KR102379775B1 - 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 표시패널 제작시 AP 배선 간의 쇼트 및 정전기 유입에 따른 회로 손상 등을 방지할 수 있는 표시장치를 제공한다. 이를 위해, 표시패널의 하부기판의 비표시영역 상에 스위칭 트랜지스터들을 위치시킨다. 스위칭 트랜지스터들은 AP 배선들의 일측과 타측 사이에 각각 위치한다.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시장치에 관한 것이다.
정보화 기술이 발달함에 따라 사용자와 정보 간의 연결 매체인 표시장치의 시장이 커지고 있다. 이에 따라, 유기전계발광표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 양자점표시장치(Quantum Dot Display; QDD), 액정표시장치(Liquid Crystal Display: LCD) 및 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel: PDP) 등과 같은 표시장치의 사용이 증가하고 있다.
액정표시장치, 전기영동표시장치 및 유기전계발광표시장치는 표시패널을 제작하고, 표시패널을 검사하는 검사공정이 진행된다. 검사공정에는 표시패널의 전반에 대한 전기적 검사(배선의 단락 및 점등 검사 등)를 수행할 수 있는 오토 프로브(Auto-probe) 검사가 이용될 수 있다.
오토 프로브 검사는 표시패널의 하부기판에 형성된 오토 프로브 검사 패드(이하 "AP 패드"라 함)에 검사용 니들(needle)을 접촉시킨 후 전기적인 검사신호를 인가하는 과정 등을 통해 진행된다. 검사신호는 AP 패드에 연결된 검사배선(이하 "AP 배선"이라 함)을 통해 표시패널에 인가된다.
통상 AP 패드의 경우 표시패널의 셀단위 절단공정 단계에서 잘려나가는 하부기판의 절단부의 외곽에 형성된다. 그런데 종래 제안된 기술에 따라 표시패널의 셀단위 절단공정을 진행하면, 절단공정 시 발생하는 이물에 의해 AP 배선 간의 쇼트가 유발되는 문제가 있어 이의 개선이 요구된다.
상술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 표시패널 제작시 AP 배선 간의 쇼트 및 정전기 유입에 따른 회로 손상 등을 방지하여 구동불량이나 전기적인 문제의 유발을 예방하고 생산 수율을 향상하는 것이다.
상술한 과제 해결 수단으로 본 발명은 픽셀들, 패드영역, AP 배선들 및 스위칭 트랜지스터들을 포함하는 표시장치를 제공한다. 픽셀들은 하부기판의 표시영역 상에 위치한다. 패드영역은 하부기판의 비표시영역 상에 위치한다. AP 배선들은 비표시영역 상에 위치하고 표시영역에 연결된다. 스위칭 트랜지스터들은 비표시영역 상에 위치하고 AP 배선들의 일측과 타측 사이에 각각 위치한다.
스위칭 트랜지스터들은 게이트전극이 공통으로 연결될 수 있다.
비표시영역 상에는 스위칭 트랜지스터들의 게이트전극에 공통으로 연결된 AP 패드가 위치할 수 있다.
스위칭 트랜지스터들은 게이트전극이 패드영역에 위치하는 패드부에 연결될 수 있다.
스위칭 트랜지스터들은 패드영역에 인접하여 배치될 수 있다.
스위칭 트랜지스터들은 수직 방향, 수평 방향 또는 사선 방향으로 배치될 수 있다.
스위칭 트랜지스터들은 하부기판에 위치하는 저전위전압라인 또는 고전위전압라인에 게이트전극이 공통으로 연결될 수 있다.
AP 배선들은 제1 내지 제3AP 배선을 포함하고, 스위칭 트랜지스터들은 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터를 포함하고, 제1 내지 제3AP 배선들의 일측은 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터의 제1전극에 각각 연결되고, 제1 내지 제3AP 배선들의 타측은 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터의 제2전극에 각각 연결될 수 있다.
제1 내지 제3AP 배선들의 타측은 단선된 상태일 수 있다.
제1 내지 상기 제3스위칭 트랜지스터는 N타입 또는 P타입으로 이루어질 수 있다.
