KR102105369B1

KR102105369B1 - 표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판

Info

Publication number: KR102105369B1
Application number: KR1020130113855A
Authority: KR
Inventors: 김지선; 채종철; 권영근
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-09-25
Filing date: 2013-09-25
Publication date: 2020-04-29
Also published as: CN104464580A; US9501959B2; KR20150033944A; US20150084666A1; CN104464580B

Abstract

표시 기판용 모기판은 복수의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부 및 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부를 포함하고, 절단선에 의해 정의된 표시 기판, 상기 표시 기판을 둘러싸는 셀 주변 영역에 배치되고, 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드부, 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부 및 상기 게이트 검사 배선부에 연결되어 상기 게이트 검사 배선부의 쇼트(short) 및 오픈(open)을 제어하는 스위칭부를 포함한다. 이에 따르면, 상기 어레이 검사 공정이 진행되는 동안은 스위칭부를 턴-온 하여 상기 어레이 검사 공정을 수행하고, 상기 어레이 검사 공정 전후에는 상기 스위칭부를 턴-오프 하여 상기 정전기가 상기 표시 기판에 유입되는 것을 막을 수 있다. 상기 표시 기판에 형성된 게이트 회로부를 정전기로부터 보호할 수 있다.

Description

표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판{MOTHER SUBSTRATE FOR A DISPLAY SUBSTRATE, ARRAY TESTING METHOD THEREOF AND DISPLAY SUBSTRATE}

본 발명은 표시 기판용 모기판, 이의 검사 방법 및 표시 기판에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전기 방지를 위한 표시 기판용 모기판, 이의 어레이 검사 방법 및 표시 기판에 관한 것이다.

일반적으로 액정 표시 패널은 복수의 게이트 라인들, 복수의 데이터 라인들 및 복수의 화소들이 형성된 표시 기판과 상기 게이트 라인들에 게이트 신호를 출력하는 게이트 구동회로 및 상기 데이터 라인들에 데이터 신호를 출력하는 데이터 구동회로를 포함한다. 상기 게이트 구동회로 및 데이터 구동회로는 칩 형태로 상기 표시 기판에 실장된다.

각 화소는 화소 전극 및 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 데이터 라인, 게이트 라인 및 화소 전극과 연결되어, 상기 화소 전극을 구동한다.

최근에는 상기 액정 표시 장치의 사이즈를 감소시키면서 생산성을 증대시키기 위하여 상기 게이트 라인을 구동하는 게이트 구동회로를 표시 기판 상에 집적하는 방식이 사용되고 있다. 상기 표시 기판 상에 집적되는 게이트 구동회로는 상기 화소의 박막 트랜지스터와 동일한 제조 공정에 의해 제조된 박막 트랜지스터를 포함하고, 상기 게이트 구동회로의 박막 트랜지스터 역시 상기 화소의 상기 박막 트랜지스터와 동일한 액티브층으로 형성된다.

상기 표시 기판은 모기판 상에서 전기적 특성을 검사하는 어레이 검사 공정을 수행한다. 상기 어레이 검사 공정에서 정전기 유입에 의해 상기 표시 기판의 박막 트랜지스터가 손상될 수 있다. 특히, 상기 게이트 구동회로에 포함된 박막 트랜지스터가 손상되어 상기 표시 기판의 신뢰성을 저하시킬 수 있다.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 정전기 방지를 위한 표시 기판용 모기판을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 상기 표시 기판의 어레이 검사 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 표시 기판을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 기판용 모기판은 복수의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부 및 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부를 포함하고, 절단선에 의해 정의된 표시 기판, 상기 표시 기판을 둘러싸는 셀 주변 영역에 배치되고, 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드부, 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부 및 상기 게이트 검사 배선부에 연결되어 상기 게이트 검사 배선부의 쇼트(short) 및 오픈(open)을 제어하는 스위칭부를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 게이트 검사 패드부는 상기 스위칭부의 동작을 제어하는 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드, 및 상기 게이트 회로부의 구동을 제어하는 복수의 게이트 검사 신호들을 수신하는 복수의 게이트 검사 패드들을 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 병렬로 연결하는 복수의 스위칭 소자들을 포함하고, 상기 스위칭 소자들은 상기 검사 제어 신호에 응답하여 동작할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭 소자들 각각은 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함하고, 상기 복수의 트랜지스터들은 상기 검사 제어 신호에 응답하여 동작할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 연결하는 스위칭 소자를 포함하고, 상기 스위칭 소자는 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 게이트 패드부와 인접한 영역에 배치될 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 외부에 배치될 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 내부에 배치될 수 있다.

