JP5406295B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5406295B2 JP5406295B2 JP2011519742A JP2011519742A JP5406295B2 JP 5406295 B2 JP5406295 B2 JP 5406295B2 JP 2011519742 A JP2011519742 A JP 2011519742A JP 2011519742 A JP2011519742 A JP 2011519742A JP 5406295 B2 JP5406295 B2 JP 5406295B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- region
- gate
- thin film
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 124
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 275
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 214
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 85
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 336
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 129
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 41
- 241001181114 Neta Species 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 26
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 22
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 21
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 19
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 201000005569 Gout Diseases 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000011534 incubation Methods 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003077 Ti−O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 102100027241 Adenylyl cyclase-associated protein 1 Human genes 0.000 description 1
- 108010077333 CAP1-6D Proteins 0.000 description 1
- 238000003841 Raman measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000001782 photodegradation Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 108010031970 prostasin Proteins 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0255—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
Description
以下、図面を参照しながら、本発明による半導体装置の第1実施形態を説明する。
本実施形態における保護用ダイオードの構成は、図6を参照しながら前述した構成に限られない。例えば、アモルファスシリコンよりも移動度の高い半導体膜(例えば微結晶シリコン膜、金属酸化物半導体膜)を用いて保護用ダイオードの半導体層を形成する場合には、半導体層に電流が流れやすくなり、正常動作時においても保護用ダイオードに電流が流れてしまうおそれがある。このような問題を防止するために、半導体層内に、以下に説明するような抵抗領域を形成していてもよい。
次に、図面を参照しながら、図19に示す半導体装置の製造方法の一例を説明する。
図21(a)および(b)に示すように、基板1の上にゲート金属膜を形成し、これをパターニングすることにより、薄膜トランジスタ301のゲート電極103、ダイオード201のゲート電極2、導電層3および接続配線4を形成する。接続配線4およびゲート電極2は1つのパターン内になるよう隣接して形成される。また、導電層3は、ゲート電極2および接続配線4と分離したパターン内に形成される。
次いで、ゲート電極2および103、導電層3、および接続配線4の上に、ゲート絶縁層5、微結晶シリコン膜およびn+型シリコン膜をこの順に形成し、微結晶シリコン膜およびn+型シリコン膜をパターニングする。これにより、図22(a)および(b)に示すように、島状の微結晶シリコン加工膜118、17、18、n+型シリコン加工膜120、19、20を得る。この後、ゲート絶縁層5に、接続配線4の一部を露出するコンタクトホール14を設ける。
n+型シリコン加工膜120、19、20およびゲート絶縁層5の上にソース・ドレイン電極形成用の導電膜を形成する。本実施形態では、アルゴン(Ar)ガスを用いたスパッタ法により、基板1の表面にモリブデンを0.2μmの厚さで堆積することにより、導電膜(厚さ:例えば0.2μm)を形成する。導電膜を形成する際の基板温度は200〜300℃とする。
続いて、図24(a)および(b)に示すように、n+型シリコン加工膜120のうちソース電極110およびドレイン電極112の何れにも覆われていない部分を除去し、ギャップ部116を形成する。同様に、n+型シリコン加工膜19、20のうち、ソース電極10、中間電極11およびドレイン電極12の何れにも覆われていない部分を除去し、それぞれギャップ部15、16を形成する。このとき、微結晶シリコン加工膜118、17、18のうちギャップ部116、15、16に位置する部分は、オーバーエッチングによって他の部分よりも薄くなる。これにより、微結晶シリコン加工膜118およびn+型シリコン加工膜120から、微結晶シリコン層107およびコンタクト層109a、109bを得る。同様に、微結晶シリコン加工膜17、18およびn+型シリコン加工膜19、20から、それぞれ、微結晶シリコン層6、7およびコンタクト層8a、8b、9a、9bを得る。エッチング後、レジストパターン膜21を除去する。
次いで、薄膜トランジスタ301のソース電極110、ドレイン電極112、ギャップ部116およびそれらの周囲と、ダイオード201のソース電極10、中間電極11、ドレイン電極12、ギャップ部15、16およびそれらの周囲とを覆うように窒化シリコン(SiNx)からなるパッシベーション13を形成する。このようにして、図19(a)および(b)に示す半導体装置が得られる。
以下、図面を参照して、本実施形態における薄膜トランジスタを説明する。ここでは、微結晶シリコン膜を活性層に備えるTFTを例示するが、本発明はこれに限られない。
550、552、554、556 配線
MMd、MKd、MHd、MG、MJ、ML、MNd 薄膜トランジスタ
1 基板
2、103 ゲート電極
3 導電層
4 接続配線
5 ゲート絶縁層
6、7、107 半導体層(微結晶シリコン層)
6c、107c チャネル領域
7d 抵抗領域
6a、6b、7a、7b 半導体層の領域
107a ソース領域
107b ドレイン領域
8a、8b、9a、9b、109a、109b コンタクト層
10、110 ソース電極
12、112 ドレイン電極
13 パッシベーション
14 コンタクトホール
15、16、116 ギャップ部
201、202、204、205、206、207 ダイオード
301、302、710、790 薄膜トランジスタ
711 基板(ガラス基板)
712 ゲート電極
713 ゲート絶縁膜
714 活性層(半導体層)
714c1、714c2 チャネル領域
714s ソース領域
714d ドレイン領域
714m 中間領域
716 コンタクト層
716s ソースコンタクト領域
716d ドレインコンタクト領域
716m 中間コンタクト領域
717 エッチストップ層
718s ソース電極