본 발명은 표시패널 제작시 AP 배선 간의 쇼트 및 정전기 유입에 따른 회로 손상 등을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 AP 배선 간의 쇼트가 발생하더라도 표시패널의 구동불량이나 전기적인 문제의 유발을 예방할 수 있다. 또한, 본 발명은 쇼트 발생 영역의 복구를 위한 수작업 등의 불필요한 공정을 생략할 수 있게 되므로 작업성 향상은 물론 생산 수율을 향상할 수 있다.
도 1은 표시장치를 개략적으로 나타낸 블럭도.
도 2는 원형 스마트워치의 표시패널을 나타낸 평면도.
도 3은 원형 스마트워치의 표시패널의 절단공정을 나타낸 도면.
도 4 및 도 5는 실험예에 따른 표시패널의 셀단위 절단공정을 나타낸 도면들.
도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 셀단위 절단공정을 나타낸 도면들.
도 8 및 도 9는 AP 패드들의 위치에 따른 다른 실시 예시도.
도 10은 스위칭 트랜지스터들의 타입에 따른 다른 실시 예시도.
도 11은 스위칭 트랜지스터들의 타입에 대응한 검사신호 예시도.
도 12는 스위칭 트랜지스터들의 타입에 대응한 신호라인의 접속 구조 예시도.
이하, 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 첨부된 도면을 참조하여 설명한다.
액정표시장치, 전기영동표시장치 및 유기전계발광표시장치는 표시패널을 제작하고, 표시패널을 검사하는 검사공정이 진행된다. 검사공정에는 표시패널의 전반에 대한 전기적 검사(배선의 단락 및 점등 검사 등)를 수행할 수 있는 오토 프로브(Auto-probe) 검사가 이용될 수 있다.
오토 프로브 검사는 표시패널에 연결된 오토 프로브 검사 패드(이하 "AP 패드"라 함)에 검사용 니들(needle)을 접촉시킨 후 전기적인 신호를 인가하는 과정 등을 통해 진행된다.
표시장치는 텔레비젼, 셋톱박스, 네비게이션, 영상 플레이어, 블루레이 플레이어, 개인용 컴퓨터(PC), 홈시어터, 웨어러블 기기 및 스마트폰(모바일폰) 등으로 구현된다. 표시장치의 표시패널은 액정표시패널, 유기발광표시패널 및 전기영동표시패널 등이 선택될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이하 유기발광표시패널을 기반으로 구현된 웨어러블 기기 예컨대, 스마트워치를 일례로 본 발명에 대해 설명을 구체화하나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 1은 표시장치를 개략적으로 나타낸 블럭도이고, 도 2는 원형 스마트워치의 표시패널을 나타낸 평면도이며, 도 3은 원형 스마트워치의 표시패널의 절단공정을 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 표시장치(100)는 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(150), 터치 구동부(190), 타이밍 제어부(170), 호스트 시스템(1000) 및 표시패널(110)을 포함한다.
데이터 구동부(130)는 타이밍 제어부(170)로부터 입력되는 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 아날로그 정극성/부극성 감마보상전압으로 변환하여 데이터 신호를 공급한다. 데이터 구동부(130)는 다수의 픽셀에 연결된 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급한다.
데이터 구동부(130)는 소스 드라이브 IC(Source Drive IC, DIC)를 포함한다. 소스 드라이브 IC(DIC)는 COF(Chip on film), TCP(tape carrier packages) 등과 같은 연성회로기판 상에 실장될 수 있다. 또한, 데이터 구동부(130)는 파워 IC(PIC)를 포함한다. 파워 IC(PIC)는 공통전압, 게이트 하이 전압, 게이트 로우 전압, 감마기준전압 등 표시패널(110)의 구동에 필요한 전압을 출력한다.
게이트 구동부(150)는 픽셀 어레이와 함께 표시패널(110)에 내장된다. 표시패널(110)에 내장된 게이트 구동부(150)는 GIP(Gate In Panel) 방식으로 박막 트랜지스터 공정과 함께 형성된다. 게이트 구동부(150)는 비표시영역(BZ) 내에 표시영역(AA)의 주변을 따라 형성된다.
