JP5536414B2 - パネル構造体、パネル構造体を含む表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
BG1、BG2 ゲート電極、
C1、C2 連結配線、
CP1〜CP5 導電プラグ、
D1、D2 ドレイン電極、
GI1 ゲート絶縁層、
GL1 ゲートライン、
H1〜H5 ホール(hole)、
IL1 絶縁層、
PE1 画素電極、
S1、S2 ソース電極、
SP1〜SP3 単位素子、
SUB1 基板、
V1 電源ライン。
Claims (30)
- 第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極の位置の上部に対応する位置に形成された第1活性層と、前記第1活性層の両端に接触された第1ソース電極及び第1ドレイン電極と、を具備する第1薄膜トランジスタと、
前記第1ドレイン電極と離隔された第1導電層と、
画素電極と、
前記画素電極と離隔し、前記画素電極と同じ物質から形成された第1連結配線と、
前記第1連結配線の一端と前記第1ドレイン電極とを連結する第1導電プラグと、
前記第1連結配線の他端と前記第1導電層とを連結する第2導電プラグと、を含み、
前記第1導電層と離隔された第2導電層と、
前記第2導電層と離隔された第3導電層と、
前記画素電極と同じ物質から形成された第2連結配線と、をさらに含み、
前記第2連結配線の一端は前記第2導電層と連結され、前記第2連結配線の他端は前記第3導電層と連結され、
前記第1導電層は第2ゲート電極であり、
前記第3導電層は第2ソース電極であり、
前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に備えられた第2活性層と、
前記第2活性層に接触する第2ドレイン電極と、
前記ゲート絶縁層上に、前記第1活性層、前記第1ソース電極、前記第1ドレイン電極、前記第2活性層、前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極を覆う絶縁層と、をさらに含み、
前記第2ソース電極の一部は前記第2導電層の上部に位置し、
前記第2連結配線の一端と前記第2導電層とを連結し、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とを貫通する第3導電プラグと、
前記第2連結配線の他端と前記第2ソース電極とを連結し、前記絶縁層を貫通する第4導電プラグと、
をさらに含むことを特徴とするパネル構造体。 - 前記第1連結配線と前記画素電極は金属酸化物及び金属のうちの少なくとも一つによって形成され、前記金属酸化物はITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc oxide)、Sn酸化物、In酸化物、Zn酸化物及びそれらの混合物のうちの一つであることを特徴とする請求項1に記載のパネル構造体。
- 前記第1導電層を覆うゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に、前記第1ドレイン電極を覆う絶縁層と、をさらに具備し、
前記第1連結配線は前記絶縁層上に形成され、
前記第1導電プラグは前記絶縁層を貫通し、前記第2導電プラグは前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とを貫通することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のパネル構造体。 - 前記第2導電層は電源ラインであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記第2ゲート電極の少なくとも一部は前記第1ゲート電極と前記第2導電層との間に備えられることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記第2導電層は前記ゲート絶縁層によって覆われ、
前記第2連結配線は前記第2導電層上側の前記絶縁層上に備えられることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のパネル構造体。 - 前記画素電極は、前記絶縁層上に、前記第2ドレイン電極と連結されるように備えられることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記画素電極は、前記第2ゲート電極と前記第2導電層との間の前記絶縁層上に備えられることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記第2ゲート電極、前記第2活性層、前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極は第2薄膜トランジスタを構成し、
前記第1薄膜トランジスタはスイッチングトランジスタであり、前記第2薄膜トランジスタは駆動トランジスタであり、
前記第2ゲート電極の一部、前記第2ゲート電極の上部に対応する位置の前記第2ソース電極の一部、及び前記第2ゲート電極の一部と前記第2ソース電極の一部との間の前記ゲート絶縁層は、キャパシタとして作用することを特徴とする請求項1から8のいずれかに記載のパネル構造体。 - 前記第1活性層は、非晶質シリコン(a−Si)、多結晶シリコン(poly−Si)、GeSi、GaAs及び金属酸化物半導体のうちの少なくとも一つによって形成されることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記第2活性層は前記第1活性層と同じ物質から形成されることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記画素電極に連結される第2ドレイン電極を含む第2薄膜トランジスタをさらに具備することを特徴とする請求項1から11のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記第2ドレイン電極は前記画素電極と別途の導電プラグによって連結され、
前記別途の導電プラグは前記画素電極と一体をなすように形成されることを特徴とする請求項12に記載のパネル構造体。 - 前記第1導電層は前記第2薄膜トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項12に記載のパネル構造体。
