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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 132
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 62
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 38
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 36
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical group [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 23
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 403
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 40
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 AlNd Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
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- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4966—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
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Description
ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた酸化物半導体からなる半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極は前記半導体層の少なくとも一部と対向した、前記薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有し、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している。
酸化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有し、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している。
酸化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
シリコンを主成分とする第1層と、チタンを主成分とし前記第1層に接した第2層と、を有し、前記半導体層に対して前記ゲート電極の反対側に位置し、前記半導体層のチャネル領域と対向した遮光層と、
前記半導体層と前記遮光層との間に介在した他の絶縁層と、を備え、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している。
表示装置は、薄膜トランジスタ(Thin-film Transistor:TFT)を用いている。薄膜トランジスタの半導体層は、非晶質シリコン、多結晶シリコン又は酸化物半導体で形成されている。酸化物半導体層は、非晶質シリコン層及び多結晶シリコン層と比べてリーク電流が低い、非晶質シリコン層と比べて移動度が高い、多結晶シリコン層と比べて製造コストが低い、等の特長を有している。
図1に示すように、表示装置1は、画像を表示するアクティブエリア(表示領域)ACTと、アクティブエリアACTの外側の額縁領域(非表示領域)と、を備えている。表示装置1は、液晶表示パネルPLNを備えている。液晶表示パネルPLNは、アレイ基板ARや、対向基板及び液晶層を備えている。対向基板は、アレイ基板ARに所定の隙間を置いて対向配置されている。液晶層は、アレイ基板ARと対向基板との間に挟持されている。
この実施形態において、ゲート電極GEは、さらにコア層LCを含んでいる。コア層LCは、第2層L2に対して第1層L1の反対側に位置している。ここでは、コア層LCは、ゲート電極GEのコア層であり、ゲート電極GEの電気的な機能のコアとなる。コア層LCは、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、クロム(Cr)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)等の金属材料あるいはこれらの金属材料を含む合金などによって形成されている。本実施形態において、コア層LCはアルミニウム合金で形成されている。
上記コア層LC、第2層L2及び第1層L1は、絶縁基板10の主面の上方に順に積層されている。第1層L1は、第2層L2より半導体層SMC側に位置している。ここでは、第1層L1及び第2層L2のそれぞれのサイズはコア層LCのサイズと同一であり、第1層L1及び第2層L2はコア層LCに完全に重なって形成されている。この場合、1回のフォトリソグラフィ工程で、積層されたアルミニウム合金膜、チタン膜及びシリコン膜にパターニングを施すことにより、コア層LC、第2層L2及び第1層L1を同時に形成することができる。2回又は3回のフォトリソグラフィ工程を必要としないため、製造工程の削減を図ることができる。
すなわち、シリコン層(第1層L1)及びチタン層(第2層L2)の積層体は、少なくともゲート電極GEを形成すればよく、必要に応じて走査線Gを形成すればよい。
第2電極E2は、半導体層SMCの上方に位置し、第2領域R2に接している。この実施形態において、第2電極E2は、ゲート絶縁層GI及び半導体層SMCの上に形成されている。第2電極E2の一端は、第2領域R2とチャネル領域R3との境界に対向している。すなわち、本実施形態において、チャネル領域R3のチャネル長は、対向する第1電極E1の一端から第2電極E2の一端までの距離に相当する。
上記のように、本実施形態に係る薄膜トランジスタTRは、ボトムゲート型薄膜トランジスタの構造をとっている。
本願発明者が第1水素蓄積量と第2水素蓄積量とを調査したところ、第1水素蓄積量は、第2水素蓄積量と比べて多い結果となった。詳しくは、第1水素蓄積量は、第2水素蓄積量の10倍程度であった。
上記のことから、第1の実施形態によれば、信頼性に優れた表示装置1を得ることができる。
遮光層LSは、半導体層SMCに対してゲート電極GEの反対側に位置し、半導体層SMCのチャネル領域R3と対向している。このため、遮光層LSは、絶縁基板10の主面とは反対の外面側からチャネル領域R3に向けて放出される光を遮蔽することができる。
なお、遮光層LSは、第3方向Zにて、半導体層SMCの少なくともチャネル領域R3と対向している。この実施形態において、ゲート電極GEは、チャネル領域R3の全体、第1領域R1の一部及び第2領域R2の一部と対向している。但し、遮光層LSと第1領域R1とが対向する領域や、遮光層LSと第2領域R2とが対向する領域が大きくなるほど、寄生容量が大きくなり、薄膜トランジスタTRの動作に及ぼす悪影響が大きくなるため、遮光層LSのサイズに関しては留意する必要がある。
なお、ゲート電極GEは、必要に応じてコア層LCを含んでいればよい。例えば、コア層LC無しにゲート電極GEを形成する場合、第2層L2がゲート電極GEのコア層となるように形成される。
上記のように、本実施形態に係る薄膜トランジスタTRは、トップゲート型薄膜トランジスタの構造をとっている。
上記のことから、第2の実施形態によれば、信頼性に優れた表示装置1を得ることができる。
シリコン層(第1層L1又は第3層L3)とチタン層(第2層L2又は第4層L4)との積層体を有していればよい。この場合においても、ゲート電極GE及び遮光層LSの少なくとも一方は大量の水素を蓄積することができるため、半導体層SMCまで到達する水素の量を一層低減することができる。例えば、半導体層SMCに光が照射されることの無い表示装置1の場合、表示装置1は遮光層LS無しに形成されていてもよい。
上述した薄膜トランジスタTRは、表示装置以外の半導体装置に適用可能であり、例えば、各種メモリ、又は各種センサに適用可能である。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極は前記半導体層の少なくとも一部と対向した、前記薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有する、表示装置。
[2]半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有する、表示装置。
[3]半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
シリコンを主成分とする第1層と、チタンを主成分とし前記第1層に接した第2層と、を有し、前記半導体層に対して前記ゲート電極の反対側に位置し、前記半導体層のチャネル領域と対向した遮光層と、
前記半導体層と前記遮光層との間に介在した他の絶縁層と、を備える、表示装置。
[4]前記半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛の少なくとも一を含む酸化物半導体層である[1]乃至[3]の何れか1に記載の表示装置。
[5]前記第1層は、前記第2層より前記半導体層側に位置している[1]乃至[3]の何れか1に記載の表示装置。
