電子放出電流密度と空間電荷効果によって制限され
る。
【０００３】このような制限を回避するため、電子銃の
陰極の先端径を大きくしたり、あるいは陰極先端部分を
面加工して少しでも放出に寄与する面積を大きく取るこ
とが行なわれている。しかし、陰極の先端径を大きくし
ても、基本的には、回転対称系のレンズ構成を用いた電
子光学鏡筒の場合、陰極からの電子放出電流密度と陰極
先端近傍の空間電荷効果により最大電流の上限は制限さ
れてしまう。
陰極の先端径を大きくしたり、あるいは陰極先端部分を
面加工して少しでも放出に寄与する面積を大きく取るこ
とが行なわれている。しかし、陰極の先端径を大きくし
ても、基本的には、回転対称系のレンズ構成を用いた電
子光学鏡筒の場合、陰極からの電子放出電流密度と陰極
先端近傍の空間電荷効果により最大電流の上限は制限さ
れてしまう。
【０００４】このような問題に対して、陰極を線状にし
て電子の放出面積を広げ、空間電荷効果による放出電流
の制限を緩和し、プローブ電流を増大させる方法が考え
られている。この場合、空間電荷は基本的には電流密度
に影響することから、放出面積が大きくなればその分だ
け得られる電流量は大きくなることが期待できる。
て電子の放出面積を広げ、空間電荷効果による放出電流
の制限を緩和し、プローブ電流を増大させる方法が考え
られている。この場合、空間電荷は基本的には電流密度
に影響することから、放出面積が大きくなればその分だ
け得られる電流量は大きくなることが期待できる。
【０００５】線状陰極はBrodieとNixon(J.Vac.Sci.Tech
nol.B7(6),Nov/Dec/,p.1878,1989)により提案されてい
る。彼等は線状陰極の空間電荷効果におけるベルシェ効
果(Boersch Effect)による放出エネルギーの広がりに着
目して理論解析を行ない、従来の点（円形）陰極に比較
して２７％エネルギーの広がりが緩和され、これらは線
状陰極による空間電荷効果の緩和によるものであると述
べている。但し、ここでは放出領域の拡大による最大放
出電流量そのものの増大効果については述べられていな
い。
nol.B7(6),Nov/Dec/,p.1878,1989)により提案されてい
る。彼等は線状陰極の空間電荷効果におけるベルシェ効
果(Boersch Effect)による放出エネルギーの広がりに着
目して理論解析を行ない、従来の点（円形）陰極に比較
して２７％エネルギーの広がりが緩和され、これらは線
状陰極による空間電荷効果の緩和によるものであると述
べている。但し、ここでは放出領域の拡大による最大放
出電流量そのものの増大効果については述べられていな
い。
【０００６】このベルシェ効果の緩和によってエネルギ
ーの広がりが低減し、レンズ系の色収差によってビーム
径が広がることが防止される。このため結果として集束
レンズ系の性能が向上する。この場合、色収差は低エネ
ルギ領域で影響が大きくなってくるので、低エネルギで
大電流のマイクロビームを得る場合、きわめて有効とな
る。
ーの広がりが低減し、レンズ系の色収差によってビーム
径が広がることが防止される。このため結果として集束
レンズ系の性能が向上する。この場合、色収差は低エネ
ルギ領域で影響が大きくなってくるので、低エネルギで
大電流のマイクロビームを得る場合、きわめて有効とな
る。
【０００７】Nixon(USP4804851) は線状陰極を線状のイ
メージに結像するアイデアを提案しているが、この場
合、線状のイメージの長さ（アスペクト比）を変えるた
め、アパーチャあるいはスリット（blocking part と呼
んでいる）でビームが切り取られる。
メージに結像するアイデアを提案しているが、この場
合、線状のイメージの長さ（アスペクト比）を変えるた
め、アパーチャあるいはスリット（blocking part と呼
んでいる）でビームが切り取られる。
【０００８】このNixon の提案では、線状陰極を単純に
線状の像に結像するのみであり、多極子レンズ等の非対
称な光学系の励起条件によりビーム成形を行ないながら
マイクロビームに集束するようなものではない。
線状の像に結像するのみであり、多極子レンズ等の非対
称な光学系の励起条件によりビーム成形を行ないながら
マイクロビームに集束するようなものではない。
【０００９】Brodie(Brodie 、J.Vac.Sci.Technol.B8、
p.1691、1990) は、電子ビーム描画を目的として、線状
陰極と電界型四極子レンズをタブレット（多極子レンズ
を２段重ねてビームを成形する装置）あるいはトリプレ
ット（多極子レンズを３段重ねてビームを形成する装
置）を用いて、スティグマチック焦点条件でアスペクト
比（長方形のビームを考えたときの長さと幅の比率）が
可変である線状ビームを形成する手法を提案している。
ここでスティグマチック焦点条件とは、多極子レンズに
おけるＸ軌道（長軸方向軌道）とＹ軌道（短軸方向軌
道）の２方向の軌道が中心軸（Ｚ軸）上の像面で一致
し、かつＸ方向の倍率ＭｘとＹ方向の倍率Ｍｙが等しい
レンズ条件である。これに対して、擬スティグマチック
焦点条件とは、Ｘ方向軌道とＹ方向軌道がＺ軸上の像面
で一致し、かつＭｘおよびＭｙが異なるレンズ条件であ
る。
p.1691、1990) は、電子ビーム描画を目的として、線状
陰極と電界型四極子レンズをタブレット（多極子レンズ
を２段重ねてビームを成形する装置）あるいはトリプレ
ット（多極子レンズを３段重ねてビームを形成する装
置）を用いて、スティグマチック焦点条件でアスペクト
比（長方形のビームを考えたときの長さと幅の比率）が
可変である線状ビームを形成する手法を提案している。
ここでスティグマチック焦点条件とは、多極子レンズに
おけるＸ軌道（長軸方向軌道）とＹ軌道（短軸方向軌
道）の２方向の軌道が中心軸（Ｚ軸）上の像面で一致
し、かつＸ方向の倍率ＭｘとＹ方向の倍率Ｍｙが等しい