게이트 구동부(150)는 시프트 레지스터(Shift Register)를 포함한다. 시프트 레지스트는 종속적으로 접속된 다수의 스테이지(Stage)들을 포함한다. 스테이지들은 스타트 신호에 응답하여 출력을 발생하고, 그 출력을 시프트 클럭에 따라 시프트 시킨다. 이를 위해, 시프트 레지스터에는 스타트 신호, 시프트 클럭, 구동 전압 등이 공급된다.
한편, 도 1에서는 게이트 구동부(150)가 표시패널(110)에 내장되는 것을 일례로 도시하였으나 이에 한정되지 않고, 데이터 구동부(130)와 같이 연성회로기판 상에 IC 형태로 실장될 수 있다.
타이밍 제어부(170)는 호스트 시스템(1000)으로부터 입력되는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 메인 클럭(MCLK) 등의 타이밍 신호를 입력받아 데이터 구동부(130)와 게이트 구동부(150)의 동작 타이밍을 제어한다.
터치 구동부(190)는 자기(Self) 정전 용량이나 상호(Mutual) 정전 용량 방식으로 구현되는 터치 센서를 통해 손가락의 터치 위치 정보를 검출한다. 터치 구동부(190)는 검출된 손가락의 터치 위치 정보를 호스트 시스템(1000)으로 전송한다.
호스트 시스템(1000)은 스케일러(scaler)를 내장한 SoC(System on chip)를 포함하며 입력 영상의 디지털 비디오 데이터를 표시패널(110)에 표시하기에 적합한 포맷으로 변환한다. 호스트 시스템(1000)은 입력 영상의 디지털 비디오 데이터와 함께 각종 타이밍 신호들(Vsync, Hsync, DE, MCLK)을 타이밍 제어부(170)에 전송한다. 또한, 호스트 시스템(1000)은 터치 구동부(190)로부터 입력되는 터치 위치 정보에 연계된 응용 프로그램을 실행한다.
표시패널(110)은 다수의 픽셀들, 다수의 터치 센서들 및 픽셀들에 연결된 데이터 라인들, 픽셀들에 연결된 게이트 라인들, 게이트 구동 전원을 게이트 구동부에 공급하는 전원 라인들 및 터치 센서들에 연결된 센서 라인들이 배치된 표시영역(AA)과 표시영역(A/A)의 외곽에 위치하는 비표시영역(또는 베젤영역)(BZ)을 포함한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 표시패널(110)은 예컨대 원형 형상으로 형성된다. 그러나 표시패널(110)은 원형뿐만 아니라 사각형, 직사각형, 다각형, 타원형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
표시패널(110)은 비표시영역(BZ) 내에서 상하로 이격된 둘 이상의 패드부(111a, 111b)를 포함한다. 패드부(111a, 111b)는 표시패널(110)의 하부기판 상에 정의된 비표시영역(BZ)의 최외곽의 끝단에 배치된다.
패드부(111a, 111b)는 데이터 신호를 전달하는 복수의 데이터 패드, 게이트 구동 전원을 전달하는 복수의 게이트 구동 전원 패드, 픽셀에 전원을 전달하는 복수의 픽셀 전원 패드 및 센서 신호를 전달하는 복수의 센서 패드를 포함한다.
패드부(111a, 111b)는 데이터 라인들, 게이트 라인들, 센서 라인들 및 전원 라인들(PSL) 중 제1그룹에 속한 라인들을 제1구동 회로부에 전기적으로 연결하는 제1패드부(111a) 및 데이터 라인들, 게이트 라인들, 센서 라인들 및 전원 라인들(PSL) 중 제2그룹에 속한 라인들을 제2구동 회로부에 전기적으로 연결하는 제2 패드부(111b)로 정의된다.
제1구동 회로부 및 제2구동 회로부는 데이터 구동부(130)와 실질적으로 동일한 기능과 동작을 하지만, 이들은 표시패널(110)의 구조에 따라 하나의 구동 회로로 구성되거나 물리적 및 위치적으로 구분(분리)될 수 있다. 이하에서는, 설명을 용이하게 하기 위해 연성회로기판(180) 상에 실장된 데이터 구동부(130)로 통일하여 설명하기로 한다. 연성회로기판(180)은 이방성도전필름(ACF) 등에 의해 제1 및 제2패드부(111a, 111b)에 전기적으로 연결된다.
