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- H01L29/78627—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile with a significant overlap between the lightly doped drain and the gate electrode, e.g. GOLDD
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Description
関する。例えば、液晶表示パネルに代表される電気光学装置およびその様な電気光学装置
を部品として搭載した電子機器に関する。
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
全般を指す。素子としては、例えば、薄膜トランジスタ、MOSトランジスタ、ダイオー
ドがある。
いて薄膜トランジスタ(TFT)を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ICや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に液晶表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
、画素電極の各々に接続するスイッチング素子としてTFTを用いたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置が注目を集めている。
量を持たせるとともに、高開口率化が求められている。各画素が高い開口率を持つことに
より光利用効率が向上し、表示装置の省電力化および小型化が達成できる。
微細化は1つの画素に占めるTFT及び配線の形成面積が大きくなり画素開口率を低減さ
せている。
必要な回路要素を効率よくレイアウトすることが不可欠である。
求められている。
期使用しても、液晶の配向が変化せず、一定の表示を行うことが求められている。
した。
図17の上面図に示す画素構造を作製した。図17は図16の部分拡大図である。図16
の上面図を鎖線A―A’で切断した断面を図9に示す。図16及び図17の上面図を鎖線
C―C’で切断した断面を図2に示す。
絶縁膜を介して交差してゲート電極としての機能を有する。また、第1の電極485及び
第2の半導体膜493を容量電極とし、ゲート絶縁膜を誘電体膜として保持容量を形成す
る。つまり、第1の電極はゲート電極及び容量電極としての機能を兼ねている。そして、
ゲート配線481は第1の電極485と開口部(コンタクトホール)で接続されている。
いる。かつ、第2の電極492は画素電極491と接する領域を有する。第2の電極49
2により、第2の半導体膜493は画素電極491と同電位になる。
第1の電極はゲート電位を、第2の電極492とコンタクトホールを介して接続する第2
の半導体膜は画素電極491の電位を有する。
481、ソース配線483、画素電極491といった、TFT素子の配線、電極を3枚の
フォトマスクで形成し、同時にこの3枚のフォトマスクで保持容量をも形成していること
が特徴である。また、ソース配線483上に絶縁膜(図示せず)を介して画素電極491
を重ねることができるので開口率を高くすることができる。図16において、43μm×
126μmのVGAの画素で54%もの開口率を達成している。
駆動電源を切った後も残るという現象が観察されて、長期信頼性という面で不安を残した
。以下に、この現象を実験結果に基づいて説明する。
デオ電圧を±1V印加しているときと、駆動電源を切った後の液晶表示装置の画素部の配
向とを観察した結果を図20〜図21に示す。図20は液晶配向の顕微鏡写真である。図
21はゲート配線481付近の液晶配向を図示したものである。図17と同じ要素は図2
1において同じ数字で示す。
ている。配向膜は日産化学社製のSE7792を用いている。液晶の配向はTN方式であ
る。配向の観察は光学顕微鏡において液晶表示装置を反射光と透過光が同時に入射するよ
うにしている。顕微鏡の光学系を調節して、透過光に対しても、反射光に対しても偏光板
がクロスニコルの配置となるようにしている。液晶の配向変化が見やすいように、対向基
板にはあえて遮光膜を設けなかった。
配向において特異的な現象は見られなかった。
の液晶の配向を調べた。
図21(B)に示す。ビデオ電圧の値が液晶のしきい値以下のため、画素電極491上方
の液晶はスイッチングしない。ゲート配線481及び第1の電極485上方の液晶は+8
V若しくは―8Vのゲート電圧が印加されるため、液晶が電界に対し応答し、液晶の長軸
が基板面に対し垂直に配向している。液晶が電界により応答し、垂直に配向するためクロ
スニコルの偏光板下で黒く見える領域601がある。液晶の配向は、画素電極、ゲート配
線、第1の電極、対向電極の電位に応じたものであり、何ら特異な配向を示したわけでは
ない。
85上方の液晶の配向が固定されて残っていた。特に、数回の試験において、保持容量上
方の液晶が駆動電源を切っても、配向が固定されて残っている傾向があった。この領域を
602で示す。液晶の配向領域602は駆動電源を切ったのち、画素電極491上方の液
晶配向と同様の状態にまで緩和するのに10分〜15分の時間がかかった。
、駆動電源を切って液晶の配向を調べた。
室温での配向写真を図18〜図19に示す。図18は配向写真を示す。
図19は画素部における液晶の配向を図示したものである。図19において、図17と同
じ要素は同じ数字で示す。観察は室温で行っている。
晶の配向が固定されていた(図18(A)、図19(A))。液晶の配向が固定された領
域を603で示す。
B)、図19(B)に示す。ゲート配線481及び第1の電極485は―8Vのゲート電
圧が印加されるため、上方の液晶が電界に対し応答し、液晶の長軸が基板面に対し垂直に
配向している。液晶が電界により応答し、垂直に配向するためクロスニコルの偏光板下で
黒く見える領域604がある。
