WO2022018840A1 - イオンガン及び真空処理装置 - Google Patents

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勉 廣石
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キヤノンアネルバ株式会社
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    • H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/152—Magnetic means

Definitions

  • the present invention relates to an ion gun and a vacuum processing apparatus.
  • An ion gun is a device that emits generated ions as an ion beam, and is used in vacuum processing devices used in the manufacture of semiconductor devices.
  • the type of ion gun called a closed drift ion source is used in various fields by taking advantage of the feature that the injection port of the ion beam literally forms a closed loop and it is easy to increase the area.
  • the closed drift type ion gun has the advantage of being able to generate plasma and accelerate the ions at the same time, but due to its structure, it avoids that some of the accelerated ions collide with the magnetic poles that make up the ejection port. I can't. Therefore, the magnetic poles are scraped off with the passage of time, the discharge stability gradually deteriorates, and finally the discharge cannot be maintained. In addition to scraping the magnetic poles, problems such as contamination of the processed material by the scraped magnetic pole material, heat generation of the magnetic poles, and a decrease in the etching rate due to beam loss are also caused.
  • Patent Document 1 discloses an ion gun having an increased mirror ratio in the vicinity of the injection port. Further, Patent Document 2 discloses an ion gun in which a magnetic pole is coated with a member having high spatter resistance.
  • An object of the present invention is to provide an ion gun capable of improving the injection efficiency and uniformity of an ion beam and capable of stably operating for a long period of time, and a vacuum processing apparatus using the same.
  • an anode a cathode having first and second portions facing the anode, and a magnet forming a spatial magnetic field between the first and second portions.
  • An annular gap including a straight portion and a curved portion is provided between the first portion and the second portion of the cathode, and the magnet is the first portion of the curved portion.
  • An ion gun is provided that forms a magnetic field line having a bottom inside the cross-sectional center line of the gap between the second portion and the second portion.
  • a spatial magnetic field is formed between the anode, the cathode having the first portion and the second portion facing the anode, and the first portion and the second portion.
  • An annular gap including a straight portion and a curved portion is provided between the first portion and the second portion of the cathode, and the first portion is provided in the gap.
  • the second portion is arranged inside, the second portion is arranged outside the gap, and the magnet is placed in the first portion and the space between the second portion and the anode, and the second portion.
  • a magnetic field line is formed from the portion toward the first portion, and the magnetic field vector at the point where the magnetic force line and the cross-section center line of the gap intersect with respect to a plane orthogonal to the cross-section center line in the curved portion.
  • An ion gun that is tilted at a first angle of less than 1.5 degrees to the side of the first portion and the second portion and greater than 0 degrees to the side of the anode is provided.
  • a space magnetic field is provided between the anode, the cathode having the first portion and the second portion facing the anode, and the first portion and the second portion.
  • an ion gun having a magnet to be formed and having an annular gap including a linear portion and a curved portion between the first portion and the second portion of the cathode, ions emitted from the gap.
  • An ion beam adjusting method for adjusting the beam in which the position of the bottom of the magnetic field line formed between the first portion and the second portion of the curved portion is inward inward from the cross-sectional center line of the gap. By shifting, an ion beam adjusting method for adjusting the center position of the ion beam emitted from the gap is provided.
  • a spatial magnetic field is created between the anode, the cathode having the first portion and the second portion facing the anode, and the first portion and the second portion. It has a magnet to be formed, and an annular gap including a straight portion and a curved portion is provided between the first portion and the second portion of the cathode, and the first portion is provided in the gap.
  • the second portion is arranged inside, the second portion is arranged outside the gap, and the magnet is placed in the space between the first portion and the second portion and the anode from the second portion.
  • the magnetic field line and the cross-sectional center line of the gap A method for adjusting an ion beam that adjusts the center position of an ion beam emitted from the gap by inclining the magnetic field vector at the point where Provided.
  • the emission efficiency and uniformity of the ion beam can be improved.
  • the collision of the ion beam with the magnetic pole can be suppressed, and excellent effects such as reduction of change with time, improvement of maintenance cycle, and reduction of running cost can be realized.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of an ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the structure of an ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view (No. 1) showing the structure of the ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3B is a schematic cross-sectional view (No. 2) showing the structure of the ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an enlarged schematic cross-sectional view showing a structure in the vicinity of the injection port of the ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A is a diagram (No.
  • FIG. 5B is a diagram (No. 2) illustrating the operation of the ion gun according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating a magnetic mirror force generated by a mirror magnetic field.
  • FIG. 7A is a diagram (No. 1) showing the structure and operation of the ion gun according to the reference example.
  • FIG. 7B is a diagram (No. 2) showing the structure and operation of the ion gun according to the reference example.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the magnetic mirror force generated in the curved portion of the injection port.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing the electrical relationship between the plasma and the anode and the magnetic pole plate in the curved portion of the ejection port.
  • FIG. 10 is a schematic diagram illustrating the direction of the magnetic field vector on the cross-sectional center line of the injection port.
  • FIG. 11 is a schematic diagram illustrating the movement of electrons in the space between the magnetic pole plate and the anode.
  • FIG. 12 is a graph showing the result of simulating the amount of scraping of the magnetic pole plate when the position of the bottom of the magnetic pole line is changed.
  • FIG. 13 is a graph showing the result of obtaining the relationship between the distance under the magnet and the bottom position of the magnetic field line by simulation.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the structure of an ion gun according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the structure of the ion gun according to the present embodiment.
  • 3A and 3B are schematic cross-sectional views showing the structure of an ion gun according to the present embodiment.
  • 3A is a sectional view taken along the line AA'of FIG. 2
  • FIG. 3B is a sectional view taken along the line BB'of FIG.
  • the ion gun 10 includes the magnetic pole plates 20A and 20B, the magnet 32, the yoke 34, and the anode 40, and has a substantially rectangular parallelepiped appearance. As shown in FIG. 1, one main surface of the ion gun 10 is provided with an injection port 22 for emitting an ion beam.
  • the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B are plate-like bodies made of a magnetic material having high magnetic permeability and having conductivity.
  • the magnetic pole plate 20B is an annular plate-like body having an opening corresponding to the outer peripheral shape of the magnetic pole plate 20A.
  • the magnetic pole plate 20A is arranged inside the opening of the magnetic pole plate 20B so as to secure a predetermined gap between the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B.
  • the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B may have a function as magnetic poles forming a space magnetic field by arranging the magnetic pole plates 20A and the magnetic pole plates 20B with a predetermined gap.
  • the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B also have a function as a cathode (cathode) facing the anode 40.
  • the magnetic pole plate 20A constitutes the first portion of the cathode
  • the magnetic pole plate 20B constitutes the second portion of the cathode.
  • the gap between the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B forms an annular opening along the outer circumference of the magnetic pole plate 20A and the inner circumference of the magnetic pole plate 20B.
  • the annular opening thus formed constitutes the ion beam ejection port 22.
  • the injection port 22 may include a linear straight portion 22a and a semicircular curved portion 22b, as shown in FIGS. 1 and 2, for example.
  • the injection port 22 is preferably annular in order to maintain discharge, but its shape is not particularly limited. For example, an arbitrary shape such as a part of a perfect circle shape or a part of an ellipse shape can be applied to the curved portion 22b.
  • the curvature of the curved shape may be constant or variable.
  • the magnetic pole plate 20A is located inside the annular ejection port 22, and the magnetic pole plate 20B is located outside the annular ejection port 22. ..
  • the term "inside” of the ejection port 22 it means that it is on the side of the magnetic pole plate 20A with respect to the ejection port 22, and when it is expressed as "outside” of the ejection port 22, it is referred to as the ejection port 22.
  • the ejection port 22 On the other hand, it is assumed that it is on the side of the magnetic pole plate 20B.
  • the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B are not particularly limited as long as they are magnetic materials having high magnetic permeability and have conductivity, but are composed of, for example, ferromagnetic stainless steel such as SUS430, SmCo alloy, NdFe alloy and the like. obtain.
  • the magnet 32 and the yoke 34 constitute a structure 30 having an annular recess 36.
  • the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B are joined on the surface of the structure 30 provided with the recess 36 so that the injection port 22 is located above the recess 36.
  • the yoke 34 magnetically couples to the magnet 32 and the magnetic pole plates 20A and 20B, and has a role as a magnetic conductor that guides the magnetic flux generated from the magnet 32 to the magnetic pole plates 20A and 20B.
  • the magnet 32 and the yoke 34 are arranged so that the recess 36 is located inside the magnetic circuit (magnetic path) composed of the magnetic pole plates 20A and 20B, the magnet 32 and the yoke 34.
  • the magnet 32 forms a spatial magnetic field between the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B via the yoke 34.
  • the yoke 34 and the magnet 32 may be electrically connected to the magnetic pole plates 20A and 20B.
  • the yoke 34 is not particularly limited as long as it is a magnetic material having high magnetic permeability and has conductivity, but may be made of, for example, a ferromagnetic stainless steel such as SUS430, an SmCo alloy, an NdFe alloy or the like.
  • the magnet 32 may be a permanent magnet or an electromagnet.
  • the maximum magnetic flux density in the magnetic field formed between the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B by the magnet 32 is preferably about 1000 [Gauss].