718d ドレイン電極
718m 中間電極
719 保護膜
Claims (8)
- 複数の薄膜トランジスタおよび少なくとも1つのダイオードを含む回路を備えた半導体装置であって、
前記複数の薄膜トランジスタは同一の導電型を有し、
前記複数の薄膜トランジスタの導電型がN型のとき、前記少なくとも1つのダイオードのカソード側の電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうち何れか1つの薄膜トランジスタのゲートに接続された配線に接続されており、前記配線には、アノード側の電極が前記配線に接続された他のダイオードが形成されておらず、
前記複数の薄膜トランジスタの導電型がP型のとき、前記少なくとも1つのダイオードのアノード側の電極は、前記複数の薄膜トランジスタのうち何れか1つの薄膜トランジスタのゲートに接続された配線に接続されており、前記配線には、カソード側の電極が前記配線に接続された他のダイオードが形成されておらず、
前記少なくとも1つのダイオードおよび前記何れか1つの薄膜トランジスタの半導体層は、同一の半導体膜から形成されており、前記同一の半導体膜は金属酸化物半導体膜である半導体装置。 - 前記回路の電圧波高値が20V以上である請求項1に記載の半導体装置。
- 前記回路はシフトレジスタを含む請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記シフトレジスタは、
それぞれが出力信号を順次出力する複数の段を有し、
前記複数の段のそれぞれは、前記出力信号を出力する第1トランジスタと、それぞれのソース領域またはドレイン領域が前記第1トランジスタのゲート電極に電気的に接続された複数の第2トランジスタとを有し、
前記複数の第2トランジスタは、少なくとも2つのチャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを含む活性層を有するマルチチャネル型トランジスタを含む請求項3に記載の半導体装置。 - 前記少なくとも1つのダイオードは、
基板上に形成された第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、第1領域と、第2領域とを有する少なくとも1つの第1半導体層と、
前記第1領域上に設けられ、前記第1領域および前記第1ゲート電極と電気的に接続された第1電極と、
前記第2領域上に設けられ、前記第2領域に電気的に接続された第2電極と
を備える請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記少なくとも1つの第1半導体層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第1ゲート電極と重なっているチャネル領域と、前記ゲート絶縁層を介して前記第1ゲート電極と重なっていない抵抗領域とを有し、
前記ダイオードのオン状態において、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記チャネル領域と前記抵抗領域とを含む電流経路が形成される請求項5に記載の半導体装置。 - 前記同一の半導体膜は、In−Ga−Zn−O系半導体膜である請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれは、
前記基板上に形成された第2ゲート電極と、
前記第2ゲート電極上に延設された前記ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に形成され、ソース領域と、ドレイン領域とを有する少なくとも1つの第2半導体層と、
前記ソース領域上に設けられたソース電極と、
前記ドレイン領域上に設けられたドレイン電極と
を備え、
前記第1ゲート電極および前記第2ゲート電極は同一の導電膜から形成され、
前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記第1電極および前記第2電極は同一の導電膜から形成されている請求項5に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011519742A JP5406295B2 (ja) | 2009-06-18 | 2010-06-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009145795 | 2009-06-18 | ||
JP2009145795 | 2009-06-18 | ||
JP2011519742A JP5406295B2 (ja) | 2009-06-18 | 2010-06-09 | 半導体装置 |
PCT/JP2010/059736 WO2010147032A1 (ja) | 2009-06-18 | 2010-06-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010147032A1 JPWO2010147032A1 (ja) | 2012-12-06 |
JP5406295B2 true JP5406295B2 (ja) | 2014-02-05 |
Family
ID=43356353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011519742A Active JP5406295B2 (ja) | 2009-06-18 | 2010-06-09 | 半導体装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8921857B2 (ja) |
EP (1) | EP2445011B1 (ja) |
JP (1) | JP5406295B2 (ja) |
CN (1) | CN102804388B (ja) |
BR (1) | BRPI1012070A2 (ja) |
RU (1) | RU2501117C2 (ja) |
WO (1) | WO2010147032A1 (ja) |
Families Citing this family (60)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110274234A1 (en) * | 2008-11-20 | 2011-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register |
WO2010134486A1 (ja) * | 2009-05-20 | 2010-11-25 | シャープ株式会社 | シフトレジスタ |
US9373414B2 (en) * | 2009-09-10 | 2016-06-21 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Shift register unit and gate drive device for liquid crystal display |
EP2348531B1 (en) * | 2010-01-26 | 2021-05-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
KR101838628B1 (ko) * | 2010-03-02 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 펄스 신호 출력 회로 및 시프트 레지스터 |
DE112011106185B3 (de) * | 2010-03-02 | 2023-05-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister |
DE112011100749B4 (de) * | 2010-03-02 | 2015-06-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Impulssignal-Ausgangsschaltung und Schieberegister |
TWI415052B (zh) | 2010-12-29 | 2013-11-11 | Au Optronics Corp | 開關裝置與應用該開關裝置之移位暫存器電路 |
JP2012209543A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2012137711A1 (ja) * | 2011-04-08 | 2012-10-11 | シャープ株式会社 | 半導体装置および表示装置 |
