JP2018194592A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、表示パネルに表示する画像の色の再現性を向上できる表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、第１透光性基板と第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、第１透光性基板及び第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部４１２と、第１画素入力信号に基づいて第１色域で色再現される第１再現色に対して、第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ第１画素入力信号を色変換する信号調整部４１４を備える表示制御部と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、表示装置に関する。

特許文献１には、一対の透明基板の間に配置され、所定の屈折率異方性を有するとともに、透明基板に設けられた電極によって生じる電場に対する応答性が異なる複数の光変調素子を備える光変調層と、光変調層の側面から光変調層に所定の色の光を入射する光源と、を有している表示装置が記載されている。この光変調層は、電場が生じていないときは光源から入射した入射光を透過し、電場が生じているときは入射光を散乱して透明基板に射出する。

特開２０１６−８５４５２号公報

特許文献１に記載されている表示装置では、表示パネルの第１面から反対にある第２面側の背景の光の影響を受けて、表示パネルで表示可能な色域が変わり、表示する画像の色が変化する可能性がある。

本発明の目的は、表示パネルの一方の面から、反対側の他方の面側の背景を視認可能であって、表示パネルに表示する画像の色の再現性を向上できる表示装置を提供することにある。

一態様に係る表示装置は、第１透光性基板と、前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部を備える表示制御部と、を含む。

他の態様に係る表示装置は、第１透光性基板と、前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部と、を備える表示制御部と、前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極と、を含み、フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、発光部制御量に基づいて少なくとも第１色、第２色、及び第３色が順次発光し、前記表示制御部は、前記第１画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、前記第２画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、を色毎に比較し、色毎に大きな方の階調値に基づいて、第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値を演算し、第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を順次印加し、前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第１画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量は、前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第２画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量よりも小さくする。

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。 図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。 図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。 図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。 図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。 図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。 図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。 図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。 図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。 図１０は、画素を示す平面図である。 図１１は、図１０のＢ１−Ｂ２の断面図である。 図１２は、発光部からの入射光を説明する図である。 図１３は、画素において外光が表示光に及ぼす影響を説明するための説明図である。 図１４は、ｘｙ色度図において、外光が表示パネルの色域に及ぼす影響を説明するための説明図である。 図１５は、図１４の色域を説明するための説明図である。 図１６は、図１４の色域を説明するための説明図である。 図１７は、図１４の色域を説明するための説明図である。 図１８は、本実施形態において、第１画素入力信号を第２画素入力信号に色変換する色変換マトリクスを説明するための説明図である。 図１９は、本実施形態の色変換処理のフローチャートである。 図２０は、本実施形態に係る画素入力信号の変換例を説明するための説明図である。 図２１は、本実施形態に係る画素入力信号の変換例を説明するための説明図である。 図２２は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光強度の一例である。 図２３は、本実施形態の色変換処理のフローチャートである。 図２４は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光強度の一例である。 図２５は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光ＰＷデューティー比の一例である。 図２６は、本実施形態の変形例１に係る表示装置の平面を示す平面図である。 図２７は、図１９のＣ１−Ｃ２の断面図である。 図２８は、本実施形態の変形例２に係る表示装置の平面を示す平面図である。 図２９は、図２１のＤ１−Ｄ２の断面図である。 図３０は、図２１のＥ１−Ｅ２の断面図である。

発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。図２は、図１の表示装置を表すブロック図である。図３は、フィールドシーケンシャル方式において、光源が発光するタイミングを説明するタイミングチャートである。

図１に示すように、表示装置１は、表示パネル２と、サイド光源装置３と、後述する表示制御部５（図２参照）の一部を構成する駆動回路４と、外光設定部６１とを有する。ここで、表示パネル２の平面の一方向がＰＸ方向とされ、ＰＸ方向と直交する方向がＰＹ方向とされ、ＰＸ−ＰＹ平面に直交する方向がＰＺ方向とされている。

表示パネル２は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０（図５参照）とを備えている。第２透光性基板２０は、第１透光性基板１０の表面に垂直な方向（図１に示すＰＺ方向）に対向して配置される。液晶層５０（図５参照）は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、封止部１９とで、後述する高分子分散型液晶が封止されている。

図１に示すように、表示パネル２において、封止部１９の内側が、表示領域となる。表示領域には、複数の画素Ｐｉｘがマトリクス状に配置されている。なお、本開示において、行とは、一方向に配列されるｍ個の画素Ｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｎ個の画素Ｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。また、複数の走査線１２が行毎に配線され、複数の信号線１３が列毎に配線されている。

サイド光源装置３は、発光部３１を備えている。図２に示すように、光源制御部３２と、発光部３１及び光源制御部３２が配置される光源基板３３と、駆動回路４とは、表示制御部５を構成する。光源基板３３がフレキシブル基板であり、光源基板３３が光源制御部３２と駆動回路４とを電気的に接続する配線としても機能する（図２参照）。発光部３１と、光源制御部３２とは、光源基板３３内の配線で電気的に接続されている。

例えば、外光設定部６１は可視光センサであり、可視光センサが例えば、外部光源Ｑの外光６９を検出し、外光６９に応じて、波長毎に分光され三刺激値（Ｘ，Ｙ，Ｚ）の情報を外光情報の信号ＥＬＶとして生成する。外光設定部６１は生成した外光情報の信号ＥＬＶを駆動回路４へ伝送する。外光設定部６１は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。外光設定部６１は、表示パネル２の周囲の外光６９を検出できれば、固定される位置は問わない。

例えば、外光設定部６１は、可視光センサに限られず、外光の設定スイッチであってもよい。外光の設定スイッチは、観察者により外光６９の可視光に応じて予め設定された外光情報の設定値に基づいて、外光情報の信号ＥＬＶを生成する。例えば、外光の設定スイッチは、太陽光晴天（第１環境モード）、太陽光曇天（第２環境モード）、屋内使用（第３環境モード）、夜間使用（第４環境モード）などの複数の環境モード毎に、外光情報である外光三刺激値（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）の設定値が定められている。外光設定部６１は生成した外光情報の信号ＥＬＶを駆動回路４へ伝送する。外光設定部６１が外光の設定スイッチである場合は、外光の設定スイッチの固定される位置は、外光情報の信号ＥＬＶが駆動回路４に伝送可能な位置であれば、制限されない。

図１に示すように、駆動回路４は、第１透光性基板１０の表面に固定されている。図２に示すように、駆動回路４は、解析部４１、画素制御部４２、ゲート駆動部４３、ソース駆動部４４及び共通電位駆動部４５を備えている。第１透光性基板１０は、第２透光性基板２０よりもＸＹ平面の面積が大きく、第２透光性基板２０から露出した第１透光性基板１０の張り出し部分に、駆動回路４が設けられる。