제1패드부(111a)는 표시패널(110)의 하부기판의 상단에 배치된다. 제2패드부(111b)는 제1 패드부(111a)와 대향하는 표시패널(110)의 하부기판의 하단에 배치된다. 터치패드(120)는 제1패드부(111a)와 제2패드부(111b) 사이에 위치하는 비표시영역(BZ)의 일측면에 배치된다. 이와 같이, 터치패드(120)는 제1패드부(111a) 및 제2패드부(111b)와 중첩되지 않도록 배치되는 것이 바람직하다.
도 3의 (a)에 도시된 바와 같이, 앞서 설명된 표시패널(110)은 원장기판(110M) 상에 셀단위로 구분되어 형성된다. 원장기판(110M)은 소자가 형성되는 하부기판과 하부기판 상에 형성된 소자를 밀봉하는 상부기판을 포함할 수 있다.
도 3의 (b)에 도시된 바와 같이, 원장기판(110M)에 형성된 표시패널(110)은 셀단위 절단공정 단계를 거친 후 비로소 하나의 표시패널(110)이 된다. 절단공정은 레이저(LSR)를 이용한 레이저 트리밍(Laser trimming)을 이용할 수 있다.
그런데 표시패널의 셀단위 절단공정을 진행하면, 절단공정 시 발생하는 이물(재, 파티클, 부산물 등으로 표현될 수 있고 이는 절단부위 및 그 주변에 위치하는 구조물이나 환경에 따라 다양한 이물이 섞일 수 있음)에 의해 AP 배선 간의 쇼트가 유발되는 문제가 있다.
이하에서는 실험예의 문제를 고찰하고 이를 해결 및 개선할 수 있는 실시예를 설명한다.
다만, 이하에서는 레이저를 이용한 레이저 트리밍으로 셀단위 절단공정을 진행하는 것을 일례로 설명하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또한, 이하에서는 설명의 이해를 돕기 위해 데이터 구동부(130)가 실장된 연성회로기판(180)이 부착된 상태에서 절단공정을 진행하는 것을 일례로 설명하나, 이는 절단공정 후 부착될 수도 있다.
도 4 및 도 5는 실험예에 따른 표시패널의 셀단위 절단공정을 나타낸 도면들이고, 도 6 및 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 표시패널의 셀단위 절단공정을 나타낸 도면들이다.
-실험예: 절단공전 진행 전-
도 4에 도시된 바와 같이, 표시패널(110)은 원장기판(110M) 상에 셀단위로 구분되어 형성된다. 표시패널(110)은 적색, 녹색 및 청색 서브 픽셀(RGB)을 갖는 표시영역(AA)과 데이터 구동부(130)가 실장된 연성회로기판(180)이 부착되는 패드부(111a)를 갖는 패드영역(PA) 등을 갖는다. 패드영역(PA)은 비표시영역(BZ)에 위치한다.
원장기판(110M)의 일측에는 AP 패드들(APPAD)이 위치한다. AP 패드들(APPAD)은 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)를 포함한다. 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)는 제1 내지 제3AP 배선(APL1 ~ APL3)을 통해 표시패널(110)에 전기적으로 연결된다. 제1 내지 제3AP 배선(APL1 ~ APL3)은 원장기판(110M)의 일측에 배선되어 표시패널(110)의 하부기판의 패드영역(PA)을 지나 표시영역(AA)으로 들어가도록 배선된다.
위와 같은 구조로 셀을 형성한 후에는 표시패널(110)을 검사하는 검사공정이 진행된다. 검사공정에는 표시패널(110)의 전반에 대한 전기적 검사(배선의 단락 및 점등 검사 등)를 수행할 수 있는 오토 프로브(Auto-probe) 검사가 이용될 수 있다.
오토 프로브 검사는 표시패널(110)에 연결된 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)에 검사용 니들(needle)을 접촉시킨 후 전기적인 검사신호를 인가하는 과정 등을 통해 진행된다.