  • the yoke 34 is provided with a gas introduction hole 38 that communicates from the outside of the structure 30 into the recess 36.
  • FIGS. 3A and 3B show a plurality of gas introduction holes 38 provided at the bottom of the structure 30, the number and arrangement locations of the gas introduction holes 38 are not particularly limited.
  • the magnet 32 is located on the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 in the straight portion 22a of the injection port 22 as shown in FIG. 3A.
  • the distance between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20B is substantially equal to the distance between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20A.
  • the length of the magnetic path between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20B is substantially equal to the length of the magnetic path between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20A.
  • the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22 means a straight line parallel to the ejection direction (Z direction) of the ion beam passing through the center in the width direction of the ejection port 22.
  • the magnet 32 is located outside the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 in the curved portion 22b of the injection port 22, as shown in FIG. 3B.
  • the distance between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20B is closer than the distance between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20A.
  • the length of the magnetic path between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20B is shorter than the length of the magnetic path between the magnet 32 and the magnetic pole plate 20A.
  • the anode (anode) 40 is an annular structure corresponding to the shape of the recess 36, and is housed in the recess 36 apart from the magnetic pole plates 20A and 20B, the magnet 32, and the yoke 34.
  • the anode 40 faces the magnetic pole plates 20A and 20B as a cathode, and together with the magnetic pole plates 20A and 20B, serves as an accelerating electrode for accelerating ions in the plasma generated in the space between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40. It has a function.
  • the anode 40 is not particularly limited, but may be fixed to the structure 30 by, for example, a spacer made of an insulator (not shown).
  • the anode 40 may have conductivity and does not require magnetic consideration, and may be made of, for example, non-magnetic stainless steel.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view conceptually showing the shape of a portion where the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40 face each other.
  • the characteristics of the ion beam emitted from the ejection port 22 greatly change depending on the shape of the tip portions of the magnetic pole plates 20A and 20B and the positional relationship between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40. Therefore, the shape of the tip portions of the magnetic pole plates 20A and 20B and the positional relationship between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40 are appropriately set according to the required ion beam characteristics, but are typically set. Can be set, for example, in the relationship shown in FIG.
  • the tip portions of the magnetic pole plates 20A and 20B can be formed into a tapered shape in which the corner portions on the surface side facing the anode 40 are chamfered.
  • the width of the injection port 22 is G
  • the thickness of the thinnest portion of the magnetic pole plates 20A and 20B is T1
  • the thickness of the tapered portion is T2
  • the distance between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40 is S, any of these will occur.
  • the taper angle ⁇ can be set to about 45 degrees.
  • the shape of the tip portions of the magnetic pole plates 20A and 20B and the size of each portion are examples, and are not particularly limited. Further, depending on the ion gun, the corner portion of the magnetic pole plates 20A and 20B on the opposite surface side to the anode 40 may be chamfered.
  • FIGS. 5A and 5B are diagrams illustrating the operation of the ion gun according to the present embodiment.
  • 5A corresponds to the AA'line cross section of FIG. 2
  • FIG. 5B corresponds to the BB'line cross section of FIG.
  • the cross section shown in FIGS. 5A and 5B is assumed to be a surface that appears when the ion gun 10 is cut in the direction in which the width of the injection port 22 is minimized.
  • a gas for discharging such as argon (Ar) is supplied to the recess 36 through the gas introduction hole 38, and the pressure inside the ion gun 10 is adjusted to be about 0.1 Pa. If the pressure in the usage environment (for example, the pressure in the chamber of the vacuum processing device in which the ion gun 10 is installed) is already about 0.1 Pa and discharge is possible in that state, the gas supply operation may be omitted. good.
  • the magnetic pole plates 20A and 20B and the yoke 34 as cathodes are set to the ground potential (0V), and a voltage of, for example, about 1000V to 4000V is applied to the anode 40 from a power source (not shown).
  • a voltage of, for example, about 1000V to 4000V is applied to the anode 40 from a power source (not shown).
  • the magnetic flux (magnetic field line 60) emitted from the north pole of the magnet 32 passes through the yoke 34 and the magnetic pole plate 20B, and is emitted from the tip of the magnetic pole plate 20B.
  • the magnetic field lines 60 emitted from the tip of the magnetic pole plate 20B spread by a repulsive force and then are sucked into the magnetic pole plate 20A.
  • the magnetic field lines 60 have a vertically convex shape as shown in FIGS. 5A and 5B.
  • a magnetic field space having such a shape is called a mirror magnetic field.
  • the mirror magnetic field acts to confine the charged particles in it.
  • FIG. 6 is a schematic diagram illustrating the magnetic mirror force generated by the mirror magnetic field.
  • the magnetic field lines 60 have a dense portion and a sparse portion
  • the charged particles in the mirror magnetic field have a magnetic mirror force in the direction from the dense portion of the magnetic field lines 60 to the sparse portion of the magnetic field lines.
  • Receive 64 As a result, the charged particles are confined in the mirror magnetic field.
  • the plasma 50 when the plasma 50 is generated in the mirror magnetic field, the plasma 50 has a higher density than when there is no magnetic field.
  • the electrons in the plasma 50 are drawn into the anode 40 by the electric field between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40. Further, the cations in the plasma 50 are accelerated by the potential difference between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40 to become an ion beam 52.
  • the ion gun 10 according to the present embodiment is characterized in that the magnet 32 is arranged outside the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 in the curved portion 22b of the injection port 22.
  • the reason why the ion gun 10 of the present embodiment is configured in this way will be described below with reference to the ion gun according to the reference example.
  • FIGS. 7A and 7B are schematic cross-sectional views showing the structure and operation of an ion gun according to a reference example.
  • 7A corresponds to the AA'line cross section of FIG. 1
  • FIG. 7B corresponds to the BB'line cross section of FIG.
  • the ion gun according to the reference example shown in FIGS. 7A and 7B is the same as the ion gun 10 according to the present embodiment except that the arrangement of the magnet 32 is different. That is, in the ion gun according to the reference example, the magnet 32 is arranged at a position facing the injection port 22 with the anode 40 interposed therebetween. That is, the magnet 32 is located on the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 in both the straight portion 22a and the curved portion 22b of the injection port 22.
  • the magnetic field is designed so that the magnetic field is symmetrical with respect to the cross-sectional center line 24 of the injection port 22.
  • the center of the generated plasma 50 is located on the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22, and the collision of the ion beam 52 with the magnetic pole plates 20A and 20B is minimized.
  • the ion beam 52 can be efficiently emitted.
  • the magnet 32 is often arranged at a position facing the injection port 22 with the anode 40 interposed therebetween, for example, as in the ion gun according to the reference examples shown in FIGS. 7A and 7B.
  • the magnetic pole plates 20A and 20B are scraped off with time due to the sputtering action of the colliding ion beam 52, the discharge stability gradually deteriorates, and finally the discharge cannot be maintained. Therefore, the magnetic pole plates 20A and 20B need to be replaced regularly, but as the number of colliding ion beams 52 increases, the amount of the magnetic pole plates 20A and 20B scraped increases, and the maintenance cycle becomes shorter. Further, since the particles generated by the sputtering of the magnetic pole plates 20A and 20B cause equipment contamination, it is desirable to reduce the number of ion beams 52 colliding with the magnetic pole plates 20A and 20B as much as possible.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating the magnetic mirror force generated in the curved portion 22b of the injection port 22.
  • FIG. 9 is a diagram showing the electrical relationship between the plasma 50, the anode 40, and the magnetic pole plates 20A and 20B in the curved portion 22b of the ejection port 22.
  • the distance between the magnetic field lines 60 of the curved portion 22b on the plane parallel to the magnetic pole plates 20A and 20B gradually widens from the magnetic pole plate 20A toward the magnetic pole plate 20B. That is, the magnetic field lines 60 are dense on the side of the magnetic pole plate 20A (inside the injection port 22) and sparse on the side of the magnetic pole plate 20B (outside the injection port 22).
  • the plasma 50 receives an outward magnetic mirror force 64 due to the magnetic mirror effect and shifts to the side of the magnetic pole plate 20B (outside the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22). become.
  • the resistance R A and is compared with the resistance R B between the plasma 50 and the pole plates 20B, towards the larger pole plate 20B of the electrode area than the pole plate 20A plasma between the plasma 50 and the pole plate 20A resistance between 50 decreases (R a> R B). That is, the magnetic pole plate 20B acts more strongly as a cathode than the magnetic pole plate 20A. As a result, more current flows to the side of the magnetic pole plate 20B, and the generation of plasma 50 also increases to the side of the magnetic pole plate 20B.
  • the magnetic field is designed so that the bottom 62 of the magnetic field line 60 is located closer to the magnetic pole plate 20A than the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 in the curved portion 22b of the injection port 22. (See FIG. 5B). That is, from the injection port 22 so that the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 formed between the magnetic pole plate 20A and the magnetic pole plate 20B of the curved portion 22b is shifted inward from the cross-sectional center line 24 of the injection port 22. The center position of the emitted ion beam 52 is adjusted.
  • the bottom 62 of the magnetic field line 60 is a point on the magnetic field line 60 in the space between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40, and the direction of the tangent line to the magnetic field line 60 faces the injection port 22. It shall mean a point parallel to the surface of the anode 40.