解析部４１には、外部の上位制御部９の画像出力部９１から、フレキシブル基板９２を介して、入力信号（ＲＧＢ信号など）ＶＳが入力される。

解析部４１は、入力信号解析部４１１と、外光解析部４１２と、記憶部４１３と、信号調整部４１４とを備える。入力信号解析部４１１は、外部から入力された入力信号ＶＳに基づいて第１画素入力信号ＶＣＳと光源制御信号ＬＣＳとを生成する。光源制御信号ＬＣＳは、例えば、全ての画素Ｐｉｘへの入力階調値に応じて設定される発光部３１の光量の情報を含む信号である。例えば、暗い画像が表示される場合、発光部３１の光量は小さく設定される。明るい画像が表示される場合、発光部３１の光量は大きく設定される。

第１画素入力信号ＶＣＳは、映像信号ＶＳに基づいて、表示パネル２の各画素Ｐｉｘにどのような階調値を与えるかを定める信号である。言い換えると、第１画素入力信号ＶＣＳは、各画素Ｐｉｘの階調値に関する階調情報を含む信号である。画素制御部４２は、第１画素入力信号ＶＣＳの入力階調値にガンマ補正及び伸張処理などの補正処理を加えることによって出力階調値を設定する。

外光解析部４１２には、上述した外光設定部６１からの外光情報の信号ＥＬＶが入力される。外光解析部４１２は、記憶部４１３に記憶されているルックアップテーブルに基づいて、外光情報の信号ＥＬＶに応じた調整信号ＬＡＳを生成する。調整信号ＬＡＳは、後述する第２色域Ｃｇ２（図１４参照）を設定し、第２色域Ｃｇ２に応じて、後述する色変換マトリクスＭの情報を含む調整信号ＬＡＳを生成する。

信号調整部４１４は、第１制御モードとして、調整信号ＬＡＳで調整せずに光源制御信号ＬＣＳから光源制御信号ＬＣＳをそのまま光源制御信号ＬＣＳＡとして生成して光源制御部３２へ送出し、第１画素入力信号ＶＣＳから第２画素入力信号ＶＣＳＡを送出する。信号調整部４１４は、第２制御モードとして、調整信号ＬＡＳに応じて第１画素入力信号ＶＣＳから第２画素入力信号ＶＣＳＡを生成して画素制御部４２へ送出し、調整信号ＬＡＳに応じて光源制御信号ＬＣＳから光源制御信号ＬＣＳＡを生成して光源制御部３２へ送出する。第１制御モードと、第２制御モードとは、例えば、上位制御部９からの制御信号で切り替えられる。なお、信号調整部４１４は、第１制御モードのみで動作してもよいし、第２制御モードのみで動作してもよい。

そして、画素制御部４２は、第２画素入力信号ＶＣＳに基づいて水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとを生成する。本実施形態では、フィールドシーケンシャル方式で駆動されるので、水平駆動信号ＨＤＳと垂直駆動信号ＶＤＳとが発光部３１が発光可能な色毎に生成される。

ゲート駆動部４３は水平駆動信号ＨＤＳに基づいて１垂直走査期間内に表示パネル２の走査線１２を順次選択する。走査線１２の選択の順番は任意である。

ソース駆動部４４は垂直駆動信号ＶＤＳに基づいて１水平走査期間内に表示パネル２の各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号を供給する。

本実施形態において、表示パネル２はアクティブマトリクス型パネルである。このため、平面視でＰＸ方向及びＰＹ方向に延在する信号（ソース）線１３及び走査（ゲート）線１２を有し、信号線１３と走査線１２との交差部にスイッチング素子Ｔｒを有する。

スイッチング素子Ｔｒとして薄膜トランジスタが用いられる。薄膜トランジスタの例としては、ボトムゲート型トランジスタ又はトップゲート型トランジスタを用いてもよい。スイッチング素子Ｔｒとして、シングルゲート薄膜トランジスタを例示するが、ダブルゲートトランジスタでもよい。スイッチング素子Ｔｒのソース電極及びドレイン電極のうち一方は信号線１３に接続され、ゲート電極は走査線１２に接続され、ソース電極及びドレイン電極のうち他方は液晶の容量ＬＣの一端に接続されている。液晶の容量ＬＣは、一端がスイッチング素子Ｔｒに画素電極１６を介して接続され、他端が共通電極２２を介してコモン電位ＣＯＭに接続されている。コモン電位ＣＯＭは、共通電位駆動部４５より供給される。

発光部３１は、第１色（例えば、赤色）の発光体３４Ｒと、第２色（例えば、緑色）の発光体３４Ｇと、第３色（例えば、青色）の発光体３４Ｂを備えている。光源制御部３２は、光源制御信号ＬＣＳＡに基づいて、第１色の発光体３４Ｒ、第２色の発光体３４Ｇ及び第３色の発光体３４Ｂのそれぞれを時分割で発光する。このように、第１色の発光体３４Ｒ、第２色の発光体３４Ｇ及び第３色の発光体３４Ｂは、いわゆるフィールドシーケンシャル方式で駆動される。

図３に示すように、第１サブフレーム（第１所定時間）ＲＯＮにおいて、第１色の発光体３４Ｒが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第１色のみ点灯している。

次に、第２サブフレーム（第２所定時間）ＧＯＮにおいて、第２色の発光体３４Ｇが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第２色のみ点灯している。

さらに、第３サブフレーム（第３所定時間）ＢＯＮにおいて、第３色の発光体３４Ｂが発光するとともに、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘが光を散乱させて表示する。このとき表示パネル２全体では、１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、第３色のみ点灯している。

人間の眼には、時間的な分解能の制限があり、残像が発生するので、１フレーム（１Ｆ）の期間に３色の合成された画像が認識される。フィールドシーケンシャル方式では、カラーフィルタを不要とすることができ、カラーフィルタでの吸収ロスが低減するので、高い透過率が実現できる。カラーフィルタ方式では、第１色、第２色、第３色毎に画素Ｐｉｘを分割したサブピクセルで一画素を作るのに対し、フィールドシーケンシャル方式では、このようなサブピクセル分割をしなくてもよいので、解像度を高めることが容易となる。

図４は、画素電極への印加電圧と画素の散乱状態との関係を示す説明図である。図５は、図１の表示装置の断面の一例を示す断面図である。図６は、図１の表示装置の平面を示す平面図である。図５は、図６のＡ１−Ａ２断面である。図７は、図５の液晶層部分を拡大した拡大断面図である。図８は、液晶層において非散乱状態を説明するための断面図である。図９は、液晶層において散乱状態を説明するための断面図である。