-실험예: 절단공전 진행 후-
도 5에 도시된 바와 같이, 셀단위 절단공정 단계를 거친 후 표시패널(110)은 원장기판으로부터 분리된다. 표시패널(110)의 셀단위 절단공정을 진행한 후 표시패널(110)을 확인한 결과, 절단공정 시 발생하는 이물(재, 파티클, 부산물 등으로 표현될 수 있고 이는 절단부위 및 그 주변에 위치하는 구조물이나 환경에 따라 다양한 이물이 섞일 수 있음)에 의해 AP 배선들(APL1 ~ APL3) 간의 쇼트가 유발되는 문제가 나타났다. 특히 AP 배선들(APL1 ~ APL3) 간의 쇼트 문제는 절단공정(Cutting) 후 발생 된 재(Ash)에 의해 가장 많이 나타났다.
그러므로 실험예는 절단공정 후 발생된 쇼트 문제를 해소할 수 없는 것으로 나타났다. 이와 같이, 실험예는 쇼트 발생 영역의 복구를 위한 수작업 등의 불필요한 공정을 더 진행해야 하는바 작업성 저하는 물론 생산 수율 저하가 야기되는 것으로 나타났다.
-실시예: 절단공전 진행 전-
도 6에 도시된 바와 같이, 실시예에서는 AP 배선들(APL1 ~ APL3) 간의 쇼트 문제를 해결하기 위해 AP 배선들(APL1 ~ APL3)의 경로 사이에 쇼트 방지 역할을 하는 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)을 배치한다. 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)은 표시패널(110)의 하부기판에 배치된다.
스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)의 제1전극(예: 소오스전극)은 표시패널(110)의 표시영역(AA)에 연결된 일측 제1 내지 제3AP 배선(APL1 ~ APL3)에 각각 연결되고 제2전극(예: 드레인전극)은 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)에 연결된 타측 제1 내지 제3AP 배선(APL1 ~ APL3)에 각각 연결된다.
스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)의 게이트전극은 공통으로 묶여 제4AP 패드(PAD4)에 연결된다. 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)의 게이트전극은 예컨대 제4AP 배선(APL4)에 의해 공통으로 묶인(연결된) 후 제4AP 패드(PAD4)에 연결될 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
위와 같은 구조로 셀을 형성한 후에는 표시패널(110)을 검사하는 검사공정이 진행된다. 검사공정에는 표시패널(110)의 전반에 대한 전기적 검사(배선의 단락 및 점등 검사 등)를 수행할 수 있는 오토 프로브(Auto-probe) 검사가 이용될 수 있다.
오토 프로브 검사는 표시패널(110)에 연결된 제1 내지 제4AP 패드(PAD1 ~ PAD3)에 검사용 니들(needle)을 접촉시킨 후 전기적인 검사신호를 인가하는 과정 등을 통해 진행된다.
다만, 실시예는 실험예와 달리 추가된 제4AP 패드(PAD4)에 신호를 인가하고 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)를 턴온시킨 후 검사신호를 인가해야 한다. 그 이유는 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)를 턴온시켜야만 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)에 인가된 검사신호가 표시패널(110)의 하부기판의 표시영역(AA)에 전달되기 때문이다.
-실시예: 절단공전 진행 후-
도 7에 도시된 바와 같이, 셀단위 절단공정 단계를 거친 후 표시패널(110)은 원장기판으로부터 분리된다. 앞서 실험예에 따라 표시패널(110)의 셀단위 절단공정을 진행한 후 표시패널(110)을 확인한 결과, 절단공정 시 발생하는 이물에 의해 AP 배선들(APL1 ~ APL3) 간의 쇼트가 발생하더라도 표시패널(110)에는 그 영향이 미치지 않았다. 그 이유는 오토 프로브 검사시에만 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)이 턴온되기 때문이다.
이와 같이, 실시예의 구조는 오토 프로브 검사시에만 AP 배선들(APL1 ~ APL3)을 통해 공급된 검사신호를 표시패널(110)의 표시영역(AA) 내에 전달하는 경로가 설정된다. 그리고 오토 프로브 검사(절단공정 이후도 포함)가 종료된 이후 검사신호를 전달하는 경로는 차단된다.
