JP4514674B2 - 表示装置、表示パネル用基板および表示パネル用基板の製造方法 - Google Patents
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図1および図2に、本発明の実施形態1に係る表示装置10を説明するための模式図および斜視図を示す。さらに、図3にLED(Light Emitting Diode)アレイ510の拡大斜視図を示す。また、図4に表示装置10を説明するためのブロック図を示す。
図16に、本発明の実施形態2に係る表示装置を説明するための斜視図を示す。図16に示すように、既述の液晶パネル300(図1および図2参照)に代えて、液晶パネル302を適用して表示装置10(図1参照)を構成することもできる。当該液晶パネル302は、4つの光センサ回路130を表示領域310内に設けた点以外は、既述の液晶パネル300と同様の構成を有している。液晶パネル302においても、バックライト500の4つの発光領域500Aそれぞれに対して1つの光センサ回路130が設けられている。
さて、特許文献2や特許文献3には、バックライトをN×Mの複数の発光領域(照明領域)に分割し、発光領域ごとに映像情報に基づいて最適輝度を算出し、発光領域ごとにバックライトの輝度制御と映像信号の画像処理とを行う(以下「画面分割アクティブバックライト駆動」または「空間アクティブバックライト駆動」と呼ぶことにする)表示装置が開示されている。このとき、表示装置は、入力された映像信号の輝度情報に基づきバックライトの輝度を分割された発光領域ごとに制御する制御回路を含んでいる。
110 ベース基板
121 表示用TFT(表示用スイッチング素子)
121a 半導体膜
121g ゲート電極
131 光センサ用TFT(光センサ)
131a 半導体膜
131g1 第1電極
131g2 第2電極
160 画素電極
181 導電膜
182 半導体膜
184 透明導電膜
300〜302 液晶パネル(表示パネル)
310 表示領域
410,420 バックライト制御回路(制御回路)
500,501 バックライト
500A,501A 発光領域
SIN 入力映像信号
Claims (10)
- 表示パネルと、
前記表示パネルへ光照射可能に配置されたバックライトと、
前記バックライトを制御する制御回路と、を備え、
前記表示パネルは、
前記バックライトの側に配置されたベース基板と、
前記ベース基板において前記バックライトとは反対側に配置された、ボトムゲート型薄膜トランジスタ構造の表示用スイッチング素子と、
前記ベース基板において前記表示用スイッチング素子と同じ側に前記表示用スイッチング素子とモノリシックに形成されており、前記バックライトの光強度を測定可能に設けられた、トップゲート型薄膜トランジスタ構造の少なくとも1つの光センサと、を含み、
前記制御回路は、前記少なくとも1つの光センサによる測定結果に基づいて前記バックライトの発光強度を制御することを特徴とする表示装置。 - 前記少なくとも1つの光センサは、前記表示パネルの表示領域外に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記少なくとも1つの光センサは複数の光センサであることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記複数の光センサは、前記バックライトの複数の発光領域の光強度を測定可能に配置されており、
前記制御回路は、前記バックライトの発光領域ごとに、当該発光領域に対応の光センサによる測定結果に基づいて、前記バックライトの前記発光強度を制御することを特徴とする請求項3に記載の表示装置。 - 前記少なくとも1つの光センサは、前記表示パネルの表示領域内に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記少なくとも1つの光センサは複数の光センサであることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。
- 前記複数の光センサは、前記バックライトの複数の発光領域の光強度を測定可能に配置されており、
前記制御回路は、前記バックライトの発光領域ごとに、当該発光領域に対応の光センサによる測定結果に基づいて、前記バックライトの前記発光強度を制御することを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 前記制御回路は、前記複数の光センサによる前記測定結果のみならず、入力映像信号の輝度情報にも基づいて、前記バックライトの前記発光領域ごとに、前記バックライトの前記発光強度を制御することを特徴とする請求項7に記載の表示装置。
- ベース基板と、
前記ベース基板上に配置されたゲート電極と、前記ゲート電極よりも前記ベース基板から遠くに配置され平面視において前記ゲート電極に重なるように配置された半導体膜とを含む、ボトムゲート型薄膜トランジスタ構造の表示用スイッチング素子と、
前記表示用スイッチング素子に電気的に接続された画素電極と、
前記ベース基板において前記表示用スイッチング素子と同じ側に配置されており、前記表示用スイッチング素子とモノリシックに形成された、トップゲート型薄膜トランジスタ構造の光センサと、を備え、
前記光センサは、
前記ベース基板上に配置されており、前記表示用スイッチング素子の前記ゲート電極と同じ材料から成る、第1電極と、
前記第1電極よりも前記ベース基板から遠くに配置され平面視において前記第1電極に重ならないように配置されており、前記表示用スイッチング素子の前記半導体膜と同じ材料から成る、半導体膜と、
前記光センサの前記半導体膜よりも前記ベース基板から遠くに配置され平面視において前記光センサの前記半導体膜に重なるように配置されており、前記第1電極に電気的に接続された、前記画素電極と同じ材料から成る、第2電極と、を含むことを特徴とする表示パネル用基板。 - ベース基板上に導電膜を形成する第1工程と、
前記導電膜から、ボトムゲート型薄膜トランジスタ構造の表示用スイッチング素子のゲート電極およびトップゲート型薄膜トランジスタ構造の光センサの第1電極を形成する第2工程と、
前記ゲート電極および前記第1電極に被さるように半導体膜を形成する第3工程と、
前記半導体膜から、平面視において前記ゲート電極に重なるように前記表示用スイッチング素子の半導体膜を形成するともに、平面視において前記第1電極に重ならないように前記光センサの半導体膜を形成する、第4工程と、
前記光センサの前記半導体膜に被さるように、かつ、前記表示用スイッチング素子および前記第1電極に接するように、透明導電膜を形成する、第5工程と、
前記透明導電膜から、前記表示用スイッチング素子に電気的に接続するように画素電極を形成するとともに、前記第1電極に電気的に接続するようにかつ前記光センサの前記半導体膜に平面視において重なるように前記光センサの第2電極を形成する、第6工程と、を備えることを特徴とする表示パネル用基板の製造方法。
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