KR101209041B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 3
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N dimolybdenum Chemical compound [Mo]#[Mo] ZGHDMISTQPRNRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical class [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- -1 polyphenylene Chemical class 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
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- H01L27/1229—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with different crystal properties within a device or between different devices
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
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- H10K59/10—OLED displays
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
본 발명은 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하며, 상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 하나는 결정질 상태가 다른 복수의 반도체층을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
반도체, 결정 상태, 전하 이동성, 오프 전류, 발광 전류
Description
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이고,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고,
도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선을 따라 자른 단면도이고,
도 4, 도 7, 도 9, 도 12, 도 14, 도 16 및 도 18은 도 2 및 도 3의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 배치도이고,
도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치를 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치의 다음 공정에서의 단면도이고,
도 8은 도 7의 유기 발광 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치를 X-X 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 11은 도 10의 유기 발광 표시 장치의 다음 공정에서의 단면도이고,
도 13은 도 12의 유기 발광 표시 장치를 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 15는 도 14의 유기 발광 표시 장치를 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 17은 도 16의 유기 발광 표시 장치를 XVII-XVII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,
도 19는 도 18의 유기 발광 표시 장치를 XIX-XIX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 절연 기판 121: 게이트선
124a: 제1 제어 전극 124b: 제2 제어 전극
127: 유지 전극 129: 게이트선의 끝 부분
140: 게이트 절연막 154a: 제1 하부 반도체
154b: 제2 하부 반도체 155a: 제1 상부 반도체
155b: 제2 상부 반도체 163a,163b,165a,165b: 저항성 접촉 부재
171: 데이터선 172: 구동 전압선
173a: 제1 입력 전극 173b: 제2 입력 전극
175a: 제1 출력 전극 175b: 제2 출력 전극
179: 데이터선의 끝 부분 81, 82: 접촉 보조 부재
181, 182, 185a, 185b: 접촉 구멍
191: 화소 전극 270: 공통 전극
361: 격벽 370: 유기 발광 부재
Qs: 스위칭 트랜지스터 Qd: 구동 트랜지스터
LD: 유기 발광 다이어드 Vss: 공통 전압
Cst: 유지 축전기
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 모니터 또는 텔레비전 등의 경량화 및 박형화가 요구되고 있으며, 이러한 요구에 따라 음극선관(cathode ray tube, CRT)이 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD)로 대체되고 있다.
그러나, 액정 표시 장치는 수발광 소자로서 별도의 백라이트(backlight)가 필요할 뿐만 아니라, 응답 속도 및 시야각 등에서 많은 문제점이 있다.
최근 이러한 문제점을 극복할 수 있는 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display)가 주목받고 있다.
유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
유기 발광 표시 장치는 자체발광형으로 별도의 광원이 필요 없기 때문에 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 응답 속도, 시야각 및 대비비(contrast ratio)도 우수하다.
유기 발광 표시 장치는 구동 방식에 따라 단순 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치(passive matrix OLED display)와 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치(active matrix OLED display)로 나눌 수 있다.
이 중, 능동 매트릭스 방식의 유기 발광 표시 장치는 신호선에 연결되어 데이터 전압을 제어하는 스위칭 박막 트랜지스터(switching thin film transistor)와 이로부터 전달받은 데이터 전압을 게이트 전압으로 인가하여 발광 소자에 전류를 흘리는 구동 박막 트랜지스터(driving thin film transistor)를 포함한다.
그런데 유기 발광 표시 장치의 최적의 특성을 나타내기 위해서는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터에 요구되는 특성이 다르다. 스위칭 박막 트랜지스터는 높은 온/오프(on/off) 특성이 요구되는 반면, 구동 박막 트랜지스터는 발광 소자에 충분한 전류를 흘릴 수 있도록 높은 이동성(mobility) 및 안정성(stability)이 요구된다.
스위칭 박막 트랜지스터에 오프 전류가 증가하는 경우 구동 박막 트랜지스터로 전달되는 데이터 전압이 감소되어 크로스 토크(cross talk)가 발생할 수 있고, 구동 박막 트랜지스터가 낮은 이동성 및 안정성을 가지는 경우 발광 소자로 흐르는 전류 양이 감소하여 발광량이 감소하고 이미지 고착(image sticking) 및 수명 단축 이 될 수 있다.
따라서 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로서 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터에 요구되는 특성을 동시에 충족하여 유기 발광 표시 장치의 특성을 개선하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하며, 상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터 중 적어도 하나는 결정 상태가 다른 복수의 반도체층 을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
또한, 상기 제1 박막 트랜지스터는 결정 상태가 다른 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하고, 상기 제2 박막 트랜지스터는 결정 상태가 다른 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 상부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 평면 모양이 다를 수 있다.
또한, 상기 제1 하부 반도체층 및 상기 제2 하부 반도체층은 비정질 반도체를 포함하고, 상기 제1 상부 반도체층 및 상기 제2 상부 반도체층은 미세 결정질 (microcrystalline) 또는 다결정(polycrystalline) 반도체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 박막 트랜지스터는 상기 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 제어 전극, 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 입력 전극, 그리고 상기 제1 입력 전극과 마주하는 제1 출력 전극을 더 포함하며, 상기 제1 하부 반도체층은 상기 제1 제어 전극 위에 형성되어 있고, 상기 제1 상부 반도체층은 상기 제1 하부 반도체층과 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극 사이에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 박막 트랜지스터의 채널은 상기 제1 하부 반도체층에 형성될수 있다.