이를 위해, 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)의 게이트전극 및 제4AP 패드(PAD4)는 패드영역(PA)에 위치하며, 패드부(111a) 중에 고전위전원라인 또는 저전위전원라인을 전달하는 패드에 연결된다. 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)는 고전위전원라인 또는 저전위전원라인을 통해 전달된 전원에 의해 턴오프를 유지하게 된다.
따라서, 오토 프로브 검사(절단공정 이후도 포함)가 종료된 이후 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)은 턴오프 상태가 되므로 검사신호는 표시패널(110)의 표시영역(AA) 내에 전달되지 않는다.
그러므로 실시예의 구조는 절단공정 이후 이물에 의해 AP 배선들(APL1 ~ APL3) 간의 쇼트가 발생하더라도 표시패널(110)의 구동불량이나 전기적인 문제의 유발을 예방할 수 있다. 또한, 실시예의 구조는 쇼트 발생 영역의 복구를 위한 수작업 등의 불필요한 공정을 생략할 수 있게 되므로 작업성 향상은 물론 생산 수율을 향상할 수 있다.
이하, AP 패드들의 위치, 스위칭 트랜지스터들의 위치 및 스위칭 트랜지스터들의 타입에 따른 다른 실시예에 대해 설명한다.
도 8 및 도 9는 AP 패드들의 위치에 따른 다른 실시 예시도이고, 도 10은 스위칭 트랜지스터들의 타입에 따른 다른 실시 예시도이며, 도 11은 스위칭 트랜지스터들의 타입에 대응한 검사신호 예시도이고, 도 12는 스위칭 트랜지스터들의 타입에 대응한 신호라인의 접속 구조 예시도이다.
[AP 패드들의 위치에 따른 다른 실시예]
도 8의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4AP 패드(PAD1 ~ PAD4)는 패드영역(PA)과 인접한 원장기판(110M) 상에 형성될 수 있다. 제1 내지 제4AP 패드(PAD1 ~ PAD4)를 원장기판(110M)에 형성하면 절단공정에 의해 이들은 모두 제거된다. 따라서, 제1 내지 제4AP 패드(PAD1 ~ PAD4)는 최종 결과물인 표시패널(110) 상에 존재하지 않는다.
도 8의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)는 패드영역(PA)과 인접한 원장기판(110M) 상에 형성될 수 있고, 제4AP 패드(PAD4)는 패드부(111a)의 외측에 인접한 패드영역(PA) 상에 형성될 수 있다.
제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)를 원장기판(110M)에 형성하고, 제4AP 패드(PAD4)를 패드영역(PA) 상에 형성하면 절단공정에 의해 제4AP 패드(PAD4)만 남고 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)는 모두 제거된다. 따라서, 제1 내지 제3AP 패드(PAD1 ~ PAD3)는 최종 결과물인 표시패널(110) 상에 존재하지 않는다.
[스위칭 트랜지스터들의 위치에 따른 다른 실시예]
도 9의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA) 상에 수직 방향으로 배치된다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA)의 최외곽 경계선을 따라 수직 방향으로 배치될 수 있다.
표시패널(110)의 하부기판의 패드영역(PA) 상의 잔여 공간에 협소한 경우 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치할 수 있다.
도 9의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA) 상에 사선 방향(대각선)으로 배치된다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA)에서 최외곽 경계선을 따라 계단 지게 배치될 수 있다.
표시패널(110)의 하부기판의 패드영역(PA)이 직선형이 아닌 최외곽 경계선을 따라 계단 지게 (또는 원형에 가깝게) 형성될 경우 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치할 수 있다.
도 9의 (c)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA) 상에 수평 방향으로 배치된다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 연성회로기판(180)과 인접하는 패드영역(PA) 상에 수평 방향으로 배치될 수 있다.
제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치하면 검사용 니들의 접촉을 용이하게 할 수 있다. 또한, 표시패널(110)을 모듈화한 이후 추가 검사가 필요할 경우 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치할 수 있다.
도 9의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 하부기판의 패드영역(PA) 상에 수평 방향으로 배치된다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 표시영역(AA)과 인접하는 패드영역(PA) 상에 수평 방향으로 배치될 수 있다.