１垂直走査期間ＧａｔｅＳｃａｎ内に選択された画素Ｐｉｘに、上述した各信号線１３に各画素Ｐｉｘの出力階調値に応じた階調信号が供給されていれば、階調信号に応じて画素電極１６への印加電圧が変わる。画素電極１６への印加電圧が変わると、画素電極１６と、共通電極２２との間の電圧が変化する。そして、図４に示すように、画素電極１６への印加電圧に応じて、画素Ｐｉｘ毎の液晶層５０の散乱状態が制御され、画素Ｐｉｘ内の散乱割合が変化する。

図５及び図６に示すように、第１透光性基板１０は、第１主面１０Ａ、第２主面１０Ｂ、第１側面１０Ｃ、第２側面１０Ｄ、第３側面１０Ｅ及び第４側面１０Ｆを備える。第１主面１０Ａと第２主面１０Ｂとは、平行な平面である。また、第１側面１０Ｃと第２側面１０Ｄとは、平行な平面である。第３側面１０Ｅと第４側面１０Ｆとは、平行な平面である。

図５及び図６に示すように、第２透光性基板２０は、第１主面２０Ａ、第２主面２０Ｂ、第１側面２０Ｃ、第２側面２０Ｄ、第３側面２０Ｅ及び第４側面２０Ｆを備える。第１主面２０Ａと第２主面２０Ｂとは、平行な平面である。第１側面２０Ｃと第２側面２０Ｄとは、平行な平面である。第３側面２０Ｅと第４側面２０Ｆとは、平行な平面である。

図５及び図６に示すように、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃに対向するように、発光部３１が設けられている。図５に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、隙間Ｇが設けられている。隙間Ｇは、空気層となっている。

図５に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第１側面２０Ｃから遠ざかる方向に伝播する。第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから空気層へ光源光Ｌが向かうと、屈折率の大きな媒質から屈折率の小さな媒質へ進むことになるので、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａへ入射する入射角が臨界角よりも大きければ、光源光Ｌが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで全反射する。

図５に示すように、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の内部を伝播した光源光Ｌは、散乱状態となっている液晶がある画素Ｐｉｘで散乱され、散乱光の入射角が臨界角よりも小さな角度となって、放射光６８、６８Ａが第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射される。第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された放射光６８、６８Ａは、観察者に観察される。本開示では、画素Ｐｉｘにおける放射光６８又は放射光６８Ａの輝度の明るさの度合いを示す値を、放射輝度階調値という。以下、図７から図９を用いて、散乱状態となっている高分子分散型液晶と、非散乱状態の高分子分散型液晶とについて説明する。

図７に示すように、第１透光性基板１０には、第１配向膜５５が設けられている。第２透光性基板２０には、第２配向膜５６が設けられている。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、例えば、垂直配向膜である。

高分子のモノマー中に液晶を分散させた溶液が第１透光性基板１０と第２透光性基板２０との間に封入されている。次に、モノマー及び液晶を第１配向膜５５及び第２配向膜５６によって配向させた状態で、紫外線又は熱によってモノマーを重合させ、バルク５１を形成する。これにより、網目状に形成された高分子のネットワークの隙間に液晶が分散されたリバースモードの高分子分散型の液晶を有する液晶層５０が形成される。

このように、液晶層５０は、高分子によって形成されたバルク５１と、バルク５１内に分散された複数の微粒子５２と、を有する。微粒子５２は、液晶によって形成されている。バルク５１及び微粒子５２は、それぞれ光学異方性を有している。

微粒子５２に含まれる液晶の配向は、画素電極１６と共通電極２２との間の電圧差によって制御される。共通電極２２とした場合、画素電極１６への印加電圧により、液晶の配向が変化する。液晶の配向が変化することにより、画素Ｐｉｘを通過する光の散乱の度合いが変化する。

例えば、図８に示すように、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しい。微粒子５２の光軸Ａｘ２は、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電圧の有無にかかわらず、液晶層５０のＰＺ方向と平行である。

バルク５１と微粒子５２の常光屈折率は互いに等しい。画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態では、あらゆる方向においてバルク５１と微粒子５２との間の屈折率差がゼロになる。液晶層５０は、光源光Ｌを散乱しない非散乱状態となる。光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、発光部３１から遠ざかる方向に伝播する。液晶層５０が光源光Ｌを散乱しない非散乱状態であると、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

図９に示すように、電圧が印加された画素電極１６と共通電極２２との間では、微粒子５２の光軸Ａｘ２は、画素電極１６と共通電極２２との間に発生する電界によって傾くことになる。バルク５１の光軸Ａｘ１は、電界によって変化しないため、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに異なる。電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて、光源光Ｌが散乱される。上述したように散乱された光源光Ｌの一部が第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから外部に放射された光は、観察者に観察される。

電圧が印加されていない画素電極１６がある画素Ｐｉｘでは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。そして、本実施形態の表示装置１は、画像出力部９１から第２画素入力信号ＶＣＳが入力されると、画像が表示される画素Ｐｉｘの画素電極１６に電圧が印加され、第２画素入力信号ＶＣＳに基づく画像が背景とともに視認される。

電圧が印加された画素電極１６がある画素Ｐｉｘにおいて光源光Ｌが散乱されて外部に放射された光によって表示された画像は、背景に重なり、表示されることになる。換言すると、本実施形態の表示装置１は、放射光６８又は放射光６８Ａと、背景との組み合わせにより、画像を背景に重ね合わせて表示する。

図１０は、画素を示す平面図である。図１１は、図１０のＢ１−Ｂ２の断面図である。図１、図２及び図１０に示すように、第１透光性基板１０には、複数の信号線１３と複数の走査線１２とが平面視において格子状に設けられている。隣り合う走査線１２と隣り合う信号線１３とで囲まれる領域が、画素Ｐｉｘである。画素Ｐｉｘには、画素電極１６とスイッチング素子Ｔｒとが設けられている。本実施形態において、スイッチング素子Ｔｒは、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子Ｔｒは、走査線１２と電気的に接続されているゲート電極１２Ｇと平面視において重畳する半導体層１５を有する。

走査線１２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、これらの積層体又はこれらの合金の配線であり、信号線１３は、アルミニウム等の金属又は合金の配線である。

半導体層１５は、平面視において、ゲート電極１２Ｇからはみ出さないように設けられている。これにより、ゲート電極１２Ｇ側から半導体層１５に向かう光源光Ｌが反射され、半導体層１５に光リークが生じにくくなる。