또한, 상기 제1 상부 반도체층은 상기 제1 제어 전극을 중심으로 마주하는 한 쌍을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 상부 반도체층과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 제1 저항성 접촉 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 박막 트랜지스터는 상기 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층 위에 형성되어 있는 제2 입력 전극, 상기 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층 위에 형성되어 있으며 상기 제2 입력 전극과 마주하는 제2 출력 전극, 그리고 상기 제1 출력 전극과 연결되어 있으며 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극 위에서 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극과 일부 중첩하게 형성되어 있는 제2 제어 전극을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 박막 트랜지스터의 채널은 상기 제2 상부 반도체층에 형성될수 있다.
또한, 상기 제2 하부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 제어 전극과 상기 제1 하부 반도체층 사이에 형성되어 있는 제1 게이트 절연막을 더 포함하고, 상기 제2 상부 반도체층과 상기 제2 제어 전극 사이에 형성되어 있는 제2 게이트 절연막을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 제어 전극 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극과 동일한 물질을 포함하는 보호 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 상기 발광 부재를 정의하는 격벽을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판, 상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선, 상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선 또는 상기 제2 신호선과 평행하게 형성되어 있는 구동 전압선, 상기 제1 신호선에 연결되어 있는 제1 제어 전극, 상기 제2 신호선에 연결되어 있는 제1 입력 전극, 상기 제1 입력 전극과 마주하는 제1 출력 전극, 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극과 일부 중첩하는 제1 반도체층을 포함하는 제1 박막 트랜지스터, 상기 제1 출력 전극과 연결되어 있는 제2 제어 전극, 상기 구동 전압선과 연결되어 있는 제2 입력 전극, 상기 제2 입력 전극과 마주하는 제2 출력 전극, 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극과 일부 중첩하는 제2 반도체층을 포함하는 제2 박막 트랜지스터, 상기 제2 출력 전극과 연결되어 있는 제1 전극, 상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하며, 상기 제1 제어 전극과 상기 제2 제어 전극은 서로 다른 층에 형성되어 있다.
또한, 상기 제1 제어 전극은 상기 제1 반도체층의 하부에 형성되어 있고, 상기 제2 제어 전극은 상기 제2 반도체층의 상부에 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 반도체층은 결정 상태가 다른 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하고, 상기 제2 반도체층은 결정 상태가 다른 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 하부 반도체층 및 상기 제2 하부 반도체층은 비정질 반도체를 포함하고, 상기 제1 상부 반도체층 및 상기 제2 상부 반도체층은 미세 결정질 또는 다결정 반도체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 상부 반도체층은 제1 하부 반도체층 위에서 분리될 수 있다.
또한, 상기 제2 하부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 실질적으로 동일한 평면 모양을 가질 수 있다.
또한, 상기 제1 반도체층과 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극 사이에 형성되어 있는 제1 저항성 접촉 부재를 더 포함하고, 상기 제2 반도체층과 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극 사이에 형성되어 있는 제2 저항성 접촉 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 저항성 접촉 부재 및 상기 제2 저항성 접촉 부재는 불순물이 도핑된 비정질 반도체 또는 불순물이 도핑된 미세 결정질 반도체를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제2 출력 전극과 상기 제1 전극 사이에 보조 부재를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 기판 위에 제1 제어 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계, 상기 게이트선 위에 제1 게이트 절연막, 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계, 상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층을 사진 식각하여 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하는 제1 반도체층과 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함하는 제2 반도체층을 형성하는 단계, 상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 위에 도전층을 형성하고 사진 식각하여 제1 입력 전극을 포함하는 데이터선, 제1 출력 전극, 제2 입력 전극을 포함하는 구동 전압선 및 제2 출력 전극을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계, 상기 제1 입력 전극과 상기 제1 출력 전극을 마스크로 하여 상기 제1 상부 반도체층을 식각하는 단계, 상기 데이터 도전체 위에 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계, 상기 제2 게이트 절연막 위에 상기 제1 출력 전극과 연결되는 제2 제어 전극을 형성하는 단계, 상기 제2 게이트 절연막 위에 상기 제2 출력 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 상기 제1 전극 위에 발광 부재를 형성하는 단계, 그리고 상기 발광 부재 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
또한, 상기 제1 반도체층은 비정질 반도체를 형성하고, 상기 제2 반도체층은 미세 결정질 또는 다결정 반도체를 형성할 수 있다.
또한, 상기 제1 게이트 절연막, 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계에서 상기 상부 반도체층 위에 저항성 접촉층을 더 형성하고, 상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계에서 상기 저항성 접촉층을 함께 사진 식각하여 제1 저항성 접촉 부재와 제2 저항성 접촉 부재를 형성할 수 있다.
또한, 상기 데이터 도전체를 형성하는 단계 후에 상기 데이터 도전체를 마스크로 하여 상기 제1 저항성 접촉 부재 및 상기 제2 저항성 접촉 부재를 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 후에 격벽을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 도 1을 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 등가 회로도이다.
도 1을 참고하면, 본 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 신호선(121, 171, 172)과 이들에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수의 화소(pixel)를 포함한다.