  • the direction (magnetic field vector) of the magnetic field line 60 from the magnetic pole plate 20B to the magnetic pole plate 20A in the space between the magnetic pole plates 20A and 20B of the curved portion 22b and the anode 40 is the center of the cross section of the ejection port 22.
  • the surface 66 is inclined toward the anode 40 with respect to the surface 66 orthogonal to the cross-sectional center line 24 (see FIG. 10).
  • the magnetic field vector at the point where the magnetic field line 60 and the cross-section center line 24 of the injection port 22 intersect is emitted so as to be inclined toward the anode 40 with respect to the plane orthogonal to the cross-section center line 24.
  • the center position of the ion beam 52 emitted from the outlet 22 is adjusted.
  • FIG. 11 is a schematic diagram illustrating the movement of electrons in the space between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40.
  • ionization constantly produces electrons and ions.
  • the generated electrons e are attracted to the anode 40 by the potential difference between the magnetic pole plates 20A and 20B and the anode 40, but are also subjected to the force of the magnetic field (Lorentz force), so that they are entwined with the magnetic field lines 60 along the magnetic field lines 60. It moves and reciprocates around the bottom 62.
  • the reciprocating electron e gradually loses energy due to collision with the gas, and is finally collected by the anode 40.
  • the kinetic energy of the electron e becomes highest during the reciprocating motion when the electron e is located at the bottom 62 of the magnetic field line 60. Therefore, the frequency of ionization, that is, the density of the plasma 50, is also highest in the vicinity of the bottom 62 of the magnetic field lines 60. Therefore, if the magnetic field is designed so that the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 is shifted from the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22, the center of the plasma 50 and the ion beam 52 is also moved from the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22 accordingly. It becomes possible to shift.
  • the center of the plasma 50 is emitted. It is possible to shift to the vicinity of the cross-sectional center line 24 of the exit 22. As a result, even in the curved portion 22b of the ejection port 22, the collision of the ion beam 52 with the magnetic pole plates 20A and 20B can be minimized and the ion beam 52 can be efficiently ejected as in the straight portion 22a.
  • the bottom 62 of the magnetic field lines 60 also exists innumerably. What is important in the present invention is the position of the bottom 62 of the magnetic field lines 60 at the height at which the plasma 50 is generated, as can be seen from the mechanism. In many cases, the plasma 50 is generated near a height of about 1 mm from the surface of the anode 40. Therefore, in one example, the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 can be defined as the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 at a height of 1 mm from the surface of the anode 40.
  • FIG. 12 is a graph showing the result of simulating the amount of scraping of the magnetic pole plates 20A and 20B when the position of the bottom 62 of the magnetic pole line 60 is changed.
  • the vertical axis represents the ratio of the amount of scraping of the magnetic pole plate 20A to the amount of scraping of the magnetic pole plate 20B (internal / external ratio of scraping). The value on the vertical axis is obtained by dividing the larger value of the scraped amount of the magnetic pole plate 20A and the scraped amount of the magnetic pole plate 20B by the smaller value.
  • the value on the vertical axis shows a positive value when the amount of scraping of the magnetic pole plate 20B is larger than the amount of scraping of the magnetic pole plate 20A, and is negative when the amount of scraping of the magnetic pole plate 20A is larger than the amount of scraping of the magnetic pole plate 20B. It shall indicate the value.
  • the horizontal axis represents the distance (position of the bottom of the magnetic field line) from the cross-sectional center line of the injection port 22 to the bottom 62 of the magnetic field line 60.
  • the value on the horizontal axis is a positive value for the shift amount when the position of the bottom 62 is shifted outward with respect to the cross-sectional center line 24 of the injection port 22, and the position of the bottom 62 is at the center of the cross section of the injection port 22.
  • the amount of shift when shifting inward is shown as a negative value.
  • the internal / external ratio of scraping of the magnetic pole plates 20A and 20B is substantially proportional to the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60.
  • the internal-external ratio of scraping increases in the positive direction as the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 shifts outward, and increases in the negative direction as the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 shifts inward.
  • the plasma 50 and the ion beam 52 The center shifts outward from the cross-sectional center line 24 of the injection port 22.
  • the amount of scraping of the magnetic pole plate 20B was about 2.1 times the amount of scraping of the magnetic pole plate 20A.
  • the bottom 62 of the magnetic field line 60 is the cross-section of the ejection port 22. It suffices to shift inward from the center line 24.
  • the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 is preferably shifted inward by about 0.1 mm to 0.4 mm from the cross-sectional center of the injection port 22, and is 0 from the cross-sectional center of the injection port 22. It was found that the optimum shift was .25 mm inward.
  • the absolute amount of scraping of the magnetic pole plates 20A and 20B tends to be small.
  • the amount of scraping of the magnetic pole plates 20A and 20B is maximized as compared with the case where the shift amount of the bottom 62 is set to 0 mm.
  • the shift amount of the bottom 62 is set to 0 mm.
  • the peak value of the scraping rate is set to 1 as compared with the case where the shift amount of the bottom 62 is set to 0 mm. It was possible to reduce the amount from one-third to one-1.8. This corresponds to a 1.3 to 1.8 times longer component life and maintenance cycle.
  • the appropriate shift amount of the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 changes depending on the structure of the ion gun 10, the discharge condition, and the like. For example, when the size of the ion gun 10 or the curvature of the curved portion 22b of the injection port 22 becomes large, it is considered that the optimum shift amount becomes larger than the above value. It is preferable that the shift amount of the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 is appropriately set according to the structure of the ion gun 10, the discharge condition, and the like.
  • the method of shifting the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 in the curved portion 22b of the injection port 22 is not particularly limited, but one example is a method of changing the position of the magnet 32 as described in the present embodiment. .. Shifting the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 breaks the symmetry of the magnetic field with respect to the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22, and it can be said that moving the location of the magnet 32 is the most direct method.
  • FIG. 13 is a graph showing the result of obtaining the relationship between the distance under the magnet and the bottom position of the magnetic field line by simulation.
  • the “distance under the magnet” on the vertical axis represents the distance x (see FIG. 5B) from the lower surface of the structure 30 to the lower surface of the magnet 32.
  • the “bottom position of the magnetic field line” on the horizontal axis is set to 0 when the bottom 62 is located on the cross-sectional center line 24 of the injection port 22, and the position inside the cross-sectional center line 24 is represented by a negative sign.
  • the position outside the center line 24 of the cross section is represented by a positive sign.
  • the distance x under the magnet is changed without changing the size of the magnet 32.
  • the distance x under the magnet and the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 are generally in a proportional relationship.
  • the distance x under the magnet By changing the distance x under the magnet, the internal / external balance of the magnetic field in the vicinity of the magnetic pole changes, and the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 changes.
  • the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 By increasing the distance x under the magnet, the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 can be shifted inward of the ejection port 22.
  • the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 can be shifted inward by 0.25 mm by setting the distance x under the magnet to Y.
  • Y can be set to a size of about several tens of mm.
  • FIG. 14 is a graph showing the result of simulating the relationship between the distance from the anode 40 on the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 and the inclination angle of the magnetic field line 60.
  • FIG. 14 shows the simulation results when the positions of the bottom 62 of the magnetic field lines 60 are set to ⁇ 0.1 mm, ⁇ 0.4 mm, and ⁇ 0.56 mm, respectively.
  • the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 the position inside the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22 is represented by a negative sign, and the position outside the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22 is represented by a positive sign.
  • the inclination angle of the magnetic field line 60 is 0 degrees when it is parallel to the plane 66 (FIG. 10) orthogonal to the cross-sectional center line 24 of the injection port 22, and is represented by a negative sign when it is inclined toward the anode 40.
  • the case where the magnetic pole plates 20A and 20B are inclined in the direction is represented by a positive sign.
  • the shift amount of the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 increases inward, the inclination angle toward the anode 40 at the point intersecting the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 increases.
  • the inclination angle of the magnetic field line 60 in the range of the shift amount of -0.1 mm to -0.4 mm in which the absolute amount of scraping of the magnetic pole plates 20A and 20B and the peak value of the scraping rate were improved was determined. It was found to be in the range of 1.5 degrees to -3.5 degrees.
  • the magnetic field vector at the point where the magnetic field line 60 and the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 intersect is 0 degrees toward the magnetic pole plates 20A and 20B with respect to the surface 66 orthogonal to the cross-sectional center line 24. It is desirable to incline at a first angle in the range of 1.5 degrees to the side of the anode 40 and in the range of 0 to 3.5 degrees. Further, in the straight line portion 22a, the magnetic field vector at the point where the magnetic field line 60 and the cross-sectional center line 24 of the injection port 22 intersect is a second angle smaller than the first angle with respect to the surface 66 orthogonal to the cross-sectional center line 24. It is desirable to make an angle. The optimum value for the second angle is 0 degrees at which the magnetic field vector is parallel to the plane 66.
  • the method of breaking the symmetry of the magnetic field and shifting the position of the bottom 62 of the magnetic field line 60 is not limited to the method of moving the position of the magnet 32.
  • a method of controlling the applied current and the like can be mentioned.
  • the emission efficiency and uniformity of the ion beam can be improved.
  • FIG. 15 is a schematic view of the vacuum processing apparatus according to the present embodiment.
  • the same components as those of the ion gun according to the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted or simplified.