図１０に示すように、信号線１３と電気的に接続するソース電極１３Ｓは、平面視において、半導体層１５の一端部と重畳している。

図１０に示すように、平面視において、半導体層１５の中央部を挟んでソース電極１３Ｓと隣り合う位置には、ドレイン電極１４Ｄが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、平面視において、半導体層１５の他端部と重畳している。ソース電極１３Ｓ及びドレイン電極１４Ｄと重畳しない部分は、スイッチング素子Ｔｒのチャネルとして機能する。図１１に示すように、ドレイン電極１４Ｄと接続される導電性配線１４は、スルーホールＳＨで画素電極１６と電気的に接続されている。

図１１に示すように、第１透光性基板１０は、例えばガラスで形成された第１基材１１を有している。第１基材１１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第１基材１１上には、第１絶縁層１７ａが設けられ、第１絶縁層１７ａ上に走査線１２及びゲート電極１２Ｇが設けられる。また、走査線１２を覆って第２絶縁層１７ｂが設けられている。第１絶縁層１７ａ、第２絶縁層１７ｂは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５が積層されている。半導体層１５は、例えば、アモルファスシリコンによって形成されているが、ポリシリコン又は酸化物半導体によって形成されていてもよい。

第２絶縁層１７ｂ上には、半導体層１５の一部を覆うソース電極１３Ｓ及び信号線１３と、半導体層１５の一部を覆うドレイン電極１４Ｄと、導電性配線１４とが設けられている。ドレイン電極１４Ｄは、信号線１３と同じ材料で形成されている。半導体層１５、信号線１３及びドレイン電極１４Ｄ上には、第３絶縁層１７ｃが設けられている。第３絶縁層１７ｃは、例えば、窒化シリコンなどの透明な無機絶縁部材によって形成されている。

第３絶縁層１７ｃ上には、画素電極１６が設けられている。画素電極１６は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透光性導電部材によって形成されている。画素電極１６は、第３絶縁層１７ｃに設けられたコンタクトホールを介して導電性配線１４及びドレイン電極１４Ｄと電気的に接続されている。画素電極１６の上には、第１配向膜５５が設けられている。

第２透光性基板２０は、例えばガラスで形成された第２基材２１を有している。第２基材２１は、透光性を有していれば、ポリエチレンテレフタレートなどの樹脂でもよい。第２基材２１には、共通電極２２が設けられている。共通電極２２は、ＩＴＯなどの透光性導電部材によって形成されている。共通電極２２の表面には、第２配向膜５６が設けられている。

図１２は、発光部からの入射光を説明する図である。発光部３１からの光は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ角度θ０で入射すると、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａへ角度ｉ１で入射する。角度ｉ１が臨界角よりも大きければ、第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで角度ｉ２で全反射された光源光Ｌが、第２透光性基板２０内を伝播していくことになる。図１２に示す発光部３１と第１側面２０Ｃ（光入射面）との間に、隙間Ｇが設けられているので、角度ｉ１が臨界角よりも小さくなる角度θＮの光源光ＬＮが第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃへ導光されない。

図１３は、画素において外光が表示光に及ぼす影響を説明するための説明図である。図１４は、ｘｙ色度図において、外光が表示パネルの色域に及ぼす影響を説明するための説明図である。図１３に示すように、表示パネル２へ外部光源Ｑからの外光６９の入射がある状態において、外光６９が表示パネル２に入射されると、放射光６８に加え、外光６９も表示光として放射される。このため、図１３に示すように、表示パネル２が発光する三刺激値（Ｘ，Ｙ，Ｚ）の放射光６８と、表示パネル２を透過した外光三刺激値（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）とが観察者に視認される。

表示パネル２への外光の入射がある状態において、外光が表示パネル２に入射されると、印加電圧に応じて画素Ｐｉｘ内で散乱して、外光も放射光６８として放射される。表示パネル２への外光の入射がある状態では、光源光Ｌと外光とが散乱して、放射光６８が表示パネル２の外に視認される。その結果、表示パネル２に表示される画像が第２画素入力信号ＶＣＳに基づく画像の入力色と、外光色との混合色となる。このため、同じ入力信号で表示しても第１色域Ｃｇ１で表示する色と、第２色域Ｃｇ２で表示する色とでは、ｘｙ色度図における座標がシフトしてしまう可能性がある。

また、図１４に示すように、外光がある状態で表示可能な第２色域Ｃｇ２は、外光がない状態で表示可能な第１色域Ｃｇ１よりも領域が小さくなる。

図１５は、フィールドシーケンシャル方式において、観察者に視認される三刺激値を説明するための説明図である。フィールドシーケンシャル方式において、表示パネル２が発光する色域の三刺激値は、図１５のテーブルＴＣＧ１となる。外光がある状態においては、図３に示す第１サブフレームＲＯＮ、第２サブフレームＧＯＮ及び第３サブフレームＢＯＮのいずれにも外光が加わる。このため、外光がある状態において、観察者に視認される色域の三刺激値は、図１５のテーブルＴＣＧ２となる。

図１６は、図１４の色域を説明するための説明図である。図１７は、図１４の色域を説明するための説明図である。表示パネル２が発光する色域の三刺激値が、図１６のテーブルＴＣＧ１である。外光の三刺激値が、図１６のテーブルＴＬＤである。観察者に視認される色域の三刺激値は、図１６のテーブルＴＣＧ２となる。

図１６のテーブルＴＣＧ１は、色度座標で表すと、テーブルＴｃｇ１となる。テーブルＴｃｇ１は、第１色域Ｃｇ１の色度座標（ｘ，ｙ）を示している。図１６のテーブルＴＣＧ２は、色度座標で表すと、テーブルＴｃｇ２となる。テーブルＴｃｇ２は、第２色域Ｃｇ２の色度座標（ｘ，ｙ）を示している。

図１８は、本実施形態において、第１画素入力信号を第２画素入力信号に色変換する色変換マトリクスを説明するための説明図である。図１８に示すように、色変換マトリクスＭ、Ｍ_A、Ｍ_Bは、３行３列の変換行列である。

図１６のテーブルＴＣＧ１の記載に基づいて、下記式（１）で示される色変換マトリクスＭ_Aは、ＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ，Ｙ，Ｚ）へ変換する変換行列である。

色変換マトリクスＭ_Bは、図１６のテーブルＴＣＧ２に基づいて、下記式（２）のように求められる。色変換マトリクスＭ_Bは、第２色域Ｃｇ２において、ＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ＋Ｘ’，Ｙ＋Ｙ’，Ｚ＋Ｚ’）へ変換する変換行列である。

ここで、色変換マトリクスＭは、色変換マトリクスＭ_Aと色変換マトリクスＭ_Bの逆行列とで、下記式（３）のように算出される。

入力信号で入力された第１入力色［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］は、色変換マトリクスＭにより、下記式（４）のように、第２入力色［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］に変換される。第２入力色［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］は、外光がある状態において、観察者に視認される色域で表示パネル２に表示された場合、第１入力色［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］からの色ずれが抑制される。