신호선은 게이트 신호(또는 주사 신호)를 전달하는 복수의 게이트선(gate line)(121), 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터선(data line)(171) 및 구동 전압을 전달하는 복수의 구동 전압선(driving voltage line)(172)을 포함한다. 게이트선(121)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(171)과 구동 전압선(172)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
각 화소(PX)는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(Qs), 구동 트랜지스터(driving transistor)(Qd), 유지 축전기(storage capacitor)(Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLED)(LD)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(Qs)는 제어 단자(control terminal), 입력 단자(input terminal) 및 출력 단자(output terminal)를 가지는데, 제어 단자는 게이트선(121)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(171)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(Qd)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(Qs)는 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 응답하여 데이터선(171)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(Qd)에 전달한다.
구동 트랜지스터(Qd) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(Qs)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(172)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(LD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(Qd)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 출력 전류(ILD)를 흘린다.
축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 축전기(Cst)는 구동 트랜지스터(Qd)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(Qs)가 턴 오프(turn-off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode)와 공통 전압(Vss)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(LD)는 구동 트랜지스터(Qd)의 출력 전류(ILD)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다.
스위칭 트랜지스터(Qs) 및 구동 트랜지스터(Qd)는 n-채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET)이다. 그러나 스위칭 트랜지스터(Qs)와 구동 트랜지스터(Qd) 중 적어도 하나는 p-채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 또한, 트랜지스터(Qs, Qd), 축전기(Cst) 및 유기 발광 다이오드(LD)의 연결 관계가 바뀔 수 있다.
그러면 도 1에 도시한 유기 발광 표시 장치의 상세 구조에 대하여 도 2 및 도 3을 도 1과 함께 참고하여 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 배치도이고, 도 3은 도 2의 유기 발광 표시 장치를 III-III 선을 따라 자른 단면도이다.
투명한 유리 또는 플라스틱 따위로 만들어진 절연 기판(110) 위에 제1 제어 전극(control electrode)(124a)을 포함하는 복수의 게이트선(121)이 형성되어 있다.
게이트선(121)은 게이트 신호를 전달하며 주로 가로 방향으로 뻗어 있다. 각 게이트선(121)은 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(129)을 포함하며, 제1 제어 전극(124a)은 게이트선(121)으로부터 위로 뻗어 있다. 게이트 신호를 생성하는 게이트 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우 게이트선(121)이 연장되어 게이트 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.
게이트선(121)은 알루미늄(Al)이나 알루미늄 합금 등 알루미늄 계열 금속, 은(Ag)이나 은 합금 등 은 계열 금속, 구리(Cu)나 구리 합금 등 구리 계열 금속, 몰리브덴(Mo)이나 몰리브덴 합금 등 몰리브덴 계열 금속, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 및 티타늄(Ti) 따위로 만들어질 수 있다. 그러나 이들은 물리적 성질이 다른 두 개의 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수도 있다.
게이트선(121)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30 내지 약 80도인 것이 바람직하다.
게이트선(121) 위에는 질화규소(SiNx) 또는 산화규소(SiOx) 따위로 만들어진 하부 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다.
하부 게이트 절연막(140) 위에는 수소화 비정질 규소(hydrogenated amorphous silicon)로 만들어진 복수의 제1 하부 반도체(154a)와 복수의 제2 하부 반도체(154b)가 형성되어 있다. 제1 하부 반도체(154a)는 제1 제어 전극(124a) 위에 위치한다.
제1 하부 반도체(154a) 및 제2 하부 반도체(154b) 위에는 각각 제1 상부 반도체(155a)와 제2 상부 반도체(155b)가 형성되어 있다. 제1 상부 반도체(155a)는 제1 하부 반도체(154a) 위에서 소정 간격으로 분리되어 쌍(156a, 157a)을 이루며, 제2 상부 반도체(155b)는 제2 하부 반도체(154b)와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가진다. 제1 상부 반도체(155a)와 제2 상부 반도체(155b)는 미세 결정질 규소(microcrystalline silicon) 또는 다결정 규소(polycrystalline silicon)로 만들어진다.
제1 상부 반도체(155a)와 제2 상부 반도체(155b) 위에는 각각 복수 쌍의 제1 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(163a, 165a)와 복수 쌍의 제2 저항성 접촉 부재(163b, 165b)가 형성되어 있다. 제1 저항성 접촉 부재(163a, 165a)는 제1 상부 반도체(156a, 157a)와 실질적으로 동일한 평면 모양을 가진다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b)는 섬 모양이며, 인(P) 따위의 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 또는 미세 결정질 규소 따위의 물질로 만들어질 수 있다.
저항성 접촉 부재(163a, 163b, 165a, 165b) 및 하부 게이트 절연막(140) 위 에는 복수의 데이터선(171), 복수의 구동 전압선(172) 및 복수의 제1 및 제2 출력 전극(output electrode)(175a, 175b)을 포함하는 복수의 데이터 도전체(data conductor)가 형성되어 있다.
데이터선(171)은 데이터 신호를 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 데이터선(171)은 제1 제어 전극(124a)을 향하여 뻗은 복수의 제1 입력 전극(input electrode)(173a)과 다른 층 또는 외부 구동 회로와의 접속을 위하여 면적이 넓은 끝 부분(179)을 포함한다. 데이터 신호를 생성하는 데이터 구동 회로(도시하지 않음)가 기판(110) 위에 집적되어 있는 경우, 데이터선(171)이 연장되어 데이터 구동 회로와 직접 연결될 수 있다.