  • an ion beam etching device which is one of the vacuum processing devices used for manufacturing a semiconductor device.
  • the application example of the ion gun according to the first embodiment is not limited to the ion beam etching device, and may be a film forming device such as an ion beam sputtering device. Further, the application example of the ion gun according to the first embodiment is not limited to the vacuum processing device, and may be another device provided with the ion gun.
  • the vacuum processing apparatus 100 may include a vacuum chamber 110, a vacuum pump 120, a holder 130 for holding the substrate to be processed 132, and an ion gun 140 as main components. ..
  • the vacuum pump 120 is connected to the vacuum chamber 110.
  • the holder 130 and the ion gun 140 are installed in the vacuum chamber 110.
  • the vacuum chamber 110 is a processing chamber capable of maintaining the inside in a vacuum state, and various treatments such as etching, surface modification, and surface cleaning can be performed inside the processing chamber.
  • the vacuum pump 120 is an exhaust device for discharging the gas in the vacuum chamber 110 and creating a vacuum state in the vacuum chamber 110. By discharging the gas in the vacuum chamber 110 by the vacuum pump 120, it is possible to bring the inside of the vacuum chamber into a high vacuum state of about 10-3 to 10-6 Pa.
  • the holder 130 is a member for holding an object to be processed (processed substrate 132) made of, for example, Si, Ga, carbon, or the like.
  • the holder 130 may include a swing mechanism. Since the holder 130 is provided with a swing mechanism, it is possible to perform processing with high in-plane uniformity on the substrate 132 to be processed.
  • the holder 130 may further have other functions, such as a heating function for heating the substrate to be processed 132.
  • the ion gun 140 is the ion gun described in the first embodiment, and is installed at a position facing the substrate to be processed 132 held by the holder 130.
  • the ion gun 140 irradiates the ion beam 52 of cations toward the substrate 132 to be processed.
  • the ion beam 52 emitted from the ion gun 140 collides with the substrate 132 to be processed while having high kinetic energy.
  • the surface of the substrate to be processed 132 can be subjected to a predetermined treatment such as etching.
  • the vacuum processing apparatus 100 By configuring the vacuum processing apparatus 100 using the ion gun 10 according to the first embodiment, it is possible to irradiate the substrate 132 to be processed with an ion beam 52 having high uniformity, and the processing quality can be improved. Further, the maintenance cycle can be extended by reducing the collision of the ion beam 52 with the magnetic pole plates 20A and 20B. As a result, the production cost can be improved and the processing capacity of the substrate 132 to be processed can be improved. Further, it is possible to prevent the inside of the vacuum chamber 110 and the substrate 132 to be processed from being contaminated by particles generated by sputtering the magnetic pole plates 20A and 20B by the ion beam 52.
  • the magnet 32 is arranged on the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22 in the straight line portion 22a of the ejection port 22, but the magnetic field is symmetrical with respect to the cross-sectional center line 24 of the ejection port 22. If it is a position, it does not necessarily have to be arranged on the cross-sectional center line 24.
  • argon gas is exemplified as the gas for discharging, but the gas for discharging is not limited to a rare gas such as argon, but is a reactive gas typified by oxygen gas or nitrogen gas. There may be.
  • the gas for electric discharge can be appropriately selected according to the purpose of use of the ion gun 10.

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Abstract

イオンガンは、アノードと、アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、第１部分と第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有する。カソードの第１部分と第２部分との間には、直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられている。磁石は、曲線部の第１部分と第２部分との間に、間隙の断面中心線よりも内側にボトムを有する磁力線を形成する。

Description

イオンガン及び真空処理装置
　本発明は、イオンガン及び真空処理装置に関する。
　イオンガンは、生成したイオンをイオンビームとして射出する装置であり、半導体装置の製造に用いられる真空処理装置などに利用されている。中でも、クローズドドリフトイオンソースと呼ばれるタイプのイオンガンは、イオンビームの射出口が文字通り閉じたループを形成しており大面積化が容易であるという特徴を生かし、様々な分野で利用されている。
　クローズドドリフト型のイオンガンは、プラズマの生成とイオンの加速とを同時に行うことができるという利点を有する一方、その構造上、加速したイオンの一部が射出口を構成する磁極に衝突するのを避けられない。そのため、磁極は時間の経過とともに削れていき、徐々に放電安定性が低下し、最終的には放電を維持できなくなる。また、磁極が削れること以外にも、削れた磁極材による処理物の汚染、磁極の発熱、ビームロスによるエッチングレートの低下といった問題も引き起こす。
　このような課題を解消する方法として、特許文献１には、射出口の近傍のミラー比を高めたイオンガンが開示されている。また、特許文献２には、耐スパッタ性の高い部材により磁極をコーティングしたイオンガンが開示されている。
米国特許出願公開第２００５／０２４７８８５号明細書 米国特許出願公開第２００４／００１６６４０号明細書