本実施形態において、式（４）における色変換マトリクスＭには、式（３）の行列が用いられる。

図１９は、本実施形態の色変換処理のフローチャートである。図２に示す信号調整部４１４には、第１画素入力信号ＶＣＳとしてＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］が入力される（ステップＳ１１）。

次に、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］がγ変換され、リニアなＲＧＢ信号とされる（ステップＳ１２）。リニアなＲＧＢ信号は、上述した色変換マトリクスＭで色変換（色域変換）される（ステップＳ１３）。

色変換されたデータ成分に０未満又は１より大きい値がある場合（ステップＳ１４、Ｙｅｓ）、信号調整部４１４は、色域外補正の処理へ進める（ステップＳ１５）。色域外補正（ステップＳ１５）において、色変換されたデータ成分のうち０未満の値が０とされ、色変換されたデータ成分のうち１より大きい値が１とされる。色域外補正（ステップＳ１５）の処理がされたデータ成分は、１／γ変換される（ステップＳ１６）。１／γ変換された、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］が第２画素入力信号ＶＣＳＡになる（ステップＳ１７）。

色変換されたデータ成分に０未満又は１より大きい値がない場合（ステップＳ１４、Ｎｏ）、信号調整部４１４は、１／γ変換の処理へ進める（ステップＳ１６）。１／γ変換された、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］が第２画素入力信号ＶＣＳＡになる（ステップＳ１７）。

（画素入力信号の変換例１）
図２０は、本実施形態に係る画素入力信号の変換例を説明するための説明図である。図２０に示すように、第１画素入力信号ＶＣＳとして、第１入力色の信号であるＲＧＢ信号［１５７，１８８，６４］が入力される（ステップＳ１１）。次に、ＲＧＢ信号［１５７，１８８，６４］がγ変換され（ステップＳ１２）、［０．３４，０．５０，０．０５］となる。［０．３４，０．５０，０．０５］に対して、係数として色変換マトリクスＭを用いた色域変換がされて、［０．３６，０．６７，−０．２０］となる。データ成分に０未満の、−０．２０がある（ステップＳ１４、Ｙｅｓ）ので、色域外補正が処理され（ステップＳ１５）、［０．３６，０．６７，０．００］となる。［０．３６，０．６７，０．００］は、１／γ変換され（ステップＳ１６）、ＲＧＢ信号［１６２，２１４，０］が第２画素入力信号ＶＣＳＡとなる（ステップＳ１７）。

ＲＧＢ信号［１５７，１８８，６４］は、上述した式（１）に基づくと、図１４に示すｘｙ色度図の第１再現色ｄ１１である。ＲＧＢ信号［１６２，２１４，０］は、図１４に示すｘｙ色度図の第２再現色ｄ１２である。本実施形態によれば、第１再現色ｄ１１が第２色域Ｃｇ２の外にある場合であっても、第２再現色ｄ１２が第２色域Ｃｇ２の外縁で色再現できる。これにより、表示装置１は、外光の影響があっても、表示パネル２に表示する画像の色の再現性を向上できる。

（画素入力信号の変換例２）
図２１は、本実施形態に係る画素入力信号の変換例を説明するための説明図である。図２１に示すように、第１画素入力信号ＶＣＳとして、第１入力色の信号であるＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］が入力される（ステップＳ１１）。次に、ＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］がγ変換され（ステップＳ１２）、［０．２３，０．２２，０．４４］となる。［０．２３，０．２２，０．４４］に対して、係数として色変換マトリクスＭを用いた色域変換がされて、［０．１７，０．１５，０．５６］となる。色変換されたデータ成分に０未満又は１より大きい値がない場合（ステップＳ１４、Ｎｏ）であるので、［０．１７，０．１５，０．５６］は、１／γ変換され（ステップＳ１６）、ＲＧＢ信号［１１４，１０８，１９７］が第２画素入力信号ＶＣＳＡとなる。

ＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］は、上述した式（１）に基づくと、図１４に示すｘｙ色度図の第１再現色ｄ１３である。ＲＧＢ信号［１１４，１０８，１９７］は、上述した式（２）に基づくと、図１４に示すｘｙ色度図の第２再現色ｄ１４である。このように、図１４に示すｘｙ色度図の第１再現色ｄ１３と第２再現色ｄ１４とは色ずれが小さくなっており、外光の影響があっても、再現色の色ずれが抑制される。

（第１制御モード）
以下、信号調整部４１４が第１制御モードで動作する例について説明する。図２２は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光強度の一例である。図２２に示す例において、第１色の発光体３４Ｒと、第２色の発光体３４Ｇと、第３色の発光体３４Ｂとがそれぞれ、発光強度が同じ１００％となるように駆動されている。

フィールドシーケンシャル方式により、発光部３１において、第１色の発光体３４Ｒと、第２色の発光体３４Ｇと、第３色の発光体３４Ｂとが順次発光する。表示制御部５が、第２画素入力信号ＶＣＳＡに基づいて、第１色、第２色、及び第３色のそれぞれの階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を印加する。第１色、第２色、第３色の発光タイミングが画素電極１６へ第１色、第２色、及び第３色のそれぞれの階調値に応じた印加電圧を印加するタイミングと同期していれば、第１色、第２色、第３色の発光順番は問わない。表示制御部５は、例えば、点灯量により、第１色、第２色、第３色が同じ発光強度となるように発光部３１を制御する。

第１画素入力信号ＶＣＳのＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］が、第２画素入力信号ＶＣＳＡがＲＧＢ信号［１１４，１０８，１９７］に変換されると、表示装置１は、図１４に示す第２再現色ｄ１４が色再現できる。

以上説明したように、表示装置１は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０とを、発光部３１と、表示制御部５とを含む。発光部３１は、第１透光性基板１０及び第２透光性基板２０の少なくとも１つの側面に対向して配置される。表示制御部５は、入力される外光情報の信号ＥＬＶに基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域Ｃｇ１とは異なる第２色域Ｃｇ２を設定する外光解析部４１２と、第１画素入力信号ＶＣＳに基づいて第１色域Ｃｇ１で色再現される第１再現色ｄ１３に対して、第２色域Ｃｇ２において色再現される第２再現色ｄ１４の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号ＶＣＳＡへ第１画素入力信号ＶＣＳを色変換する信号調整部４１４を備える。

