JP7222821B2 - マルチビーム検査装置 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施形態におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置100は、荷電粒子ビーム検査装置の一例である。検査装置100は、制御部110及び電子光学画像取得機構150を備えている。制御部110は、制御計算機121、バス122、記憶装置131、モニタ132、プリンタ133、メモリ134、位置演算部135,ステージ制御部136、偏向制御部137、ブランキング制御部138、レンズ制御部139、検査画像作成部140、比較部141、感度調整部142、画像補正部143、参照画像作成部144を含む。電子光学画像取得機構150は、駆動部151、レーザ測長システム152、検出部153、パターンメモリ154、電子ビームカラム161(電子鏡筒)及び検査室162を含む。電子ビームカラム161内には、電子銃163、照明レンズ164、成形アパーチャアレイ基板165、縮小レンズ166、制限アパーチャ基板167、対物レンズ168、主偏向器169、副偏向器170、一括ブランキング偏向器171、ビームセパレータ172、投影レンズ173、投影レンズ174、偏向器175、及びマルチ検出器176が配置されている。
T4>(T1の幅+T2の幅)x2
に設定する必要がある。
得られた欠陥情報や検査画像は、例えば、記憶装置131に保存される。
キャリブレーション工程(S101)は、被検査対象領域X又はキャリブレーション用基板をマルチ一次電子ビーム202で検査して、マルチ一次電子ビーム202の強度差に応じてマルチ検出器176における検出感度などを調整する。例えば、マルチ検出器176で得られたアナログ信号や、このアナログ信号からデジタル信号に変換して処理する検出部153の処理条件等を変更することにより検出感度などを調整する。
マルチ一次電子ビーム202の範囲は、被検査対象領域Xの検査範囲以下の大きさであることから、被検査対象領域Xを1以上のサブ検査領域にわけて第1回から第N回まで複数回の検査を行なう(Nは、1以上の整数)。第1サブ検査領域の検査工程(S110)の工程を図8のフローチャートに詳細に示す。2回目以降のサブ検査領域の検査工程(S120~S1N0)は、第1サブ検査領域の検査工程(S110)と同様である。第1サブ検査領域の検査工程(S110)は、マルチビーム照射工程(S111)、フレーム画像作成工程(S112)、フレーム画像比較工程(S113)、ビーム強度差判定(S114)、検出画素感度調整工程(S115)を含む。
マルチビーム照射工程は、被検査対象領域Xのサブ検査領域にマルチ一次電子ビーム202を照射して走査する工程である。走査領域毎に異なる一次電子ビーム202を照射する。被検査対象領域Xから放出されたマルチ二次電子ビーム203は、マルチ検出器176に導かれる。
フレーム画像作成工程(S112)は、サブ検査領域の走査領域毎に異なる検出画素に入射した二次電子ビーム203からフレーム画像を作成する工程である。例えば第1走査領域A1から放出された第1の二次電子ビームは、第1検出画素に入射してアナログ信号が生成される。アナログ信号は、検出部153で信号処理がなされデジタル信号が生成される。生成されたデジタル信号は、パターンメモリ154に一時的に保存される。パターンメモリ154に保存されたデジタル信号を用いて、検査画像作成部140で画像データ(第1フレーム画像C1)が作成される。作成された第1フレーム画像C1は、例えば、メモリ134に記憶される。他の走査領域についても同様にフレーム画像が作成され、メモリ134に記憶される。
フレーム画像間の重なり領域(D1~D12)の輝度差を比較する工程である。例えば第1フレーム画像C1の重なり領域D1の輝度平均(D1-1とする)と、第2フレーム画像C2の重なり領域D1の輝度平均(D1-2とする)の差分から、キャリブレーション後の第1の一次電子ビーム202と第2走査領域A2に照射される第2の一次電子ビーム202の強度差の変化が求まる。