구동 전압선(172)은 구동 전압을 전달하며 주로 세로 방향으로 뻗어 게이트선(121)과 교차한다. 각 구동 전압선(172)은 복수의 제2 입력 전극(173b)을 포함한다.
제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)은 서로 분리되어 있고 데이터선(171) 및 구동 전압선(172)과도 분리되어 있다. 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a)은 제1 하부 반도체(154a)를 중심으로 서로 마주하고, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b)은 제2 상부 반도체(155b)를 중심으로 서로 마주한다.
데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)는 알루미늄, 구리 및 은 등 저저항 금속 또는 이들의 합금, 몰리브덴, 크롬, 탄탈륨 및 티타늄 등 내화성 금속 또는 이들의 합금으로 만들어지는 것이 바람직하며, 내화성 금속막(도시하지 않음)과 저저항 도전막(도시하지 않음)을 포함하는 다중막 구조를 가질 수 있다.
게이트선(121)과 마찬가지로 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b) 또한 그 측면이 기판(110) 면에 대하여 30 내지 80도 정도의 경사각으로 기울어진 것이 바람직하다.
데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b), 노출된 반도체(154a, 155b) 부분 및 하부 게이트 절연막(140) 위에는 질화규소 또는 산화규소 따위로 만들어진 상부 게이트 절연막(180)이 형성되어 있다. 상부 게이트 절연막(180)은 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)를 보호하는 보호막(passivation layer)의 역할도 겸한다.
상부 게이트 절연막(180)에는 제1 출력 전극(175a), 제2 출력 전극(175b) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(contact hole)(185a, 185b, 182)이 형성되어 있으며, 상부 게이트 절연막(180) 및 하부 게이트 절연막(140)에는 게이트선(121)의 끝 부분(129)을 드러내는 복수의 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다.
상부 게이트 절연막(180) 위에는 제2 제어 전극(124b) 및 보조 부재(128)가 형성되어 있다.
제2 제어 전극(124b)은 제2 상부 반도체(155b)와 중첩하며, 아래 방향으로 뻗다가 오른쪽으로 잠시 방향을 바꾸었다가 위로 길게 뻗은 유지 전극(storage electrode)(127)을 포함한다. 유지 전극(127)은 구동 전압선(172)과 중첩한다. 제2 제어 전극(124b)은 접촉 구멍(185a)을 통하여 제1 출력 전극(175a)과 연결되어 있다.
보조 부재(128)는 제2 제어 전극(124b)과 분리되어 있으며, 접촉 구멍 (185b)을 통하여 제2 출력 전극(175b)과 연결되어 있다.
제2 제어 전극(124b) 및 보조 부재(128)는 게이트선(121)과 동일한 재료로 만들어질 수 있다.
제2 제어 전극(124b) 및 보조 부재(128)의 측면은 기판(110) 면에 대하여 경사져 있으며 그 경사각은 약 30 내지 약 80도인 것이 바람직하다.
제2 제어 전극(124b), 보조 부재(128) 및 상부 게이트 절연막(180) 위에는 복수의 화소 전극(pixel electrode)(191), 복수의 보호 부재(193) 및 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(81, 82)가 형성되어 있다.
이들은 ITO 또는 IZO 따위의 투명 도전체로 만들어질 수 있으며, 전면 발광(top emission)인 경우에는 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 높은 일 함수(work function)를 가지는 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 구리(Cu), 텅스텐(W) 또는 이들의 합금 따위의 불투명 도전체로 만들어질 수 있다.
화소 전극(191)은 보조 부재(128)를 통하여 제2 출력 전극(175b)과 전기적으로 연결되어 있다. 보조 부재(128)는 화소 전극(191)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 접착성(adhesion)을 높이는 한편, 화소 전극(191)의 패터닝시 화학액 등이 제2 출력 전극(175b) 등의 하부 도전체로 유입되는 것을 방지한다.
보호 부재(193)는 제2 제어 전극(124b)을 덮고 있다. 보호 부재(193)가 제2 제어 전극(124b) 위에 형성됨으로써, 내화학성이 약한 도전체로 만들어지는 제2 제어 전극(124b)이 후속 공정에서 식각액 따위의 화학액에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
접촉 보조 부재(81, 82)는 각각 접촉 구멍(181, 182)을 통하여 게이트선(121)의 끝 부분(129) 및 데이터선(171)의 끝 부분(179)과 연결된다. 접촉 보조 부재(81, 82)는 게이트선(121) 및 데이터선(171)의 끝 부분(129, 179)과 외부 장치와의 접착성을 보완하고 이들을 보호한다.
화소 전극(191), 보호 부재(193) 및 상부 게이트 절연막(180) 위에는 격벽(partition)(361)이 형성되어 있다. 격벽(361)은 화소 전극(191) 가장자리 주변을 둑(bank)처럼 둘러싸서 개구부(opening)(365)를 정의한다. 격벽(361)은 아크릴 수지(acrylic resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 따위의 내열성 및 내용매성을 가지는 유기 절연물 또는 산화규소(SiO2), 산화티탄(TiO2) 따위의 무기 절연물로 만들어질 수 있으며, 2층 이상일 수 있다. 격벽(361)은 또한 검정색 안료를 포함하는 감광재로 만들어질 수 있는데, 이 경우 격벽(361)은 차광 부재의 역할을 하며 그 형성 공정이 간단하다.