この構成により、表示装置１は、外光の影響があっても、表示パネル２に表示する画像の色の再現性を向上できる。

（第２制御モード）
以下、信号調整部４１４が第２制御モードで動作する例について説明する。図２３は、本実施形態の色変換処理のフローチャートである。図２４は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光強度の一例である。図２３において、ステップＳ２１からステップＳ２６は、図１９におけるステップＳ１１からステップＳ１６にそれぞれ対応するので、詳細な説明を省略する。

第２制御モードにおいても、信号調整部４１４は、ステップＳ２６で１／γ変換され、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］を得る（ステップＳ２７）。信号調整部４１４は、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］とを比較する。信号調整部４１４は、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の階調値のうち、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値よりも大きな階調値と、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の階調値のうち、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の各階調値以下の階調値を組み合わせて、第３画素入力信号のＲＧＢ信号の各階調値を演算する。言い換えると、信号調整部４１４は、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の階調値と、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の階調値とを色毎に比較し、色毎に大きな方の階調値を選択して、第３画素入力信号の第１色、第２色、及び第３色の各階調値を演算する（ステップＳ２８）。例えば、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］とを比較し、Ｒｉｎ＜Ｒｏｕｔ、Ｇｉｎ＜Ｇｏｕｔ、Ｂｉｎ＞Ｂｏｕｔである場合、第３画素入力信号は、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］となる。

上述した画素入力信号の変換例２を用いて説明すると、図２４に示すように、第１画素入力信号ＶＣＳのＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］が、第２画素入力信号ＶＣＳＡがＲＧＢ信号［１３３，１２８，１９７］に変換される。

図２４に示す第３色である青色（Ｂｌｕｅ）の発光強度においては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第３色の階調値［１７７］で発光部３１が１００％の発光強度で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第３色の階調値［１９７］で発光部３１が１００％の発光強度で発光する。つまり、第３色については、光源制御信号ＬＣＳの発光部制御量と、光源制御信号ＬＣＳＡの発光部制御量とが同じである。図２４に示す例において、発光部制御量は、発光強度である。

図２４に示す第１色である赤色（Ｒｅｄ）の発光強度ついては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第１色の階調値［１３３］で発光部３１が１００％の発光強度で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第１色の階調値［１３３］で発光部３１が７２％の発光強度で発光する。

図２４に示す第２色である緑色（Ｇｒｅｅｎ）の発光強度ついては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第２色の階調値［１２８］で発光部３１が１００％の発光強度で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第２色の階調値［１２８］で発光部３１が６９％の発光強度で発光する。

図２４に示す第１色、第２色及び第３色の発光部の発光強度の比［７２％，６９％，１００％］は、ＲＧＢ信号［１３３，１２８，１９７］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加したときに、上述した第２再現色ｄ１４を色再現できるように演算される。

以上説明したように、信号調整部４１４は、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の階調値と、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の階調値とを色毎に比較し、色毎に大きな方の階調値を選択して、第３画素入力信号の第１色、第２色、及び第３色の各階調値を演算する（ステップＳ２８）。例えば、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］とを比較し、Ｒｉｎ＜Ｒｏｕｔ、Ｇｉｎ＜Ｇｏｕｔ、Ｂｉｎ＞Ｂｏｕｔである場合、第３画素入力信号は、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］となる。表示制御部５は、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］のうち、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と同じＲｉｎ及びＧｉｎについては、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加する場合と同じ発光強度比よりも小さくする。第２画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］と同じＢｏｕｔについては、発光部制御量である発光部の発光強度は、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加する場合と同じ発光強度比から変更していない。このように、表示制御部５は、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］により画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加した場合、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］に応じた第１色、第２色及び第３色の発光部の発光強度を演算する（ステップＳ２９）。

以上説明したように、信号調整部４１４は、第２制御モードとして、調整信号ＬＡＳに応じて第１画素入力信号ＶＣＳのＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］から第２画素入力信号ＶＣＳＡがＲＧＢ信号［１３３，１２８，１９７］を生成して画素制御部４２へ送出し、調整信号ＬＡＳに応じて光源制御信号ＬＣＳから発光部の発光強度の比［７２％，６９％，１００％］の光源制御信号ＬＣＳＡを生成して光源制御部３２へ送出する。

これにより、外光の影響があっても、再現色の色ずれが抑制される。

図２５は、１画素において、１フレームの期間のＲＧＢ信号の階調値及び発光部の発光ＰＷＭデューティー比の一例である。発光部３１は、パルス幅変調（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ：以下ＰＷＭという。）のデューティー比で変調可能である。図２５に示すように、発光部制御量は、ＰＷＭデューティー比であってもよい。

図２５に示す第３色である青色（Ｂｌｕｅ）の発光強度においては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第３色の階調値［１７７］で発光部３１が３３％のＰＷＭデューティー比で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第３色の階調値［１９７］で発光部３１が３３％のＰＷＭデューティー比で発光する。つまり、第３色については、光源制御信号ＬＣＳの発光部制御量と、光源制御信号ＬＣＳＡの発光部制御量とが同じである。図２５に示す例において、発光部制御量は、ＰＷＭデューティー比である。

図２５に示す第１色である赤色（Ｒｅｄ）の発光強度ついては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第１色の階調値［１３３］で発光部３１が３３％のＰＷＭデューティー比で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第１色の階調値［１３３］で発光部３１が２４％のＰＷＭデューティー比で発光する。

図２５に示す第２色である緑色（Ｇｒｅｅｎ）の発光強度ついては、第１画素入力信号ＶＣＳにおける第２色の階調値［１２８］で発光部３１が３３％のＰＷＭデューティー比で発光するとした場合、第２画素入力信号ＶＣＳＡにおける第２色の階調値［１２８］で発光部３１が２３％のＰＷＭデューティー比で発光する。

図２５に示す第１色、第２色及び第３色の発光部のＰＷＭデューティー比［２４％，２３％，３３％］は、ＲＧＢ信号［１３３，１２８，１９７］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加したときに、上述した第２再現色ｄ１４を色再現できるように演算される。

信号調整部４１４は、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の階調値のうち、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値よりも大きな階調値と、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の階調値のうち、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］の各階調値以下の階調値を組み合わせて、第３画素入力信号のＲＧＢ信号の各階調値を演算する（ステップＳ２８）。例えば、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と、ＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］とを比較し、Ｒｉｎ＜Ｒｏｕｔ、Ｇｉｎ＜Ｇｏｕｔ、Ｂｉｎ＞Ｂｏｕｔである場合、第３画素入力信号は、ＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］となる。表示制御部５は、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］のうち、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］と同じＲｉｎ及びＧｉｎについては、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加する場合と同じＰＷＭデューティー比よりも小さくする。第２画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｏｕｔ，Ｇｏｕｔ，Ｂｏｕｔ］と同じＢｏｕｔについては、発光部制御量である発光部のＰＷＭデューティー比は、第１画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｉｎ］の各階調値に応じた画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加する場合と同じＰＷＭデューティー比から変更していない。このように、表示制御部５は、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］により画素電極１６の印加電圧を表示制御部５が順次印加した場合、第３画素入力信号のＲＧＢ信号［Ｒｉｎ，Ｇｉｎ，Ｂｏｕｔ］に応じた第１色、第２色及び第３色の発光部の発光強度を演算する（ステップＳ２９）。