ビーム強度差判定工程(S114)は、フレーム画像比較工程(S113)で求められたビーム強度差が閾値以上であるか否かを判定する工程である。この判定は、比較部141で行なうことが出来る。例えば、ビーム強度差が閾値以上であると判断された場合は、検出画素感度調整工程(S115)にて、検出画素の感度を調整する。ビーム強度差が閾値以上であるかどうか判定において、隣接する重なりフレーム画像領域におけるビーム強度差を考慮することで、例えば、ビーム強度差が閾値未満であれば、検出画素の感度調整は行なわず第1のサブ検査領域の検査工程(S110)は終了し、第1のサブ検査領域の検査工程(S110)と同様に第2のサブ検査領域の検査工程(S120)を行なう。サブ検査領域がN個あれば、第Nのサブ検査領域の検査工程(S1N0)まで行なう。
検出画素感度調整工程(S115)は、ビーム強度差判定工程(S114)において、ビーム強度差が閾値以上であると判定された場合に、ビーム強度差があると判定された一次電子ビーム202に対応する検出画素の検出感度を調整する工程である。まず、比較部141でビーム強度差を求め、感度調整部142で、ビーム強度差を考慮した検出感度の調整値を求める。そして、感度調整部142は、検出部153における信号処理条件を求めた調整値の分だけ補正する。検出部153の信号処理条件を検査画素毎に変更することで、次のサブ検査領域を検査する際には、前回の検査時におけるビーム強度差が補正されたフレーム画像を得ることができる。すなわち、リアルタイムにフレーム画像を得るための処理条件が変更されるため検査開始から検査終了までに生じるビーム強度の変化は補正された条件で検査がなされる。ビーム強度に応じて適切な条件で信号処理を行なわないと、画像の階調値が高すぎたり低すぎたりすることがある。このような、階調値が不適切な画像は、画像処理を行なっても欠陥検出等に適した画像に補正することが難しい。実施形態では、ビーム強度に変化が生じてもリアルタイムに補正をしていることから、欠陥検査等により適した画像を得ることが出来る。
検査画像作成工程(S201)は、サブ検査領域を検査して得られるフレーム画像、サブ検査領域画像、又は、フレーム画像並びに検査領域画像を重ねてつなぎ合わせた検査領域画像Yを作成する工程である。画像を重ねてつなぎ合わせる処理において、位置ずれなどを考慮して行なう。検査画像作成工程(S201)は、検査画像作成部140にて処理等が行なわれる。検査領域画像Yは、メモリ134又は及び記憶装置131に保存される。
参照画像作成工程(S202)は、検査領域画像Yと比較対象となる参照画像を作成する工程である。参照画像作成は、参照画像作成部144にて処理等が行なわれる。いわゆるdie to die検査を行なう場合は、隣接する同一パターン部の検査画像を参照画像として用いる。また、いわゆるdie to database検査を行なう場合は、例えば設計パターンから参照画像を作成する。参照画像は、メモリ134又は/及び記憶装置131に保存される。
比較工程(S203)は、検査領域画像Yと参照画像を比較して欠陥を検出する工程である。比較工程(S203)は、比較部141にて処理等が行なわれる。欠陥検出パラメータを用いて検査領域画像Yと参照画像の差から欠陥を検出する。検出された欠陥情報は、記憶装置131に保存される。
第2の実施形態は、第1の実施形態の変形例である。第2の実施形態においては、比較部141で、例えば、第1フレーム画像C1と第2フレーム画像C2と参照画像とのフレーム画像比較工程(S113)、欠陥検出工程(S116)により、重なり領域D1内のそれぞれの欠陥検出結果情報を得て、この欠陥情報を用いて欠陥検出パラメータを調整する。すなわち、サブ検査領域の欠陥検査の際にそれぞれのフレームの重なり領域の欠陥情報の差を使って欠陥検出パラメータを調整することが第1の実施形態と異なる。