　クローズドドリフト型のイオンガンとして、直線部と曲線部の形状を組み合わせた環状の射出口を有するものが知られている。しかしながら、このようなイオンガンにおいて直線部と曲線部とを同じように設計すると、磁極に衝突するイオンの量が直線部では少ないが曲線部で非常に多くなることが、本発明者等の検討により初めて明らかとなった。特許文献１及び特許文献２では、射出口の形状について特段の考慮はなされていなかった。
　本発明の目的は、イオンビームの射出効率及び均一性を向上しうるとともに、長期間に渡って安定して稼働しうるイオンガン及びこれを用いた真空処理装置を提供することにある。
　本発明の一観点によれば、アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に、直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、前記磁石は、前記曲線部の前記第１部分と前記第２部分との間に、前記間隙の断面中心線よりも内側にボトムを有する磁力線を形成するイオンガンが提供される。
　また、本発明の他の一観点によれば、アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に、直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、前記第１部分は前記間隙に対して内側に配され、前記第２部分は前記間隙に対して外側に配されており、前記磁石は、前記第１部分及び前記第２部分と前記アノードとの間の空間に、前記第２部分から前記第１部分の方向に向かう磁力線を形成し、前記曲線部において、前記磁力線と前記間隙の断面中心線とが交差する点の磁場ベクトルは、前記断面中心線と直交する面に対して、前記第１部分及び前記第２部分の側に１．５度よりも小さく、前記アノードの側に０度よりも大きい第１の角度で傾斜しているイオンガンが提供される。
　また、本発明の更に他の一観点によれば、アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられたイオンガンにおいて、前記間隙から射出されるイオンビームを調整するイオンビームの調整方法であって、前記曲線部の前記第１部分と前記第２部分との間に形成される磁力線のボトムの位置を前記間隙の断面中心線よりも内側方向にシフトすることにより、前記間隙から射出されるイオンビームの中心位置を調整するイオンビームの調整方法が提供される。
　また、本発明の更に他の一観点によれば、アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、前記第１部分が前記間隙に対して内側に配され、前記第２部分が前記間隙に対して外側に配されており、前記磁石が前記第１部分及び前記第２部分と前記アノードとの間の空間に前記第２部分から前記第１部分の方向に向かう磁力線を形成するイオンガンにおいて、前記間隙から射出されるイオンビームを調整するイオンビームの調整方法であって、前記曲線部において、前記磁力線と前記間隙の断面中心線とが交差する点の磁場ベクトルを、前記断面中心線と直交する面に対して前記アノードの側に傾斜させることにより、前記間隙から射出されるイオンビームの中心位置を調整するイオンビームの調整方法が提供される。
　本発明によれば、イオンビームの射出効率及び均一性を向上することができる。また、磁極へのイオンビームの衝突を抑制することができ、経時変化の低減、メンテナンス周期の改善、ランニングコストの低減といった優れた効果を実現することができる。
図１は、本発明の第１実施形態によるイオンガンの構造を示す斜視図である。 図２は、本発明の第１実施形態によるイオンガンの構造を示す平面図である。 図３Ａは、本発明の第１実施形態によるイオンガンの構造を示す概略断面図（その１）である。 図３Ｂは、本発明の第１実施形態によるイオンガンの構造を示す概略断面図（その２）である。 図４は、本発明の第１実施形態によるイオンガンの射出口の近傍の構造を示す拡大概略断面図である。 図５Ａは、本発明の第１実施形態によるイオンガンの動作を説明する図（その１）である。 図５Ｂは、本発明の第１実施形態によるイオンガンの動作を説明する図（その２）である。 図６は、ミラー磁場により生じる磁気ミラー力を説明する模式図である。 図７Ａは、参考例によるイオンガンの構造及び動作を示す図（その１）である。 図７Ｂは、参考例によるイオンガンの構造及び動作を示す図（その２）である。 図８は、射出口の曲線部に生じる磁気ミラー力を説明する模式図である。 図９は、射出口の曲線部におけるプラズマとアノード及び磁極板との電気的な関係を示す模式図である。 図１０は、射出口の断面中心線上における磁場ベクトルの方向を説明する模式図である。 図１１は、磁極板とアノードとの間の空間における電子の動きを説明する模式図である。 図１２は、磁力線のボトムの位置を変えたときの磁極板の削れ量についてシミュレーションを行った結果を示すグラフである。 図１３は、磁石下の距離と磁力線のボトム位置との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。 射出口の断面中心線上におけるアノードからの距離と磁力線の傾斜角度との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。 本発明の第２実施形態による真空処理装置を示す概略図である。
　［第１実施形態］
　本発明の第１実施形態によるイオンガンの構造について、図１乃至図３Ｂを用いて説明する。図１は、本実施形態によるイオンガンの構造を示す斜視図である。図２は、本実施形態によるイオンガンの構造を示す平面図である。図３Ａ及び図３Ｂは、本実施形態によるイオンガンの構造を示す概略断面図である。図３Ａは図２のＡ－Ａ′線断面図であり、図３Ｂは図２のＢ－Ｂ′線断面図である。
　本実施形態によるイオンガン１０は、図１乃至図３Ｂに示すように、磁極板２０Ａ，２０Ｂと、磁石３２と、ヨーク３４と、アノード４０と、を含み、略直方体形状の外観をなしている。イオンガン１０の一主面には、図１に示すように、イオンビームを射出するための射出口２２が設けられている。
　磁極板２０Ａ及び磁極板２０Ｂは、導電性を有する高透磁率の磁性材料からなる板状体である。磁極板２０Ｂは、磁極板２０Ａの外周形状に応じた開口部を有する環状の板状体である。磁極板２０Ａは、磁極板２０Ｂとの間に所定の間隙（ギャップ）を確保するように、磁極板２０Ｂの開口部の内側に配される。磁極板２０Ａ及び磁極板２０Ｂは、所定の間隙を空けて配置することで空間磁場を形成する磁極としての機能を備え得る。また、磁極板２０Ａ及び磁極板２０Ｂは、アノード４０に対向するカソード（陰極）としての機能をも備える。磁極板２０Ａはカソードの第１部分を構成し、磁極板２０Ｂはカソードの第２部分を構成する。
　磁極板２０Ａと磁極板２０Ｂとの間の間隙は、磁極板２０Ａの外周及び磁極板２０Ｂの内周に沿った環状の開口部を形成している。このように形成される環状の開口部が、イオンビームの射出口２２を構成している。射出口２２は、例えば図１及び図２に示すように、直線状の直線部２２ａと、半円状の曲線部２２ｂと、を含み得る。なお、射出口２２は、放電を維持するために環状であることが好ましいが、その形状は特に限定されるものではない。例えば、曲線部２２ｂには、真円形状の一部や楕円形状の一部などの任意の形状を適用可能である。曲線形状の曲率は一定でもよいし、変動してもよい。
　平面視において射出口２２を中心に見ると、図２に示すように、磁極板２０Ａは環状の射出口２２の内側に位置し、磁極板２０Ｂは環状の射出口２２の外側に位置している。本明細書において、射出口２２の「内側」と表現するときは射出口２２に対して磁極板２０Ａの側であることを示し、射出口２２の「外側」と表現するときは射出口２２に対して磁極板２０Ｂの側であることを示すものとする。
　磁極板２０Ａ及び磁極板２０Ｂは、導電性を有する高透磁率の磁性材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、ＳＵＳ４３０等の強磁性ステンレス鋼、ＳｍＣｏ合金、ＮｄＦｅ合金等により構成され得る。
　磁石３２及びヨーク３４は、図２及び図３に示すように、環状の凹部３６を有する構造体３０を構成している。磁極板２０Ａ及び磁極板２０Ｂは、凹部３６に沿って射出口２２がその上に位置するように、構造体３０の凹部３６が設けられた面の上に接合されている。ヨーク３４は、磁石３２及び磁極板２０Ａ，２０Ｂに磁気的に結合し、磁石３２から発生される磁束を磁極板２０Ａ，２０Ｂに導く磁気導体としての役割を有する。磁石３２及びヨーク３４は、磁極板２０Ａ，２０Ｂ、磁石３２及びヨーク３４によって構成される磁気回路（磁路）の内側に凹部３６が位置するように配される。磁石３２は、ヨーク３４を介して磁極板２０Ａと磁極板２０Ｂとの間に空間磁場を形成する。ヨーク３４及び磁石３２は、磁極板２０Ａ，２０Ｂに電気的に接続され得る。
　ヨーク３４は、導電性を有する高透磁率の磁性材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、ＳＵＳ４３０等の強磁性ステンレス鋼、ＳｍＣｏ合金、ＮｄＦｅ合金等により構成され得る。磁石３２は、永久磁石でも電磁石でも構わない。磁石３２によって磁極板２０Ａと磁極板２０Ｂとの間に形成される磁場における最大磁束密度は、１０００［Ｇａｕｓｓ］程度であることが好ましい。
　ヨーク３４には、構造体３０の外部から凹部３６内に連通するガス導入孔３８が設けられている。なお、図３Ａ及び図３Ｂには構造体３０の底部に設けられた複数のガス導入孔３８を示しているが、ガス導入孔３８の数や配置場所は、特に限定されるものではない。
　磁石３２は、射出口２２の直線部２２ａにおいては、図３Ａに示すように、射出口２２の断面中心線２４上に位置している。別の言い方をすると、磁石３２と磁極板２０Ｂとの間の距離は、磁石３２と磁極板２０Ａとの間の距離とほぼ等しくなっている。或いは、磁石３２と磁極板２０Ｂとの間の磁路の長さは、磁石３２と磁極板２０Ａとの間の磁路の長さとほぼ等しくなっている。なお、本明細書において射出口２２の断面中心線２４とは、射出口２２の幅方向の中心を通るイオンビームの射出方向（Ｚ方向）に平行な直線を言うものとする。
　また、磁石３２は、射出口２２の曲線部２２ｂにおいては、図３Ｂに示すように、射出口２２の断面中心線２４よりも外側に位置している。別の言い方をすると、磁石３２と磁極板２０Ｂとの間の距離は、磁石３２と磁極板２０Ａとの間の距離よりも近くなっている。或いは、磁石３２と磁極板２０Ｂとの間の磁路の長さは、磁石３２と磁極板２０Ａとの間の磁路の長さよりも短くなっている。
　アノード（陽極）４０は、凹部３６の形状に応じた環状の構造体であり、磁極板２０Ａ，２０Ｂ、磁石３２及びヨーク３４から離間して凹部３６の中に収容される。アノード４０は、カソードとしての磁極板２０Ａ，２０Ｂと対向し、磁極板２０Ａ，２０Ｂとともに、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の空間に生じたプラズマ中のイオンを加速する加速電極としての機能を備える。アノード４０は、特に限定されるものではないが、例えば図示しない絶縁体からなるスペーサ等により、構造体３０に固定され得る。アノード４０は、導電性を有していればよく、磁気的な考慮は不要であり、例えば非磁性のステンレス鋼などにより構成され得る。