以上説明したように、信号調整部４１４は、第２制御モードとして、調整信号ＬＡＳに応じて第１画素入力信号ＶＣＳのＲＧＢ信号［１３３，１２８，１７７］から第２画素入力信号ＶＣＳＡがＲＧＢ信号［１３３，１２８，１９７］を生成して画素制御部４２へ送出し、調整信号ＬＡＳに応じて光源制御信号ＬＣＳから第１色、第２色及び第３色の発光部のＰＷＭデューティー比［２４％，２３％，３３％］の情報を含む光源制御信号ＬＣＳＡを生成して光源制御部３２へ送出する。

これにより、外光の影響があっても、再現色の色ずれが抑制される。

（変形例１）
図２６は、本実施形態の変形例１に係る表示装置の平面を示す平面図である。図２７は、図２６のＣ１−Ｃ２の断面図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図２５のＡ１−Ａ２の断面は、図５に示す本実施形態の表示装置と同じであるので、重複する説明は省略する。

図２６及び図２７に示すように、第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆに対向するように、発光部３１が設けられている。図２７に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第４側面２０Ｆは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、隙間Ｇが設けられている。隙間Ｇは、空気層となっている。

図２７に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第４側面２０Ｆから遠ざかる方向に伝播する。

本実施形態の変形例１に係る表示装置１は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０と、発光部３１と、を含む。２つの発光部３１は、第２透光性基板２０の第１側面２０Ｃ及び第４側面２０Ｆに対向してそれぞれ配置されている。２つの発光部３１から出射されて表示パネル２内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル２内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図６に示す領域Ｐ１と領域Ｐ２とは、発光部３１からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例１に係る表示装置１においては、交差する２方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。

（変形例２）
図２８は、本実施形態の変形例２に係る表示装置の平面を示す平面図である。図２９は、図２８のＤ１−Ｄ２の断面図である。図３０は、図２８のＥ１−Ｅ２の断面図である。上述した本実施形態及び変形例で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図２８及び図２９に示すように、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄに対向するように、発光部３１が設けられている。図２９に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、隙間Ｇが設けられている。隙間Ｇは、空気層となっている。

図２９に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第２側面２０Ｄから遠ざかる方向に伝播する。

図２８及び図３０に示すように、第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅに対向するように、発光部３１が設けられている。図３０に示すように、発光部３１は、第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅへ光源光Ｌを照射する。発光部３１と対向する第２透光性基板２０の第３側面２０Ｅは、光入射面となる。発光部３１と光入射面との間には、隙間Ｇが設けられている。隙間Ｇは、空気層となっている。

図３０に示すように、発光部３１から照射された光源光Ｌは、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ及び第２透光性基板２０の第１主面２０Ａで反射しながら、第３側面２０Ｅから遠ざかる方向に伝播する。

本実施形態の変形例２に係る表示装置１は、第１透光性基板１０と、第２透光性基板２０と、液晶層５０と、発光部３１と、を含む。２つの発光部３１は、第２透光性基板２０の第２側面２０Ｄ及び第３側面２０Ｅに対向してそれぞれ配置されている。２つの発光部３１から出射されて表示パネル２内で伝播する面内の光の光量が増える。そして、表示パネル２内で伝播する面内の光の均一性も向上する。図６に示す領域Ｐ１と領域Ｐ２とは、発光部３１からの距離が異なるため、面内の光量が異なる。これに対して、本実施形態の変形例２に係る表示装置１においては、交差する２方向から光が伝播するので、面内の光量差が小さくなる。

また、本実施形態の変形例２に係る表示装置１は、本実施形態と同様に、バックライト装置又は反射板が第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側にない。このため、第１透光性基板１０の第１主面１０Ａから第２透光性基板２０の第１主面２０Ａ側の背景が視認され、又は第２透光性基板２０の第１主面２０Ａから第１透光性基板１０の第１主面１０Ａ側の背景が視認される。

以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。上述した発明を基にして当業者が適宜設計変更して実施しうる全ての発明も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の技術的範囲に属する。

例えば、表示パネル２は、スイッチング素子を有しないパッシブマトリクス型パネルであってもよい。パッシブマトリクスパネル型パネルには、平面視でＰＸ方向に延在する第１電極及びＰＹ方向に延在する第２電極及び第１電極又は第２電極に電気的に接続された配線を有する。第１電極、第２電極及び配線は、例えばＩＴＯなどで形成される。例えば、上述した第１電極を有した第１透光性基板１０と、第２電極を有した第２透光性基板２０とが液晶層５０を挟んで、互いに対向されるように配置される。

また、第１配向膜５５及び第２配向膜５６が垂直配向膜である例について述べたが、第１配向膜５５及び第２配向膜５６はそれぞれ水平配向膜であってもよい。第１配向膜５５及び第２配向膜５６は、モノマーを高分子化する際に、モノマーを所定の方向に配向させる機能を有していればよい。これにより、モノマーは、所定の方向に配向した状態で高分子化したポリマーとなる。第１配向膜５５及び第２配向膜５６が水平配向膜の場合は、画素電極１６と共通電極２２との間に電圧が印加されていない状態で、バルク５１の光軸Ａｘ１と微粒子５２の光軸Ａｘ２の向きは互いに等しく、ＰＺ方向と直交する方向となる。当該ＰＸ方向と垂直な方向とは、平面視で第１透光性基板１０の辺に沿ったＰＸ方向又はＰＹ方向に該当する。