第2の実施形態の第1サブ検査領域の検査工程(S110)は、マルチビーム照射工程(S111)、フレーム画像作成工程(S112)、フレーム画像比較工程(S113)、ビーム強度差判定(S114)、検出画素感度調整工程(S115)、欠陥検出工程(S116)、欠陥比較工程(S117)、欠陥検出パラメータ調整工程(S118)を含む。欠陥検出工程(S116)、欠陥比較工程(S117)及び欠陥検出パラメータ調整工程(S118)以外の工程は、第1の実施形態と第2の実施形態で共通する。共通する工程の説明は、省略する。なお、欠陥検出工程(S116)、欠陥比較工程(S117)及び欠陥検出パラメータ調整工程(S118)の工程は、すべてのサブ検査領域の検査工程で行なってもよいし、一部のサブ検査領域の検査工程で行なってもよい。欠陥検出工程(S116)、欠陥比較工程(S117)及び欠陥検出パラメータ調整工程(S118)の工程は、一群の工程であり、これらは連続して処理が行なわれる。かかる一群の工程は、ビーム強度差判定工程(S114)と並列に処理等を行なってもよいし、ビーム強度差判定工程(S114)の前後のいずれかに処理等を行なってもよい。
第1から第Nサブ検査領域の検査工程(S110~S1N0)で得られたフレーム画像を参照画像と比較して、比較工程(S203)と同様のフレーム画像の欠陥検出を行なう工程である。
欠陥比較工程(S117)は、欠陥検出工程(S116)で共通する重なり領域を有するフレーム画像において、それぞれのフレーム画像の欠陥情報を比較して、一方は欠陥が検出され、他方は欠陥が検出されなかったフレーム画像の組み合わせを抽出する工程である。欠陥比較工程(S117)は、比較部141にて処理等が行なわれる。一方は欠陥が検出され、他方は欠陥が検出されなかったフレーム画像が見つかった場合は、さらに、一方の欠陥が本来欠陥ではないものを欠陥として検出した場合であるのか、他方において欠陥があるのにもかかわらず欠陥を検出出来なかった場合であるのかを判定する。欠陥検出パラメータの調整には、欠陥検出のアルゴリズムの調整も含まれる。
欠陥検出パラメータ調整工程(S118)は、欠陥比較工程(S117)で抽出されたフレーム画像の組み合わせにおける重なりフレーム画像領域の欠陥情報から欠陥検出パラメータを調整する工程である。欠陥検出パラメータ調整工程(S118)は、比較部141にて処理等が行なわれる。例えば、一方の欠陥が本来は欠陥ではないものを欠陥(偽欠陥)として検出した場合は、当該欠陥として検出された部分が欠陥として検出されないように欠陥検出パラメータを調整する。また、例えな、他方において欠陥があるにもかかわらず欠陥として検出出来なかった部分を欠陥として検出出来るように欠陥検出パラメータを調整する。
第3の実施形態は、第1の実施形態の変形例である。第3の実施形態においては、画像補正部143で、フレーム画像、サブ検査領域画像及び検査画像からなる群より選ばれる1種以上の画像を補正することが第1の実施形態と異なる。例えば、ビーム強度差から求められた画像補正パラメータを用いて、第1フレーム画像C1の階調値又は/及び第2フレーム画像C2の階調値を画像補正部143で補正する。画像補正部143では、ビーム強度差を考慮したアルゴリズムで画像の補正を行なう。リアルタイムにビームの強度差に応じて検出部153の設定を調整するが、当該ビーム強度差が求められた画像は、ビーム強度差を考慮しない条件で検査された画像である。そこで、求められたビームの強度差から画像補正パラメータを求め、ビームの強度差の影響がなくなる(少なくなる)ように画像を補正する。フレーム画像、フレーム画像を重ねてつなぎ合わせたサブ検査領域画像及びサブ検査領域画像を重ねてつなぎ合わせた検査領域画像Yのいずれかを補正することができる。ビームの強度差の経時的変化を補うように検出部を調整していることから得られる画像は、ビームの強度差があまり大きくない。従って、得られる画像を軽度に補正すれば、ビームの強度差の影響がなくなる(少なくなる)ように補正をすることが出来るため、画像の後処理の観点からも実施形態の検査装置は好適である。
画像補正工程(S301)は、フレーム画像、サブ検査領域画像及び検査領域画像Yからなる群より選ばれる1種以上の画像をビーム強度差の情報に基づいて補正を行なう工程である。画像補正工程(S301)は、画像補正部143にて処理等が行なわれる。補正する画像に応じて、画像補正工程(S301)の処理等を行なう順番は、任意に変更可能である。画像補正工程(S301)は、欠陥検出を行なう比較工程(S203)の前に行なうことで、欠陥検出を行なう際に、画像が補正されており、欠陥検出の精度が高まることが好ましい。