- 前記第1薄膜トランジスタはスイッチングトランジスタであり、
前記第2薄膜トランジスタは駆動トランジスタであることを特徴とする請求項12から14のいずれかに記載のパネル構造体。 - 前記第1連結配線と前記画素電極とは同一層上に備えられることを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載のパネル構造体。
- 請求項1から請求項16のうちのいずれか1項に記載のパネル構造体を含むことを特徴とする表示装置。
- 第1ゲート電極、第1ソース電極及び第1ドレイン電極を具備する第1トランジスタと、
第2ゲート電極、第2ソース電極及び第2ドレイン電極を具備する第2トランジスタと、
前記第1ゲート電極に連結されたものであって、第1方向に延びた第1ゲートラインと、
前記第1ゲートラインと離隔して前記第1ゲートラインと並んだ方向に延びた電源ラインと、
画素電極と、
前記画素電極と同じ物質から形成され、前記第1ドレイン電極と前記第2ゲート電極とを電気的に連結するための少なくとも1つの第1コンタクトプラグと、
前記画素電極と同じ物質から形成され、前記電源ラインと前記第2ソース電極とを連結するための少なくとも1つの第2コンタクトプラグと、を含み、
前記第1ゲートラインと前記電源ラインとの間に前記第2ゲート電極及び前記画素電極が配置され、前記第2ゲート電極と前記電源ラインとの間に前記画素電極が配置されることを特徴とするパネル構造体。 - 前記第1トランジスタはスイッチングトランジスタであり、
前記第2トランジスタは駆動トランジスタであることを特徴とする請求項18に記載のパネル構造体。 - 前記少なくとも1つの第1コンタクトプラグに連結された第1連結配線がさらに備えられることを特徴とする請求項18または19に記載のパネル構造体。
- 前記画素電極と一体をなすように形成され、前記画素電極と前記第2ドレインとを連結する少なくとも1つの第3コンタクトプラグをさらに含むことを特徴とする請求項18から20のいずれかに記載のパネル構造体。
- 前記少なくとも1つの第2コンタクトプラグに連結された第2連結配線がさらに備えられることを特徴とする請求項18から21のいずれかに記載のパネル構造体。
- 第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極の位置の上部に対応する位置に形成される第1活性層と、前記第1活性層の両端に接触された第1ソース電極及び第1ドレイン電極と、を具備する第1薄膜トランジスタと、前記第1ドレイン電極と離隔された第1導電層と、を含むパネル構造体の製造方法において、
画素電極を形成する段階と、
前記画素電極を形成する間、前記第1ドレイン電極に接触する第1導電プラグを形成する段階と、
前記画素電極を形成する間、前記第1導電層に接触する第2導電プラグを形成する段階と、
前記第1導電プラグ及び前記第2導電プラグを連結する第1連結配線を形成する段階と、を含み、
前記第1導電層と離隔される第2導電層を形成する段階と、
前記第2導電層と離隔される第3導電層を形成する段階と、
前記画素電極を形成する間、前記第2導電層に接触する第3導電プラグを形成する段階と、
前記画素電極を形成する間、前記第3導電層に接触する第4導電プラグを形成する段階と、
前記第3導電プラグ及び第4導電プラグを連結する第2連結配線を形成する段階と、をさらに含み、
前記第1導電層は第2ゲート電極であり、
前記第3導電層は第2ソース電極であり、
前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極を覆うゲート絶縁層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁層上に第2活性層を形成する段階と、
前記第2活性層に接触する第2ドレイン電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁層上に、前記第1活性層、前記第1ソース電極、前記第1ドレイン電極、前記第2活性層、前記第2ソース電極及び前記第2ドレイン電極を覆う絶縁層を形成する段階と、をさらに含み、
前記第2ソース電極の一部は前記第2導電層の上部に位置し、
第3導電プラグは前記第2連結配線の一端と前記第2導電層とを連結し、前記ゲート絶縁層と前記絶縁層とを貫通し、
前記第4導電プラグは前記第2連結配線の他端と前記第2ソース電極とを連結し、前記絶縁層を貫通し、
前記第1導電プラグ及び前記第4導電プラグは前記絶縁層を貫通するように形成され、前記第2導電プラグ及び前記第3導電プラグは前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層を貫通するように形成されることを特徴とするパネル構造体の製造方法。 - 前記第1連結配線を形成する段階は、前記画素電極を形成する間に行われることを特徴とする請求項23に記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記画素電極、前記第1導電プラグ及び前記第2導電プラグは、いずれも同じ物質によって形成することを特徴とする請求項23または24に記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記第1連結配線は前記画素電極と同じ物質によって形成することを特徴とする請求項23から25のいずれかに記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記第2連結配線を形成する段階は前記画素電極を形成する間に行われることを特徴とする請求項23から26のいずれかに記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記第2連結配線は前記画素電極と同じ物質によって形成することを特徴とする請求項23から27のいずれかに記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記第2導電層は電源ラインであることを特徴とする請求項23から28のいずれかに記載のパネル構造体の製造方法。
- 前記画素電極は、前記絶縁層上であって、第5導電プラグによって前記第2ドレイン電極と連結されるように形成されることを特徴とする請求項23から29のいずれかに記載のパネル構造体の製造方法。
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