レンズ条件である。これに対して、擬スティグマチック
焦点条件とは、Ｘ方向軌道とＹ方向軌道がＺ軸上の像面
で一致し、かつＭｘおよびＭｙが異なるレンズ条件であ
る。
【００１０】Brodieは線状陰極光源と四極子レンズを組
み合わせて、１：１から１：１００程度のアスペクト比
の線状ビームを得るための電子光学系の構成、および特
に四極子レンズの動作条件について述べている。Brodie
の電子光学系は、図６に示すように線状陰極光源１１
と、放出電子を成形加工して任意のアスペクト比にする
ための２段の四極子レンズ１２と、長方形に成形したビ
ームを縮小してマイクロビームにする２段の磁界型コン
デンサレンズ１３と、同じく磁界型対物レンズ１４から
なっている。
み合わせて、１：１から１：１００程度のアスペクト比
の線状ビームを得るための電子光学系の構成、および特
に四極子レンズの動作条件について述べている。Brodie
の電子光学系は、図６に示すように線状陰極光源１１
と、放出電子を成形加工して任意のアスペクト比にする
ための２段の四極子レンズ１２と、長方形に成形したビ
ームを縮小してマイクロビームにする２段の磁界型コン
デンサレンズ１３と、同じく磁界型対物レンズ１４から
なっている。
【００１１】Brodieが提示している四極子レンズ１２の
動作条件では、励起条件が小さいので縮小倍率（倍率の
逆数）は小さく、また倍率比Ｍｘ／Ｍｙも１／１０程度
と小さい。このため、四極子レンズ１２ではマイクロビ
ームを得ることができないので、四極子レンズ１２は結
果としてプローブ成形用のレンズとして用いられ、縮小
レンズ系としてコンデンサレンズ１３と対物レンズ１４
を付加して全体の縮小倍率をかせいでいる。このこと
は、結果として電子光学系を複雑にし、特に図６の例で
はコンデンサレンズ１３および対物レンズ１４に磁界型
レンズを用いているので全体構成として大きくかつ重い
構成になっている。
動作条件では、励起条件が小さいので縮小倍率（倍率の
逆数）は小さく、また倍率比Ｍｘ／Ｍｙも１／１０程度
と小さい。このため、四極子レンズ１２ではマイクロビ
ームを得ることができないので、四極子レンズ１２は結
果としてプローブ成形用のレンズとして用いられ、縮小
レンズ系としてコンデンサレンズ１３と対物レンズ１４
を付加して全体の縮小倍率をかせいでいる。このこと
は、結果として電子光学系を複雑にし、特に図６の例で
はコンデンサレンズ１３および対物レンズ１４に磁界型
レンズを用いているので全体構成として大きくかつ重い
構成になっている。
【００１２】多極子レンズ系によりビームを成形しかつ
集束させる技術については、岡山と鶴島（特開昭６０−
２３３８１４，特公平２−４９５３３）が点陰極を四極
子レンズ系により線状の像に結像し、その長さ（アスペ
クト比）と電流密度分布を四極子レンズの励起条件を変
えることにより制御するアイデアおよび最適条件を提示
している。多極子レンズ系の構成は実施例としては２段
の多極子レンズを提示しているが、２段以上の多極子レ
ンズの組み合わせでも同様の効果が達成できると述べて
いる。しかしながら、ここでもBrodieと同様に多極子レ
ンズ系のみでビームを集束させておらず、多極子レンズ
系はあくまでビーム成形として機能し、最終的な集束は
従来通りの磁界型対物レンズにより行なわれている。ま
た、これらはあくまで点陰極から線状ビームへの多極子
レンズ系の応用であり、線状陰極から点状ビームへの成
形と集束とはことなっていると考えられる。
集束させる技術については、岡山と鶴島（特開昭６０−
２３３８１４，特公平２−４９５３３）が点陰極を四極
子レンズ系により線状の像に結像し、その長さ（アスペ
クト比）と電流密度分布を四極子レンズの励起条件を変
えることにより制御するアイデアおよび最適条件を提示
している。多極子レンズ系の構成は実施例としては２段
の多極子レンズを提示しているが、２段以上の多極子レ
ンズの組み合わせでも同様の効果が達成できると述べて
いる。しかしながら、ここでもBrodieと同様に多極子レ
ンズ系のみでビームを集束させておらず、多極子レンズ
系はあくまでビーム成形として機能し、最終的な集束は
従来通りの磁界型対物レンズにより行なわれている。ま
た、これらはあくまで点陰極から線状ビームへの多極子
レンズ系の応用であり、線状陰極から点状ビームへの成
形と集束とはことなっていると考えられる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、円形の
点光源を円形ビームに集束させる方式は、陰極からの放
出電流密度と空間電荷制限により、得られる電子ビーム
の電流は制限される。他方、図６に示すように、線状陰
極と四極子レンズを組み合わせた構成では、陰極からの
放出電流密度と空間電荷効果の制限は大幅に緩和される
が、四極子レンズ系の縮小率が小さいので、四極子レン
ズ系単独ではマイクロビームを形成することは難しく、
さらに縮小レンズ系を付加することが必要となる。この
ため、電子光学系は複雑になり、結果として装置は大型
化してしまう。
点光源を円形ビームに集束させる方式は、陰極からの放
出電流密度と空間電荷制限により、得られる電子ビーム
の電流は制限される。他方、図６に示すように、線状陰
極と四極子レンズを組み合わせた構成では、陰極からの
放出電流密度と空間電荷効果の制限は大幅に緩和される
が、四極子レンズ系の縮小率が小さいので、四極子レン
ズ系単独ではマイクロビームを形成することは難しく、
さらに縮小レンズ系を付加することが必要となる。この
ため、電子光学系は複雑になり、結果として装置は大型
化してしまう。
【００１４】本発明はこのような点を考慮してなされた
ものであり、多極子レンズ系のみでマイクロビームを形
成することができ、簡単な構造でマイクロビームを得る
ことができる光学鏡筒を提供するものである。
ものであり、多極子レンズ系のみでマイクロビームを形