以上説明した本実施形態及び変形例は、以下の好適な態様をとることができる。
（１）第１透光性基板と、
前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、
前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、
入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部を備える表示制御部と、を含む表示装置。
（２）前記第１透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
前記第２透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、上記（１）に記載の表示装置。
（３）さらに、前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極を備え、
フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、少なくとも第１色、第２色、及び第３色が順次発光し、
表示制御部が、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色が同じ発光強度となるように前記発光部を制御し、かつ表示制御部が、前記第２画素入力信号に基づいて、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、上記（１）又は上記（２）に記載の表示装置。
（４）前記第１色域におけるＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ，Ｙ，Ｚ）へ変換する第１色変換マトリクスと、外光三刺激値（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）に基づいた前記第２色域においてＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ＋Ｘ’，Ｙ＋Ｙ’，Ｚ＋Ｚ’）へ変換する第２変換マトリクスの逆行列とが乗算された第３色変換マトリクスにより、前記信号調整部は、前記第１画素入力信号の第１入力色を前記第２画素入力信号の第２入力色に変換する上記（１）乃至上記（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）第１透光性基板と、
第１透光性基板と、
前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、
前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、
入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部とを備える表示制御部と、
前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極と、を含み、
フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、発光部制御量に基づいて少なくとも第１色、第２色、及び第３色が順次発光し、
前記表示制御部は、
前記第１画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、前記第２画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、を色毎に比較し、色毎に大きな方の階調値に基づいて、第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値を演算し、
第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を順次印加し、
前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第１画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量は、前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第２画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量よりも小さくする表示装置。
（６）前記発光部制御量は、発光強度である上記（５）に記載の表示装置。
（７）前記発光部制御量は、パルス幅変調のデューティー比である上記（５）に記載の表示装置。
（８）前記信号調整部は、第２再現色が前記第２色域の外にある場合、第２再現色が前記第２色域の外縁で色再現できる第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する、上記（１）乃至（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）前記外光情報の信号を入力する外光設定部を備え、
前記外光設定部が可視光センサであり、前記外光設定部が検出した外光の強度に応じた前記外光情報の信号を生成する、上記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）前記外光情報の信号を入力する外光設定部を備え、
前記外光設定部が、外光の可視光に応じて予め設定された外光情報の設定値を変更可能な設定スイッチであり、前記外光情報の設定値に基づいて、前記外光情報の信号を生成する、上記（１）乃至（８）のいずれか１つに記載の表示装置。

１ 表示装置
２ 表示パネル
３ サイド光源装置
４ 駆動回路
９ 上位制御部
１０Ａ 第１主面
１０Ｂ 第２主面
１０Ｃ 第１側面
１０Ｄ 第２側面
１０Ｅ 第３側面
１０Ｆ 第４側面
１０ 第１透光性基板
１２ 走査線
１２Ｇ ゲート電極
１３Ｓ ソース電極
１３ 信号線
１４Ｄ ドレイン電極
１４ 導電性配線
１５ 半導体層
１６ 画素電極
１９ 封止部
２０ 第２透光性基板
２０Ａ 第１主面
２０Ｂ 第２主面
２０Ｃ 第１側面
２０Ｄ 第２側面
２０Ｅ 第３側面
２０Ｆ 第４側面
２２ 共通電極
３１ 発光部
３２ 光源制御部
３３ 光源基板
３４Ｒ 発光体
３４Ｇ 発光体
３４Ｂ 発光体
４１ 解析部
４２ 画素制御部
４３ ゲート駆動部
４４ ソース駆動部
４５ 共通電位駆動部
５０ 液晶層
５１ バルク
５２ 微粒子
５５ 第１配向膜
５６ 第２配向膜
６１ 外光設定部
９１ 画像出力部
９２ フレキシブル基板

Claims (10)

1. 第１透光性基板と、
   前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、
   前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
   前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、
   入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部を備える表示制御部と、を含む表示装置。
2. 前記第１透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
   前記第２透光性基板は、第１主面及び前記第１主面と平行な平面である第２主面を備え、
   前記高分子分散型液晶が非散乱状態である場合、前記第１透光性基板の第１主面から前記第２透光性基板の第１主面側の背景が視認され、又は前記第２透光性基板の第１主面から前記第１透光性基板の第１主面側の背景が視認される、請求項１に記載の表示装置。
3. さらに、前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極を備え、
   フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、少なくとも第１色、第２色、及び第３色が順次発光し、
   表示制御部が、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色が同じ発光強度となるように前記発光部を制御し、かつ表示制御部が、前記第２画素入力信号に基づいて、前記第１色、前記第２色、及び前記第３色のそれぞれの階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を印加する、請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記第１色域におけるＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ，Ｙ，Ｚ）へ変換する第１色変換マトリクスと、外光三刺激値（Ｘ’，Ｙ’，Ｚ’）に基づいた前記第２色域においてＲＧＢ信号を三刺激値（Ｘ＋Ｘ’，Ｙ＋Ｙ’，Ｚ＋Ｚ’）へ変換する第２変換マトリクスの逆行列とが乗算された第３色変換マトリクスにより、前記信号調整部は、前記第１画素入力信号の第１入力色を前記第２画素入力信号の第２入力色に変換する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 第１透光性基板と、
   前記第１透光性基板と対向して配置される第２透光性基板と、
   前記第１透光性基板と前記第２透光性基板との間に封入される高分子分散型液晶を有する液晶層と、
   前記第１透光性基板及び前記第２透光性基板の少なくとも１つの側面に対向して配置される少なくとも１つの発光部と、
   入力される外光情報の信号に基づいて、外光がない状態で表示可能な第１色域とは異なる第２色域を設定する外光解析部と、第１画素入力信号に基づいて前記第１色域で色再現される第１再現色に対して、前記第２色域において色再現される第２再現色の色ずれが小さくなるような第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する信号調整部と、を備える表示制御部と、
   前記液晶層を挟むように第１電極及び第２電極と、を含み、
   フィールドシーケンシャル方式により、前記発光部において、発光部制御量に基づいて少なくとも第１色、第２色、及び第３色が順次発光し、
   前記表示制御部は、
   前記第１画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、前記第２画素入力信号における、前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値と、を色毎に比較し、色毎に大きな方の階調値に基づいて、第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値を演算し、
   第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値に応じた前記第１電極の印加電圧を順次印加し、
   前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第１画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量は、前記第３画素入力信号の前記第１色の階調値、前記第２色の階調値、及び前記第３色の階調値のうち前記第２画素入力信号と同じ階調値の色についての前記発光部制御量よりも小さくする表示装置。
6. 前記発光部制御量は、発光強度である請求項５に記載の表示装置。
7. 前記発光部制御量は、パルス幅変調のデューティー比である請求項５に記載の表示装置。
8. 前記信号調整部は、第２再現色が前記第２色域の外にある場合、第２再現色が前記第２色域の外縁で色再現できる第２画素入力信号へ前記第１画素入力信号を色変換する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記外光情報の信号を入力する外光設定部を備え、
   前記外光設定部が可視光センサであり、前記外光設定部が検出した外光の可視光に応じた前記外光情報の信号を生成する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記外光情報の信号を入力する外光設定部を備え、
    前記外光設定部が、外光の可視光に応じて予め設定された外光情報の設定値を変更可能な設定スイッチであり、前記外光情報の設定値に基づいて、前記外光情報の信号を生成する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の表示装置。

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