격벽(361)이 정의하는 화소 전극(191) 위의 개구부(365)에는 유기 발광 부재(organic light emitting member)(370)가 형성되어 있다.
유기 발광 부재(370)는 빛을 내는 발광층(emitting layer)(도시하지 않음) 외에 발광층의 발광 효율을 향상하기 위한 부대층(auxiliary layer)(도시하지 않음)을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
발광층은 적색, 녹색, 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 어느 하나의 빛을 고유하게 내는 유기 물질 또는 유기 물질과 무기 물질의 혼합물로 만들 어지며, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, (폴리)파라페닐렌비닐렌((poly)paraphenylenevinylene) 유도체, 폴리페닐렌(polyphenylene) 유도체, 폴리플루오렌(polyfluorene) 유도체, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole), 폴리티오펜(polythiophene) 유도체 또는 이들의 고분자 재료에 페릴렌(perylene)계 색소, 쿠마린(cumarine)계 색소, 로더민계 색소, 루브렌(rubrene), 페릴렌(perylene), 9,10-디페닐안트라센(9,10-diphenylanthracene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 나일 레드(Nile red), 쿠마린(coumarin), 퀴나크리돈(quinacridone) 등을 도핑한 화합물이 포함될 수 있다. 유기 발광 표시 장치는 발광층에서 내는 기본색 색광의 공간적인 합으로 원하는 영상을 표시한다.
부대층에는 전자와 정공의 균형을 맞추기 위한 전자 수송층(electron transport layer)(도시하지 않음) 및 정공 수송층(hole transport layer)(도시하지 않음)과 전자와 정공의 주입을 강화하기 위한 전자 주입층(electron injecting layer)(도시하지 않음) 및 정공 주입층(hole injecting layer)(도시하지 않음) 등이 있으며, 이 중에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 층을 포함할 수 있다. 정공 수송층 및 정공 주입층은 화소 전극(191)과 발광층의 중간 정도의 일 함수를 가지는 재료로 만들어지고, 전자 수송층과 전자 주입층은 공통 전극(270)과 발광층의 중간 정도의 일 함수를 가지는 재료로 만들어진다. 예컨대 정공 수송층 또는 정공 주입층으로는 폴리에틸렌디옥시티오펜과 폴리스티렌술폰산의 혼합물(poly-(3,4-ethylenedioxythiophene: polystyrenesulfonate, PEDOT:PSS) 따위를 사용할 수 있다.
유기 발광 부재(370) 위에는 공통 전극(common electrode)(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 기판의 전면(全面)에 형성되어 있으며, 화소 전극(191)과 쌍을 이루어 유기 발광 부재(370)에 전류를 흘려 보낸다.
이러한 유기 발광 표시 장치에서, 게이트선(121)에 연결되어 있는 제1 제어 전극(124a), 데이터선(171)에 연결되어 있는 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)은 제1 하부 반도체(154a)와 함께 스위칭 박막 트랜지스터(switching TFT)(Qs)를 이루며, 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널(channel)은 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175a) 사이의 제1 하부 반도체(154a)에 형성된다. 제1 출력 전극(175a)에 연결되어 있는 제2 제어 전극(124b), 구동 전압선(172)에 연결되어 있는 제2 입력 전극(173b) 및 화소 전극(191)에 연결되어 있는 제2 출력 전극(175b)은 제2 상부 반도체(155b)와 함께 구동 박막 트랜지스터(driving TFT)(Qd)를 이루며, 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널은 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 제2 상부 반도체(155b)에 형성된다.
전술한 바와 같이, 제1 하부 반도체(154a)는 비정질 반도체로 만들어지고, 제2 상부 반도체(155b)는 미세 결정질 또는 다결정 반도체로 만들어진다. 따라서, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 채널은 결정질이 다른 반도체, 즉 스위칭 박막 트랜지스터의 채널은 비정질 반도체에 형성되고, 구동 박막 트랜지스터의 채널은 미세 결정질 또는 다결정 반도체에 형성된다.
이와 같이, 구동 박막 트랜지스터의 채널이 미세 결정질 또는 다결정 반도체에 형성되는 경우 높은 전하 이동도(carrier mobility) 및 안정성(stability)을 가질 수 있고, 이에 따라 발광 소자에 흐르는 전류량을 늘릴 수 있어서 발광 휘도를 높일 수 있다. 또한, 구동시 계속적인 양(positive) 전압의 인가에 의해 발생하는 문턱 전압 이동 현상(Vth shift)을 방지하여 전류량 감소 및 수명 단축을 방지하고 이미지 고착(image sticking)과 같은 표시 특성 불량을 방지할 수 있다.
한편, 스위칭 박막 트랜지스터는 구동 박막 트랜지스터와 달리 온/오프(on/off) 특성이 중요하기 때문에 오프 전류(off current)를 줄여야 한다. 그런데, 미세 결정질 또는 다결정 반도체는 복수의 결정립계(grain boundary)에 의해 오프 전류가 크기 때문에 스위칭 박막 트랜지스터를 통과하는 데이터 전압이 감소하고 크로스 토크가 발생할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 스위칭 박막 트랜지스터는 오프 전류가 작은 비정질 반도체로 형성함으로써 데이터 전압의 감소를 방지하고 크로스 토크를 줄일 수 있다.