成することができ、簡単な構造でマイクロビームを得る
ことができる光学鏡筒を提供するものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】ビームを出射する線状ビ
ーム源と、多段に配置された多極子レンズとを備え、ビ
ームの軌道のうち線状陰極の長軸方向軌道および線状陰
極の短軸方向軌道を像面において交差させ、ビーム長軸
方向軌道の倍率対ビームの短軸方向軌道の倍率の比を、
線状ビーム源の短軸方向長さ対長軸方向長さの比に対応
させ、多極子レンズは３段に配置され、各多極子レンズ
は各々独自の励起条件を有し、第２段目の多極子レンズ
の励起条件は高モードをとることを特徴とする光学鏡筒
である。
ーム源と、多段に配置された多極子レンズとを備え、ビ
ームの軌道のうち線状陰極の長軸方向軌道および線状陰
極の短軸方向軌道を像面において交差させ、ビーム長軸
方向軌道の倍率対ビームの短軸方向軌道の倍率の比を、
線状ビーム源の短軸方向長さ対長軸方向長さの比に対応
させ、多極子レンズは３段に配置され、各多極子レンズ
は各々独自の励起条件を有し、第２段目の多極子レンズ
の励起条件は高モードをとることを特徴とする光学鏡筒
である。
【００１６】
【作用】線状ビーム源から出射されるビームは、３段の
多極子レンズ内を通過する。３段の多極子レンズにおい
て、ビームの長軸方向軌道と短軸方向軌道は像面におい
て交差する。長軸方向軌道の倍率対短軸方向軌道の倍率
の比を、線状ビーム源の幅対長さの比に対応させること
により、像面において略円形のマイクロビームが得られ
る。
多極子レンズ内を通過する。３段の多極子レンズにおい
て、ビームの長軸方向軌道と短軸方向軌道は像面におい
て交差する。長軸方向軌道の倍率対短軸方向軌道の倍率
の比を、線状ビーム源の幅対長さの比に対応させること
により、像面において略円形のマイクロビームが得られ
る。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１乃至図５は、本発明による電子光学鏡
筒の一実施例を示す図である。
て説明する。図１乃至図５は、本発明による電子光学鏡
筒の一実施例を示す図である。
【００１８】図１において、電子光学鏡筒は、長方形の
線状陰極２１からなり電子ビームを出射する電子放出源
と、３段（トリプレット）に配置された四極子レンズ２
２，２３，２４とを備えている。また、線状陰極２１の
電子ビーム長軸方向軌道２５（Ｘ方向軌道）および電子
ビームの短軸方向軌道２６（Ｙ方向軌道）が像面２７に
おいて交差している。また３段の四極子レンズ２２，２
３，２４によって縮小される長軸方向（Ｘ方向）の倍率
と短軸方向（Ｙ方向）の倍率との比は、線状陰極２１の
幅Ｗと長さＨの比に対応している。
線状陰極２１からなり電子ビームを出射する電子放出源
と、３段（トリプレット）に配置された四極子レンズ２
２，２３，２４とを備えている。また、線状陰極２１の
電子ビーム長軸方向軌道２５（Ｘ方向軌道）および電子
ビームの短軸方向軌道２６（Ｙ方向軌道）が像面２７に
おいて交差している。また３段の四極子レンズ２２，２
３，２４によって縮小される長軸方向（Ｘ方向）の倍率
と短軸方向（Ｙ方向）の倍率との比は、線状陰極２１の
幅Ｗと長さＨの比に対応している。
【００１９】ここで線状陰極２１は図１に示すように、
長さＨおよび幅Ｗを有しており、上述のように長軸方向
の倍率と短軸方向の倍率との比を線状陰極２１の幅Ｗと
長さＨの比に対応させることにより、像面２７において
電子ビームをその長さ対幅が１対１となるよう、すなわ
ち円形ビームとなるよう集束させることができる。
長さＨおよび幅Ｗを有しており、上述のように長軸方向
の倍率と短軸方向の倍率との比を線状陰極２１の幅Ｗと
長さＨの比に対応させることにより、像面２７において
電子ビームをその長さ対幅が１対１となるよう、すなわ
ち円形ビームとなるよう集束させることができる。
【００２０】ここで倍率は線状陰極２１（物面）を結像
面２７（像面）でどのくらい縮小できるかを示すもの
で、マイクロビームを得るためには倍率が小さいほうが
望ましい。倍率比は、線状陰極の長軸方向（Ｘ方向）の
Ｘ方向軌道の倍率Ｍｘと、短軸方向（Ｙ方向）のＹ方向
軌道の倍率Ｍｙとの比率である。この倍率比が小さい程
線状陰極のアスペクト比（線状陰極の長さに対応）が大
きくとれるので、より細長い線状陰極を使うことがで
き、放出面積がその分だけ大きくなり、より大きな放出
電流を得ることができる。このため、倍率が小さくまた
倍率比も小さい方が、本発明の目的に関しては高性能な
電子光学系であるといえる。また四極子レンズ２２，２
３，２４は、他の多極子レンズと同様、回転対称でない
レンズである。他方、線状陰極２１はランタンヘキサボ
ライト（ＬａＢ6 製の）熱陰極となっている。ＬａＢ6
は加工性に優れていて、放出電流密度が大きいという特
長がある。このためＬａＢ6 は大電流を得るためには、
最も適当な陰極材料であるといえる。ただし、陰極材料
は必ずしもＬａＢ6 に限定されるものではなく、例え
ば、電界放出型電子銃として用いられている他の陰極材
料、例えばタングステン（Ｗ）、ジルコニウムオキタイ
ド／タングステン（ＺｒＯ／Ｗ）を線状に加工して電子
銃を構成してもよい。
面２７（像面）でどのくらい縮小できるかを示すもの
で、マイクロビームを得るためには倍率が小さいほうが
望ましい。倍率比は、線状陰極の長軸方向（Ｘ方向）の
Ｘ方向軌道の倍率Ｍｘと、短軸方向（Ｙ方向）のＹ方向
軌道の倍率Ｍｙとの比率である。この倍率比が小さい程
線状陰極のアスペクト比（線状陰極の長さに対応）が大
きくとれるので、より細長い線状陰極を使うことがで
き、放出面積がその分だけ大きくなり、より大きな放出
電流を得ることができる。このため、倍率が小さくまた
倍率比も小さい方が、本発明の目的に関しては高性能な
電子光学系であるといえる。また四極子レンズ２２，２