제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치하면 검사용 니들의 접촉을 용이하게 할 수 있다. 또한, 표시패널(110)을 모듈화한 이후 추가 검사가 필요할 경우 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 이와 같이 배치할 수 있다.
[스위칭 트랜지스터들의 타입에 따른 다른 실시예]
도 10의 (a), 도 11의 (a) 및 도 12의 (a)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 N타입 트랜지스터로 이루어질 수 있다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)가 N타입 트랜지스터로 이루어진 경우, 제4AP 패드(PAD4)에는 로직하이전압(H)이 공급된다.
제4검사신호가 되는 로직하이전압(H)은 검사공정 시작 시(AP TEST 시작), 검사기기로부터 공급된다. 이밖에 제1 내지 제3AP 패드(AP1 ~ AP3)에 공급되는 제1 내지 제3검사신호 또한 검사기기로부터 공급된다.
제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 N타입 트랜지스터로 이루어지므로 로직하이전압(H)이 공급되면 모두 동시에 턴온되는 반면 로직로우전압(L)이 공급되면 모두 동시에 턴오프된다.
앞서 설명하였듯이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 검사공정을 진행할 때에만 턴온 상태를 유지하고 이후 검사공정이 종료되면 턴오프 상태(또는 플로팅 상태)를 유지하는 것이 좋다.
N타입 트랜지스터로 이루어진 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 턴오프 상태로 유지하기 위해, 이들의 게이트전극을 표시패널 상에 존재하는 저전위전압라인(예: GND)에 접속시킬 수 있다.
도 10의 (b), 도 11의 (b) 및 도 12의 (b)에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 P타입 트랜지스터로 이루어질 수 있다. 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)가 P타입 트랜지스터로 이루어진 경우, 제4AP 패드(PAD4)에는 로직로우전압(L)이 공급된다.
제4검사신호가 되는 로직로우전압(L)은 검사공정 시작 시(AP TEST 시작), 검사기기로부터 공급된다. 이밖에 제1 내지 제3AP 패드(AP1 ~ AP3)에 공급되는 제1 내지 제3검사신호 또한 검사기기로부터 공급된다.
제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 P타입 트랜지스터로 이루어지므로 로직로우전압(L)이 공급되면 모두 동시에 턴온되는 반면 로직하이전압(H)이 공급되면 모두 동시에 턴오프된다.
앞서 설명하였듯이, 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)는 검사공정을 진행할 때에만 턴온 상태를 유지하고 이후 검사공정이 종료되면 턴오프 상태(또는 플로팅 상태)를 유지하는 것이 좋다.
P타입 트랜지스터로 이루어진 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)를 턴오프 상태로 유지하기 위해, 이들의 게이트전극을 표시패널 상에 존재하는 고전위전압라인(예: VDD)에 접속시킬 수 있다.
위의 실시예들에 따라, 제4AP 패드(PAD4)는 패드영역(PA)에 부착되는 연성회로기판(180)의 패드에 연결된다. 특히, 제4AP 패드(PAD4)는 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)의 타입(N타입 또는 P타입 여부)에 따라 저전위전압라인(예: GND) 또는 고전위전압라인(예: VDD)을 전달하는 패드에 연결될 수 있다.
제4AP 패드(PAD4)를 위와 같이 접속시키면 검사공정 이후 표시패널(110)이 모듈화되고 정상동작을 할 경우 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)은 턴오프된 상태를 유지하게 된다.
도 12에서 STR은 절단공정 이후 표시패널에 외곽에 잔존하는 AP 배선들의 타측 끝단을 의미한다. AP 배선들의 타측 끝단은 절단공정이 진행된 절단부에 대응하여 끊어진 상태(단선된 상태)가 된다.
그러므로 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터(ATR1 ~ ATR3)의 제2전극에 연결된 AP 배선들의 타측 끝단(STR)의 경우, 그 무엇과도 전기적으로 접속되지 않은바, 전기적으로 플로팅된 상태가 된다.
한편, 표시패널은 이후 제품화되기 전에 추가로 진행되는 공정이 있다. 그런데 이들 공정을 진행하거나 또는 표시패널에 플라스틱 구조물 등을 장착하는 등의 공정이나 자연 상태 등에서 정전기가 유입될 수 있다.