110 制御部
121 制御計算機
122 バス
131 記憶装置
132 モニタ
133 プリンタ
134 メモリ
135 位置演算部
136 ステージ制御部
137 偏向制御部
138 ブランキング制御部
139 レンズ制御部
140 検査画像作成部
141 比較部
142 感度調整部
143 画像補正部
144 参照画像作成部
150 電子光学画像取得機構
151 駆動部
152 レーザ測長システム
153 検出部
154 パターンメモリ
161 電子ビームカラム
162 検査室
163 電子銃
164 照明レンズ
165 成形アパーチャアレイ基板
166 縮小レンズ
167 制限アパーチャ基板
168 対物レンズ
169 主偏向器
170 副偏向器
171 一括ブランキング偏向器
172 ビームセパレータ
173 投影レンズ
174 投影レンズ
175 偏向器
176 マルチ検出器
177 ステージ
178 ミラー
201 電子ビーム
202a、202b、202c、202d マルチ一次電子ビーム
203a、203b、203c、203d マルチ二次電子ビーム
X 検査対象
A1~A9 第1~9ビーム走査領域
B1~B12 重複した走査領域
Y 撮影画像
C1~C9 第1~9検出画素画像
D1~D12 重複した画像領域
T1 位置ずれによる無効エリア
T2 画像処理による無効エリア
T3 検査有効領域
T4 重ね幅
Claims (5)
- 被検査対象を載置するステージと、前記被検査対象にマルチ一次電子ビームを照射するマルチビームカラムと、前記マルチ一次電子ビームのうち第1の一次電子ビームを前記被検査対象の第1ビーム走査領域に照射して放出された第1の二次電子ビームの照射を受ける第1検出画素及び前記マルチ一次電子ビームのうち第1の一次電子ビームに隣接する第2の一次電子ビームを前記被検査対象の前記第1ビーム走査領域に隣接し、第1の走査領域に重なる第2ビーム走査領域に照射して放出された第2の二次電子ビームの照射を受ける第2検出画素を有するマルチ検出器と、
前記第1の二次電子ビームが第1検出画素に入射して得られた第1フレーム画像と前記第2の二次電子ビームが第2検出画素に入射して得られた第2フレーム画像の重なり部分を比較して前記第1の一次電子ビームと前記第2の一次電子ビームのビーム強度差を求める比較部と、前記ビーム強度差を補正するように前記第1検出画素又は/及び第2検出画素の検出感度を調整する感度調整部と、
を備えたことを特徴とするマルチビーム検査装置。 - 前記比較部は、前記第1フレーム画像と前記第2フレーム画像が重なった重なりフレーム画像領域を参照画像と比較して前記被検査対象の欠陥を検出して欠陥情報を得て、前記欠陥情報を用いて欠陥検出パラメータを調整する、
ことを特徴とする請求項1のマルチビーム検査装置。 - 前記ビーム強度差から求められた補正値を用いて、前記第1フレーム画像の階調値又は/及び前記第2フレーム画像の階調値を補正する画像補正部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載のマルチビーム検査装置。 - 前記第1フレーム画像と前記第2フレーム画像を重ねてつなぎ合わせた画像と参照画像とを比較して、前記被検査対象の欠陥を検出する比較部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1から3のうちのいずれか1つの請求項に記載のマルチビーム検査装置。 - 前記比較部は、前記検出感度が調整された前記第1検出画素及び前記第2検出画素に入射した二次電子ビームから作成されたフレーム画像をつなぎ合わせた画像と参照画像とを比較して、前記調整された欠陥検出パラメータを用いて前記被検査対象の欠陥を検出する、
ことを特徴とする請求項2に記載のマルチビーム検査装置。
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