　次に、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０とが対向する部分における具体的な形状について、図４を用いて説明する。図４は、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０とが対向する部分の形状を概念的に示した断面図である。
　射出口２２から射出されるイオンビームの特性は、磁極板２０Ａ，２０Ｂの先端部の形状や磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の位置関係などにより大きく変化する。そのため、磁極板２０Ａ，２０Ｂの先端部の形状や磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の位置関係などは、必要とされるイオンビームの特性に応じて適宜設定されるが、典型的には、例えば図４に示すような関係に設定され得る。
　磁極板２０Ａ，２０Ｂの先端部は、例えば図４に示すように、アノード４０に対向する面側の角部が面取りされたテーパ形状に成形され得る。射出口２２の幅をＧ、磁極板２０Ａ，２０Ｂの最薄部の厚さをＴ１、テーパ部の厚さをＴ２、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間隔をＳとすると、これらはいずれも数ｍｍ程度のサイズに設定され得る。また、テーパ角度θは４５度程度に設定され得る。なお、磁極板２０Ａ，２０Ｂの先端部の形状や各部のサイズは一例であり、特に限定されるものではない。また、イオンガンによっては、磁極板２０Ａ，２０Ｂのアノード４０とは反対の面側の角部が面取りされることもある。
　次に、本実施形態によるイオンガンの動作について、図５Ａ及び図５Ｂを用いて説明する。図５Ａ及び図５Ｂは、本実施形態によるイオンガンの動作を説明する図である。図５Ａは図２のＡ－Ａ′線断面図に対応し、図５Ｂは図２のＢ－Ｂ′線断面図に対応している。なお、図５Ａ及び図５Ｂに示される断面は、射出口２２の幅が最小となる方向にイオンガン１０を切断したときに現れる面であるものとする。
　まず、ガス導入孔３８を介して凹部３６にアルゴン（Ａｒ）等の放電用のガスを供給し、イオンガン１０の内部の圧力が０．１Ｐａ程度になるように調整する。使用環境の圧力（例えば、イオンガン１０が設置される真空処理装置のチャンバ内の圧力）が既に０．１Ｐａ程度でありその状態で放電が可能な場合には、ガスの供給動作は省略してもよい。
　次に、カソードとしての磁極板２０Ａ，２０Ｂ及びヨーク３４を接地電位（０Ｖ）とし、アノード４０に図示しない電源から例えば１０００Ｖ～４０００Ｖ程度の電圧を印加する。これにより、アノード４０と磁極板２０Ａ，２０Ｂとの間に電界が生じ、その電界によってイオンガン１０の内部に導入したガスが励起、解離、電離され、プラズマ５０が生成される。
　一方、磁石３２のＮ極から出た磁束（磁力線６０）は、ヨーク３４及び磁極板２０Ｂを通り、磁極板２０Ｂの先端から放出される。磁極板２０Ｂの先端から放出された磁力線６０は、斥力で広がった後、磁極板２０Ａへと吸い込まれる。その結果、磁極板２０Ａと磁極板２０Ｂとの間のギャップ空間では、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、磁力線６０が上下に凸の形状となる。このような形状の磁場空間は、ミラー磁場と呼ばれる。ミラー磁場は、その中に荷電粒子を閉じ込めるように作用する。
　図６は、ミラー磁場により生じる磁気ミラー力を説明する模式図である。図６に示すように、磁力線６０に密の部分と疎の部分とがあると、ミラー磁場の中の荷電粒子は磁力線６０が密の部分から磁力線が疎の部分へと向かう方向に磁気ミラー力６４を受ける。これにより、荷電粒子はミラー磁場の中に閉じ込められる。また、ミラー磁場の中でプラズマ５０を生成すると、磁場がないときと比較して高い密度のプラズマ５０となる。
　プラズマ５０中の電子は、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の電界によりアノード４０へと引き込まれる。また、プラズマ５０中の陽イオンは、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の電位差によって加速され、イオンビーム５２となる。
　本実施形態によるイオンガン１０は、前述のように、射出口２２の曲線部２２ｂにおいて、磁石３２を射出口２２の断面中心線２４よりも外側に配置していることを１つの特徴としている。本実施形態のイオンガン１０をこのように構成している理由について、参考例によるイオンガンとの比較を交えつつ、以下に説明する。
　図７Ａ及び図７Ｂは、参考例によるイオンガンの構造及び動作を示す概略断面図である。図７Ａは図１のＡ－Ａ′線断面図に対応し、図７Ｂは図１のＢ－Ｂ′線断面図に対応している。図７Ａ及び図７Ｂに示す参考例によるイオンガンは、磁石３２の配置が異なるほかは、本実施形態によるイオンガン１０と同様である。すなわち、参考例によるイオンガンにおいて、磁石３２は、アノード４０を挟んで射出口２２と対向する位置に配置されている。すなわち、磁石３２は、射出口２２の直線部２２ａ及び曲線部２２ｂの両方において、射出口２２の断面中心線２４上に位置している。
　一般的なイオンガンでは、射出口２２の断面中心線２４に対して磁場が対称となるように磁場設計がなされる。このように磁場設計をすることで、生成されたプラズマ５０の中心が射出口２２の断面中心線２４上に位置するようになり、磁極板２０Ａ，２０Ｂへのイオンビーム５２の衝突を最小化し、ひいてはイオンビーム５２を効率よく射出することができる。この目的のもと磁石３２については、例えば図７Ａ及び図７Ｂに示す参考例によるイオンガンのように、アノード４０を挟んで射出口２２と対向する位置に配置することが多い。
　しかしながら、射出口２２の曲線部２２ｂにおいて直線部２２ａと同様の磁場設計を行うと、図７Ｂに示すように、生成したプラズマ５０の中心が射出口２２の断面中心線２４よりも外側にシフトし、磁極板２０Ｂに衝突するイオンビーム５２が増加する。これにより、射出口２２からイオンビーム５２を効率よく射出することができなくなる。
　また、磁極板２０Ａ，２０Ｂは衝突するイオンビーム５２によるスパッタリング作用によって時間とともに削れていき、徐々に放電安定性が低下し、最終的には放電を維持できなくなる。そのため、磁極板２０Ａ，２０Ｂは定期的に交換する必要があるが、衝突するイオンビーム５２が増加すると磁極板２０Ａ，２０Ｂが削れる量も多くなり、メンテナンス周期が短くなる。また、磁極板２０Ａ，２０Ｂがスパッタリングされることにより生じるパーティクルは装置汚染の原因となるため、磁極板２０Ａ，２０Ｂに衝突するイオンビーム５２は可能な限り少なくすることが望ましい。
　射出口２２の曲線部２２ｂにおいてプラズマ５０の中心が射出口２２の断面中心よりも外側にシフトする原因について、図８及び図９を用いて説明する。図８は、射出口２２の曲線部２２ｂに生じる磁気ミラー力を説明する模式図である。図９は、射出口２２の曲線部２２ｂにおけるプラズマ５０とアノード４０及び磁極板２０Ａ，２０Ｂとの電気的な関係を示す図である。
　磁極板２０Ａ，２０Ｂに平行な面（ＸＹ平面）における曲線部２２ｂの磁力線６０の間隔は、図８に示すように、磁極板２０Ａから磁極板２０Ｂの方向に向かって徐々に広がる。すなわち、磁力線６０は、磁極板２０Ａの側（射出口２２よりも内側）で密に、磁極板２０Ｂの側（射出口２２よりも外側）で疎になる。この結果、プラズマ５０は、図７Ｂに示すように、磁気ミラー効果によって外側向きの磁気ミラー力６４を受け、磁極板２０Ｂの側（射出口２２の断面中心線２４よりも外側）にシフトするようになる。
　また、曲線部２２ｂにおいて磁極板２０Ａ，２０Ｂがプラズマ５０に接する面積を比較すると、磁極板２０Ａがプラズマ５０に接する面積（電極面積）よりも、磁極板２０Ｂがプラズマ５０に接する面積（電極面積）の方が大きくなる。したがって、プラズマ５０と磁極板２０Ａとの間の抵抗ＲＡとプラズマ５０と磁極板２０Ｂとの間の抵抗ＲＢとを比較すると、磁極板２０Ａよりも電極面積の大きい磁極板２０Ｂの方がプラズマ５０との間の抵抗が小さくなる（ＲＡ＞ＲＢ）。すなわち、磁極板２０Ａよりも磁極板２０Ｂの方がカソードとして強く作用する。その結果、より多くの電流が磁極板２０Ｂの側に流れ、プラズマ５０の生成も磁極板２０Ｂの側で多くなる。
　これら２つの作用により、射出口２２の曲線部２２ｂでは、プラズマ５０の中心が射出口２２の断面中心線２４よりも外側にシフトすることになる。
　このような観点から、本実施形態によるイオンガン１０では、射出口２２の曲線部２２ｂにおいて磁力線６０のボトム６２が射出口２２の断面中心線２４よりも磁極板２０Ａの側に位置するように磁場設計を行っている（図５Ｂを参照）。すなわち、曲線部２２ｂの磁極板２０Ａと磁極版２０Ｂとの間に形成される磁力線６０のボトム６２の位置を射出口２２の断面中心線２４よりも内側方向にシフトするように、射出口２２から射出されるイオンビーム５２の中心位置を調整する。ここで、本明細書において磁力線６０のボトム６２とは、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の空間における磁力線６０上の点であって、磁力線６０に対する接線の方向が射出口２２に対向するアノード４０の面と平行になる点を意味するものとする。
　別の観点から見ると、曲線部２２ｂの磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の空間において磁極板２０Ｂから磁極板２０Ａに向かう磁力線６０の方向（磁場ベクトル）が、射出口２２の断面中心線２４と磁力線６０とが交差する点において、断面中心線２４と直交する面６６に対してアノード４０の側に傾斜している（図１０参照）。すなわち、曲線部２２ｂにおいて、磁力線６０と射出口２２の断面中心線２４とが交差する点の磁場ベクトルが、断面中心線２４と直交する面に対してアノード４０の側に傾斜するように、射出口２２から射出されるイオンビーム５２の中心位置を調整する。
　図１１は、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の空間における電子の動きを説明する模式図である。プラズマ内では、電離によって絶えず電子とイオンとが生成されている。生成された電子ｅは、磁極板２０Ａ，２０Ｂとアノード４０との間の電位差によってアノード４０に引き寄せられるが、磁界の力（ローレンツ力）も受けるため、磁力線６０に絡まるように磁力線６０に沿って移動し、ボトム６２を中心として往復運動する。往復運動する電子ｅは、ガスとの衝突によって徐々にエネルギーを失っていき、最終的にアノード４０に捕集される。往復運動する間に電子ｅの運動エネルギーが最も高くなるのは、電子ｅが磁力線６０のボトム６２に位置するときである。そのため、電離の発生頻度、つまりプラズマ５０の密度も、磁力線６０のボトム６２の近傍が最も高くなる。したがって、磁力線６０のボトム６２の位置を射出口２２の断面中心線２４からずらすように磁場設計を行えば、それに応じてプラズマ５０やイオンビーム５２の中心をも射出口２２の断面中心線２４からずらすことが可能となる。
