JP6546509B2 - パターン検査方法及びパターン検査装置 - Google Patents
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Description
複数の電子ビームが所定のピッチで配置されたマルチビームを用いて、複数の図形パターンが形成された被検査基板上を走査し、マルチビームが照射されたことに起因して被検査基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する工程と、
マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した第1の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第1の領域像の歪みを個別に補正する工程と、
ビーム毎に個別に第1の領域像の歪みが補正された各第1の領域像のデータを用いて、第1の領域よりも大きい第2の領域単位で、第2の領域像の歪みを補正する工程と、
第2の領域像の歪みが補正された被検査画像を、被検査画像と同じ領域の参照画像を用いて比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とする。
マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した、第1の領域と同じサイズの校正基板上の第3の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第3の領域像の歪み量を個別に測定する工程と、
をさらに備え、
ビーム毎の第1の領域像は、測定された校正基板上の対応する第3の領域像の歪み量を用いて補正されると好適である。
パターン種毎、かつマルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した、第1の領域と同じサイズのサンプル領域上の第3の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第3の領域像の階調値を個別に測定する工程と、
をさらに備え、
第2の領域像の階調値は、同種のパターンのサンプル領域から得られた対応する複数の第3の領域像の階調値を用いて補正されると好適である。
複数の図形パターンが形成された被検査基板を載置する移動可能なステージと、
被検査基板に複数の電子ビームが所定のピッチで配置されたマルチビームを照射する電子ビームカラムと、
マルチビームを用いて、被検査基板上を走査し、マルチビームが照射されたことに起因して被検査基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する検出器と、
マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した第1の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第1の領域像の歪みを個別に補正する第1の補正部と、
ビーム毎に個別に第1の領域像の歪みが補正された各第1の領域像のデータを用いて、第1の領域よりも大きい第2の領域単位で、第2の領域像の歪みを補正する第2の補正部と、
第2の領域像の歪みが補正された被検査画像を、被検査画像と同じ領域の参照画像を用いて比較する比較部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置100は、マルチ電子ビーム検査装置の一例である。検査装置100は、光学画像取得部150、及び制御系回路160(制御部)を備えている。光学画像取得部150は、電子ビームカラム102(電子鏡筒)、検査室103、検出回路106、ストライプパターンメモリ123、及びレーザ測長システム122を備えている。電子ビームカラム102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ部材203、ブランキングアパーチャアレイ部204、縮小レンズ205、制限アパーチャ部材206、対物レンズ207、偏向器208、偏向器224、及び検出器222が配置されている。
22 穴
24,26 電極
29 グリッド
30 検査領域
32 ストライプ領域
34 照射領域
36 測定用画素
37 合成領域
41 制御回路
47 個別ブランキング機構
50,52 記憶装置
58 位置合わせ部
60 判定部
62 拡大歪補正部
70,72,74 記憶装置
76 階調補正部
78 位置合わせ部
80 代表ポイント選択部
82 差分演算部
84 判定部
86 階調補正部
100 検査装置
101 基板
102 電子ビームカラム
103 検査室
106 検出回路
107 位置回路
108 比較回路
109 記憶装置
110 制御計算機
111 展開回路
112 参照回路
114 ステージ制御回路
117 モニタ
118 メモリ
119 プリンタ
122 レーザ測長システム
120 バス
123 ストライプパターンメモリ
124 レンズ制御回路
126 ブランキング制御回路
128 偏向制御回路
140 個別歪補正回路
142 拡大歪補正回路
146 階調補正回路
150 光学画像取得部
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ部材
204 ブランキングアパーチャアレイ部
205 縮小レンズ
206 制限アパーチャ部材
207 対物レンズ
208 偏向器
216 ミラー
224 偏向器
222 検出器
300 2次電子
310 2次電子群
Claims (5)
- 複数の電子ビームが所定のピッチで配置されたマルチビームを用いて、複数の図形パターンが形成された被検査基板上を走査し、前記マルチビームが照射されたことに起因して前記被検査基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する工程と、
前記マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した第1の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第1の領域像の歪みを個別に補正する工程と、
ビーム毎に個別に前記第1の領域像の歪みが補正された各第1の領域像のデータを用いて、前記第1の領域よりも大きい第2の領域単位で、第2の領域像の歪みを補正する工程と、
前記第2の領域像の歪みが補正された被検査画像を、前記被検査画像と同じ領域の参照画像を用いて比較し、結果を出力する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 - 前記第2の領域単位で、第2の領域像の階調誤差を補正する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のパターン検査方法。
- 前記マルチビームを用いて、校正パターンが形成された校正基板上を走査し、前記マルチビームが照射されたことに起因して前記校正基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する工程と、
前記マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した、前記第1の領域と同じサイズの校正基板上の第3の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第3の領域像の歪み量を個別に測定する工程と、
をさらに備え、
ビーム毎の前記第1の領域像は、測定された前記校正基板上の対応する第3の領域像の歪み量を用いて補正されることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン検査方法。 - 前記マルチビームを用いて、前記被検査基板のパターン種毎のサンプル領域上を走査し、前記マルチビームが照射されたことに起因して前記被検査基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する工程と、
前記パターン種毎、かつ前記マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した、前記第1の領域と同じサイズのサンプル領域上の第3の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第3の領域像の階調値を個別に測定する工程と、
をさらに備え、
前記第2の領域像の階調値は、同種のパターンのサンプル領域から得られた対応する複数の第3の領域像の階調値を用いて補正されることを特徴とする請求項1〜3いずれか記載のパターン検査方法。 - 複数の図形パターンが形成された被検査基板を載置する移動可能なステージと、
前記被検査基板に複数の電子ビームが所定のピッチで配置されたマルチビームを照射する電子ビームカラムと、
前記マルチビームを用いて、前記被検査基板上を走査し、前記マルチビームが照射されたことに起因して前記被検査基板から放出される、反射電子を含む2次電子群を検出する検出器と、
前記マルチビームのビーム毎に、当該ビームが走査した第1の領域に対応する2次電子の検出信号から得られる第1の領域像の歪みを個別に補正する第1の補正部と、
ビーム毎に個別に前記第1の領域像の歪みが補正された各第1の領域像のデータを用いて、前記第1の領域よりも大きい第2の領域単位で、第2の領域像の歪みを補正する第2の補正部と、
前記第2の領域像の歪みが補正された被検査画像を、前記被検査画像と同じ領域の参照画像を用いて比較する比較部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。
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