３，２４は、他の多極子レンズと同様、回転対称でない
レンズである。他方、線状陰極２１はランタンヘキサボ
ライト（ＬａＢ6 製の）熱陰極となっている。ＬａＢ6
は加工性に優れていて、放出電流密度が大きいという特
長がある。このためＬａＢ6 は大電流を得るためには、
最も適当な陰極材料であるといえる。ただし、陰極材料
は必ずしもＬａＢ6 に限定されるものではなく、例え
ば、電界放出型電子銃として用いられている他の陰極材
料、例えばタングステン（Ｗ）、ジルコニウムオキタイ
ド／タングステン（ＺｒＯ／Ｗ）を線状に加工して電子
銃を構成してもよい。
【００２１】次にこのような構成からなる本実施例の作
用について説明する。図１に示す電子光学鏡筒によりマ
イクロビームを形成する作用について、以下電子光学系
の解析を行なって説明する。まず解析の基礎になる四極
子レンズの一般的な電子光学的特性を簡単に説明する。
用について説明する。図１に示す電子光学鏡筒によりマ
イクロビームを形成する作用について、以下電子光学系
の解析を行なって説明する。まず解析の基礎になる四極
子レンズの一般的な電子光学的特性を簡単に説明する。
【００２２】電界型四極子レンズにおける電子ビームの
近軸軌道方程式は四極子レンズの長さｌが開口ａに比べ
て十分大きければ、電界分布ｋ（ｚ）を矩形モデルで近
似することが一般に行なわれており、次のように表わす
ことができる。 Ｘ″−β2 ｋ（ｚ）Ｘ＝０ Ｙ″＋β2 ｋ（ｚ）Ｙ＝０ （１） ここで、β2 ＝Ｖ2 ／Ｖa ａ2 であり、Ｖ2 は電極への
印加電圧、Ｖa は加速電圧である。またＸはＸ方向距
離、Ｘ″はその２回微分であり、ＹはＹ方向距離、Ｙ″
はその２回微分である。
近軸軌道方程式は四極子レンズの長さｌが開口ａに比べ
て十分大きければ、電界分布ｋ（ｚ）を矩形モデルで近
似することが一般に行なわれており、次のように表わす
ことができる。 Ｘ″−β2 ｋ（ｚ）Ｘ＝０ Ｙ″＋β2 ｋ（ｚ）Ｙ＝０ （１） ここで、β2 ＝Ｖ2 ／Ｖa ａ2 であり、Ｖ2 は電極への
印加電圧、Ｖa は加速電圧である。またＸはＸ方向距
離、Ｘ″はその２回微分であり、ＹはＹ方向距離、Ｙ″
はその２回微分である。
【００２３】また四極子レンズの近軸特性は次のように
なる。四極子矩形分布フィールド内での電子ビームの軌
道は、矩形フィールド入射端面での電子ビームのＸ方向
距離、Ｘ方向勾配およびＹ方向距離、Ｙ方向勾配を各々
（Ｘ0 ，Ｘ0 ′，Ｙ0 ，Ｙ0′）とすると次式で表わさ
れる。 Ｘ＝Ｘ0 cos ｈβｚ＋Ｘ0 ′sin ｈβｚ／β Ｙ＝Ｙ0 cos βｚ＋Ｙ′0 sin βｚ／β （２） 従って、矩形フィールド出射端面での軌道（ＸL ，
ＸL ′，ＹL ，ＹL ′）は次のようなマトリクスで表現
される。
なる。四極子矩形分布フィールド内での電子ビームの軌
道は、矩形フィールド入射端面での電子ビームのＸ方向
距離、Ｘ方向勾配およびＹ方向距離、Ｙ方向勾配を各々
（Ｘ0 ，Ｘ0 ′，Ｙ0 ，Ｙ0′）とすると次式で表わさ
れる。 Ｘ＝Ｘ0 cos ｈβｚ＋Ｘ0 ′sin ｈβｚ／β Ｙ＝Ｙ0 cos βｚ＋Ｙ′0 sin βｚ／β （２） 従って、矩形フィールド出射端面での軌道（ＸL ，
ＸL ′，ＹL ，ＹL ′）は次のようなマトリクスで表現
される。
【００２４】
【数１】 式（３）において、θは各四極子レンズの励起条件を表
わすパラメータである。
わすパラメータである。
【００２５】本発明のように四極子レンズ２２，２３，
３４を３段に（トリプレット）組み合わせたときの光学
系の最終段レンズ端面での軌道は行列表式で、
３４を３段に（トリプレット）組み合わせたときの光学
系の最終段レンズ端面での軌道は行列表式で、
【００２６】
【数２】 となる。
【００２７】式（４）において、ａは陰極２１と第１段
の多極子レンズ２２の入射端面との距離、ｓ1 は第１段
の多極子レンズ２２と第２段の多極子レンズ２３間の距
離、ｓ2 は第２段の多極子レンズ２３と第３段の多極子
レンズ２４間の距離である。
の多極子レンズ２２の入射端面との距離、ｓ1 は第１段
の多極子レンズ２２と第２段の多極子レンズ２３間の距
離、ｓ2 は第２段の多極子レンズ２３と第３段の多極子
レンズ２４間の距離である。
【００２８】焦点条件は、Ｘ方向軌道およびＹ方向軌道
ともにＺ軸上の像面２７で一致し、かつＸ方向軌道とＹ
方向軌道の倍率が互いに異なる条件（擬スティグマチッ
ク条件；psudo stigmatic ）となり、次式で表わされ
る。 Ｘ／Ｘ′＝Ｙ／Ｙ′ （Ｍｘ≠Ｍｙ） （５） すなわち線状陰極を円形（点）ビームに集束させるた
め、Ｘ方向軌道とＹ方向軌道の倍率は互いに異なるの
で、スティグマチック条件ではなく、擬スティグマチッ
ク条件で結像することになる。
ともにＺ軸上の像面２７で一致し、かつＸ方向軌道とＹ
方向軌道の倍率が互いに異なる条件（擬スティグマチッ
ク条件；psudo stigmatic ）となり、次式で表わされ
る。 Ｘ／Ｘ′＝Ｙ／Ｙ′ （Ｍｘ≠Ｍｙ） （５） すなわち線状陰極を円形（点）ビームに集束させるた
め、Ｘ方向軌道とＹ方向軌道の倍率は互いに異なるの
で、スティグマチック条件ではなく、擬スティグマチッ
ク条件で結像することになる。
【００２９】次に上述の解析手法に基づいて本発明によ
る電子光学鏡筒の動作を説明する。本発明の解析を行な
うためのモデルを図２に示す。図２において、第１段の
四極子レンズ２２、第２段の四極子レンズ２３、第３段
の四極子レンズ２４は、各々レンズ実効長Ｌを有してい
る。この実効長Ｌはレンズを矩形近似したときの電界領
域である。また、物面（陰極２１の配置面）と第１段の
四極子レンズ２２との距離はａとなっており、第３段の
四極子レンズ２４と像面２７の間の距離はｂとなってい
る。さらに第１段の四極子レンズ２２と第２段の四極子
レンズ２３との間の距離はｓ1 となっており、第２段の