본 실시예에서는 스위칭 박막 트랜지스터 1개와 구동 박막 트랜지스터 1개만을 도시하였지만 이들 외에 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 이를 구동하기 위한 복수의 배선을 더 포함함으로써, 장시간 구동하여도 유기 발광 다이오드(LD) 및 구동 트랜지스터(Qd)가 열화되는 것을 방지하거나 보상하여 유기 발광 표시 장치의 수명이 단축되는 것을 방지할 수 있다.
화소 전극(191), 유기 발광 부재(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드(LD)를 이루며, 화소 전극(191)이 애노드(anode), 공통 전극(270)이 캐소드(cathode)가 되거나 반대로 화소 전극(191)이 캐소드, 공통 전극(270)이 애노드가 된다. 또한 서로 중첩하는 유지 전극(127)과 구동 전압선(172)은 유지 축전기(storage capacitor)(Cst)를 이룬다.
그러면 도 2 및 도 3에 도시한 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법에 대하여 도 4 내지 도 19를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 4, 도 7, 도 9, 도 12, 도 14, 도 16 및 도 18은 도 2 및 도 3의 유기 발광 표시 장치를 본 발명의 한 실시예에 따라 제조하는 방법의 중간 단계에서의 배치도이고, 도 5는 도 4의 유기 발광 표시 장치를 V-V 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 6은 도 5의 유기 발광 표시 장치의 다음 공정에서의 단면도이고, 도 8은 도 7의 유기 발광 표시 장치를 VIII-VIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 10은 도 9의 유기 발광 표시 장치를 X-X 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 11은 도 10의 유기 발광 표시 장치의 다음 공정에서의 단면도이고, 도 13은 도 12의 유기 발광 표시 장치를 XIII-XIII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 15는 도 14의 유기 발광 표시 장치를 XV-XV 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 17은 도 16의 유기 발광 표시 장치를 XVII-XVII 선을 따라 잘라 도시한 단면도이고, 도 19는 도 18의 유기 발광 표시 장치를 XIX-XIX 선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.
도 4 및 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(110) 위에 알루미늄 합금으로 만들어진 제1 제어 전극(124a) 및 끝 부분(129)을 포함하는 복수의 게이트선(121)을 형성한다.
다음, 도 6에 도시한 바와 같이, 게이트 절연막(140), 진성 비정질 규소층(150), 미세 결정질 규소층(152) 및 불순물 비정질 규소층(160)을 화학 기상 증착 방법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD)으로 연속하여 적층한다.
다음, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 불순물 비정질 규소층(160), 미세 결정질 규소층(152) 및 진성 비정질 규소층(150)을 사진 식각하여 복수의 제1 및 제2 불순물 반도체(164a, 164b), 복수의 제1 및 제2 상부 반도체(155a, 155b), 복수의 제1 및 제2 하부 반도체(154a, 154b)를 형성한다.
다음, 도 9 및 도 10에 도시한 바와 같이, 알루미늄 합금으로 만들어진 제1 입력 전극(173a)과 끝 부분(179)을 포함하는 복수의 데이터선(171), 제2 입력 전극(173b)을 포함하는 구동 전압선(172) 및 복수의 제1 및 제2 출력 전극(175a, 175b)을 포함하는 데이터 도전체를 형성한다.
이어서, 데이터 도전체(171, 172, 175a, 175b)로 덮이지 않고 노출된 불순물 반도체(164a 164b) 부분을 제거함으로써 저항성 접촉 부재(163a, 165a, 163b, 165b)를 완성하는 한편, 그 아래의 제1 및 제2 상부 반도체(155a, 155b) 일부분을 노출한다.
다음, 도 11에 도시한 바와 같이, 제1 입력 전극(173a) 및 제1 출력 전극(175a)을 마스크로 하여 제1 상부 반도체(155a)를 식각하여 한 쌍의 제1 상부 반도체(156a, 157a)로 분리하고 그 이래의 제1 하부 반도체(154a)를 노출한다.
이와 같이 제1 입력 전극(173a)과 제1 출력 전극(175b) 사이의 제1 상부 반도체(155a)를 식각함으로써 제1 하부 반도체(154a)에 스위칭 박막 트랜지스터(Qs)의 채널을 형성하는 한편, 제2 입력 전극(173b)과 제2 출력 전극(175b) 사이의 제2 상부 반도체(155b)는 그대로 남아서 구동 박막 트랜지스터(Qd)의 채널을 형성한다.
다음, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 기판 전면에 화학 기상 증착 방법으로 상부 게이트 절연막(180)을 적층하고 사진 식각하여 복수의 접촉 구멍(181, 182, 185a, 185b)을 형성한다.
다음, 도 14 및 도 15에 도시한 바와 같이, 알루미늄 합금으로 만들어진 도전층을 적층하고 사진 식각하여 유지 전극(127)을 포함하는 제2 제어 전극(124b) 및 보조 부재(128)를 형성한다.