일 실시예에서, 상기 게이트 검사 신호들은 상기 게이트 회로부를 구동하기 위한 복수의 클럭 신호들, 복수의 오프 신호들 및 적어도 하나의 수직개시신호를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘을 포함할 수 있다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 복수의 데이터 라인들, 복수의 게이트 라인들 및 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부 및 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부를 포함하는 표시 기판용 모기판의 어레이 검사 방법은 상기 표시 기판의 어레이 검사 공정 중에는 상기 게이트 패드부와 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부를 쇼트(short)시키는 단계 및 상기 어레이 검사 공정의 전후에 상기 게이트 패드부와 상기 게이트 검사 패드부를 연결하는 상기 게이트 검사 배선부를 오픈(open)시키는 단계를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 게이트 검사 배선부는 스위칭부와 연결되고, 상기 어레이 검사 공정시 상기 스위칭부를 턴-온 시키는 단계 및 상기 어레이 검사 공정 전후에 상기 스위칭부를 턴-오프 시키는 단계를 더 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 게이트 검사 패드부는 상기 스위칭부의 동작을 제어하는 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드를 포함하고, 상기 어레이 검사 공정 중에 상기 검사 제어 패드에 상기 스위칭부를 턴-온 하는 검사 제어 신호를 인가하는 단계 및 상기 어레이 검사 공정 전후에 상기 검사 제어 패드에 상기 스위칭부를 턴-오프 하는 검사 제어 신호를 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 병렬로 연결하는 복수의 스위칭 소자들을 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 스위칭 소자들 각각은 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 상기 어레이 검사 공정 중에 상기 데이터 라인들과 연결된 데이터 패드부에 데이터 검사 신호를 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 기판은 표시 영역에 배치된 복수의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들과 교차하는 복수의 데이터 라인들, 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치되고, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부, 상기 게이트 회로부와 연결되고, 게이트 구동 신호를 수신하는 게이트 패드부 및 상기 게이트 패드부와 인접하고, 상기 게이트 패드부와 연결된 스위칭부를 포함한다.

일 실시예에서, 상기 스위칭부는 병렬로 배열된 복수의 스위칭 소자들을 포함하고, 각 스위칭 소자는 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 어레이 검사 공정이 진행되는 동안은 스위칭부를 턴-온 하여 상기 어레이 검사 배선을 도통하여 상기 어레이 검사 공정을 수행하고, 상기 어레이 검사 공정 전후에는 상기 스위칭부를 턴-오프 하여 상기 어레이 검사 배선을 단선하여 상기 정전기가 상기 표시 기판에 유입되는 것을 차단할 수 있다. 이에 따라서, 상기 표시 기판에 형성된 게이트 회로부를 정전기로부터 보호할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판용 모기판의 평면도이다.
도 2는 도 1의 어레이 검사부에 대한 확대도이다.
도 3은 도 1의 어레이 검사부에 대한 등가회로도이다.
도 4는 도 2의 스위칭부에 대한 확대도이다.
도 5는 도 1의 표시 기판에 대한 어레이 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6은 도 1의 어레이 검사부에 대한 동작 설명을 위한 개념도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 기판용 모기판의 평면도이다.

이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 기판용 모기판의 평면도이다.

도 1을 참조하면, 상기 모기판(500)은 표시 기판(100) 및 상기 표시 기판(100)을 둘러싸는 셀 주변 영역(CPA)을 포함한다.

상기 표시 기판(100)과 상기 셀 주변 영역(CPA)은 절단선(scribe line)(SL)에 의해 구분될 수 있으며, 상기 표시 기판(100)은 상기 절단선(SL)에 의해 정의될 수 있다.

상기 표시 기판(100)은 표시 영역(DA)과 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함한다.

상기 표시 영역(DA)은 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 화소 트랜지스터들(TR) 및 복수의 화소 전극들(PE)을 포함한다. 상기 데이터 라인들(DL)은 제1 방향(D1)으로 연장되고, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향(D2)으로 배열된다. 상기 게이트 라인들(GL)은 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 방향(D1)으로 배열된다. 상기 화소 트랜지스터들(TR)은 상기 데이터 라인들(DL) 및 상기 게이트 라인들(GL)에 연결된다. 상기 화소 전극들(PE)은 상기 화소 트랜지스터들(TR)에 연결된다.

상기 화소 트랜지스터(TR)는 산화물 반도체를 액티브 층으로 사용할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(indium: In), 아연(zinc: Zn), 갈륨(gallium: Ga), 주석(tin: Sn) 또는 하프늄(hafnium: Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다. 예를 들면, 상기 액티브 패턴(ACT)은 인듐 갈륨 아연 산화물(indium gallium zinc oxide: IGZO)을 포함할 수 있다.

또는, 상기 화소 트랜지스터(TR)는 아몰퍼스 실리콘을 액티브 층으로 사용할 수 있다.

상기 주변 영역(PA)에는 게이트 회로부(GCP) 및 패드부(PP)를 포함한다.

상기 게이트 회로부(GCP)는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 상기 회로 트랜지스터들은 상기 화소 트랜지스터(TR)와 동일한 제조공정에 의해 상기 주변 영역(PA)에 형성된다. 상기 회로 트랜지스터는 상기 화소 트랜지스터(TR)에 대응하여 산화물 반도체를 액티브 층으로 사용하거나, 아몰퍼스 실리콘을 액티브 층으로 사용할 수 있다. 상기 게이트 회로부(GCP)는 상기 게이트 라인들(GL)과 연결되어 상기 게이트 라인들(GL)에 게이트 신호를 제공한다.