四極子レンズ２３と第３段の四極子レンズ２４との間の
距離はｓ2 となっている。また各四極子レンズ２２，２
３，２４は、各々励起条件θ1 、θ2 、θ3 を有してい
る。この励起条件は各四極子レンズのレンズ強度に相当
する。
る電子光学鏡筒の動作を説明する。本発明の解析を行な
うためのモデルを図２に示す。図２において、第１段の
四極子レンズ２２、第２段の四極子レンズ２３、第３段
の四極子レンズ２４は、各々レンズ実効長Ｌを有してい
る。この実効長Ｌはレンズを矩形近似したときの電界領
域である。また、物面（陰極２１の配置面）と第１段の
四極子レンズ２２との距離はａとなっており、第３段の
四極子レンズ２４と像面２７の間の距離はｂとなってい
る。さらに第１段の四極子レンズ２２と第２段の四極子
レンズ２３との間の距離はｓ1 となっており、第２段の
四極子レンズ２３と第３段の四極子レンズ２４との間の
距離はｓ2 となっている。また各四極子レンズ２２，２
３，２４は、各々励起条件θ1 、θ2 、θ3 を有してい
る。この励起条件は各四極子レンズのレンズ強度に相当
する。
【００３０】本発明は線状陰極からより多くの放出電子
を取り出し円形のマイクロビームに集束することを目的
とするので、そのためには線状陰極のアスペクト比（線
状陰極の長さに対応）は大きい方が良い。すなわち四極
子レンズ２２，２３，２４に対する電子光学的な要求と
しては以下のことがあげられる。 （１）Ｘ方向およびＹ方向ともに倍率を小さくすること
ができるレンズ系の構成と動作条件が望ましい。しか
し、むやみにＸ方向またはＹ方向どちらかの倍率を小さ
くすることは無意味である。 （２）Ｘ方向およびＹ方向の倍率比Ｍｘ／Ｍｙを同時に
小さくすることにより、線状陰極のアスペクト比が大き
くなり望ましい。
を取り出し円形のマイクロビームに集束することを目的
とするので、そのためには線状陰極のアスペクト比（線
状陰極の長さに対応）は大きい方が良い。すなわち四極
子レンズ２２，２３，２４に対する電子光学的な要求と
しては以下のことがあげられる。 （１）Ｘ方向およびＹ方向ともに倍率を小さくすること
ができるレンズ系の構成と動作条件が望ましい。しか
し、むやみにＸ方向またはＹ方向どちらかの倍率を小さ
くすることは無意味である。 （２）Ｘ方向およびＹ方向の倍率比Ｍｘ／Ｍｙを同時に
小さくすることにより、線状陰極のアスペクト比が大き
くなり望ましい。
【００３１】図２に示すモデルを用いて動作解析を行な
った。その結果を図３に示す。図３は、３段に配置され
た多極子レンズのＸ方向軌道およびＹ方向軌道の各倍率
Ｍｘ，Ｍｙの計算結果を示す。また第１段四極子レンズ
の励起条件（レンズ強度）θ1 ＝１，レンズ間の関係を
以下のような；ａ／Ｌ＝５，ｓ1 ／Ｌ＝ｓ2 ／Ｌ＝１の
条件として計算し、ｂ／ＬとＸ方向軌道の倍率ＭｘとＹ
方向軌道の倍率Ｍｙとの関係を示している。ここでｂ／
Ｌは作動距離（第３段四極子レンズと像面との間の距
離）／レンズ実効長である。
った。その結果を図３に示す。図３は、３段に配置され
た多極子レンズのＸ方向軌道およびＹ方向軌道の各倍率
Ｍｘ，Ｍｙの計算結果を示す。また第１段四極子レンズ
の励起条件（レンズ強度）θ1 ＝１，レンズ間の関係を
以下のような；ａ／Ｌ＝５，ｓ1 ／Ｌ＝ｓ2 ／Ｌ＝１の
条件として計算し、ｂ／ＬとＸ方向軌道の倍率ＭｘとＹ
方向軌道の倍率Ｍｙとの関係を示している。ここでｂ／
Ｌは作動距離（第３段四極子レンズと像面との間の距
離）／レンズ実効長である。
【００３２】第１段四極子レンズの励起条件θ1 を固定
したとき、同一のｂ／Ｌを得る第２段四極子レンズの励
起条件θ2 が２つ以上必ず存在する。１つはθ2 が１前
後の値を示す（この解析結果ではθ2 ＝０．９）場合で
あり、このモードを低θ2 モードという。もう１つはθ
2 が３以上の値を示す（この解析ではθ2 ＝３．５）場
合であり、このモードを高θ2 モードという。図３に示
すように、ｂ／Ｌを小さくしていくとＭｘおよびＭｙと
もに小さくなる。図３において、Ｍｘの値は低θ2 モー
ドに比べて高θ2 モードが常に約１桁小さくなってい
る。
したとき、同一のｂ／Ｌを得る第２段四極子レンズの励
起条件θ2 が２つ以上必ず存在する。１つはθ2 が１前
後の値を示す（この解析結果ではθ2 ＝０．９）場合で
あり、このモードを低θ2 モードという。もう１つはθ
2 が３以上の値を示す（この解析ではθ2 ＝３．５）場
合であり、このモードを高θ2 モードという。図３に示
すように、ｂ／Ｌを小さくしていくとＭｘおよびＭｙと
もに小さくなる。図３において、Ｍｘの値は低θ2 モー
ドに比べて高θ2 モードが常に約１桁小さくなってい
る。
【００３３】一方、Ｍｙは、高θ2 モードおよび低θ2
モードとも殆ど変わらない。なお、Ｙ方向軌道は、後述
のように、高θ2 モードではプラス、低θ2 モードでは
マイナスをとるので、図３において低θ2 モードの場合
はＭｙの絶対値を求めて示す。
モードとも殆ど変わらない。なお、Ｙ方向軌道は、後述
のように、高θ2 モードではプラス、低θ2 モードでは
マイナスをとるので、図３において低θ2 モードの場合
はＭｙの絶対値を求めて示す。
【００３４】次に図５において、倍率比Ｍｘ／Ｍｙを示
す。図３に示す解析結果に基づけば、高θ2 モードのＭ
ｘが低θ2 モードのＭｘに比べて約１桁小さいので、高
θ2モードの場合、低θ2 モードに比べて約１桁小さな
倍率比を取ることができる。
す。図３に示す解析結果に基づけば、高θ2 モードのＭ
ｘが低θ2 モードのＭｘに比べて約１桁小さいので、高
θ2モードの場合、低θ2 モードに比べて約１桁小さな
倍率比を取ることができる。
【００３５】次に、上述のような解析の結果求められる
電子ビームのＸ方向軌道とＹ方向軌道を図１に示す。図
１に示すように、Ｘ方向軌道は高θ2 モード（実線）に
おいて第２段の四極子レンズ２３内で大きく発散し、第