JP6076617B2 (ja) * | 2011-05-13 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US8718224B2 (en) | 2011-08-05 | 2014-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Pulse signal output circuit and shift register |
KR20130043063A (ko) * | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
US8962386B2 (en) * | 2011-11-25 | 2015-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TWI493685B (zh) | 2012-02-10 | 2015-07-21 | E Ink Holdings Inc | 主動陣列基板上之靜電防護結構 |
US9159288B2 (en) * | 2012-03-09 | 2015-10-13 | Apple Inc. | Gate line driver circuit for display element array |
KR101697841B1 (ko) * | 2012-04-20 | 2017-01-18 | 샤프 가부시키가이샤 | 표시 장치 |
US9817032B2 (en) * | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
US8704232B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-04-22 | Apple Inc. | Thin film transistor with increased doping regions |
US9065077B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-06-23 | Apple, Inc. | Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process |
US9685557B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process |
US8987027B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-03-24 | Apple Inc. | Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes |
US8748320B2 (en) | 2012-09-27 | 2014-06-10 | Apple Inc. | Connection to first metal layer in thin film transistor process |
US8999771B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Protection layer for halftone process of third metal |
US9201276B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-12-01 | Apple Inc. | Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display |
KR101995714B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2019-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
US9001297B2 (en) | 2013-01-29 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display |
WO2014132799A1 (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-04 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
US9088003B2 (en) | 2013-03-06 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display |
JP2016519429A (ja) * | 2013-03-19 | 2016-06-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 多層パッシベーション又はエッチング停止tft |
KR102046997B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2019-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 유기 발광 표시 장치 |
US9287406B2 (en) | 2013-06-06 | 2016-03-15 | Macronix International Co., Ltd. | Dual-mode transistor devices and methods for operating same |
US9276128B2 (en) * | 2013-10-22 | 2016-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and etchant used for the same |
US9510454B2 (en) * | 2014-02-28 | 2016-11-29 | Qualcomm Incorporated | Integrated interposer with embedded active devices |
JP6274968B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2018-02-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP5968372B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-08-10 | 学校法人 龍谷大学 | 磁場センサー |
JP6459271B2 (ja) * | 2014-07-23 | 2019-01-30 | Tianma Japan株式会社 | イメージセンサ及びその駆動方法 |
US10276122B2 (en) * | 2014-10-28 | 2019-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Unit shift register circuit, shift register circuit, control method for unit shift register circuit, and display device |
TWI581317B (zh) * | 2014-11-14 | 2017-05-01 | 群創光電股份有限公司 | 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板 |
WO2016079639A1 (ja) * | 2014-11-20 | 2016-05-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、回路基板および電子機器 |
JP2016225587A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 株式会社神戸製鋼所 | 酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタ |
JP2017103408A (ja) | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102474698B1 (ko) * | 2015-12-30 | 2022-12-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 드라이버 및 이를 포함하는 액정표시장치 |
CN105609138A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种移位寄存器、栅极驱动电路、显示面板及显示装置 |