다음, 도 16 및 도 17에 도시한 바와 같이, 상부 게이트 절연막(180) 및 제2 제어 전극(124b) 위에 ITO를 증착한 후 사진 식각하여 복수의 화소 전극(191), 복수의 보호 부재(193) 및 복수의 접촉 보조 부재(81, 82)를 형성한다.
다음, 도 18 및 도 19에 도시한 바와 같이, 화소 전극(191), 보호 부재(193) 및 보호막(180) 위에 감광성 유기막을 도포한 후 노광 및 현상하여 복수의 개구부(365)를 가지는 격벽(361)을 형성한다.
이어서, 개구부(365)에 정공 수송층(도시하지 않음) 및 발광층(도시하지 않음)을 포함한 발광 부재(370)를 형성한다. 발광 부재(370)는 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 방법 등의 용액 방법(solution process) 또는 증착 방법으로 형성할 수 있으며, 그 중 잉크젯 헤드(inkjet head)(도시하지 않음)를 이동시키며 개구부(365)에 용액을 적하하는 잉크젯 인쇄 방법이 바람직하며, 이 경우 각 층의 형성 후 건조 단계가 뒤따른다.
다음, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 격벽(361) 및 발광 부재(370) 위에 공통 전극(270)을 형성한다.
이와 같이, 본 실시예에서는 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터의 특성을 동시에 개선하기 위하여 반도체층을 두 층으로 형성하는 한편, 스위칭 박막 트랜지스터는 바텀 게이트(bottom gate) 구조로 형성하고 구동 박막 트랜지스터는 탑 게이트(top gate) 구조로 형성한다.
그러나 이에 한정되지 않고 스위칭 박막 트랜지스터를 탑 게이트 구조로 형성하고 구동 박막 트랜지스터를 바텀 게이트 구조로 형성할 수도 있다.
어느 경우든, 스위칭 박막 트랜지스터와 구동 박막 트랜지스터가 다른 구조로 형성되는 경우에도 공통되는 층을 통합하여 마스크 수를 줄임으로써 공정을 단순화할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
본 발명에 따르면, 스위칭 박막 트랜지스터에서 데이터 전압이 감소되는 것을 방지하고 발광 소자에 전달되는 전류량 감소, 수명 단축, 표시 특성 저하를 방지할 수 있다. 또한 다른 구조의 박막 트랜지스터를 포함하는 경우에도 공통되는 층을 통합하여 마스크 수를 줄임으로써 공정을 단순화할 수 있다.
Claims (28)
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선,상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터,상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터,상기 제2 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하며,상기 제1 박막 트랜지스터는 결정 상태가 다른 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하고, 상기 제2 박막 트랜지스터는 결정 상태가 다른 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함하며,상기 제1 상부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 평면 모양이 다른 유기 발광 표시 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에서,상기 제1 하부 반도체층 및 상기 제2 하부 반도체층은 비정질 반도체를 포함하고,상기 제1 상부 반도체층 및 상기 제2 상부 반도체층은 미세 결정질(microcrystalline) 또는 다결정(polycrystalline) 반도체를 포함하는유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 박막 트랜지스터는상기 제1 신호선과 연결되어 있는 제1 제어 전극,상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 입력 전극, 그리고상기 제1 입력 전극과 마주하는 제1 출력 전극을 더 포함하며,상기 제1 하부 반도체층은 상기 제1 제어 전극 위에 형성되어 있고,상기 제1 상부 반도체층은 상기 제1 하부 반도체층과 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극 사이에 형성되어 있는유기 발광 표시 장치.
- 제5항에서,상기 제1 박막 트랜지스터의 채널은 상기 제1 하부 반도체층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
- 제5항에서,상기 제1 상부 반도체층은 상기 제1 제어 전극을 중심으로 마주하는 한 쌍을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제7항에서,상기 제1 상부 반도체층과 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 제1 저항성 접촉 부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제5항에서,상기 제2 박막 트랜지스터는상기 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층 위에 형성되어 있는 제2 입력 전극,상기 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층 위에 형성되어 있으며 상기 제2 입력 전극과 마주하는 제2 출력 전극, 그리고상기 제1 출력 전극과 연결되어 있으며 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극 위에서 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극과 일부 중첩하게 형성되어 있는 제2 제어 전극을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제9항에서,상기 제2 박막 트랜지스터의 채널은 상기 제2 상부 반도체층에 형성되는 유기 발광 표시 장치.
- 제9항에서,상기 제2 하부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 제9항에서,상기 제1 제어 전극과 상기 제1 하부 반도체층 사이에 형성되어 있는 제1 게이트 절연막을 더 포함하고,상기 제2 상부 반도체층과 상기 제2 제어 전극 사이에 형성되어 있는 제2 게이트 절연막을 더 포함하는유기 발광 표시 장치.