상기 패드부(PP)는 상기 게이트 회로부(GCP)와 연결된 게이트 패드부(111) 및 상기 데이터 라인들(DL)과 연결된 데이터 패드부(112)를 포함한다. 상기 게이트 패드부(111)는 상기 게이트 회로부(GCP)에 제공되는 게이트 구동 신호를 수신한다. 상기 게이트 구동 신호는 수직개시신호, 복수의 클럭 신호들 및 복수의 오프 신호들을 포함한다. 상기 데이터 패드부(112)는 상기 데이터 라인들(DL)에 제공되는 데이터 신호를 수신한다.

상기 셀 주변 영역(CPA)에는 상기 표시 기판(100)의 전기적인 특성을 검사하는 어레이 검사 공정을 위한 어레이 검사부(200)가 배치된다. 상기 어레이 검사부(200)는 검사 패드부(210), 검사 배선부(220) 및 스위칭부(230)를 포함할 수 있다.

상기 어레이 검사 패드부(210)는 게이트 검사 패드부(211) 및 데이터 검사 패드부(212)를 포함한다.

상기 게이트 검사 패드부(211)는 상기 게이트 회로부(GCP)를 구동하기 위한 상기 게이트 구동 신호들에 대응하는 게이트 검사 신호들을 수신한다. 예를 들어, 상기 게이트 검사 신호들은 수직개시신호, 제1 클럭 신호, 상기 제1 클럭 신호와 다른 제2 클럭 신호, 제1 오프 전압, 및 상기 제1 오프 전압과 다른 제2 오프 전압을 포함할 수 있다.

상기 데이터 검사 패드부(212)는 상기 데이터 라인들(DL)을 구동하기 위한 데이터 검사 신호들을 수신한다. 상기 데이터 검사 신호들은 적어도 2개의 검사 신호들을 포함할 수 있다. 예를 들며, 2D 어레이 검사 공정인 경우, 홀수 번째 데이터 라인들을 구동하는 제1 데이터 검사 신호와 짝수 번째 데이터 라인들을 구동하는 제2 데이터 검사 신호를 포함할 수 있다. 또는 3D 어레이 검사 공정인 경우, 제3n-2 데이터 라인들을 구동하는 제1 데이터 검사 신호와, 제3n-1 데이터 라인들을 구동하는 제2 데이터 검사 신호 및 제3n 데이터 라인들을 구동하는 제3 데이터 검사 신호를 포함할 수 있다.

상기 검사 배선부(220)는 게이트 검사 배선부(221) 및 데이터 검사 배선부(222)를 포함한다.

상기 게이트 검사 배선부(221)는 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 표시 기판(100) 내에 배치된 상기 게이트 패드부(111)를 연결한다.

상기 데이터 검사 배선부(222)는 상기 데이터 검사 패드부(212)와 상기 표시 기판(100) 내에 배치된 상기 데이터 패드부(112)를 연결한다.

상기 스위칭부(230)는 상기 게이트 패드부(111)와 인접하게 배치되고, 상기 게이트 검사 배선부(221)에 연결된다. 상기 스위칭부(230)는 상기 게이트 검사 배선부(221)의 쇼트(short) 및 오픈(open)을 제어한다.

본 실시예에 따르면, 상기 스위칭부(230)는 어레이 검사 공정이 수행되는 동안 턴-온 되어 상기 게이트 검사 배선부(221)를 도통시키고 상기 어레이 검사 공정 전후에는 상기 게이트 검사 배선부(221)를 단선(disconnection)시킨다.

이에 따라서, 상기 어레이 검사 공정 중에는 상기 스위칭부(230)에 의해 상기 게이트 검사 배선부(221)는 게이트 검사 신호를 상기 게이트 패드부(111)에 전달하여 상기 어레이 검사 공정을 수행할 수 있다. 한편, 상기 어레이 검사 공정 전후에 상기 스위칭부(230)에 의해 상기 게이트 검사 배선부(221)가 단선되어 상기 정전기가 상기 표시 기판(100) 내에 유입되는 것을 차단할 수 있다. 결과적으로 상기 정전기에 의한 상기 게이트 회로부(GCP)의 손상을 막을 수 있다.

도 2는 도 1의 어레이 검사부에 대한 확대도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 어레이 검사부는 어레이 검사 패드부(210), 어레이 검사 배선부(220) 및 스위칭부(230)를 포함한다.

상기 게이트 검사 패드부(211)는 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드(211a) 및 복수의 게이트 검사 신호들을 수신하는 복수의 게이트 검사 패드들(211a, 211b, 211c, 211d, 211e, 211f)을 포함한다.

상기 검사 제어 패드(211a)는 상기 스위칭부(230)를 턴-온 및 턴-오프 하는 검사 제어 신호를 수신한다.