　したがって、磁気ミラー効果による外側方向へのプラズマ５０の移動を相殺するように磁力線６０のボトム６２の位置を射出口２２の断面中心線２４よりも内側方向へずらすことで、プラズマ５０の中心を射出口２２の断面中心線２４の近傍にシフトすることができる。これにより、射出口２２の曲線部２２ｂにおいても直線部２２ａと同様、イオンビーム５２の磁極板２０Ａ，２０Ｂへの衝突を最小化し、イオンビーム５２を効率よく射出することができる。
　なお、磁力線６０は無数に存在するため、磁力線６０のボトム６２も無数に存在する。本発明で重要となるのは、そのメカニズムからも分かるように、プラズマ５０が生成される高さにおける磁力線６０のボトム６２の位置である。多くの場合、プラズマ５０が生成されるのはアノード４０の表面から１ｍｍ程度の高さ付近である。したがって、一例では、磁力線６０のボトム６２の位置は、アノード４０の表面から１ｍｍの高さにおける磁力線６０のボトム６２の位置として定義することができる。
　次に、磁力線６０のボトム６２の位置を射出口２２の断面中心線２４から内側にシフトする量について説明する。なお、ボトム６２のシフト量に関する検討は、汎用の磁場解析ソフトウェアであるＥＬＦ／ＭＡＧＩＣと、汎用のプラズマ解析ソフトウェアであるＰＥＧＡＳＵＳを用い、シミュレーションにより行った。シミュレーションの条件は、プラズマ生成用のガスをＡｒ、チャンバ内圧力を０．０７Ｐａ、アノード４０への印加電圧を３０００Ｖとした。
　図１２は、磁力線６０のボトム６２の位置を変えたときの磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れ量についてシミュレーションを行った結果を示すグラフである。縦軸は、磁極板２０Ａの削れ量と磁極板２０Ｂとの削れ量との比（削れの内外比）を表している。縦軸の値は、磁極板２０Ａの削れ量及び磁極板２０Ｂの削れ量のうち、大きい方の値を小さい方の値で割ったものである。縦軸の値は、磁極板２０Ｂの削れ量が磁極板２０Ａの削れ量よりも大きい場合に正の値を示し、磁極板２０Ａの削れ量が磁極板２０Ｂの削れ量よりも大きい場合に負の値を示すものとする。横軸は、射出口２２の断面中心線から磁力線６０のボトム６２までの距離（磁力線のボトムの位置）を表している。横軸の値は、ボトム６２の位置が射出口２２の断面中心線２４に対して外側方向にシフトしているときのシフト量を正の値、ボトム６２の位置が射出口２２の断面中心に対して内側方向にシフトしているときのシフト量を負の値で示している。
　図１２に示すように、磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れの内外比は、磁力線６０のボトム６２の位置に対して概ね比例関係にある。削れの内外比は、磁力線６０のボトム６２の位置が外側方向にシフトするほど正方向に大きくなり、磁力線６０のボトム６２の位置が内側方向にシフトするほど負方向に大きくなる。
　例えば、射出口２２の曲線部２２ｂにおける磁力線６０のボトム６２が射出口２２の断面中心線２４上に位置している場合（シフト量＝０ｍｍ）、前述のように、プラズマ５０及びイオンビーム５２の中心は射出口２２の断面中心線２４よりも外側方向にシフトする。この場合、磁極板２０Ｂの削れ量は、磁極板２０Ａの削れ量の２．１倍程度であった。
　磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れ量を均等に、すなわちプラズマ５０及びイオンビーム５２の中心を射出口２２の断面中心線２４の付近にシフトするためには、磁力線６０のボトム６２を射出口２２の断面中心線２４よりも内側方向にシフトすればよい。図１２の例では、磁力線６０のボトム６２の位置を、射出口２２の断面中心よりも０．１ｍｍ～０．４ｍｍ程度、内側方向にシフトすることが好ましく、射出口２２の断面中心よりも０．２５ｍｍ内側方向にシフトするのが最適であることが分かった。
　削れの内外比が均等な位置では、磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れの絶対量も小さくなる傾向がある。発明者等の検討では、ボトム６２のシフト量を０．１ｍｍ～０．４ｍｍに設定することにより、ボトム６２のシフト量を０ｍｍに設定した場合よりも、磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れ量を最大で２０％程度低減することができた。このことは、磁極板２０Ａ，２０Ｂの発熱、処理物への汚染、ビームロス等についても最大で２０％程度低減できることを意味している。
　また、本発明者等の検討では、ボトム６２のシフト量を０．１ｍｍ～０．４ｍｍに設定することにより、ボトム６２のシフト量を０ｍｍに設定した場合よりも、削れレートのピーク値を１．３分の１から１．８分の１程度まで低減することができた。このことは、部品の寿命やメンテナンス周期が１．３倍～１．８倍程度長くなることに相当する。
　なお、磁力線６０のボトム６２の位置の適切なシフト量は、イオンガン１０の構造や放電条件などによって変化する。例えば、イオンガン１０のサイズや射出口２２の曲線部２２ｂの曲率が大きくなった場合は、最適なシフト量は上記の値より大きくなると考えられる。磁力線６０のボトム６２の位置のシフト量は、イオンガン１０の構造や放電条件などに応じて適宜設定することが好ましい。
　射出口２２の曲線部２２ｂにおいて磁力線６０のボトム６２の位置をシフトする方法は特に限定されるものではないが、一例では本実施形態において説明したように、磁石３２の位置を変える方法が挙げられる。磁力線６０のボトム６２の位置をシフトすることは射出口２２の断面中心線２４に対する磁場の対称性を崩すことであり、磁石３２の場所を移動することが最も直接的な方法であるといえる。
　図１３は、磁石下の距離と磁力線のボトム位置との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。縦軸の「磁石下の距離」は、構造体３０の下面から磁石３２の下面までの距離ｘ（図５Ｂ参照）を表している。横軸の「磁力線のボトムの位置」は、ボトム６２が射出口２２の断面中心線２４上に位置しているときを０とし、断面中心線２４よりも内側の位置をマイナスの符号で表し、断面中心線２４よりも外側の位置をプラスの符号で表している。シミュレーションでは、磁石３２の大きさは変えずに磁石下の距離ｘを変化している。
　図１３に示すように、磁石下の距離ｘと磁力線６０のボトム６２の位置とは概ね比例関係にある。磁石下の距離ｘを変化することで、磁極近傍における磁場の内外バランスが変化し、磁力線６０のボトム６２の位置が変化する。磁石下の距離ｘを増加することにより、磁力線６０のボトム６２の位置を射出口２２の内側方向にシフトすることができる。このシミュレーション結果によれば、磁石下の距離ｘをＹにすることで、磁力線６０のボトム６２の位置を０．２５ｍｍ内側にシフトすることができる。Ｙは数十ｍｍ程度のサイズに設定され得る。
　図１４は、射出口２２の断面中心線２４上におけるアノード４０からの距離と磁力線６０の傾斜角度との関係をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図１４には、磁力線６０のボトム６２の位置を－０．１ｍｍ、－０．４ｍｍ及び－０．５６ｍｍに設定した場合のシミュレーション結果をそれぞれ示している。磁力線６０のボトム６２の位置は、射出口２２の断面中心線２４よりも内側の位置をマイナスの符号で、射出口２２の断面中心線２４よりも外側の位置をプラスの符号で表している。磁力線６０の傾斜角度は、射出口２２の断面中心線２４と直交する面６６（図１０）に平行な場合を０度とし、アノード４０の側に傾斜している場合をマイナスの符号で表し、磁極板２０Ａ，２０Ｂの方向に傾斜している場合をプラスの符号で表している。
　図１４に示すように、アノード４０に近い磁力線６０ほど、射出口２２の断面中心線２４と交差する点における磁力線６０のアノード４０方向への傾斜角度は大きくなる。また、磁力線６０のボトム６２の位置のシフト量が内側方向に大きくなるほど、射出口２２の断面中心線２４と交差する点におけるアノード４０方向への傾斜角度は大きくなる。このシミュレーション結果によれば、磁極板２０Ａ，２０Ｂの削れの絶対量や削れレートのピーク値に改善が見られたシフト量－０．１ｍｍから－０．４ｍｍの範囲における磁力線６０の傾斜角度は、１．５度から－３．５度の範囲であることが判った。
　すなわち、曲線部２２ｂにおいて、磁力線６０と射出口２２の断面中心線２４とが交差する点の磁場ベクトルは、断面中心線２４と直交する面６６に対して磁極板２０Ａ，２０Ｂの側に０度から１．５度の範囲、アノード４０の側に０度から３．５度の範囲の第１の角度で傾斜していることが望ましい。また、直線部２２ａにおいて、磁力線６０と射出口２２の断面中心線２４とが交差する点の磁場ベクトルは、断面中心線２４と直交する面６６に対して第１の角度よりも小さい第２の角度をなしていることが望ましい。第２の角度の最適値は、磁場ベクトルが面６６に平行となる０度である。
　磁場の対称性を崩して磁力線６０のボトム６２の位置をシフトする方法は、磁石３２の位置を移動する方法に限定されるものではない。その他の方法としては、例えば、磁石３２として電磁石を用いる場合にあっては印加電流を制御する方法などが挙げられる。
　このように、本実施形態によれば、イオンビームの射出効率及び均一性を向上することができる。また、磁極へのイオンビームの衝突を抑制し、経時変化の低減、メンテナンス周期の改善、ランニングコストの低減といった優れた効果を実現することができる。
　［第２実施形態］
　本発明の第２実施形態による真空処理装置について、図１５を用いて説明する。図１５は、本実施形態による真空処理装置の概略図である。第１実施形態によるイオンガンと同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
　本実施形態では、第１実施形態によるイオンガン１０を適用した装置の一例として、半導体装置の製造などに用いられる真空処理装置の１つであるイオンビームエッチング装置について説明する。なお、第１実施形態によるイオンガンの適用例は、イオンビームエッチング装置に限定されるものではなく、イオンビームスパッタ装置などの成膜装置であってもよい。また、第１実施形態によるイオンガンの適用例は、真空処理装置に限定されるものでもなく、イオンガンを備えたその他の装置であってもよい。
　本実施形態による真空処理装置１００は、図１５に示すように、真空チャンバ１１０と、真空ポンプ１２０と、被処理基板１３２を保持するホルダ１３０と、イオンガン１４０と、を主要な構成要素として備え得る。真空ポンプ１２０は、真空チャンバ１１０に接続されている。ホルダ１３０及びイオンガン１４０は、真空チャンバ１１０の中に設置されている。
　真空チャンバ１１０は、内部を真空状態に維持することができる処理室であり、その内部でエッチング、表面改質、表面清浄などの種々の処理を行うことが可能である。