３段の四極子レンズ２４内に入って集束される。このた
め高θ2 モードにおいて、Ｘ方向軌道は小さな倍率をと
ることができる。他方、低θ2 モードのＸ方向軌道（破
線）は、第２段の四極子レンズ２３内であまり大きく発
散しない。このため低θ2 モードのＸ方向軌道は、高θ
2 モードのＸ方向軌道に比べて、小さな倍率をとること
はできない。
電子ビームのＸ方向軌道とＹ方向軌道を図１に示す。図
１に示すように、Ｘ方向軌道は高θ2 モード（実線）に
おいて第２段の四極子レンズ２３内で大きく発散し、第
３段の四極子レンズ２４内に入って集束される。このた
め高θ2 モードにおいて、Ｘ方向軌道は小さな倍率をと
ることができる。他方、低θ2 モードのＸ方向軌道（破
線）は、第２段の四極子レンズ２３内であまり大きく発
散しない。このため低θ2 モードのＸ方向軌道は、高θ
2 モードのＸ方向軌道に比べて、小さな倍率をとること
はできない。
【００３６】一方、高θ2 モードのＹ方向軌道（実線）
は、第２段の四極子レンズ２３内で集束し、第３段の四
極子レンズ２４内でわずかに発散する。また低θ2 モー
ドのＹ方向軌道（破線）は、第２段の四極子レンズ２３
を通過した以後、高θ2 モードのＹ方向軌道（実線）と
プラスマイナス逆の対称軌道を描く。
は、第２段の四極子レンズ２３内で集束し、第３段の四
極子レンズ２４内でわずかに発散する。また低θ2 モー
ドのＹ方向軌道（破線）は、第２段の四極子レンズ２３
を通過した以後、高θ2 モードのＹ方向軌道（実線）と
プラスマイナス逆の対称軌道を描く。
【００３７】図１からわかるように、倍率Ｍｘ，Ｍｙを
小さく、かつ倍率比Ｍｘ／Ｍｙを小さくするためには、
Ｘ方向軌道が第２段の四極子レンズ２３において大きく
発散し、第３段の四極子レンズ２４において集束する高
θ2 モードであることが好ましい。
小さく、かつ倍率比Ｍｘ／Ｍｙを小さくするためには、
Ｘ方向軌道が第２段の四極子レンズ２３において大きく
発散し、第３段の四極子レンズ２４において集束する高
θ2 モードであることが好ましい。
【００３８】次に高θ2 モードにおける第１段の四極子
レンズ２２の励起条件θ1 について考察する。図５に高
θ2 モードにおけるθ1 とＭｘ，Ｍｙ，Ｍｘ／Ｍｙの関
係を示している。Ｍｙはθ1 の増加にともなって単調に
減少するが、図５においてＭｘはθ1 ＝０．９３２（Ｐ
1 ）またはθ1 ＝３．４（Ｐ2 ）で発散する。図５から
わかるように、Ｍｘ／Ｍｙの値を小さくとってかつ発散
点（Ｐ1 ，Ｐ2 ）を避けて安定に動作させるための最適
条件はθ1 がＭｘの２つの発散点（Ｐ1 ，Ｐ2）に挟ま
れた領域Ａ内に入ることであることがわかる。なお、Ｍ
ｘはθ1 の値によりマイナス値を取ることもあり、その
場合を考慮して絶対値｜Ｍｘ｜を図５に示した。
レンズ２２の励起条件θ1 について考察する。図５に高
θ2 モードにおけるθ1 とＭｘ，Ｍｙ，Ｍｘ／Ｍｙの関
係を示している。Ｍｙはθ1 の増加にともなって単調に
減少するが、図５においてＭｘはθ1 ＝０．９３２（Ｐ
1 ）またはθ1 ＝３．４（Ｐ2 ）で発散する。図５から
わかるように、Ｍｘ／Ｍｙの値を小さくとってかつ発散
点（Ｐ1 ，Ｐ2 ）を避けて安定に動作させるための最適
条件はθ1 がＭｘの２つの発散点（Ｐ1 ，Ｐ2）に挟ま
れた領域Ａ内に入ることであることがわかる。なお、Ｍ
ｘはθ1 の値によりマイナス値を取ることもあり、その
場合を考慮して絶対値｜Ｍｘ｜を図５に示した。
【００３９】以下、本発明の具体例を述べる。
【００４０】以上のように、マイクロビームを得るため
の線状陰極と３段に配置された四極子レンズによる電子
光学系の動作条件として次のことがあげられる。 （１）高い倍率比を得るためには、第２段の四極子レン
ズの動作条件は高θ2 モードであることが必要で、この
ときＸ方向軌道は第２段の四極子レンズにおいて発散条
件で動作している。 （２）第１段の四極子レンズの励起条件θ1 を倍率Ｍｘ
の発散点に挟まれた領域に設定することによりＭｘおよ
びＭｘ／Ｍｙを小さくかつ安定化させることができる。
の線状陰極と３段に配置された四極子レンズによる電子
光学系の動作条件として次のことがあげられる。 （１）高い倍率比を得るためには、第２段の四極子レン
ズの動作条件は高θ2 モードであることが必要で、この
ときＸ方向軌道は第２段の四極子レンズにおいて発散条
件で動作している。 （２）第１段の四極子レンズの励起条件θ1 を倍率Ｍｘ
の発散点に挟まれた領域に設定することによりＭｘおよ
びＭｘ／Ｍｙを小さくかつ安定化させることができる。
【００４１】これらの条件を満足した線状陰極と３段の
四極子レンズとを有する電子光学鏡筒として図１のもの
が考えられる。本発明による電子光学鏡筒の具体的構成
としては、例えば、θ1 ＝３，θ2 ＝高モード（θ2 ＝
３．３９）、θ3 ＝１．２３，ａ／Ｌ＝５，ｓ1 ／Ｌ＝
３，ｓ2 ／Ｌ＝１が考えられる。
四極子レンズとを有する電子光学鏡筒として図１のもの
が考えられる。本発明による電子光学鏡筒の具体的構成
としては、例えば、θ1 ＝３，θ2 ＝高モード（θ2 ＝
３．３９）、θ3 ＝１．２３，ａ／Ｌ＝５，ｓ1 ／Ｌ＝
３，ｓ2 ／Ｌ＝１が考えられる。
【００４２】このとき、Ｍｘ＝１．１×１０-3，Ｍｙ＝
１．３×１０-2，Ｍｘ／Ｍｙ＝８．４×１０-2となり、
この結果、長さ１００μｍ，幅１０μｍ（アスペクト
比；１０）の線状陰極およびｂ／Ｌ＝１の条件の下で試
料上に０．１μｍのビーム径が得られた。このように四
極子レンズのみのレンズ系で、マイクロビームをえるこ
とができた。
１．３×１０-2，Ｍｘ／Ｍｙ＝８．４×１０-2となり、
この結果、長さ１００μｍ，幅１０μｍ（アスペクト
比；１０）の線状陰極およびｂ／Ｌ＝１の条件の下で試
料上に０．１μｍのビーム径が得られた。このように四
極子レンズのみのレンズ系で、マイクロビームをえるこ