예를 들어, 제1 게이트 검사 패드(211b)는 제1 클럭 신호를 수신하고, 제2 게이트 검사 패드(211c)는 제2 클럭 신호를 수신하고, 제3 게이트 검사 패드(211d)는 제1 오프 전압을 수신하고, 제4 게이트 검사 패드(211e)는 제2 오프 전압을 수신하고, 제5 게이트 검사 패드(211f)는 수직개시신호를 수신할 수 있다.

상기 데이터 검사 패드부(212)는 복수의 데이터 검사 신호들을 수신하는 복수의 데이터 검사 패드들(212a, 212b)을 포함한다.

예를 들며, 2D 어레이 검사 공정인 경우, 제1 데이터 검사 패드(212a)는 홀수 번째 데이터 라인들의 데이터 패드들(112a, 112c,...)에 제공되는 제1 데이터 검사 신호를 수신하고, 제2 데이터 검사 패드(212b)는 짝수 번째 데이터 라인들의 데이터 패드들(112b, 112d,...)에 제공되는 제2 데이터 검사 신호를 수신할 수 있다.

상기 어레이 검사 배선부(220)는 게이트 검사 배선부(221) 및 데이터 검사 배선부(222)를 포함한다.

상기 게이트 검사 배선부(221)는 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 표시 기판(100) 내에 배치된 상기 게이트 패드부(111)를 연결한다. 상기 게이트 패드부(111)는 상기 제1 클럭 신호를 수신하는 제1 게이트 패드(111b), 상기 제2 클럭 신호를 수신하는 제2 게이트 패드(111c), 상기 제1 오프 전압을 수신하는 제3 게이트 패드(111d), 상기 제2 오프 전압을 수신하는 제4 게이트 패드(111e) 및 상기 수직개시신호를 수신하는 제5 게이트 패드(111f)를 포함할 수 있다.

상기 게이트 검사 배선부(221)는 검사 제어 배선(221a) 및 복수의 게이트 검사 배선들(221b, 221c, 221d, 221e, 221f)을 포함한다.

상기 검사 제어 배선(221a)은 상기 검사 제어 패드(211a)와 상기 스위칭부(230)를 연결하고, 상기 스위칭부(230)에 상기 검사 제어 신호를 전달한다.

제1 게이트 검사 배선(221b)은 상기 제1 스위치(231)를 통해 상기 제1 게이트 검사 패드(211b)와 상기 제1 게이트 패드(111b)를 연결한다.

제2 게이트 검사 배선(221c)은 상기 제2 스위치(232)를 통해 상기 제2 게이트 검사 패드(211c)와 상기 제2 게이트 패드(111c)를 연결한다.

제3 게이트 검사 배선(221d)은 상기 제3 스위치(233)를 통해 상기 제3 게이트 검사 패드(211d)와 상기 제3 게이트 패드(111d)를 연결한다.

제4 게이트 검사 배선(221e)은 상기 제4 스위치(234)를 통해 상기 제4 게이트 검사 패드(211e)와 상기 제4 게이트 패드(111e)를 연결한다.

제5 게이트 검사 배선(221f)은 상기 제5 스위치(235)를 통해 상기 제5 게이트 검사 패드(211f)와 상기 제5 게이트 패드(111f)를 연결한다.

상기 데이터 검사 배선부(222)는 복수의 데이터 검사 배선들(222a, 222b)을 포함한다. 상기 데이터 검사 배선들(222a, 222b)은 상기 2D 어레이 검사 공정에 대응하여 제1 데이터 검사 배선(222a) 및 제2 데이터 검사 배선(222b)을 포함한다.

상기 제1 데이터 검사 배선(222a)은 상기 제1 데이터 검사 패드(212a)와 상기 홀수 번째 데이터 라인들의 데이터 패드들(112a, 112c,)을 연결하고, 상기 제1 데이터 검사 신호를 전달한다.

상기 제2 데이터 검사 배선(222b)은 상기 제2 데이터 검사 패드(212b)와 상기 짝수 번째 데이터 라인들의 데이터 패드들(112b, 112d,)을 연결하고, 상기 제2 데이터 검사 신호를 전달한다.

상기 스위칭부(230)는 상기 게이트 검사 배선들(221b, 221c, 221d, 221e, 221f) 각각에 대응하여 상기 제1 스위치(231), 제2 스위치(232), 제3 스위치(233), 제4 스위치(234) 및 제5 스위치(235)를 포함한다.

상기 제1 내지 제5 스위치들(231, 232, 233, 234, 235)은 상기 검사 제어 패드(211a)로부터 수신된 상기 검사 제어 신호에 응답하여 상기 제1 내지 제5 게이트 검사 배선들(221b 221c, 221d, 221e, 221f)의 쇼트 및 오픈을 제어한다. 예를 들어, 상기 제1 내지 제5 스위치들(231, 232, 233, 234, 235)이 턴-온 되면 상기 제1 내지 제5 게이트 검사 배선들(221b 221c, 221d, 221e, 221f)이 도통되고, 상기 제1 내지 제5 스위치들(231, 232, 233, 234, 235)이 턴-오프 되면 상기 제1 내지 제5 게이트 검사 배선들(221b 221c, 221d, 221e, 221f)이 오픈 된다.

