JP5153922B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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Description
画素電極の第1の領域の幅o:1.0μm画素電極203aの電位:+5V画素電極203bの電位:−5V対向電極201の電位:0V
図2にラビング方向205〜206を示す。ツイスト角が90°である。液晶の配向はTN方式である。
画素電極203aの電位:+5V画素電極203bの電位:−5V対向電極201の電位:0V画素のピッチp:18μm
このとき、画素の端からの光漏れ及びディスクリネーションの幅(x)は図11と図12で全く変わらなかった。
これは、隣接する画素電極が3μmの幅の透明導電膜300により接続されているためである。ライン反転駆動を仮定して、画素電極301aに+5Vの電位を与えている。かつ、画素電極301bに−5Vの電位を与えている。凸構造を有する基板のラビング方向302を図中に示す。凸構造を有する基板と対向する基板のラビング方向は、ラビング方向302と直交する。
図33(a)の上面図を鎖線H−H’で切断した断面を図33(c)に示す。図33(a)と同じ部位は同一の符号を用いる。基板303上に形成された画素電極301a、301bの端部が凸部304にかかる。隣接する画素電極301a、301bの距離は2.0μmと一定にして、凸部上に重なる画素電極の幅つまり、画素電極の第1の領域の幅305を変えて、液晶の配向を確認した。画素電極の第1の領域の幅は−1.0μm、0μm、0.5μm、1.0μmである。
セルギャップは4.5μm、凸部の高さは0.5μm、画素のピッチは18μmである。
の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシリコンゲルマニウム(SiGe)合金などで形成すると良い。
0.5〜2000cm/s程度の速度でレーザ光に対して相対的に半導体膜を移動させて照射すると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、非晶質半導体膜の結晶化に際し、大粒径に結晶を得るためには、連続発振が可能な固体レーザを用い、基本波の第2高調波〜第4高調波を適用するのが好ましい。代表的には、Nd:YVO4レーザー(基本波1064nm)の第2高調波(532nm)や第3高調波(355nm)を適用する。なお、基本波に対する高調波は、非線形光学素子を用いることで得ることができる。例えば、エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数30Hzとし、レーザーエネルギー密度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。また、YAGレーザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数1〜10kHzとし、レーザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)とすると良い。そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率(オーバーラップ率)を80〜98%として行う。
ゲート絶縁膜407はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150nmとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、120nmの厚さの酸化窒化シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Ortho Silicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することができる。このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後400〜500℃の熱アニールによりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
には低めのRF(13.56MHz)電力を投入し、第1のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。W膜を異方性エッチングして第2の形状の導電層427〜432を得る。
pチャネル型TFT502にはチャネル形成領域463、ゲート電極を形成する導電層439と重なる第5の不純物領域446、ソース領域またはドレイン領域として機能する第6の不純物領域451を有している。nチャネル型TFT503にはチャネル形成領域464、ゲート電極を形成する導電層440と重なる第3の不純物領域447(GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される第4の不純物領域452(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域425を有している。
pチャネル型TFT502にはチャネル形成領域463、ゲート電極を形成する導電層439と重なる第5の不純物領域446、ソース領域またはドレイン領域として機能する第6の不純物領域451を有している。nチャネル型TFT503にはチャネル形成領域464、ゲート電極を形成する導電層440と重なる第3の不純物領域447(GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される第4の不純物領域452(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域425を有している。
本発明を表示部2402に適用することができる。
Claims (3)
- 第1のトランジスタと、
第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第1の画素電極と、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第2の画素電極と、
前記第1の画素電極の上方と前記第2の画素電極の上方とに設けられた液晶と、
前記液晶を挟んで前記第1の画素電極と前記第2の画素電極とに対向する部分を有する電極と、
前記第1の画素電極の下方と前記第2の画素電極の下方とに設けられた凸部と、を有し、
前記第1の画素電極は、前記凸部と重なる第1の部分と、前記凸部と重ならない第2の部分と、を有し、
前記第2の画素電極は、前記凸部と重なる第3の部分と、前記凸部と重ならない第4の部分と、を有し、
前記凸部は、前記第1の部分が設けられた平面から前記第2の部分が設けられた平面までの高さと同じ高さを有する第5の部分と、前記第3の部分が設けられた平面から前記第4の部分が設けられた平面までの高さと同じ高さを有する第6の部分と、を有し、
前記第5の部分の高さは、セルギャップに対して4.4%以上15.6%以下であり、
前記第6の部分の高さは、セルギャップに対して4.4%以上15.6%以下であり、
前記第1の部分は、幅が0.5μm以上である部分を有し、
前記第3の部分は、幅が0.5μm以上である部分を有すること特徴とする液晶表示装置。 - トランジスタと、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極の上方に設けられた液晶と、
前記液晶を挟んで前記画素電極と対向する部分を有する電極と、
前記画素電極の下方に設けられた凸部と、を有し、
前記画素電極は、前記凸部と重なる第1の部分と、前記凸部と重ならない第2の部分と、を有し、
前記凸部は、前記第1の部分が設けられた平面から前記第2の部分が設けられた平面までの高さと同じ高さを有する第3の部分を有し、
前記第3の部分の高さは、セルギャップに対して4.4%以上15.6%以下であり、
前記第1の部分は、幅が0.5μm以上である部分を有すること特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1又は請求項2に記載の液晶表示装置と、操作スイッチとを有することを特徴とする電子機器。
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