　真空ポンプ１２０は、真空チャンバ１１０内の気体を排出し、真空チャンバ１１０内を真空状態にするための排気装置である。真空ポンプ１２０により真空チャンバ１１０内の気体を排出することで、真空チャンバの内部を１０－３～１０－６Ｐａ程度の高真空状態にすることが可能である。
　ホルダ１３０は、例えばＳｉ、Ｇａ、炭素などからなる被処理物（被処理基板１３２）を保持するための部材である。ホルダ１３０は、揺動機構を備えていてもよい。ホルダ１３０が揺動機構を備えることにより、被処理基板１３２に対して面内均一性の高い処理を施すことが可能である。ホルダ１３０は、その他の機能、例えば、被処理基板１３２を加熱する加熱機能などを更に備えていてもよい。
　イオンガン１４０は、第１実施形態で説明したイオンガンであって、ホルダ１３０に保持された被処理基板１３２と対向する位置に設置される。イオンガン１４０は、陽イオンのイオンビーム５２を被処理基板１３２に向けて照射する。イオンガン１４０から放出されたイオンビーム５２は、高い運動エネルギーを持ったまま被処理基板１３２に衝突する。これにより、被処理基板１３２の表面に対してエッチングなどの所定の処理を施すことができる。
　第１実施形態によるイオンガン１０を用いて真空処理装置１００を構成することにより、均一性の高いイオンビーム５２を被処理基板１３２に照射することが可能となり、処理品質を高めることができる。また、磁極板２０Ａ，２０Ｂへのイオンビーム５２の衝突を低減できることにより、メンテナンス周期を伸ばすことができる。これにより、生産コストを改善し、被処理基板１３２の処理能力を向上することができる。また、また、イオンビーム５２によって磁極板２０Ａ，２０Ｂがスパッタリングされることにより生じるパーティクルによって真空チャンバ１１０の内部や被処理基板１３２が汚染されるのを抑制することができる。
　［変形実施形態］
　本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
　例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。また、実施形態において特段の説明や図示のない部分に関しては、当該技術分野の周知技術や公知技術を適宜適用可能である。
　また、上記実施形態では、射出口２２の直線部２２ａにおいて磁石３２を射出口２２の断面中心線２４上に配置しているが、射出口２２の断面中心線２４に対して磁場が対称となる位置であれば、必ずしも断面中心線２４上に配置する必要はない。
　また、上記実施形態では、放電用のガスとしてアルゴンガスを例示したが、放電用のガスはアルゴン等の希ガスに限定されるものではなく、酸素ガスや窒素ガスに代表される反応性ガスであってもよい。放電用のガスは、イオンガン１０の使用目的等に応じて適宜選択することができる。
１０…イオンガン
２０Ａ，２０Ｂ…磁極板
２２…射出口
２２ａ…直線部
２２ｂ…曲線部
２４…断面中心線
３０…構造体
３２…磁石
３４…ヨーク
３６…凹部
３８…ガス導入孔
４０…アノード
４２…磁性板
５０…プラズマ
５２…イオンビーム
６０…磁力線
６２…ボトム
６４…磁気ミラー力
６６…断面中心線と直交する面
１００…真空処理装置
１１０…真空チャンバ
１２０…真空ポンプ
１３０…ホルダ基板
１３２…被処理基板
１４０…イオンガン

Claims (18)

  1. 　アノードと、
    　前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、
    　前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、
    　前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に、直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、
    　前記磁石は、前記曲線部の前記第１部分と前記第２部分との間に、前記間隙の断面中心線よりも内側にボトムを有する磁力線を形成する
    　ことを特徴とするイオンガン。
  2. 　前記磁石は、前記直線部の前記第１部分と前記第２部分との間に、前記間隙の断面中心線に対するボトムの位置が前記曲線部よりも外側である磁力線を形成する
    　ことを特徴とする請求項１記載のイオンガン。
  3. 　前記磁石は、前記直線部の前記第１部分と前記第２部分との間に、前記断面中心線の上にボトムを有する磁力線を形成する
    　ことを特徴とする請求項２記載のイオンガン。
  4. 　前記アノードと前記カソードとの間に印加する電界により、前記ボトムの位置にプラズマが生成される
    　ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のイオンガン。
  5. 　前記ボトムは、前記アノードの表面から１ｍｍの高さである
    　ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のイオンガン。
  6. 　前記断面中心線と前記ボトムとの間の距離は、０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲である
    　ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のイオンガン。
  7. 　アノードと、
    　前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、
    　前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、
    　前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に、直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、
    　前記第１部分は前記間隙に対して内側に配され、前記第２部分は前記間隙に対して外側に配されており、
    　前記磁石は、前記第１部分及び前記第２部分と前記アノードとの間の空間に、前記第２部分から前記第１部分の方向に向かう磁力線を形成し、
    　前記曲線部において、前記磁力線と前記間隙の断面中心線とが交差する点の磁場ベクトルは、前記断面中心線と直交する面に対して、前記第１部分及び前記第２部分の側に１．５度よりも小さく、前記アノードの側に０度よりも大きい第１の角度で傾斜している
    　ことを特徴とするイオンガン。
  8. 　前記直線部において、前記磁力線と前記間隙の断面中心線とが交差する点の磁場ベクトルは、前記断面中心線と直交する面に対して前記アノードの側における前記第１の角度よりも小さい第２の角度をなしている
    　ことを特徴とする請求項７記載のイオンガン。
  9. 　前記第１の角度は、前記アノードの側に０度から３．５度の範囲である
    　ことを特徴とする請求項７又は８記載のイオンガン。
  10. 　前記曲線部において、前記磁力線の磁場ベクトルが前記断面中心線と直交する面と平行になる点は、前記断面中心線よりも前記第２部分の側に位置しており、前記断面中心線からの距離が０．１ｍｍから０．４ｍｍの範囲である
    　ことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載のイオンガン。
  11. 　前記磁石は、前記曲線部において、前記間隙の前記断面中心線よりも外側に配置されている
    　ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のイオンガン。
  12. 　前記磁石は、前記直線部において、前記間隙の断面中心線の上に配置されている
    　ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のイオンガン。
  13. 　前記第２部分と前記磁石との間の磁路の厚さは、前記第１部分と前記磁石との間の磁路の厚さよりも小さい
    　ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のイオンガン。
  14. 　前記間隙は、イオンビームを射出するための射出口である
    　ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のイオンガン。
  15. 　前記磁石は、前記磁石と前記第１部分及び前記第２部分とを磁気的に結合するヨークとともに、前記アノードを収容する環状の凹部が設けられた構造体を構成し、
    　前記カソードの前記第１部分及び前記第２部分は、前記環状の凹部に沿って前記間隙がその上に位置するように、前記構造体の前記環状の凹部が設けられた面の上に接合されている
    　ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のイオンガン。
  16. 　真空状態を維持することが可能な処理室と、
    　前記処理室の中に配置され、被処理物を保持するホルダと、
    　前記処理室の中に配置され、イオンビームを用いて前記被処理物に対して所定の処理を施すための請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のイオンガンと
    　を有することを特徴とする真空処理装置。
  17. 　アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられたイオンガンにおいて、前記間隙から射出されるイオンビームを調整するイオンビームの調整方法であって、
    　前記曲線部の前記第１部分と前記第２部分との間に形成される磁力線のボトムの位置を前記間隙の断面中心線よりも内側方向にシフトすることにより、前記間隙から射出されるイオンビームの中心位置を調整する
    　ことを特徴とするイオンビームの調整方法。
  18. 　アノードと、前記アノードに対向する第１部分及び第２部分を有するカソードと、前記第１部分と前記第２部分との間に空間磁場を形成する磁石と、を有し、前記カソードの前記第１部分と前記第２部分との間に直線部と曲線部とを含む環状の間隙が設けられており、前記第１部分が前記間隙に対して内側に配され、前記第２部分が前記間隙に対して外側に配されており、前記磁石が前記第１部分及び前記第２部分と前記アノードとの間の空間に前記第２部分から前記第１部分の方向に向かう磁力線を形成するイオンガンにおいて、前記間隙から射出されるイオンビームを調整するイオンビームの調整方法であって、
    　前記曲線部において、前記磁力線と前記間隙の断面中心線とが交差する点の磁場ベクトルを、前記断面中心線と直交する面に対して前記アノードの側に傾斜させることにより、前記間隙から射出されるイオンビームの中心位置を調整する
    　ことを特徴とするイオンビームの調整方法。
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