도 3은 도 1의 어레이 검사부에 대한 등가회로도이다. 도 4는 도 2의 스위칭부에 대한 확대도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제1 내지 제5 스위치들(231, 232, 233, 234, 235) 각각은 병렬로 연결된 복수의 스위칭 소자들을 포함한다. 각 스위칭 소자는 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함한다.

예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 스위치(231)는 병렬로 연결된 제1 스위칭 소자(SW1) 및 제2 스위칭 소자(SW2)를 포함한다. 상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 직렬로 연결된 제1 트랜지스터(T11) 및 제2 트랜지스터(T12)를 포함하고, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 직렬로 연결된 제3 트랜지스터(T21) 및 제4 트랜지스터(T22)를 포함한다.

상기 제1 및 제2 트랜지스터들(T11, T12) 각각은 제어 전극, 입력 전극 및 출력 전극을 포함한다. 예를 들어, 상기 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 동일한 금속층으로 형성될 수 있고, 상기 입력 및 출력 전극들은 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 동일한 금속층으로 형성될 수 있다.

상기 제1 트랜지스터(T11)의 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터(T11)의 입력 전극은 상기 제1 게이트 검사 패드(211a)측의 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 연결되고, 상기 제1 트랜지스터(T11)의 출력 전극은 상기 제2 트랜지스터(T12)와 연결된다.

상기 제2 트랜지스터(T12)의 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터(T21)의 입력 전극은 상기 제1 트랜지스터(T11)의 출력 전극과 연결되고, 상기 제2 트랜지스터(T21)의 출력 전극은 상기 제1 게이트 패드(111b) 측의 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 연결된다.

상기 제3 및 제4 트랜지스터들(T21, T22) 각각은 제어 전극, 입력 전극 및 출력 전극을 포함한다. 예를 들어, 상기 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 동일한 금속층으로 형성될 수 있고, 상기 소스 및 드레인 전극들은 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 동일한 금속층으로 형성될 수 있다.

상기 제3 트랜지스터(T21)의 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 연결되고, 상기 제3 트랜지스터(T21)의 입력 전극은 상기 제1 게이트 검사 패드(211a) 측의 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 연결되고, 상기 제3 트랜지스터(T21)의 출력 전극은 상기 제4 트랜지스터(T22)와 연결된다.

상기 제4 트랜지스터(T22)의 제어 전극은 상기 검사 제어 배선(221a)과 연결되고, 상기 제4 트랜지스터(T22)의 입력 전극은 상기 제3 트랜지스터(T21)의 출력 전극과 연결되고, 상기 제4 트랜지스터(T22)의 출력 전극은 상기 제1 게이트 패드(111b) 측의 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)과 연결된다.

상기 검사 제어 패드(211a)에 수신된 검사 제어 신호에 응답하여 상기 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 턴-온 또는 턴-오프 된다. 예를 들어, 상기 검사 제어 신호가 턴-온 신호인 경우 상기 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 턴-온 되어 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)은 도통된다. 상기 제1 게이트 검사 패드(211b)로부터 수신된 제1 게이트 검사 신호는 상기 제1 게이트 패드(111b)에 인가된다. 이에 따라서, 상기 표시 기판(100)의 상기 게이트 회로부(GCP)는 게이트 검사 신호가 인가되어 어레이 검사 공정이 수행될 수 있다.

한편, 상기 검사 제어 신호가 턴-오프 신호인 경우 상기 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)은 턴-오프 되어 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)은 오픈 된다. 상기 제1 게이트 검사 패드(211b)에 수신된 신호, 예컨대 정전기가 상기 제1 게이트 패드(111b)에 인가되는 것을 막을 수 있다.

이에 따라서, 상기 제1 및 제2 스위치 소자들(SW1, SW2)에 의해 상기 제1 게이트 검사 배선(221b)의 쇼트 및 오픈을 제어함으로써 상기 어레이 검사 공정 전후에 정전기가 상기 표시 기판(100)의 상기 게이트 회로부(GCP)에 유입되는 것을 차단할 수 있다.

도 5는 도 1의 표시 기판의 어레이 검사 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 1 내지 도 5를 참조하면, 상기 모기판(500)은 어레이 검사 공정 장치(미도시)에 로딩된다(단계 S100).

상기 어레이 검사 공정 장치는 상기 모기판(500)의 상기 게이트 검사 패드부(211) 중 상기 검사 제어 패드(211a)에 검사 제어 신호로서, 상기 스위칭부(230)를 턴-오프 시키는 오프 신호(Voff)를 인가한다(단계 S110).

상기 스위칭부(230), 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 스위칭 소자(SW1) 및 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 제어 신호로서, 상기 오프 신호(Voff)를 수신한다.

상기 제1 스위칭 소자(SW1)의 제1 및 제2 트랜지스터들(T11, T12)은 상기 오프 신호(Voff)에 응답하여 턴-오프 된다. 상기 제2 스위칭 소자(SW2)의 제3 및 제4 트랜지스터들(T21, T22)은 상기 오프 신호(Voff)에 응답하여 턴-오프 된다.

