JP2019120654A - 検査方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の検査方法は、試料に複数の電子ビームを照射しながら、複数の電子ビームを同時に走査することにより検査画像の取得を行い、複数の電子ビームそれぞれが有する複数の歪と、検査画像内で複数の電子ビームそれぞれがスキャンした場所に基づいて、検査画像に対応する参照画像の第1の補正又は検査画像の第2の補正をおこない、第1の補正がされた参照画像と検査画像の第1の比較又は参照画像と第2の補正がされた検査画像の第2の比較をおこなう。
本実施形態の検査方法は、試料の、第1のパターンを有する第1の領域に、複数の電子ビームを照射しながら、複数の電子ビームを第1の領域内で同時に走査することにより参照画像の第1の取得を行い、試料の、第2のパターンを有する第2の領域に、第1のパターンと第2のパターンのうちの同一のパターン部分に対して複数の電子ビームのうちの同一の電子ビームが照射されるように、複数の電子ビームを照射しながら、複数の電子ビームを第2の領域内で同時に走査することにより検査画像の第2の取得を行い、参照画像と検査画像の比較を行う。
22 穴
27 領域
28,36 画素
29 グリッド
30,330 検査領域
31 走査領域
32 ストライプ領域
33 トラッキング領域
34 照射領域
35 フレーム領域
50,52 記憶装置
56 分割部
58 位置合わせ部
60 比較部
100 検査装置
101 基板
102 電子ビームカラム
103 検査室
106 検出回路
107 位置回路
108 比較回路
109 パターンデータ保存部
110 制御計算機
111 展開回路
112 参照回路
114 ステージ制御回路
117 モニタ
118 メモリ
119 プリンタ
122 レーザ測長システム
120 バス
123 ストライプパターンメモリ
124 レンズ制御回路
126 ブランキング制御回路
128 偏向制御回路
130 歪保存部
132 画像保存部
134 画像補正回路
136 画像パターン合わせ回路
150 光学画像取得部
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ基板
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 一括ブランキング偏向器
214 ビームセパレーター
216 ミラー
222 マルチ検出器
224,226 投影レンズ
228 偏向器
300 マルチ2次電子
332 チップ
W ウェハ
S ショット
D 検査ダイ
Z 検査終了領域
U 検査ストライプ
T ビームスキャン領域(検査画像取得領域)
R 検査開始領域
Claims (5)
- 試料に複数の電子ビームを照射しながら、前記複数の電子ビームを同時に走査することにより検査画像の取得を行い、
前記複数の電子ビームそれぞれが有する複数の歪と、前記検査画像内で前記複数の電子ビームそれぞれがスキャンした場所に基づいて、前記検査画像に対応する参照画像の第1の補正又は前記検査画像の第2の補正をおこない、
前記第1の補正がされた前記参照画像と前記検査画像の第1の比較又は前記参照画像と前記第2の補正がされた前記検査画像の第2の比較をおこなう、
検査方法。 - 前記試料が載置された試料台の座標に基づいて前記場所を求める請求項1記載の検査方法。
- 試料の、第1のパターンを有する第1の領域に、複数の電子ビームを照射しながら、前記複数の電子ビームを前記第1の領域内で同時に走査することにより参照画像の第1の取得を行い、
前記試料の、第2のパターンを有する第2の領域に、前記第1のパターンと前記第2のパターンのうちの同一のパターン部分に対して前記複数の電子ビームのうちの同一の前記電子ビームが照射されるように、前記複数の電子ビームを照射しながら、前記複数の電子ビームを前記第2の領域内で同時に走査することにより検査画像の第2の取得を行い、
前記参照画像と前記検査画像の比較を行う、
検査方法。 - 前記試料が載置された試料台の座標に基づいて、前記第1のパターンと前記第2のパターンのうちの同一のパターン部分に対して前記複数の電子ビームのうちの同一の前記電子ビームが照射されるように、前記検査画像の前記第2の取得を行う請求項3記載の検査方法。
- 前記複数の電子ビームそれぞれが有する複数の歪と、前記参照画像内で前記複数の電子ビームそれぞれがスキャンした場所及び前記検査画像内で前記複数の電子ビームそれぞれがスキャンした場所に基づいて、前記参照画像の第1の補正及び前記検査画像の第2の補正を行う、
請求項3記載の検査方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11189459B2 (en) | 2019-06-14 | 2021-11-30 | Nuflare Technology, Inc. | Multibeam inspection apparatus |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20240054632A1 (en) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | Kla Corporation | Detecting defects on specimens |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091342A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-07 | Ebara Corp | 試料欠陥検査装置及び方法並びに該欠陥検査装置及び方法を用いたデバイス製造方法 |
JP2007292679A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Ebara Corp | 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法 |
JP2013246062A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2017083301A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6587581B1 (en) * | 1997-01-10 | 2003-07-01 | Hitachi, Ltd. | Visual inspection method and apparatus therefor |
JPH10335223A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Canon Inc | 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置 |
JP2956671B2 (ja) * | 1997-11-25 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | レティクル検査方法および検査装置 |
US6879390B1 (en) * | 2000-08-10 | 2005-04-12 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Multiple beam inspection apparatus and method |
JP2007206050A (ja) | 2000-11-17 | 2007-08-16 | Ebara Corp | 基板検査方法、基板検査装置及び電子線装置 |
JP4688525B2 (ja) | 2004-09-27 | 2011-05-25 | 株式会社 日立ディスプレイズ | パターン修正装置および表示装置の製造方法 |
WO2006093268A1 (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-08 | Ebara Corporation | 写像投影型電子線装置及び該装置を用いた欠陥検査システム |
JP2010073703A (ja) * | 2008-09-16 | 2010-04-02 | Hitachi High-Technologies Corp | パターンの検査装置、およびパターンの検査方法 |
JP5380206B2 (ja) | 2009-08-27 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査型電子顕微鏡装置及びそれを用いた試料の検査方法 |
JP5771561B2 (ja) * | 2012-05-30 | 2015-09-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
KR20170032602A (ko) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 삼성전자주식회사 | 결함 촬상 장치, 이를 구비하는 결함 검사 시스템 및 이를 이용한 결함 검사 방법 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005091342A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-04-07 | Ebara Corp | 試料欠陥検査装置及び方法並びに該欠陥検査装置及び方法を用いたデバイス製造方法 |
JP2007292679A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Ebara Corp | 試料パターン検査装置におけるxy座標補正装置及び方法 |
JP2013246062A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2017083301A (ja) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パターン検査方法及びパターン検査装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11189459B2 (en) | 2019-06-14 | 2021-11-30 | Nuflare Technology, Inc. | Multibeam inspection apparatus |
US11978195B2 (en) | 2021-01-15 | 2024-05-07 | Kioxia Corporation | Inspection method and inspection apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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