とができた。
【００４３】なお上記実施例において、電子ビームが出
射される電子光学鏡筒を例にとって説明してきたが、こ
れに限らず電子ビームの代わりにイオンビームを出射す
る光学鏡筒に本発明を適用することもできる。
射される電子光学鏡筒を例にとって説明してきたが、こ
れに限らず電子ビームの代わりにイオンビームを出射す
る光学鏡筒に本発明を適用することもできる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
３段に配置された多極子レンズのみで、全体を小型化軽
量化して像面に略円形のマイクロビームを得ることがで
きる。
３段に配置された多極子レンズのみで、全体を小型化軽
量化して像面に略円形のマイクロビームを得ることがで
きる。
【図１】本発明による光学筒体の一実施例を示す概略構
成図。
成図。
【図２】本発明による光学筒体の解析に用いる光学系モ
デルを示す図。
デルを示す図。
【図３】ビームのＸ方向軌道の倍率およびビームのＹ方
向軌道の倍率の計算結果を示す図。
向軌道の倍率の計算結果を示す図。
【図４】ビームのＸ方向軌道の倍率とビームのＹ方向軌
道の倍率の倍率比の計算結果を示す図。
道の倍率の倍率比の計算結果を示す図。
【図５】高θ2 モードにおけるＸ方向軌道の倍率、Ｙ方
向軌道の倍率および倍率比の計算結果を示す図。
向軌道の倍率および倍率比の計算結果を示す図。
【図６】従来の電子光学筒体を示す概略構成図。
２１ 線状陰極 ２２ 第１段の四極子レンズ ２３ 第２段の四極子レンズ ２４ 第４段の四極子レンズ Ｈ 線状陰極長さ Ｗ 線状陰極幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−118954（ＪＰ，Ａ) Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌ ｏｇｙ．Ｂ．，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｖａ ｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ，1990年，第 ８巻，第６号，ｐ．1691−1697 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/06 H01J 37/12
Claims (4)
- 【請求項１】ビームを出射する線状ビーム源と、多段に
配置された多極子レンズとを備え、 ビームの軌道のうち線状陰極の長軸方向軌道および線状
陰極の短軸方向軌道を像面において交差させ、ビーム長
軸方向軌道の倍率対ビームの短軸方向軌道の倍率の比
を、線状ビーム源の短軸方向長さ対長軸方向長さの比に
対応させ、 多極子レンズは３段に配置され、各多極子レンズは各々
独自の励起条件を有し、第２段目の多極子レンズの励起
条件は高モードをとることを特徴とする光学鏡筒。 - 【請求項２】第２段目の多極子レンズの高モードの励起
条件は、３以上の値を示すことを特徴とする請求項１記
載の光学鏡筒。 - 【請求項３】第１段目の多極子レンズの励起条件は、線
状陰極の長軸方向の倍率が発散する２つの発散点に挟ま
れた領域に設定されることを特徴とする請求項１記載の
光学鏡筒。 - 【請求項４】線状ビーム源の短軸方向長さ対長軸方向長
さの比が約１：１０であることを特徴とする請求項１記
載の光学鏡筒。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25687992A JP3151308B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 光学鏡筒 |
| US08/126,968 US5362968A (en) | 1992-09-25 | 1993-09-27 | Optic column having particular major/minor axis magnification ratio |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25687992A JP3151308B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 光学鏡筒 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111742A JPH06111742A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3151308B2 true JP3151308B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=17298683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25687992A Expired - Fee Related JP3151308B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | 光学鏡筒 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362968A (ja) |
| JP (1) | JP3151308B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10355392B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-07-16 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Connector with a housing, an array of terminals and protection walls projecting from body at opposite ends of the array of terminals |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2971313B2 (ja) * | 1993-12-24 | 1999-11-02 | 株式会社東芝 | 欠陥検出装置及び検出方法 |