CN105552134A (zh) * | 2016-01-20 | 2016-05-04 | 中国科学院物理研究所 | 场效应二极管 |
CN108713225B (zh) * | 2016-03-02 | 2021-04-13 | 夏普株式会社 | 有源矩阵基板以及具备有源矩阵基板的液晶显示装置 |
CN205621414U (zh) * | 2016-04-26 | 2016-10-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 静电放电电路、阵列基板和显示装置 |
JP2017212295A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
WO2017213148A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | シャープ株式会社 | 走査アンテナ |
CN106959562B (zh) * | 2017-05-09 | 2021-01-08 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板 |
JP7064309B2 (ja) * | 2017-10-20 | 2022-05-10 | 株式会社ジャパンディスプレイ | ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置 |
JP6600017B2 (ja) * | 2018-01-09 | 2019-10-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
CN111902855B (zh) * | 2018-03-26 | 2022-02-18 | 夏普株式会社 | 显示装置的制造方法以及显示装置 |
WO2019234892A1 (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
CN112292751A (zh) * | 2018-06-07 | 2021-01-29 | 堺显示器制品株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
WO2019234891A1 (ja) * | 2018-06-07 | 2019-12-12 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US20210234049A1 (en) * | 2018-06-07 | 2021-07-29 | Sakai Display Products Corporation | Thin-film transistor and manufacturing method therefor |
US20220020702A1 (en) * | 2018-12-04 | 2022-01-20 | Hitachi Astemo, Ltd. | Semiconductor Device and in-Vehicle Electronic Control Device Using the Same |
KR20220026172A (ko) * | 2020-08-25 | 2022-03-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
CN113437099B (zh) * | 2021-05-13 | 2023-10-31 | 北京大学深圳研究生院 | 光电探测器及其制造方法及相应的光电探测方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0556666B2 (ja) * | 1984-09-26 | 1993-08-20 | Seiko Instr & Electronics | |
JP2006245552A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
JP2008140489A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Seiko Epson Corp | シフトレジスタ、走査線駆動回路、データ線駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63220289A (ja) | 1987-03-10 | 1988-09-13 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
JPH01218070A (ja) | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Matsushita Electron Corp | Mosトランジスタ |
JPH05304171A (ja) | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
EP0592227A3 (en) | 1992-10-07 | 1995-01-11 | Sharp Kk | Manufacture of a thin film transistor and production of a liquid crystal display device. |
JP3429034B2 (ja) | 1992-10-07 | 2003-07-22 | シャープ株式会社 | 半導体膜の製造方法 |
GB9226890D0 (en) | 1992-12-23 | 1993-02-17 | Philips Electronics Uk Ltd | An imaging device |
US5501989A (en) * | 1993-03-22 | 1996-03-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of making semiconductor device/circuit having at least partially crystallized semiconductor layer |
JPH0887893A (ja) | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3090081B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2000-09-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
TW405243B (en) * | 1998-02-25 | 2000-09-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Semiconductor device comprising a mos transistor |
JP2001028424A (ja) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR100752602B1 (ko) * | 2001-02-13 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 쉬프트 레지스터와, 이를 이용한 액정 표시 장치 |
JP3989763B2 (ja) * | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
JP2005142494A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP4207858B2 (ja) | 2004-07-05 | 2009-01-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、表示装置及び電子機器 |
TWI271847B (en) * | 2004-12-08 | 2007-01-21 | Au Optronics Corp | Electrostatic discharge protection circuit and method of electrostatic discharge protection |
US7746299B2 (en) * | 2005-01-31 | 2010-06-29 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display, array substrate, and method of driving display |