상기 스위칭부(230)가 턴-오프 됨에 따라서, 상기 모기판(500)의 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 게이트 회로부(GCP)의 상기 게이트 패드부(111)를 연결하는 상기 게이트 검사 배선부(221)가 오픈 상태가 된다. 이에 따라서, 상기 어레이 검사 공정 전 정전기가 상기 게이트 검사 패드부(211)에 유입되어도 상기 스위칭부(230)에 의해 상기 게이트 검사 배선부(221)가 오픈 상태이므로 상기 표시 기판(100)의 상기 게이트 회로부(GCP)에 유입되는 것을 막을 수 있다.

이어, 상기 어레이 검사 공정을 위해 상기 검사 제어 패드(211a)에 검사 제어 신호로서, 상기 스위칭부(230)를 턴-온 시키는 온 신호(Von)를 인가한다(단계 S120).

또한, 상기 어레이 검사 공정을 위해 상기 온 신호(Von)에 실질적으로 동일한 타이밍에 상기 게이트 검사 패드들(211a, 211b, 211c, 211d, 211e, 211f)에 게이트 검사 신호들을 인가하고, 상기 데이터 검사 패드들(212a, 212b)에 데이터 검사 신호들을 인가한다.

상기 스위칭부(230), 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 스위칭 소자(SW1) 및 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 온 신호(Von)를 수신한다.

상기 제1 스위칭 소자(SW1)의 제1 및 제2 트랜지스터들(T11, T12)은 상기 온 신호(Von)에 응답하여 턴-온 된다. 상기 제2 스위칭 소자(SW2)의 제3 및 제4 트랜지스터들(T21, T22)은 상기 온 신호(Von)에 응답하여 턴-온 된다.

상기 스위칭부(230)가 턴-온 됨에 따라서, 상기 모기판(500)의 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 게이트 회로부(GCP)의 상기 게이트 패드부(111)를 연결하는 상기 게이트 검사 배선부(221)가 쇼트 상태가 된다. 따라서, 상기 게이트 검사 패드들(211a, 211b, 211c, 211d, 211e, 211f)에 인가된 상기 게이트 검사 신호들은 상기 표시 기판(100)의 상기 게이트 패드들(111a, 111b, 111c, 111d, 111e, 111f)에 인가된다.

이에 따라서, 상기 게이트 회로부(GCP)는 상기 게이트 검사 신호들에 기초하여 복수의 게이트 신호들을 생성하고, 상기 게이트 라인들(GL)에 출력한다. 상기 데이터 검사 패드들(212a, 212b)에 인가된 상기 데이터 검사 신호들은 상기 표시 기판(100)의 상기 데이터 라인들(DL)에 인가된다. 상기 표시 기판(100)의 어레이 검사 공정이 시작된다(단계 S130).

이후, 상기 어레이 검사 공정이 완료되면(단계 S140), 상기 어레이 검사 장치는 다시 상기 검사 제어 패드(211a)에 검사 제어 신호로서, 상기 오프 신호(Voff)를 인가한다(단계 S150).

상기 스위칭부(230), 즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 스위칭 소자(SW1) 및 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 오프 신호(Voff)를 수신한다.

상기 스위칭부(230)가 턴-오프 됨에 따라서, 상기 모기판(500)의 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 게이트 회로부(GCP)의 상기 게이트 패드부(111)를 연결하는 상기 게이트 검사 배선부(221)가 오픈 상태가 된다.

이에 따라서, 상기 어레이 검사 공정 후, 정전기가 상기 게이트 검사 패드부(211)에 유입되어도 상기 스위칭부(230)에 의해 상기 게이트 검사 배선부(221)가 오픈 상태이므로 상기 표시 기판(100)의 상기 게이트 회로부(GCP)에 유입되는 것을 막을 수 있다.

본 실시예에 따르면, 상기 어레이 검사 공정이 진행되는 동안은 상기 스위칭부(230)를 턴-온 하여 상기 어레이 검사 공정을 수행하고, 상기 어레이 검사 공정 전후에는 상기 스위칭부(230)를 턴-오프 하여 상기 정전기가 상기 표시 기판(100)에 유입되는 것을 막을 수 있다.

이에 따라서, 상기 표시 기판(100)에 형성된 상기 게이트 회로부(GCP)를 정전기로부터 보호할 수 있다.

도 6은 도 1의 스위칭부에 대한 동작 설명을 위한 개념도이다.

도 1 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 상기 스위칭부(230)의 제1 스위치(231)는 상기 어레이 검사부(230)의 상기 게이트 검사 패드(211b)와 상기 게이트 회로부(GCP)의 상기 게이트 패드(111b)를 연결한다.