AP 배선의 타측 끝단(STR)은 정전기 등이 유입되는 경로 역할을 할 수 있다. AP 배선들을 통해 정전기나 과전류(기타 다른 전위) 등이 유입될 경우 표시패널(110)의 하부기판의 표시영역(AA) 내에 존재하는 픽셀들이 손상될 수 있다.
따라서, 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)을 전기적으로 플로팅(floating)된 상태로 두는 것보다 위와 같이 특정 전압에 게이트전극을 연결하고 완전히 턴오프 상태를 유지시키는 것이 바람직하다.
즉, 본 발명에 따른 스위칭 트랜지스터들(ATR1 ~ ATR3)은 특정 전압에 게이트전극을 연결하고 완전히 턴오프 상태를 유지하기 때문에 외부로부터 정전기나 과전류(기타 다른 전위) 등이 유입될 경우의 문제 또한 예방 및 방지할 수 있다.
본 발명은 웨어러블 기기와 같은 소형 표시장치를 기반으로 구현되거나 레이저를 이용한 절단공정을 진행하는 소형의 원형 표시패널 제작시 AP 배선(들) 간의 쇼트 및 정전기 유입에 따른 회로 손상 등을 방지함에 있어 탁월한 효과가 있다. 본 발명은 소형 표시장치뿐만 아니라 기타 중형이나 대형 표시장치 제작시에도 적용 가능함은 물론이다.
이상 본 발명은 표시패널 제작시 AP 배선 간의 쇼트 및 정전기 유입에 따른 회로 손상 등을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 AP 배선 간의 쇼트가 발생하더라도 표시패널의 구동불량이나 전기적인 문제의 유발을 예방할 수 있다. 또한, 본 발명은 쇼트 발생 영역의 복구를 위한 수작업 등의 불필요한 공정을 생략할 수 있게 되므로 작업성 향상은 물론 생산 수율을 향상할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 한다. 아울러, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어진다. 또한, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시장치 130: 데이터 구동부
150: 게이트 구동부 190: 터치 구동부
170: 타이밍 제어부 1000: 호스트 시스템
110: 표시패널 111a, 111b: 패드부
110M: 원장기판 180: 연성회로기판
APL1 ~ APL3: 제1 내지 제3AP 배선
AP1 ~ AP4: 제1 내지 제4AP 패드
ATR1 ~ ATR3: 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터

Claims (10)

  1. 하부기판의 표시영역 상에 위치하는 픽셀들;
    상기 하부기판의 비표시영역 상에 위치하는 패드영역;
    상기 비표시영역 상에 위치하고 상기 표시영역에 연결된 AP 배선들; 및
    상기 비표시영역 상에 위치하고 상기 AP 배선들의 일측과 타측 사이에 각각 위치하는 스위칭 트랜지스터들을 포함하고,
    상기 스위칭 트랜지스터들은 턴오프된 상태가 유지되도록 상기 하부기판에 위치하는 전압원에 게이트전극이 공통으로 연결된 표시장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비표시영역 상에는
    상기 스위칭 트랜지스터들의 게이트전극에 공통으로 연결된 AP 패드가 위치하는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터들은
    게이트전극이 상기 패드영역에 위치하는 패드부에 연결된 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터들은
    상기 패드영역에 인접하여 배치된 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터들은
    수직 방향, 수평 방향 또는 사선 방향으로 배치된 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스위칭 트랜지스터들은
    상기 하부기판에 위치하는 저전위전압라인 또는 고전위전압라인에 게이트전극이 공통으로 연결된 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 AP 배선들은 제1 내지 제3AP 배선을 포함하고,
    상기 스위칭 트랜지스터들은 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터를 포함하고,
    상기 제1 내지 제3AP 배선들의 일측은 상기 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터의 제1전극에 각각 연결되고,
    상기 제1 내지 제3AP 배선들의 타측은 상기 제1 내지 제3스위칭 트랜지스터의 제2전극에 각각 연결된 표시장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3AP 배선들의 타측은
    단선된 상태인 표시장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 내지 상기 제3스위칭 트랜지스터는
    N타입 또는 P타입으로 이루어진 표시장치.
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