- 제9항에서,상기 제2 제어 전극 위에 형성되어 있으며 상기 제1 전극과 동일한 물질을 포함하는 보호 부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제1항에서,상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 상기 발광 부재를 정의하는 격벽을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,상기 제1 신호선과 교차하는 제2 신호선,상기 기판 위에 형성되어 있으며 상기 제1 신호선 또는 상기 제2 신호선과 평행하게 형성되어 있는 구동 전압선,상기 제1 신호선에 연결되어 있는 제1 제어 전극, 상기 제2 신호선에 연결되어 있는 제1 입력 전극, 상기 제1 입력 전극과 마주하는 제1 출력 전극, 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극과 일부 중첩하는 제1 반도체층을 포함하는 제1 박막 트랜지스터,상기 제1 출력 전극과 연결되어 있는 제2 제어 전극, 상기 구동 전압선과 연결되어 있는 제2 입력 전극, 상기 제2 입력 전극과 마주하는 제2 출력 전극, 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극과 일부 중첩하는 제2 반도체층을 포함하는 제2 박막 트랜지스터,상기 제2 출력 전극과 연결되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극과 마주하는 제2 전극, 그리고상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 형성되어 있는 발광 부재를 포함하며,상기 제1 제어 전극과 상기 제2 제어 전극은 서로 다른 층에 형성되어 있는유기 발광 표시 장치.
- 제15항에서,상기 제1 제어 전극은 상기 제1 반도체층의 하부에 형성되어 있고, 상기 제2 제어 전극은 상기 제2 반도체층의 상부에 형성되어 있는 유기 발광 표시 장치.
- 제15항에서,상기 제1 반도체층은 결정 상태가 다른 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하고,상기 제2 반도체층은 결정 상태가 다른 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함하는유기 발광 표시 장치.
- 제17항에서,상기 제1 하부 반도체층 및 상기 제2 하부 반도체층은 비정질 반도체를 포함하고,상기 제1 상부 반도체층 및 상기 제2 상부 반도체층은 미세 결정질 또는 다결정 반도체를 포함하는유기 발광 표시 장치.
- 제17항에서,상기 제1 상부 반도체층은 제1 하부 반도체층 위에서 분리되어 있는 유기 발광 표시 장치.
- 제17항에서,상기 제2 하부 반도체층과 상기 제2 상부 반도체층은 실질적으로 동일한 평면 모양을 가지는 유기 발광 표시 장치.
- 제15항에서,상기 제1 반도체층과 상기 제1 입력 전극 및 상기 제1 출력 전극 사이에 형성되어 있는 제1 저항성 접촉 부재를 더 포함하고,상기 제2 반도체층과 상기 제2 입력 전극 및 상기 제2 출력 전극 사이에 형성되어 있는 제2 저항성 접촉 부재를 더 포함하는유기 발광 표시 장치.
- 제21항에서,상기 제1 저항성 접촉 부재 및 상기 제2 저항성 접촉 부재는 불순물이 도핑된 비정질 반도체 또는 불순물이 도핑된 미세 결정질 반도체를 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 제15항에서,상기 제2 출력 전극과 상기 제1 전극 사이에 보조 부재를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치.
- 기판 위에 제1 제어 전극을 포함하는 게이트선을 형성하는 단계,상기 게이트선 위에 제1 게이트 절연막, 하부 반도체층 및 상부 반도체층을 형성하는 단계,상기 하부 반도체층과 상기 상부 반도체층을 사진 식각하여 제1 하부 반도체층 및 제1 상부 반도체층을 포함하는 제1 반도체층과 제2 하부 반도체층 및 제2 상부 반도체층을 포함하는 제2 반도체층을 형성하는 단계,상기 제1 반도체층 및 상기 제2 반도체층 위에 도전층을 형성하고 사진 식각하여 제1 입력 전극을 포함하는 데이터선, 제1 출력 전극, 제2 입력 전극을 포함하는 구동 전압선 및 제2 출력 전극을 포함하는 데이터 도전체를 형성하는 단계,상기 제1 입력 전극과 상기 제1 출력 전극을 마스크로 하여 상기 제1 상부 반도체층을 식각하는 단계,상기 데이터 도전체 위에 제2 게이트 절연막을 형성하는 단계,상기 제2 게이트 절연막 위에 상기 제1 출력 전극과 연결되는 제2 제어 전극을 형성하는 단계,상기 제2 게이트 절연막 위에 상기 제2 출력 전극과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 발광 부재를 형성하는 단계, 그리고상기 발광 부재 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 반도체층은 비정질 반도체를 형성하고, 상기 제2 반도체층은 미세 결정질 또는 다결정 반도체를 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 삭제
- 제24항에서,상기 제1 게이트 절연막, 하부 반도체층과 상부 반도체층을 형성하는 단계에서 상기 상부 반도체층 위에 저항성 접촉층을 더 형성하고,상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층을 형성하는 단계에서 상기 저항성 접촉층을 함께 사진 식각하여 제1 저항성 접촉 부재와 제2 저항성 접촉 부재를 형성하는유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제26항에서,상기 데이터 도전체를 형성하는 단계 후에 상기 데이터 도전체를 마스크로 하여 상기 제1 저항성 접촉 부재 및 상기 제2 저항성 접촉 부재를 식각하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
- 제24항에서,상기 제1 전극을 형성하는 단계 후에 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050113407A KR101209041B1 (ko) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US11/603,650 US7863602B2 (en) | 2005-11-25 | 2006-11-21 | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050113407A KR101209041B1 (ko) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070055087A KR20070055087A (ko) | 2007-05-30 |
KR101209041B1 true KR101209041B1 (ko) | 2012-12-06 |
Family
ID=38086592
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020050113407A KR101209041B1 (ko) | 2005-11-25 | 2005-11-25 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7863602B2 (ko) |
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