상기 제1 스위치(231)는 병렬로 연결된 복수의 스위칭 소자들, 즉, 상기 제1 스위칭 소자(SW1) 및 제2 스위칭 소자(SW2)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 스위칭 소자들(SW1, SW2) 각각은 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함한다. 즉, 상기 제1 스위칭 소자(SW1)는 상기 제1 및 제2 트랜지스터들(T11, T12)을 포함하고, 상기 제2 스위칭 소자(SW2)는 상기 제3 및 제4 트랜지스터들(T21, T22)을 포함한다.

상기 제1 스위칭 소자(SW1)가 직렬로 연결된 상기 제1 및 제2 트랜지스터들(T11, T12)을 포함함으로써, 정전기 유입시 앞단에 연결된 상기 제1 트랜지스터(T11)가 정전기에 의해 단락(short)되는 경우 상기 제2 트랜지스터(T12)에 의해 상기 게이트 검사 배선(221b)이 오픈 구조를 유지함으로써 상기 정전기가 유입되는 것을 막을 수 있다.

또한, 상기 제1 스위치(231)가 병렬로 연결된 상기 제1 및 제2 스위칭 소자들(SW1, SW2)을 포함함으로써, 정전기에 의해 상기 제1 스위칭 소자(SW1)가 오픈(open)되는 경우 상기 제2 스위칭 소자(SW2)를 동작하여 어레이 검사 공정을 수행할 수 있다.

상기 트랜지스터의 특성 및 보다 강건한 정전기 예방 구조를 위해서, 도시되지 않았으나, 상기 제1 스위치(231)는 2개 이상의 병렬로 연결된 스위칭 소자들을 포함할 수 있으며, 각 스위칭 소자는 직렬로 연결된 2개 이상의 트랜지스터들을 포함할 수 있다.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 기판용 모기판의 평면도이다.

본 실시예에 따른 모기판(600)은 스위칭부(230)의 위치를 제외하고는 이전 실시예에 따른 모기판(500)과 실질적으로 동일하므로, 동일한 구성요소에 대해서 동일한 도면부호를 부여하고 반복되는 설명을 생략한다.

도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 모기판(600)은 표시 기판(100) 및 상기 표시 기판(100)을 둘러싸는 셀 주변 영역(CPA)을 포함한다.

상기 표시 기판(100)의 상기 표시 영역(DA)은 복수의 데이터 라인들(DL), 복수의 게이트 라인들(GL), 복수의 화소 트랜지스터들(TR) 및 복수의 화소 전극들(PE)을 포함한다.

상기 표시 기판(100)의 상기 주변 영역(PA)에는 스위칭부(230), 게이트 패드부(111) 및 데이터 패드부(112)를 포함한다.

상기 스위칭부(230)는 상기 게이트 검사 배선들(221b, 221c, 221d, 221e, 221f) 각각에 대응하여 상기 제1 스위치(231), 제2 스위치(232), 제3 스위치(233), 제4 스위치(234) 및 제5 스위치(235)를 포함할 수 있다.

상기 게이트 패드부(111)는 복수의 게이트 패드들(111b 111c, 111d, 111e, 111f)을 포함한다.

상기 데이터 패드부(112)는 복수의 데이터 패드들(112a, 112b, 112c, 112d, )을 포함한다.

상기 셀 주변 영역(CPA)에는 게이트 검사 패드부(211), 데이터 검사 패드부(212), 게이트 검사 배선부(221) 및 데이터 검사 배선부(222)를 포함한다.

상기 게이트 검사 패드부(211)는 상기 스위칭부(230)의 동작을 제어하는 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드(211a) 및 복수의 게이트 검사 신호들을 수신하는 복수의 게이트 검사 패드들(211a, 211b, 211c, 211d, 211e, 211f)을 포함한다.

상기 데이터 검사 패드부(212)는 적어도 하나 이상의 데이터 검사 신호들을 수신하는 복수의 데이터 검사 패드들(212a, 212b,..)을 포함한다.

상기 게이트 검사 배선부(221)는 상기 게이트 검사 패드부(211)와 상기 표시 기판(100) 내에 배치된 상기 게이트 패드부(111)를 연결하고, 상기 복수의 게이트 검사 배선들(221b, 221c, 221d, 221e, 221f)을 포함한다.

상기 데이터 검사 배선부(222)는 상기 데이터 검사 패드부(212)와 상기 표시 기판(100) 내에 배치된 상기 데이터 패드부(112)를 연결하고, 복수의 데이터 검사 배선들(222a, 222b)을 포함한다.

본 실시예에 따르면, 상기 스위칭부(230)는 상기 절단선(SL)을 기준으로 상기 표시 기판(100) 내에 배치된다. 이에 따라서, 상기 스위칭부(230)는 어레이 검사 공정 이후 절단선(SL)을 따라 절단된 상기 표시 기판(100) 내에 남겨진다. 즉, 본 실시예에 따른 표시 기판(100)은 상기 스위칭부(230)를 포함한다.

한편, 상기 표시 기판(100) 상에 남겨진 상기 스위칭부(230)는 전기적으로 플로팅 상태이므로 상기 표시 기판(100)의 동작과는 무관하다.