| JP3409909B2 (ja) * | 1994-03-11 | 2003-05-26 | 株式会社東芝 | ウェーハパターンの欠陥検出方法及び同装置 |
| WO2002001597A1 (fr) * | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Ebara Corporation | Appareil d'inspection a faisceau de particules chargees et procede de fabrication d'un dispositif utilisant cet appareil d'inspection |
| TWI294632B (en) | 2000-06-27 | 2008-03-11 | Ebara Corp | Inspecting device using an electron ebam and method for making semiconductor devices with such inspection device |
| WO2002013227A1 (fr) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Ebara Corporation | Appareil d'analyse a faisceau plan |
| EP1271604A4 (en) * | 2001-01-10 | 2005-05-25 | Ebara Corp | EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE |
| US7002160B1 (en) * | 2003-11-07 | 2006-02-21 | University Of Louisiana At Lafayette | Sextuplet quadrupole lens system for charged particle accelerators |
| US7391034B1 (en) * | 2005-03-16 | 2008-06-24 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Electron imaging beam with reduced space charge defocusing |
| JP4946256B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2012-06-06 | 日新イオン機器株式会社 | 電界レンズおよびそれを備えるイオン注入装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8415623D0 (en) * | 1984-06-19 | 1984-07-25 | Nixon W C | Charged particle sources |
| US4736106A (en) * | 1986-10-08 | 1988-04-05 | Michigan State University | Method and apparatus for uniform charged particle irradiation of a surface |
| DE3825103A1 (de) * | 1988-07-23 | 1990-01-25 | Zeiss Carl Fa | Verfahren zum beleuchten eines objektes in einem transmissions-elektronenmikroskop |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP25687992A patent/JP3151308B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-27 US US08/126,968 patent/US5362968A/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｂ．，Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９９０年，第８巻，第６号，ｐ．１６９１−１６９７ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10355392B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-07-16 | Sumitomo Wiring Systems, Ltd. | Connector with a housing, an array of terminals and protection walls projecting from body at opposite ends of the array of terminals |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5362968A (en) | 1994-11-08 |
| JPH06111742A (ja) | 1994-04-22 |
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