US7687327B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-03-30 | Kovio, Inc, | Methods for manufacturing RFID tags and structures formed therefrom |
RU2308146C2 (ru) * | 2005-12-13 | 2007-10-10 | Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" | Устройство защиты выводов интегральных схем со структурой мдп от электростатических разрядов |
KR101404542B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
TWI346926B (en) | 2006-08-29 | 2011-08-11 | Au Optronics Corp | Esd protection control circuit and lcd |
JP2008297297A (ja) | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Hoyu Co Ltd | 毛髪処理用組成物 |
JP5317712B2 (ja) * | 2008-01-22 | 2013-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR101529575B1 (ko) * | 2008-09-10 | 2015-06-29 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터, 이를 포함하는 인버터 및 이들의 제조방법 |
US20110274234A1 (en) | 2008-11-20 | 2011-11-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shift register |
US8575713B2 (en) * | 2009-02-19 | 2013-11-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and display device |
-
2010
- 2010-06-09 WO PCT/JP2010/059736 patent/WO2010147032A1/ja active Application Filing
- 2010-06-09 RU RU2012101613/28A patent/RU2501117C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-06-09 JP JP2011519742A patent/JP5406295B2/ja active Active
- 2010-06-09 CN CN201080027155.4A patent/CN102804388B/zh active Active
- 2010-06-09 EP EP10789407.3A patent/EP2445011B1/en active Active
- 2010-06-09 BR BRPI1012070A patent/BRPI1012070A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2010-06-09 US US13/378,375 patent/US8921857B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0556666B2 (ja) * | 1984-09-26 | 1993-08-20 | Seiko Instr & Electronics | |
JP2006245552A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置とその製造方法 |
JP2008140489A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Seiko Epson Corp | シフトレジスタ、走査線駆動回路、データ線駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8921857B2 (en) | 2014-12-30 |
JPWO2010147032A1 (ja) | 2012-12-06 |
WO2010147032A1 (ja) | 2010-12-23 |
CN102804388A (zh) | 2012-11-28 |
EP2445011A4 (en) | 2013-07-24 |
RU2012101613A (ru) | 2013-07-27 |
BRPI1012070A2 (pt) | 2018-06-12 |
EP2445011A1 (en) | 2012-04-25 |
EP2445011B1 (en) | 2018-01-10 |
RU2501117C2 (ru) | 2013-12-10 |
CN102804388B (zh) | 2016-08-03 |
US20120087460A1 (en) | 2012-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5406295B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8253144B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
US8575615B2 (en) | Semiconductor device | |
US9202851B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
US8659092B2 (en) | Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof | |
CN108140675B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US20170125452A1 (en) | Semiconductor device | |
US11038001B2 (en) | Active matrix substrate and method for producing same | |
US11551629B2 (en) | Active matrix substrate, liquid crystal display device, and organic EL display device | |
CN109585455B (zh) | 半导体装置 | |
US11069722B2 (en) | Active matrix substrate and method of manufacturing same | |
WO2018225690A1 (ja) | アクティブマトリクス基板および表示装置 | |
CN103855030A (zh) | 制造氧化物薄膜晶体管的方法 | |
US11569324B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
US10816865B2 (en) | Active matrix substrate | |
US9831352B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2022014107A (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
JP2022014108A (ja) | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 | |
US11791345B2 (en) | Active matrix substrate and method for manufacturing same | |
US20140252355A1 (en) | Semiconductor device and method for producing same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130611 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5406295 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |