WO2012137711A1 - 半導体装置および表示装置 - Google Patents

半導体装置および表示装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012137711A1
WO2012137711A1 PCT/JP2012/058867 JP2012058867W WO2012137711A1 WO 2012137711 A1 WO2012137711 A1 WO 2012137711A1 JP 2012058867 W JP2012058867 W JP 2012058867W WO 2012137711 A1 WO2012137711 A1 WO 2012137711A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
wiring
semiconductor device
diode element
wirings
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/058867
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
義仁 原
幸伸 中田
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US14/110,194 priority Critical patent/US20140027769A1/en
Priority to KR1020137026382A priority patent/KR101537458B1/ko
Priority to JP2013503894A priority patent/JP5284553B2/ja
Priority to CN2012800163262A priority patent/CN103460391A/zh
Priority to EP12767502.3A priority patent/EP2755239A4/en
Publication of WO2012137711A1 publication Critical patent/WO2012137711A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
    • H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1365—Active matrix addressed cells in which the switching element is a two-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device including a thin film transistor (TFT) and a display device having such a semiconductor device.
  • TFT thin film transistor
  • TFT oxide semiconductor TFT
  • oxide semiconductor TFT using an oxide semiconductor layer containing indium (In), zinc (Zn), gallium (Ga), or the like has been actively developed (for example, Patent Documents 1 to 3).
  • the oxide semiconductor TFT has a characteristic of high mobility, for example, it is expected that the display quality of a liquid crystal display device including the oxide semiconductor TFT can be improved.
  • the manufacturing process of a semiconductor device includes a process that easily generates static electricity, and the characteristics change or electrostatic breakdown is caused by the static electricity, so that the yield rate of semiconductor devices including TFTs decreases.
  • the yield rate of semiconductor devices including TFTs decreases.
  • Patent Document 4 discloses a TFT substrate provided with various means for preventing damage due to static electricity.
  • Patent Document 4 discloses a TFT substrate provided with a diode ring for preventing electrostatic breakdown.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device that can prevent damage due to static electricity in a semiconductor device including an oxide semiconductor TFT and a display device including such a semiconductor device. It is to provide.
  • a semiconductor device includes an insulating substrate, a plurality of wirings formed on the insulating substrate, a plurality of thin film transistors, and a plurality of diode elements, each of which is two of the plurality of wirings.
  • a plurality of diode elements that electrically connect the wirings to each other, wherein each of the plurality of diode elements includes a first electrode formed of the same conductive film as a gate electrode of the thin film transistor; An oxide semiconductor layer formed on the first electrode; and a second electrode and a third electrode formed from the same conductive film as the source electrode of the thin film transistor and in contact with the oxide semiconductor layer,
  • the oxide semiconductor layer has an offset region between the first electrode and the second electrode and between the first electrode and the third electrode. It said offset region, when viewed from the normal direction of the insulating substrate do not overlap with the first electrode.
  • the offset region does not overlap any of the first, second, and third electrodes when viewed from the normal direction of the insulating substrate.
  • the width of the offset region in the direction parallel to the channel direction is 3 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the plurality of diode elements are electrically connected in parallel in opposite directions.
  • the oxide semiconductor layer includes at least one of In, Ga, and Zn.
  • the plurality of wirings include a plurality of source wirings and a plurality of gate wirings
  • the plurality of diode elements include a diode element and two gate wirings that electrically connect two source wirings to each other. At least one of the diode elements that are electrically connected to each other.
  • the plurality of wirings further include any of a plurality of auxiliary capacitance wirings, a common electrode wiring, or a plurality of inspection signal wirings, and the plurality of diode elements electrically connect two source wirings to each other.
  • Diode element connected to each other, a diode element electrically connecting the two gate lines to each other, a diode element electrically connecting the gate line and the auxiliary capacity line to each other, and a source line and the auxiliary capacity line to each other electrically Diode element to be connected, diode element to electrically connect auxiliary capacitance line and common electrode line, diode element to electrically connect gate line and common electrode line, source line and common electrode line to each other Connected to each other or a diode element that electrically connects two inspection signal wirings to each other.
  • a display device includes the above-described semiconductor device.
  • a semiconductor device including an oxide semiconductor TFT
  • a semiconductor device capable of preventing damage due to static electricity and a display device including such a semiconductor device are provided.
  • (A) is an equivalent circuit diagram of the semiconductor device 100 in the embodiment according to the present invention, and (b) is a graph showing voltage-current characteristics of the diode element 10.
  • (A) is a schematic plan view of the semiconductor device 100 including the diode element 10, and (b) is a schematic cross-sectional view taken along the line I-I 'of (a).
  • 3 is a graph illustrating electrical characteristics of the diode element 10.
  • (A) to (e) are diagrams for explaining a manufacturing process of the diode element 10.
  • (A)-(e) is a figure explaining the manufacturing process of TFT for pixels. It is an equivalent circuit diagram explaining inspection signal wiring.
  • the TFT substrate in this embodiment includes TFT substrates of various display devices (for example, liquid crystal display devices and EL display devices).
  • FIG. 1A is an equivalent circuit diagram of the semiconductor device 100
  • FIG. 1B is a graph showing the voltage (V) -current (I) characteristics of the diode element 10.
  • V voltage
  • I current
  • FIG. 1A a liquid crystal capacitor 40 is also shown.
  • the semiconductor device 100 is surrounded by a plurality of gate lines 14 arranged in parallel to each other, a plurality of source lines 16 orthogonal to the gate lines 14, and the gate lines 14 and the source lines 16.
  • Pixel electrodes (not shown) provided in each rectangular region, and a thin film transistor (also referred to as a pixel TFT) 50 disposed near the intersection of the gate wiring 14 and the source wiring 16.
  • the gate wiring 14 and the source wiring 16 are electrically connected to the thin film transistor 50, respectively.
  • the gate wiring 14 is electrically connected to the gate terminal 14t
  • the source wiring 16 is electrically connected to the source terminal 16t.
  • the gate terminal 14t and the source terminal 16t are each electrically connected to an external wiring (not shown).
  • the thin film transistor 50 is electrically connected to the pixel electrode and functions as a switching element that applies a voltage to the liquid crystal capacitance (pixel capacitance) 40 of each pixel.
  • the liquid crystal capacitor 40 is formed by a pair of electrodes and a liquid crystal layer.
  • An electrode connected to the drain electrode of the pixel TFT is a pixel electrode, and the other is a counter electrode.
  • the counter electrode is formed on a counter substrate arranged to face the TFT substrate with the liquid crystal layer interposed therebetween. In the case of a liquid crystal display device in an IPS (In-Plane switching) mode or an FFS (Fringe Field switching) mode, a counter electrode is not formed on the counter substrate.
  • An oxide semiconductor layer formed of the same oxide semiconductor film as the oxide semiconductor layer of the thin film transistor 50 is provided between two adjacent source wirings (for example, source wirings 16 (m) and 16 (m + 1)).
  • the short ring diode elements 10A and 10B are formed.
  • the diode elements 10A and 10B exemplified here have a structure in which a source electrode and a gate electrode of a TFT are short-circuited, and are also referred to as “TFT type diodes”.
  • the directions of current flow are opposite to each other.
  • the diode element 10A (m) passes a current from the source line 16 (m) to the source line 16 (m + 1)
  • the diode element 10B (m) passes a current from the source line 16 (m + 1) to the source line 16 (m). Shed.
  • the diode elements 10A and 10B are connected in parallel to all of the two source wirings adjacent to each other, so that the short ring 20A configured by the diode element 10A and the diode element 10B are configured.
  • the short ring 20B is formed, and the short ring 20A and the short ring 20B constitute the short ring 20.
  • the short ring 20 can flow current (diffuse charges) in both directions.
  • the diode elements 10A and 10B may be arranged between the gate wiring 14 (n) and the gate wiring 14 (n + 1), and electrically connect the gate wiring 14 (n) and the gate wiring 14 (n + 1). .
  • the semiconductor device 100 may further include a plurality of auxiliary capacitance lines, a common electrode line, or a plurality of inspection signal lines.
  • the diode elements 10A and 10B are arranged between the gate wiring 14 and the auxiliary capacitance wiring, between the source wiring and the auxiliary capacitance wiring, between the auxiliary capacitance wiring and the common electrode wiring, between the gate wiring and the common electrode wiring, and the source wiring. Further, they may be arranged between the common electrode wirings or between the two inspection signal wirings, and the respective wirings may be electrically connected.
  • the common electrode wiring is, for example, a wiring that is electrically connected to a counter electrode formed on a substrate facing the semiconductor device 100 when the semiconductor device 100 is used in a liquid crystal display device.
  • the inspection signal wiring is a wiring for inspecting the electrical characteristics of the pixel TFT. Details of the inspection signal wiring are disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-122209 and US Pat. No. 6,624,857. For reference, the entire contents disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-122209 and US Pat. No. 6,624,857 are incorporated herein by reference.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit diagram for explaining the inspection signal wiring.
  • the semiconductor device 100 is provided with, for example, three inspection signal wirings 26R, 26G, and 26B, an inspection TFT 27a, and an inspection control signal line 28.
  • Each of the inspection signal wirings 26R, 26G, and 26B is electrically connected to, for example, the drain electrode of the inspection TFT 27a.
  • each source wiring 16 (16 (m) to 16 (m + 3)) is electrically connected to, for example, a source electrode of the inspection TFT 27a.
  • the gate electrode of the inspection TFT 27a is electrically connected to the inspection control signal line 28 to control the inspection TFT 27a.
  • the diode element 10 is disposed between the source wirings 16 (m) and 16 (m + 3) connected to the inspection TFT 27a electrically connected to the same inspection signal wiring 26R, 26G, and 26B.
  • the wiring 16 (m) and the source wiring 16 (m + 3) are connected.
  • the graph shown in FIG. 1B is a graph showing the voltage (V) -current (I) characteristics of the diode element 10.
  • the varistor voltage of the diode element 10 is 20V or more and 400V or less.
  • a voltage equal to or lower than the varistor voltage is applied to the semiconductor layer of the diode element 10
  • no current flows through the diode element 10, so that the source line 16 (m) and the source line 16 (m + 1) are insulated. Yes.
  • a voltage exceeding the varistor voltage is applied to the semiconductor layer of the diode element 10
  • a current flows through the diode element 10 and the source wiring 16 (m) and the source wiring 16 (m + 1) are electrically connected.
  • a short ring diode element may be formed between two gate wirings adjacent to each other (for example, gate wirings 14 (n) and 14 (n + 1)). Further, a short ring diode element may be formed between the gate line 14 and the source line 16, and the source line short ring and the gate line short ring may be connected to each other.
  • the diode elements 10A and 10B electrically connected to the source wiring 16 (or / and the gate wiring 14).
  • the gates are opened, and charges are sequentially diffused toward the adjacent source wiring 16 (or / and gate wiring 14).
  • all the source wirings 16 (or / and the gate wirings 14) are equipotential, so that the thin film transistor 50 can be prevented from being damaged by static electricity.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining the diode element 10 (10A and 10B) for the short ring.
  • 2A is a schematic plan view of the diode element 10
  • FIG. 2B is a cross-sectional view taken along the line I-I 'of FIG. 2A.
  • the diode element 10 includes a conductive film that is the same as the gate electrode of a thin film transistor (for example, a pixel TFT) 50 (not shown) formed on the insulating substrate 1.
  • the first electrode 3 (3a and 3b) formed from, the first insulating layer 4 formed on the first electrode 3, and the same as the oxide semiconductor layer of the thin film transistor 50 formed on the first insulating layer 4
  • the oxide semiconductor layer 5 (5a and 5b) formed from the oxide semiconductor film and the second electrode 6 and the second electrode 6 formed from the same conductive film as the source electrode of the thin film transistor 50 in contact with the oxide semiconductor layer 5 3 electrodes 7.
  • Offset regions 19 are formed between the first electrode 3 and the second electrode 6 of the oxide semiconductor layer 5 and between the first electrode 3 and the third electrode 7, respectively.
  • the offset region 19 does not overlap the first electrode 3.
  • the second electrode 6 is electrically connected to the source wiring 16 (m)
  • the third electrode 7 is electrically connected to the source wiring 16 (m + 1).
  • the first electrode 3 a of the diode element 10 ⁇ / b> A is electrically connected to the second electrode 6 by the transparent electrode 11.
  • the first electrode 3b of the diode element 10B is electrically connected to the third electrode 7 by the transparent electrode 11.
  • a second insulating layer 8 is formed so as to cover the oxide semiconductor layer 5, and a photosensitive organic insulating layer 9 is formed on the second insulating layer 8. Further, an etch stopper layer may be formed on the oxide semiconductor layer 5. Furthermore, the organic insulating layer 9 may not be formed.
  • the channel length L of the diode element 10 is, for example, 30 ⁇ m, the channel width W is, for example, 5 ⁇ m, and the width (offset region width) W ′ in the direction parallel to the channel direction of the offset region 19 is, for example, 3 ⁇ m.
  • the channel length L is preferably 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less, for example, the channel width W is preferably 2 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and the offset region width W ′ is preferably 1.5 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the first electrode 3, the second electrode 6, the third electrode 7, the gate wiring 14 and the source wiring 16 have a laminated structure in which, for example, a lower layer is a Ti (titanium) layer and an upper layer is a Cu (copper) layer.
  • the thickness of the lower layer is, for example, 30 nm to 150 nm.
  • the thickness of the upper layer is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the upper layer may be an Al (aluminum) layer instead of the Cu layer, and the first electrode 3, the second electrode 6, the third electrode 7 and the source wiring 16 have, for example, only a Ti layer. It may have a single layer structure.
  • the first insulating layer 4 and the second insulating layer 8 have a single layer structure containing, for example, SiN x (silicon nitride).
  • the thicknesses of the first insulating layer 4 and the second insulating layer 8 are each 100 nm to 500 nm, for example.
  • the oxide semiconductor layer 5 is an oxide semiconductor layer containing at least one element of, for example, In (indium), Ga (gallium), and Zn (zinc).
  • the oxide semiconductor layer 5 is an amorphous oxide semiconductor layer (a-IGZO layer) containing In, Ga, and Zn.
  • the thickness of the oxide semiconductor layer 5 is, for example, 20 nm to 200 nm.
  • the thickness of the organic insulating layer 9 is 3 ⁇ m, for example.
  • the transparent electrode 11 is made of, for example, ITO (Indium Tin Oxide).
  • the thickness of the transparent electrode 11 is, for example, 50 nm to 200 nm.
  • FIG. 3 is a graph showing the voltage (V) -current (I) characteristics of the element described below.
  • a curve C1 in FIG. 3 is a curve showing a gate voltage (V) -current (I) characteristic of an oxide semiconductor TFT for a pixel included in the semiconductor device 100.
  • a curve C2 is a curve showing the voltage (V) -current (I) characteristics of the diode element 10.
  • a curve C3 shows voltage (V) -current (I) characteristics of a short ring diode element (a-Si diode element) having a generally used amorphous silicon (a-Si) layer as a semiconductor layer. It is a curve.
  • the absolute value of the current value increases because the resistance value of the oxide semiconductor layer decreases as the absolute value of the applied voltage increases.
  • the oxide semiconductor layer has high mobility, it is difficult to adjust the resistance value of the semiconductor layer to several M ⁇ to several hundred M ⁇ when a high voltage is applied. Therefore, a diode element having a configuration such as a pixel TFT is unlikely to function as a short ring diode element.
  • the diode element 10 when the electrical characteristics of the diode element 10 and the electrical characteristics of the a-Si diode element are compared, the curve C2 and the curve C3 are substantially the same, and the diode element 10 can function as a diode element for a short ring. I understand. This is because the diode element 10 has the offset region 19 and the electrical resistance of the oxide semiconductor layer 5 of the diode element 10 is increased.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a manufacturing method of the diode element 10
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a manufacturing method of the pixel TFT.
  • the diode element 10 and the pixel TFT described here are formed by a series of processes.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 100 is not limited to the method described below.
  • the diode element 10 can be formed by using a method for manufacturing a semiconductor device disclosed in International Publication No. 2012/011258.
  • the entire disclosure of WO2012 / 011258 is incorporated herein by reference.
  • a first electrode 3 having a laminated structure in which a lower layer is a Ti layer and an upper layer is a Cu layer is formed on an insulating substrate (for example, a glass substrate) 1 by a known method.
  • the first electrode 3 is formed of the same conductive film as the gate electrode 53 of the pixel TFT described later.
  • the thickness of the lower layer of the first electrode 3 is, for example, 30 nm to 150 nm.
  • the thickness of the upper layer of the first electrode 3 is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the upper layer may be, for example, an Al layer instead of the Cu layer, and the first electrode 3 may have a single layer structure formed of, for example, only a Ti layer.
  • a first insulating layer 4 containing, for example, SiN x is formed on the first electrode 3 by a known method.
  • the thickness of the first insulating layer 4 is, for example, 100 nm to 500 nm.
  • an oxide semiconductor film is formed on the first insulating layer 4 by a known method.
  • the oxide semiconductor film is formed from, for example, an a-IGZO film.
  • the oxide semiconductor film is formed from a semiconductor film that forms a semiconductor layer of the pixel TFT.
  • the thickness of the oxide semiconductor film is, for example, 50 nm to 300 nm.
  • the oxide semiconductor film is patterned by a known method to form the oxide semiconductor layer 5.
  • a conductive film having a laminated structure in which the lower layer is a Ti layer and the upper layer is a Cu layer is formed on the oxide semiconductor layer 5 by a known method.
  • the conductive film is formed of the same conductive film as the source electrode 56 of the pixel TFT described later.
  • the upper layer may be, for example, an Al layer instead of the Cu layer, and the conductive film may have a single layer structure formed of, for example, only a Ti layer.
  • the thickness of the lower layer is, for example, 30 nm to 150 nm.
  • the thickness of the upper layer is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the conductive film is patterned by a known method to form the second electrode 6 and the third electrode 7.
  • an offset region 19 is also formed.
  • the offset region 19 is formed so as not to overlap any of the first electrode 3, the second electrode 6, and the third electrode 7.
  • a second insulating layer 8 is formed on the second and third electrodes 6 and 7 by a known method.
  • the second insulating layer 8 is made of, for example, SiN x (silicon nitride).
  • the thickness of the second insulating layer 8 is, for example, 100 nm to 500 nm.
  • a photosensitive organic insulating layer 9 is formed on the second insulating layer 8 by a known method.
  • the organic insulating layer 9 is made of, for example, a photosensitive acrylic resin.
  • the thickness of the organic insulating layer 9 is 3 ⁇ m, for example.
  • a transparent electrode 11 is formed on the organic insulating layer 9 by a known method.
  • the transparent electrode 11 is made of, for example, ITO.
  • the thickness of the transparent electrode 11 is, for example, 50 nm to 200 nm.
  • a gate electrode 53 having a laminated structure in which a lower layer is a Ti layer and an upper layer is a Cu layer is formed on an insulating substrate (for example, a glass substrate) 1 by a known method.
  • the size of the gate electrode 53 is larger than that of the first electrode 3.
  • the first insulating layer 4 containing, for example, SiN x is formed on the gate electrode 53 by a known method.
  • the thickness of the first insulating layer 4 is, for example, 100 nm to 500 nm.
  • an oxide semiconductor film is formed on the first insulating layer 4 by a known method.
  • the oxide semiconductor film is formed from, for example, an a-IGZO film.
  • the thickness of the oxide semiconductor film is, for example, 50 nm to 300 nm.
  • the oxide semiconductor film is patterned by a known method to form the oxide semiconductor layer 55.
  • a conductive film having a stacked structure in which the lower layer is a Ti layer and the upper layer is a Cu layer is formed on the oxide semiconductor layer 55 by a known method.
  • the upper layer may be, for example, an Al layer instead of the Cu layer, and the conductive film may have a single-layer structure formed of, for example, only a Ti layer.
  • the thickness of the lower layer is, for example, 30 nm to 150 nm.
  • the thickness of the upper layer is, for example, 200 nm to 500 nm.
  • the conductive film is patterned by a known method to form the source electrode 56 and the drain electrode 57.
  • the gate electrode 53 is formed larger than the first electrode 3, the above-described offset region 19 is not formed.
  • the second insulating layer 8 is formed on the source electrode 56 and the drain electrode 57 by a known method.
  • the second insulating layer 8 is made of, for example, SiN x (silicon nitride).
  • the thickness of the second insulating layer 8 is, for example, 100 nm to 500 nm.
  • a photosensitive organic insulating layer 9 is formed on the second insulating layer 8 by a known method.
  • the organic insulating layer 9 is made of, for example, a photosensitive acrylic resin.
  • the thickness of the organic insulating layer 9 is 3 ⁇ m, for example.
  • a pixel electrode 61 is formed on the organic insulating layer 9 by a known method.
  • the pixel electrode 61 is formed from a transparent electrode, and is formed from, for example, ITO.
  • the thickness of the pixel electrode 61 is, for example, 50 nm to 200 nm.
  • the diode element 10 and the pixel TFT can be manufactured by a manufacturing process in which at least a part of the processes is a common process. Therefore, the semiconductor device 100 can be manufactured efficiently.
  • the semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the embodiment of the present invention are not limited to the above example, and include cases where antistatic is desired.
  • a semiconductor device manufacturing method capable of preventing damage due to static electricity in a semiconductor device including an oxide semiconductor TFT, and a semiconductor device manufactured by such a manufacturing method.
  • the present invention relates to a circuit substrate such as an active matrix substrate, a liquid crystal display device, a display device such as an organic electroluminescence (EL) display device and an inorganic electroluminescence display device, an imaging device such as an image sensor device, an image input device, and a fingerprint.
  • a circuit substrate such as an active matrix substrate, a liquid crystal display device, a display device such as an organic electroluminescence (EL) display device and an inorganic electroluminescence display device, an imaging device such as an image sensor device, an image input device, and a fingerprint.
  • EL organic electroluminescence
  • an imaging device such as an image sensor device
  • an image input device an image input device
  • a fingerprint a fingerprint detection device
  • the present invention can be widely applied to a semiconductor device including a thin film transistor such as a reading device.

Abstract

　本発明による半導体装置（１００）は、ダイオード素子（１０）を有する。ダイオード素子（１０）は、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電膜から形成された第１電極（３）と、酸化物半導体層（５）と、薄膜トランジスタのソース電極と同一の導電膜から形成され、酸化物半導体層（５）と接触する第２電極（６）および第３電極（７）とを有する。酸化物半導体層（５）は、第１電極（３）と第２電極（６）との間、および、第１電極（３）と第３電極（７）との間に、それぞれオフセット領域（１９）を有する。

Description

半導体装置および表示装置
　本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える半導体装置およびそのような半導体装置を有する表示装置に関する。
　近年、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）またはガリウム（Ｇａ）などを有した酸化物半導体層を用いたＴＦＴ（酸化物半導体ＴＦＴ）の開発が盛んに行われている（例えば特許文献１～３）。酸化物半導体ＴＦＴは移動度が高いという特性を有するので、例えば、酸化物半導体ＴＦＴを備える液晶表示装置の表示品位を向上させることができると期待されている。
　一方、半導体装置の製造プロセスには、静電気を生じやすい工程が含まれており、静電気によって、特性が変化したり、静電破壊したりするので、ＴＦＴを備える半導体装置の良品率が低下するという問題があった。特に、液晶表示装置のＴＦＴ基板（半導体装置）では、発生する静電気による歩留まりの低下が問題である。
　そこで、静電気によるダメージを防ぐための種々の手段を備えたＴＦＴ基板が提案されている（例えば、特許文献４）。特許文献４には、静電破壊防止のためにダイオードリングが設けられたＴＦＴ基板が開示されている。
特開２００３－２９８０６２号公報 特開２００９－２５３２０４号公報 特開２００８－１６６７１６号公報 特開平１１－２７１７２２号公報
　しかしながら、本発明者は、特許文献４に開示されている静電気防止用のダイオードリングを、酸化物半導体ＴＦＴを備える半導体装置に採用しても、駆動させる電圧付近で酸化物半導体層の抵抗値が小さく、静電気防止用のダイオードリングとして不具合があることを見出した。これは、絶縁基板上に移動度が高い酸化物半導体ＴＦＴを備え、かつ双方向の静電気防止用ダイオードリングを備える半導体装置の製造方法に共通の課題である。
　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、酸化物半導体ＴＦＴを備える半導体装置において、静電気によるダメージを防ぐことができる半導体装置およびそのような半導体装置を備える表示装置を提供することにある。
　本発明による実施形態における半導体装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成された複数の配線と、複数の薄膜トランジスタと、複数のダイオード素子であって、それぞれが前記複数の配線の内の２本の配線を互いに電気的に接続する複数のダイオード素子とを有する半導体装置であって、前記複数のダイオード素子はそれぞれ、前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電膜から形成された第１電極と、前記第１電極上に形成された酸化物半導体層と、前記薄膜トランジスタのソース電極と同一の導電膜から形成され、前記酸化物半導体層と接触する第２電極および第３電極とを有し、前記酸化物半導体層は、前記第１電極と前記第２電極との間、および、前記第１電極と前記第３電極との間に、それぞれオフセット領域を有し、前記オフセット領域は、前記絶縁基板の法線方向から見たとき、前記第１電極と重なっていない。
　ある実施形態において、前記オフセット領域は、前記絶縁基板の法線方向から見たとき、前記第１、第２および第３電極のいずれとも重なっていない。
　ある実施形態において、前記オフセット領域のチャネル方向と平行な方向の幅は、３μｍ以上５μｍ以下である。
　ある実施形態において、前記複数のダイオード素子は、互いに逆方向で並列に電気的に接続されている。
　ある実施形態において、前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの少なくとも１つを含む。
　ある実施形態において、前記複数の配線は、複数のソース配線および複数のゲート配線を含み、前記複数のダイオード素子は、２本のソース配線を互いに電気的に接続するダイオード素子および２本のゲート配線を互いに電気的に接続するダイオード素子の少なくとも１つを含む。
　ある実施形態において、前記複数の配線は、複数の補助容量配線、共通電極配線、または複数の検査信号配線のいずれかをさらに含み、前記複数のダイオード素子は、２本のソース配線を互いに電気的に接続するダイオード素子、２本のゲート配線を互いに電気的に接続するダイオード素子、ゲート配線と補助容量配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ソース配線と補助容量配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、補助容量配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ゲート配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ソース配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、または２本の検査信号配線を互いに電気的に接続するダイオード素子を含む。
　本発明による実施形態における表示装置は、上述の半導体装置を有する。
　本発明によると、酸化物半導体ＴＦＴを備える半導体装置において、静電気によるダメージを防ぐことができる半導体装置およびそのような半導体装置を備える表示装置が提供される。
（ａ）は、本発明による実施形態における半導体装置１００の等価回路図であり、（ｂ）は、ダイオード素子１０の電圧－電流特性を表すグラフである。 （ａ）は、ダイオード素子１０を備える半導体装置１００の模式的な平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ－Ｉ’線に沿った模式的な断面図である。 ダイオード素子１０の電気特性を説明するグラフである。 （ａ）～（ｅ）は、ダイオード素子１０の製造工程を説明する図である。 （ａ）～（ｅ）は、画素用ＴＦＴの製造工程を説明する図である。 検査信号配線を説明する等価回路図である。
　以下、図面を参照して、本発明による実施形態における半導体装置の製造方法およびそのような製造方法によって製造される半導体装置（ここでは液晶表示装置用のＴＦＴ基板）の構成を説明する。本実施形態におけるＴＦＴ基板は、各種表示装置（例えば、液晶表示装置やＥＬ表示装置）のＴＦＴ基板を含む。
　以下、図１および図２を参照しながら本発明による実施形態における半導体装置１００を説明する。図１（ａ）は、半導体装置１００の等価回路図であり、図１（ｂ）は、ダイオード素子１０の電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を表すグラフである。なお、図１（ａ）には、液晶容量４０も記載している。
　図１（ａ）に示すように、半導体装置１００は、互いに平行に配列された複数のゲート配線１４と、ゲート配線１４と直交する複数のソース配線１６と、ゲート配線１４およびソース配線１６に囲まれた矩形の領域にそれぞれ設けられた画素電極（不図示）と、ゲート配線１４およびソース配線１６の交差部近傍に配置された薄膜トランジスタ（画素用ＴＦＴという場合もある）５０とを備える。ゲート配線１４およびソース配線１６は、それぞれ薄膜トランジスタ５０に電気的に接続されている。ゲート配線１４はゲート端子１４ｔと電気的に接続され、ソース配線１６はソース端子１６ｔと電気的に接続されている。ゲート端子１４ｔおよびソース端子１６ｔは、それぞれ外部配線（不図示）と電気的に接続されている。薄膜トランジスタ５０は、画素電極と電気的に接続され、各画素の液晶容量（画素容量）４０に電圧を印加するスイッチング素子として機能する。液晶容量４０は、一対の電極と液晶層とによって形成されており、画素用ＴＦＴのドレイン電極に接続されている電極が画素電極であり、他方が対向電極である。対向電極は、ＴＦＴ基板と液晶層を介して対向するように配置された対向基板に形成されている。なお、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching)モードの液晶表示装置の場合、対向基板に対向電極は形成されない。
　互いに隣接する２本のソース配線（例えばソース配線１６（ｍ）および１６（ｍ＋１））の間には、薄膜トランジスタ５０の酸化物半導体層と同一の酸化物半導体膜から形成された酸化物半導体層を有するショートリング用のダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂが形成されている。ここで例示するダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂは、ＴＦＴのソース電極とゲート電極をショートさせた構造を有し、「ＴＦＴ型ダイオード」とも呼ばれる。
　ダイオード素子１０Ａとダイオード素子１０Ｂとは、電流が流れる方向が互いに逆である。例えば、ダイオード素子１０Ａ（ｍ）はソース配線１６（ｍ）からソース配線１６（ｍ＋１）へ電流を流し、ダイオード素子１０Ｂ（ｍ）はソース配線１６（ｍ＋１）からソース配線１６（ｍ）へ電流を流す。ここで例示するように、互いに隣接する２本のソース配線の全てに、ダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂを並列に接続することによって、ダイオード素子１０Ａで構成されるショートリング２０Ａと、ダイオード素子１０Ｂで構成されるショートリング２０Ｂとが形成され、ショートリング２０Ａとショートリング２０Ｂとがショートリング２０を構成する。ショートリング２０は、双方に電流を流す（電荷を拡散する）ことができる。ダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂは、ゲート配線１４（ｎ）とゲート配線１４（ｎ＋１）との間に配置し、ゲート配線１４（ｎ）とゲート配線１４（ｎ＋１）とを電気的に接続してもよい。
　さらに、半導体装置１００は、複数の補助容量配線、共通電極配線、または複数の検査信号配線をさらに含んでもよい。この場合、ダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂは、ゲート配線１４および補助容量配線の間、ソース配線および補助容量配線の間、補助容量配線および共通電極配線の間、ゲート配線および共通電極配線の間、ソース配線および共通電極配線の間、または２本の検査信号配線の間に配置し、それぞれの配線を電気的に接続してもよい。ここで、共通電極配線とは、例えば、半導体装置１００が液晶表示装置に用いられる場合、半導体装置１００と対向する基板に形成された対向電極と電気的に接続している配線である。さらに、検査信号配線とは、画素用ＴＦＴの電気特性を検査するための配線である。なお、検査信号配線の詳細については、特開２００５－１２２２０９号公報および米国特許第６，６２４，８５７号明細書に開示されている。参考までに、特開２００５－１２２２０９号公報および米国特許第６，６２４，８５７号明細書に開示されている内容のすべてを本明細書に援用する。
　図６は、検査信号配線を説明する等価回路図である。図６に示すように、半導体装置１００には、例えば、３本の検査信号配線２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂ、検査用ＴＦＴ２７ａおよび検査用制御信号線２８が設けられている。各検査信号配線２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂのそれぞれは、例えば、検査用ＴＦＴ２７ａのドレイン電極と電気的に接続されている。さらに、各ソース配線１６（１６（ｍ）～１６（ｍ＋３））は、例えば、検査用ＴＦＴ２７ａのソース電極と電気的に接続されている。検査用ＴＦＴ２７ａのゲート電極は、検査用制御信号線２８と電気的に接続され、検査用ＴＦＴ２７ａを制御している。ダイオード素子１０は、例えば、同じ検査用信号配線２６Ｒ、２６Ｇ、２６Ｂに電気的に接続されている検査用ＴＦＴ２７ａに接続されているソース配線１６（ｍ）および１６（ｍ＋３）間に配置され、ソース配線１６（ｍ）およびソース配線１６（ｍ＋３）に接続されている。
　図１（ｂ）に示すグラフは、ダイオード素子１０の電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を表すグラフである。
　図１（ｂ）に示すように、ダイオード素子１０のバリスタ電圧は２０Ｖ以上４００Ｖ以下である。ダイオード素子１０の半導体層にバリスタ電圧以下の電圧が印加されている場合、ダイオード素子１０に電流が流れないので、ソース配線１６（ｍ）とソース配線１６（ｍ＋１）との間は、絶縁されている。ダイオード素子１０の半導体層にバリスタ電圧超の電圧を印加すると、ダイオード素子１０に電流が流れ、ソース配線１６（ｍ）とソース配線１６（ｍ＋１）とは電気的に接続される。
　また、図示していないが、互いに隣接する２本のゲート配線（例えばゲート配線１４（ｎ）および１４（ｎ＋１））の間にショートリング用のダイオード素子を形成してもよい。さらに、ゲート配線１４とソース配線１６との間にショートリング用のダイオード素子を形成し、ソース配線用のショートリングとゲート配線用のショートリングとを互いに接続してもよい。
　半導体装置１００では、外部からいずれかのソース配線１６（または／およびゲート配線１４）に静電気が入ると、ソース配線１６（または／およびゲート配線１４）に電気的に接続されたダイオード素子１０Ａおよび１０Ｂのゲートが開き、隣接するソース配線１６（または／およびゲート配線１４）に向かって順に電荷が拡散していく。その結果、全てのソース配線１６（または／およびゲート配線１４）が等電位となるので、静電気によって薄膜トランジスタ５０がダメージを受けることを抑制できる。
　図２は、ショートリング用のダイオード素子１０（１０Ａおよび１０Ｂ）を説明する図である。図２（ａ）は、ダイオード素子１０の模式的な平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＩ－Ｉ’線に沿った断面図である。
　図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ダイオード素子１０は、絶縁基板１上に形成された薄膜トランジスタ（例えば、画素用ＴＦＴ）５０（不図示）のゲート電極と同一の導電膜から形成された第１電極３（３ａおよび３ｂ）と、第１電極３上に形成された第１絶縁層４と、第１絶縁層４上に形成され、薄膜トランジスタ５０の酸化物半導体層と同一の酸化物半導体膜から形成された酸化物半導体層５（５ａおよび５ｂ）と、酸化物半導体層５と接触し、薄膜トランジスタ５０のソース電極と同一の導電膜から形成された第２電極６および第３電極７とを有する。酸化物半導体層５の第１電極３と第２電極６との間、および、第１電極３と第３電極７との間には、それぞれオフセット領域１９が形成されている。絶縁基板１の法線方向から見たとき、オフセット領域１９は第１電極３と重なっていない。さらに、絶縁基板１の法線方向から見たとき、オフセット領域１９は、第１電極３、第２電極６および第３電極７のいずれとも重なっていないことが好ましい。第２電極６はソース配線１６（ｍ）と電気的に接続し、第３電極７はソース配線１６（ｍ＋１）と電気的に接続されている。また、ダイオード素子１０Ａの第１電極３ａは、透明電極１１により第２電極６と電気的に接続されている。ダイオード素子１０Ｂの第１電極３ｂは、透明電極１１により第３電極７と電気的に接続されている。
　さらに、酸化物半導体層５を覆うように第２絶縁層８が形成されており、第２絶縁層８上に感光性の有機絶縁層９が形成されている。また、酸化物半導体層５の上にエッチストッパ層を形成してもよい。さらに、有機絶縁層９は形成しなくてもよい場合もある。
　ダイオード素子１０のチャネル長Ｌは、例えば３０μｍであり、チャネル幅Ｗは例えば５μｍであり、オフセット領域１９のチャネル方向と平行な方向の幅（オフセット領域幅）Ｗ’は例えば３μｍである。また、チャネル長Ｌは例えば１０μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、チャネル幅Ｗは、例えば２μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、オフセット領域幅Ｗ’は、１．５μｍ以上５μｍ以下が好ましい。このようなチャネル長Ｌ、チャネル幅Ｗおよびオフセット領域幅Ｗ’とすると、ダイオード素子１０が、上述したような特性を有するショートリング用のダイオード素子として機能する。
　第１電極３、第２電極６、第３電極７、ゲート配線１４およびソース配線１６は、例えば下層をＴｉ（チタン）層、上層をＣｕ（銅）層とする積層構造を有する。下層の厚さは、例えば３０ｎｍ～１５０ｎｍである。上層の厚さは、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍである。また、例えば上層は、Ｃｕ層の代わりにＡｌ（アルミニウム）層であってもよく、また、第１電極３、第２電極６、第３電極７およびソース配線１６は、例えばＴｉ層のみを有する単層構造を有してもよい。
　第１絶縁層４および第２絶縁層８は、例えばＳｉＮx（窒化シリコン）を含有する単層構造を有する。第１絶縁層４および第２絶縁層８の厚さは、それぞれ、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
　酸化物半導体層５は、例えばＩｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）およびＺｎ（亜鉛）の少なくともいずれか１つの元素を含む酸化物半導体層である。本実施形態において、酸化物半導体層５は、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含有するアモルファス酸化物半導体層（ａ－ＩＧＺＯ層）である。酸化物半導体層５の厚さは、例えば２０ｎｍ～２００ｎｍである。
　有機絶縁層９の厚さは、例えば３μｍである。
　透明電極１１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成されている。透明電極１１の厚さは、例えば５０ｎｍ～２００ｎｍである。
　次に、図３を参照しながら、ダイオード素子１０の電気特性について説明する。図３は、以下に説明する素子の電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を示すグラフである。図３中の、曲線Ｃ１は半導体装置１００が有する画素用の酸化物半導体ＴＦＴのゲート電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を示す曲線である。曲線Ｃ２はダイオード素子１０の電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を示す曲線である。曲線Ｃ３は、一般的に用いられているアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）層を半導体層として有するショートリング用のダイオード素子（ａ－Ｓｉダイオード素子）の電圧（Ｖ）－電流（Ｉ）特性を示す曲線である。
　図３から分かるように、画素用ＴＦＴは、印加電圧の絶対値が大きくなると酸化物半導体層の抵抗値が小さくなるので、電流値の絶対値が大きくなってしまう。つまり、酸化物半導体層は移動度が高いことから、高い電圧を印加した場合、半導体層の抵抗値を数ＭΩ～数百ＭΩに調整するのが難しい。従って、画素用ＴＦＴのような構成を有するダイオード素子は、ショートリング用のダイオード素子として機能しにくい。一方、ダイオード素子１０の電気特性とａ－Ｓｉダイオード素子の電気特性とを比較すると、曲線Ｃ２と曲線Ｃ３とは略一致しており、ダイオード素子１０がショートリング用のダイオード素子として機能し得ることが分かる。これは、ダイオード素子１０がオフセット領域１９を有しており、ダイオード素子１０の酸化物半導体層５の電気的抵抗が高くなったからである。
　次に、本発明による実施形態における半導体装置１００の製造方法を図４および図５を参照しながら説明する。図４は、ダイオード素子１０の製造方法を説明する図であり、図５は画素用ＴＦＴの製造方法を説明する図である。また、ここで説明するダイオード素子１０および画素用ＴＦＴは、一連のプロセスで形成される。なお、半導体装置１００の製造方法は、以下に説明する方法に限定されない。例えば、国際公開第２０１２／０１１２５８号に開示されている半導体装置の製造方法を用いて、ダイオード素子１０を形成することもできる。参考までに、国際公開第２０１２／０１１２５８号の開示内容の全てを本明細書に援用する。
　最初に、ダイオード素子１０の製造方法について説明する。
　図４（ａ）に示すように、絶縁基板（例えばガラス基板）１上に、公知の方法で、下層をＴｉ層、上層をＣｕ層とする積層構造を有する第１電極３を形成する。第１電極３は、後述する画素用ＴＦＴのゲート電極５３と同じ導電膜から形成される。第１電極３の下層の厚さは、例えば３０ｎｍ～１５０ｎｍである。第１電極３の上層の厚さは、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍである。上層は、Ｃｕ層の代わりに例えばＡｌ層であってもよく、また、第１電極３は、例えばＴｉ層のみから形成された単層構造を有してもよい。
　次に、図４（ｂ）に示すように、第１電極３上に、公知の方法で、例えばＳｉＮxを含有する第１絶縁層４を形成する。第１絶縁層４の厚さは、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、第１絶縁層４上に酸化物半導体膜を公知の方法で形成する。酸化物半導体膜は、例えばａ－ＩＧＺＯ膜から形成されている。酸化物半導体膜は、画素用ＴＦＴの半導体層を形成する半導体膜から形成されている。酸化物半導体膜の厚さは、例えば５０ｎｍ～３００ｎｍである。
　次に、酸化物半導体膜を公知の方法でパターニングし、酸化物半導体層５を形成する。
　次に、酸化物半導体層５上に、下層をＴｉ層、上層をＣｕ層とする積層構造を有する導電膜を公知の方法で形成する。導電膜は、後述する画素用ＴＦＴのソース電極５６と同じ導電膜から形成される。例えば上層は、Ｃｕ層の代わりに例えばＡｌ層であってもよく、また、導電膜は、例えばＴｉ層のみから形成された単層構造を有してもよい。下層の厚さは、例えば３０ｎｍ～１５０ｎｍである。上層の厚さは、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、図４（ｃ）に示すように、導電膜を公知の方法でパターニングし、第２電極６および第３電極７を形成する。このとき、オフセット領域１９も形成される。絶縁基板１の法線方向から見たとき、オフセット領域１９は、第１電極３、第２電極６および第３電極７のいずれとも重ならないように形成される。
　次に、図４（ｄ）に示すように、第２および第３電極６および７上に第２絶縁層８を公知の方法で形成する。第２絶縁層８は、例えばＳｉＮx（窒化シリコン）から形成される。例えば第２絶縁層８の厚さは、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、第２絶縁層８上に公知の方法で感光性の有機絶縁層９を形成する。有機絶縁層９は、例えば感光性のアクリル樹脂から形成される。有機絶縁層９の厚さは、例えば３μｍである。
　次に、図４（ｅ）に示すように、有機絶縁層９上に、公知の方法で透明電極１１を形成する。透明電極１１は、例えばＩＴＯから形成される。透明電極１１の厚さは、例えば５０ｎｍ～２００ｎｍである。透明電極１１を形成することにより、図２（ａ）に示したように、第１電極３と第２電極６または第３電極７とが、第２絶縁層８および有機絶縁層９に形成されたコンタクトホール内で電気的に接続される。
　次に、図５（ａ）～図５（ｅ）を参照して、画素用ＴＦＴの製造方法を説明する。
　図５（ａ）に示すように、絶縁基板（例えばガラス基板）１上に、公知の方法で、下層をＴｉ層、上層をＣｕ層とする積層構造を有するゲート電極５３を形成する。ゲート電極５３の大きさは、第１電極３よりも大きい。
　次に、図５（ｂ）に示すように、ゲート電極５３上に、公知の方法で、例えばＳｉＮxを含有する第１絶縁層４を形成する。第１絶縁層４の厚さは、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、第１絶縁層４上に酸化物半導体膜を公知の方法で形成する。酸化物半導体膜は、例えばａ－ＩＧＺＯ膜から形成されている。酸化物半導体膜の厚さは、例えば５０ｎｍ～３００ｎｍである。
　次に、酸化物半導体膜を公知の方法でパターニングし、酸化物半導体層５５を形成する。
　次に、酸化物半導体層５５上に、下層をＴｉ層、上層をＣｕ層とする積層構造を有する導電膜を公知の方法で形成する。上層は、Ｃｕ層の代わりに例えばＡｌ層であってもよく、また、導電膜は、例えばＴｉ層のみから形成された単層構造を有してもよい。下層の厚さは、例えば３０ｎｍ～１５０ｎｍである。上層の厚さは、例えば２００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、図５（ｃ）に示すように、導電膜を公知の方法でパターニングし、ソース電極５６およびドレイン電極５７を形成する。このとき、ゲート電極５３は、第１電極３よりも大きく形成されているので、上述したオフセット領域１９は形成されない。
　次に、図５（ｄ）に示すように、ソース電極５６およびドレイン電極５７上に第２絶縁層８を公知の方法で形成する。第２絶縁層８は、例えばＳｉＮx（窒化シリコン）から形成される。例えば第２絶縁層８の厚さは、例えば１００ｎｍ～５００ｎｍである。
　次に、第２絶縁層８上に公知の方法で感光性の有機絶縁層９を形成する。有機絶縁層９は、例えば感光性のアクリル樹脂から形成される。有機絶縁層９の厚さは、例えば３μｍである。
　次に、図５（ｅ）に示すように、有機絶縁層９上に、公知の方法で画素電極６１を形成する。画素電極６１は、透明電極から形成され、例えばＩＴＯから形成される。画素電極６１の厚さは、例えば５０ｎｍ～２００ｎｍである。
　このように、ダイオード素子１０と画素用ＴＦＴとは少なくとも一部の工程を共通の工程とする製造プロセスによって製造することができる。従って、半導体装置１００を効率よく製造できる。
　本発明による実施形態の半導体装置およびその製造方法は、上記の例に限られず、静電防止が望まれる場合も含む。
　以上、本発明により、酸化物半導体ＴＦＴを備える半導体装置において、静電気によるダメージを防ぐことができる半導体装置の製造方法およびそのような製造方法によって製造される半導体装置が提供される。
　本発明は、アクティブマトリクス基板等の回路基板、液晶表示装置、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置および無機エレクトロルミネセンス表示装置等の表示装置、イメージセンサー装置等の撮像装置、画像入力装置や指紋読み取り装置等の薄膜トランジスタを備えた半導体装置に広く適用できる。
　１　　　　絶縁基板
　３、３ａ、３ｂ　　　　第１電極
　４、８、９　　　　絶縁層
　５、５ａ、５ｂ　　　　酸化物半導体層
　６　　　　第２電極
　７　　　　第３電極
　１０、１０Ａ、１０Ｂ　　　　ダイオード素子
　１１　　　　透明電極
　１９　　　　オフセット領域
　１００　　　半導体装置

Claims (8)

  1. 　絶縁基板と、
    　前記絶縁基板上に形成された複数の配線と、
    　複数の薄膜トランジスタと、
    　複数のダイオード素子であって、それぞれが前記複数の配線の内の２本の配線を互いに電気的に接続する複数のダイオード素子とを有する半導体装置であって、
    　前記複数のダイオード素子はそれぞれ、
    　　前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一の導電膜から形成された第１電極と、
    　　前記第１電極上に形成された酸化物半導体層と、
    　　前記薄膜トランジスタのソース電極と同一の導電膜から形成され、前記酸化物半導体層と接触する第２電極および第３電極とを有し、
    　前記酸化物半導体層は、前記第１電極と前記第２電極との間、および、前記第１電極と前記第３電極との間に、それぞれオフセット領域を有し、前記オフセット領域は、前記絶縁基板の法線方向から見たとき、前記第１電極と重なっていない、半導体装置。
  2. 　前記オフセット領域は、前記絶縁基板の法線方向から見たとき、前記第１、第２および第３電極のいずれとも重なっていない、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記オフセット領域のチャネル方向と平行な方向の幅は、３μｍ以上５μｍ以下である、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記複数のダイオード素子は、互いに逆方向で並列に電気的に接続されている、請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎの少なくとも１つを含む、請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 　前記複数の配線は、複数のソース配線および複数のゲート配線を含み、
    　前記複数のダイオード素子は、２本のソース配線を互いに電気的に接続するダイオード素子および２本のゲート配線を互いに電気的に接続するダイオード素子の少なくとも１つを含む、請求項１から５のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記複数の配線は、複数の補助容量配線、共通電極配線、または複数の検査信号配線のいずれかをさらに含み、
    　前記複数のダイオード素子は、２本のソース配線を互いに電気的に接続するダイオード素子、２本のゲート配線を互いに電気的に接続するダイオード素子、ゲート配線と補助容量配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ソース配線と補助容量配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、補助容量配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ゲート配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、ソース配線と共通電極配線とを互いに電気的に接続するダイオード素子、または２本の検査信号配線を互いに電気的に接続するダイオード素子を含む、請求項１から６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　請求項１から７のいずれかに記載の半導体装置を有する、表示装置。
PCT/JP2012/058867 2011-04-08 2012-04-02 半導体装置および表示装置 WO2012137711A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/110,194 US20140027769A1 (en) 2011-04-08 2012-04-02 Semiconductor device and display device
KR1020137026382A KR101537458B1 (ko) 2011-04-08 2012-04-02 반도체 장치 및 표시 장치
JP2013503894A JP5284553B2 (ja) 2011-04-08 2012-04-02 半導体装置および表示装置
CN2012800163262A CN103460391A (zh) 2011-04-08 2012-04-02 半导体装置和显示装置
EP12767502.3A EP2755239A4 (en) 2011-04-08 2012-04-02 SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-086192 2011-04-08
JP2011086192 2011-04-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012137711A1 true WO2012137711A1 (ja) 2012-10-11

Family

ID=46969111

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/058867 WO2012137711A1 (ja) 2011-04-08 2012-04-02 半導体装置および表示装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20140027769A1 (ja)
EP (1) EP2755239A4 (ja)
JP (1) JP5284553B2 (ja)
KR (1) KR101537458B1 (ja)
CN (1) CN103460391A (ja)
TW (1) TW201248864A (ja)
WO (1) WO2012137711A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464580A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 三星显示有限公司 母衬底、其阵列测试方法及显示器衬底
JP2015072315A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 パナソニック株式会社 表示装置用パネル、表示装置、および、表示装置用パネルの検査方法
WO2017170219A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
JP2018107429A (ja) * 2016-11-04 2018-07-05 ディーピーアイエックス リミテッド ライアビリティ カンパニー 金属酸化物医療デバイス製品のための静電気放電（ｅｓｄ）保護
JP2020532117A (ja) * 2017-09-14 2020-11-05 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 Ｔｆｔデバイス及び液晶表示パネルの静電気保護回路

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140297058A1 (en) * 2013-03-28 2014-10-02 Hand Held Products, Inc. System and Method for Capturing and Preserving Vehicle Event Data
EP3235761B1 (en) * 2014-12-17 2019-12-04 Itoh Denki Co., Ltd. Article storage device and article transfer method
CN105789279A (zh) * 2016-03-11 2016-07-20 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管、液晶显示面板及薄膜晶体管的制备方法
CN207424484U (zh) * 2017-11-27 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
CN109449168B (zh) * 2018-11-14 2021-05-18 合肥京东方光电科技有限公司 导线结构及其制造方法、阵列基板和显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271722A (ja) 1998-03-20 1999-10-08 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその検査方法
JP2001024195A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 保護素子
JP2003043523A (ja) * 2001-08-03 2003-02-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
US6624857B1 (en) 1998-03-27 2003-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix-type liquid crystal display panel and method of inspecting the same
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2005122209A (ja) 1998-03-27 2005-05-12 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示パネル及びその検査方法
JP2006179878A (ja) * 2004-11-26 2006-07-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2007310131A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス表示装置
JP2008166716A (ja) 2006-12-05 2008-07-17 Canon Inc ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
JP2009253204A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2011029614A (ja) * 2009-06-29 2011-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011054941A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
WO2012011258A1 (ja) 2010-07-21 2012-01-26 シャープ株式会社 基板及びその製造方法、表示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0100733D0 (en) * 2001-01-11 2001-02-21 Koninkl Philips Electronics Nv A method of manufacturing an active matrix substrate
KR101133751B1 (ko) * 2003-09-05 2012-04-09 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
KR100583421B1 (ko) * 2004-01-29 2006-05-24 실리콘 디스플레이 (주) 유기 발광 다이오드에 사용하는 화소 회로 및 그를이용하는 표시장치
US8921857B2 (en) * 2009-06-18 2014-12-30 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
WO2011013502A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US9171840B2 (en) * 2011-05-26 2015-10-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11271722A (ja) 1998-03-20 1999-10-08 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその検査方法
US6624857B1 (en) 1998-03-27 2003-09-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active-matrix-type liquid crystal display panel and method of inspecting the same
JP2005122209A (ja) 1998-03-27 2005-05-12 Sharp Corp アクティブマトリクス型液晶表示パネル及びその検査方法
JP2001024195A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 保護素子
JP2003043523A (ja) * 2001-08-03 2003-02-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタパネル
JP2003298062A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Sharp Corp 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2006179878A (ja) * 2004-11-26 2006-07-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
JP2007310131A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Mitsubishi Electric Corp アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス表示装置
JP2008166716A (ja) 2006-12-05 2008-07-17 Canon Inc ボトムゲート型薄膜トランジスタ、ボトムゲート型薄膜トランジスタの製造方法及び表示装置
JP2009253204A (ja) 2008-04-10 2009-10-29 Idemitsu Kosan Co Ltd 酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2011029614A (ja) * 2009-06-29 2011-02-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JP2011054941A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
WO2012011258A1 (ja) 2010-07-21 2012-01-26 シャープ株式会社 基板及びその製造方法、表示装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2755239A4

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104464580A (zh) * 2013-09-25 2015-03-25 三星显示有限公司 母衬底、其阵列测试方法及显示器衬底
KR20150033944A (ko) * 2013-09-25 2015-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판
KR102105369B1 (ko) * 2013-09-25 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판
JP2015072315A (ja) * 2013-10-01 2015-04-16 パナソニック株式会社 表示装置用パネル、表示装置、および、表示装置用パネルの検査方法
WO2017170219A1 (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
US10690975B2 (en) 2016-03-31 2020-06-23 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, manufacturing method therefor and display device
JP2018107429A (ja) * 2016-11-04 2018-07-05 ディーピーアイエックス リミテッド ライアビリティ カンパニー 金属酸化物医療デバイス製品のための静電気放電（ｅｓｄ）保護
JP2020532117A (ja) * 2017-09-14 2020-11-05 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 Ｔｆｔデバイス及び液晶表示パネルの静電気保護回路
JP7012826B2 (ja) 2017-09-14 2022-01-28 深▲セン▼市▲華▼星光▲電▼半▲導▼体▲顕▼示技▲術▼有限公司 Ｔｆｔデバイス及び液晶表示パネルの静電気保護回路

Also Published As

Publication number Publication date
CN103460391A (zh) 2013-12-18
EP2755239A4 (en) 2015-06-10
EP2755239A1 (en) 2014-07-16
KR101537458B1 (ko) 2015-07-16
US20140027769A1 (en) 2014-01-30
KR20140012712A (ko) 2014-02-03
JP5284553B2 (ja) 2013-09-11
JPWO2012137711A1 (ja) 2014-07-28
TW201248864A (en) 2012-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5284553B2 (ja) 半導体装置および表示装置
US11563039B2 (en) Display device
KR102098220B1 (ko) 표시장치용 표시패널
US8405085B2 (en) Thin film transistor capable of reducing photo current leakage
KR20150075687A (ko) 어레이 기판
WO2013137045A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20120112181A1 (en) Oxide semiconductor, thin film transistor including the same and thin film transistor display panel including the same
US20150187750A1 (en) Antistatic device of display device and method of manufacturing the same
CN106886107B (zh) 显示面板
US10522567B2 (en) Semiconductor device and display device having a protection layer
JP5824535B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US20130048998A1 (en) Semiconductor device, thin film transistor substrate, and display apparatus
US10503035B2 (en) Display device
KR20160130877A (ko) 박막트랜지스터 및 이를 포함하는 표시 장치
US10816865B2 (en) Active matrix substrate
JP2019078862A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
US10777587B2 (en) Active matrix substrate and display device provided with active matrix substrate
WO2012039317A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP6446204B2 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12767502

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013503894

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137026382

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14110194

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012767502

Country of ref document: EP