이상의 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 어레이 검사 공정이 진행되는 동안은 상기 스위칭부(230)를 턴-온 하여 상기 어레이 검사 공정을 수행하고, 상기 어레이 검사 공정 전후에는 상기 스위칭부(230)를 턴-오프 하여 상기 정전기가 상기 표시 기판(100)에 유입되는 것을 막을 수 있다. 이에 따라서, 상기 표시 기판(100)에 형성된 상기 게이트 회로부(GCP)를 정전기로부터 보호할 수 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

100 : 표시 기판 200 : 어레이 검사부
210 : 어레이 검사 패드부 220 : 어레이 검사 배선부
230 : 스위칭부 111 : 게이트 패드부
112 : 데이터 패드부 GCP : 게이트 회로부
CPA : 셀 주변 영역 DA : 표시 영역
PA : 주변 영역
500, 600 : 모기판

Claims

복수의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부 및 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부를 포함하고, 절단선에 의해 정의된 표시 기판;
상기 표시 기판을 둘러싸는 셀 주변 영역에 배치되고, 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드 및 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드를 포함하는 게이트 검사 패드부;
상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부; 및
상기 게이트 검사 배선부에 연결되어 상기 게이트 검사 배선부의 쇼트(short) 및 오픈(open)을 제어하는 스위칭부를 포함하고,
상기 스위칭부는 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 병렬로 연결하는 복수의 스위칭 소자들을 포함하며, 상기 스위칭 소자들의 제어 전극들은 상기 검사 제어 패드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 스위칭부는
상기 게이트 패드부와 인접한 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자들 각각은
직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함하고,
상기 트랜지스터들의 제어 전극들은 상기 검사 제어 패드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제5항에 있어서, 상기 스위칭부는
상기 게이트 패드부와 인접한 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제5항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제5항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 게이트 검사 신호는 상기 게이트 회로부를 구동하기 위한 복수의 클럭 신호들, 복수의 오프 신호들 및 적어도 하나의 수직개시신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제1항에 있어서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
복수의 게이트 라인들, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부 및 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부를 포함하고, 절단선에 의해 정의된 표시 기판;
상기 표시 기판을 둘러싸는 셀 주변 영역에 배치되고, 검사 제어 신호를 수신하는 검사 제어 패드 및 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드를 포함하는 게이트 검사 패드부;
상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부; 및
상기 게이트 검사 배선부에 연결되어 상기 게이트 검사 배선부의 쇼트(short) 및 오픈(open)을 제어하는 스위칭부를 포함하고,
상기 스위칭부는 상기 게이트 검사 패드부와 상기 게이트 패드부를 직렬로 연결하는 복수의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 트랜지스터들의 제어 전극들은 상기 검사 제어 패드에 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 스위칭부는
상기 게이트 패드부와 인접한 영역에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 외부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 스위칭부는 상기 절단선을 기준으로 상기 표시 기판 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 게이트 검사 신호는 상기 게이트 회로부를 구동하기 위한 복수의 클럭 신호들, 복수의 오프 신호들 및 적어도 하나의 수직개시신호를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
제12항에 있어서, 상기 게이트 회로부는 복수의 회로 트랜지스터들을 포함하고, 각 회로 트랜지스터는 아몰퍼스 실리콘을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 기판용 모기판.
복수의 데이터 라인들, 복수의 게이트 라인들 및 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부, 상기 게이트 회로부에 연결된 게이트 패드부, 게이트 검사 신호를 수신하는 게이트 검사 패드를 포함하는 게이트 검사 패드부, 상기 게이트 패드부와 상기 게이트 검사 패드부를 병렬로 연결하는 복수의 스위칭 소자들 및 상기 스위칭 소자들 각각에 포함되며 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함하는 표시 기판용 모기판의 어레이 검사 방법에서,
상기 표시 기판의 어레이 검사 공정 중에는 상기 스위칭 소자들 및 상기 트랜지스터들을 턴-온시켜 상기 게이트 패드부와 상기 게이트 검사 패드부를 연결하는 게이트 검사 배선부를 쇼트(short)시키는 단계; 및
상기 어레이 검사 공정의 전후에 상기 스위칭 소자들 및 상기 트랜지스터들을 턴-오프시켜 상기 게이트 검사 배선부를 오픈(open)시키는 단계를 포함하는 어레이 검사 방법.
표시 영역에 배치된 복수의 게이트 라인들;
상기 게이트 라인들과 교차하는 복수의 데이터 라인들;
상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역에 배치되고, 상기 게이트 라인들을 구동하는 게이트 회로부;
상기 게이트 회로부와 연결되고, 게이트 구동 신호를 수신하는 게이트 패드부; 및
상기 게이트 패드부와 인접하고, 상기 게이트 패드부와 연결된 스위칭부를 포함하고,
상기 스위칭부는 병렬로 연결된 복수의 스위칭 소자들을 포함하고, 상기 스위칭소자들은 각각 직렬로 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함하며, 상기 스위칭 소자들 및 상기 트랜지스터들은 동일한 제어 신호에 응답하여 동작하는 것을 특징으로 하는 표시 기판.