[6]前記第2層は、前記第1層より前記半導体層側に位置している[1]乃至[3]の何れか1に記載の表示装置。
[7]前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成している[1]乃至[3]の何れか1に記載の表示装置。
[8]シリコンを主成分とする第3層と、チタンを主成分とし前記第3層に接した第4層と、を有し、前記半導体層に対して前記ゲート電極の反対側に位置し、前記半導体層のチャネル領域と対向した遮光層と、
前記半導体層と前記遮光層との間に介在した他の絶縁層と、をさらに備える[2]に記載の表示装置。
[9]前記第3層は、前記第4層より前記半導体層側に位置している[8]に記載の表示装置。
[10]前記第3層及び第4層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成している[8]に記載の表示装置。
Claims (8)
- ゲート電極と、前記ゲート電極に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた酸化物半導体からなる半導体層と、を有する薄膜トランジスタであって、前記ゲート電極は前記半導体層の少なくとも一部と対向した、前記薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有し、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している、表示装置。 - 酸化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタを備え、
前記ゲート電極は、シリコンを主成分とする第1層とチタンを主成分とし前記第1層に接した第2層とを含み前記絶縁層に接した積層体を有し、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している、表示装置。 - 酸化物半導体からなる半導体層と、前記半導体層に重畳して設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記半導体層の少なくとも一部と対向したゲート電極と、を有する薄膜トランジスタと、
シリコンを主成分とする第1層と、チタンを主成分とし前記第1層に接した第2層と、を有し、前記半導体層に対して前記ゲート電極の反対側に位置し、前記半導体層のチャネル領域と対向した遮光層と、
前記半導体層と前記遮光層との間に介在した他の絶縁層と、を備え、
前記第1層及び第2層は、少なくともこれらの境界近傍にシリサイド化されたシリサイド領域を形成し、
前記シリサイド領域は水素を蓄積している、表示装置。 - 前記半導体層は、インジウム、ガリウム及び亜鉛の少なくとも一を含んでいる請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記第1層は、前記第2層より前記半導体層側に位置している請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- 前記第2層は、前記第1層より前記半導体層側に位置している請求項1乃至3の何れか1項に記載の表示装置。
- シリコンを主成分とする第3層と、チタンを主成分とし前記第3層に接した第4層と、を有し、前記半導体層に対して前記ゲート電極の反対側に位置し、前記半導体層のチャネル領域と対向した遮光層と、
前記半導体層と前記遮光層との間に介在した他の絶縁層と、をさらに備える請求項2に記載の表示装置。 - 前記第3層は、前記第4層より前記半導体層側に位置している請求項7に記載の表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014172553A JP6446204B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 表示装置 |
US14/834,933 US9647130B2 (en) | 2014-08-27 | 2015-08-25 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014172553A JP6446204B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016048285A JP2016048285A (ja) | 2016-04-07 |
JP6446204B2 true JP6446204B2 (ja) | 2018-12-26 |
Family
ID=55403497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014172553A Active JP6446204B2 (ja) | 2014-08-27 | 2014-08-27 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9647130B2 (ja) |
JP (1) | JP6446204B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019040026A (ja) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6960807B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-11-05 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214699A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP4531175B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2010-08-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5344205B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2013-11-20 | Nltテクノロジー株式会社 | 積層配線、該積層配線を用いた半導体装置及びその製造方法 |
JP4434262B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示パネル |
US8441016B2 (en) * | 2009-07-14 | 2013-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor, display device, and manufacturing method for thin-film transistors |
WO2011040213A1 (en) | 2009-10-01 | 2011-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US20120248450A1 (en) * | 2009-12-17 | 2012-10-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and method for producing same |
KR20150088324A (ko) | 2010-04-23 | 2015-07-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101895421B1 (ko) * | 2011-02-24 | 2018-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 배선, 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법들 |
US8952377B2 (en) * | 2011-07-08 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101991338B1 (ko) * | 2012-09-24 | 2019-06-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
JP2014132621A (ja) * | 2013-01-07 | 2014-07-17 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 薄膜デバイスの製造方法 |
JP2014154701A (ja) * | 2013-02-08 | 2014-08-25 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置 |
-
2014
- 2014-08-27 JP JP2014172553A patent/JP6446204B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-25 US US14/834,933 patent/US9647130B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9647130B2 (en) | 2017-05-09 |
JP2016048285A (ja) | 2016-04-07 |
US20160064568A1 (en) | 2016-03-03 |
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