電圧を±1V印可しているときに、第1の電極485上方に見られた液晶の配向のうち一
部が固定されていた。駆動電源を切ったのちも残る液晶の配向領域を605で示す。
上方で液晶の配向が駆動電源を切っても固定されて残るという現象が見られた。
は信頼性試験が経過するにつれて長くなった。1000時間の信頼性試験を終えた後では
、液晶が画面全体に渡り、均一な配向となるまでの時間が1時間を越えた。信頼性試験が
1000時間を経過しても、液晶の配向が固定された領域が出る位置は、変わらず、第1
の電極上方であった。
くなる傾向があった。この様な結果があると、特に、投影型の液晶表示装置で、駆動電源
を切ったのちの液晶の配向緩和時間が長くなる可能性がでてくる。
。このような不安定要素があると液晶表示装置の長期信頼性を確保できるか難しくなるか
らである。
ある。しかしながら、対向基板に遮光膜を設けると対向基板と素子基板とのアライメント
ずれにより開口率が低下し、表示品位の低下をもたらすおそれが生じる。
源を切った後も表示光は目に入るため、液晶の配向の緩和に時間がかかると、使用者の目
に液晶の緩和過程による明暗の変化がそのまま認識される。反射型の液晶表示装置は明る
さを稼ぐために対向基板に遮光膜を設けないことが多いため、なおさら、駆動電源を切っ
た後の配向の緩和過程が透過型の液晶表示装置に比べ認識されやすい。
去し、表示品位を向上し及び長期信頼性を確保する液晶表示装置を提供することを課題と
する。
の上方の液晶の配向が駆動電源を切った後に残る原因を考えた。原因として、駆動電源を
切った後も第1の電極に電荷が残り、この第1の電極に残った電荷によってできる電界に
沿って液晶が配向していると考えた。
を介して接続していることから、接触抵抗が高く、構造的な要因から第1の電極上の電荷
が放電されにくかったためと考えた。
2の電極により遮蔽する。これにより、電極上に残留した電荷によりできる電界により、
液晶の配向が変化し、その配向が固定されて残る現象を低減する。
夫した。本発明の、画素部の上面図を図4及び図5に示す。画素部において、本発明の特
徴を示す断面図を図1に示す。図1及び図4及び図5において、図16及び図17と同じ
要素は同じ数字で示している。図1において、鎖線B―B’は、図4及び図5の上面図を
鎖線B―B’で切断したものである。
ることが特徴である。すると、駆動電源を切った後に固定されて残る液晶の配向が実用に
問題のない範囲にまで低減することがわかった。このとき、第1の電極485の面積の7
0%が第2の電極492と重なるようにした。
てゲート配線481に接する第1の電極485と、コンタクトホール804を介して第2
の電極492に接する第2の半導体膜493とを電極として、ゲート絶縁膜を誘電体膜と
して形成される。
の透過型の液晶表示装置の駆動前の画素部の液晶の配向と、ビデオ電圧を±1V印加して
いるときの液晶の配向と、駆動電源を切った後の液晶の配向とを図12〜図13に示す。
して確認したものである。液晶は画素部の全体に渡り、一様なツイスト配向をしている。
いるときの液晶の配向を、偏光顕微鏡を通して確認したものである。第1の電極485上
方に、第2の電極492を重ねている。このため、第1の電極485によりできる電界は
第2の電極により遮蔽されている。
されているため、第2の電極上方の液晶はスイッチングしない。
電界に対し、応答している。この領域を606で示す。
晶の配向を示す。第1の電極485上方の液晶の配向は通常の配向に戻っていた。
性材料をパターニングして形成された柱状スペーサであり、液晶の配向が乱れているわけ
ではない。
。それでも、第1の電極上方の液晶は通常の配向に戻っており、特異な配向はなかった。
の配向を図10及び図11に示す。100時間駆動して駆動電源を切った直後(図10(
A)、図11(A))と、ビデオ電圧を±1Vに設定して数分駆動して(図10(B)、
図11(B))駆動電源を切った後(図10(C)、図11(C))とも、液晶の配向が
固定された領域は見られなかった。つまり、図11(A)及び図11(C)に示すように
、第1の電極485上方の液晶の配向に特に異常は無い。図11(B)において、駆動時
にゲート配線の電圧により液晶がスイッチングしている領域を606で示す。
液晶の配向は速やかに、通常の状態に戻った。
と、図18(C)において比較すると本発明の有用性が良くわかる。つまり、本発明によ
り、図18(C)において見られた、第1の電極485上方の液晶の配向が固定された領
域がほとんどなくなり、駆動電源を切っても液晶の配向が速やかに、元に戻った。
領域が実用に問題のない範囲にまで低減した。本発明では、第1の電極485の面積の7
0%が第2の電極492と重なっている。もちろん、第1の電極485の面積と重なる第
2の電極492の面積を増やすほど、液晶の配向が固定されて残る領域が少なくなる。
容量の面積と重なる第2の電極492の面積を増やすほど、液晶の配向が固定されて残る
領域が少なくなる。
び図17の上面図を鎖線C-C’で切断したものである。
明電極をパターニングしてできる対向電極702よりなる。対向基板とアクティブマトリ
クス基板には配向膜703が形成されている。配向膜のラビング方向705及び706は
直交するものとする。液晶はツイスト角が90°のツイスト配向をしている。
の配向を図2(A)に示す。ドレイン電極482及び画素電極491と対向電極702の
間には−5Vの電圧差があり、ゲート配線481は―8Vの電圧がかかっており、上方の
液晶分子は基板面に対し垂直に配向している。第1の電極485上方は、第1の層間絶縁
膜472及び第2の層間絶縁膜473による電圧損失は若干あるものの、液晶にしきい値
電圧以上の電圧がかかり、液晶が電界により応答している。第2の電極492上方は第2
の電極492に接する画素電極の電位である+5Vがかかっている。
し、複数の電極と第1の電極485の間にできる電界にしたがって液晶分子707が配向
する。つまり、第1の電極485の上方に液晶分子707の配向が固定されたまま残る。
、液晶分子707の配向が固定されたまま残る。
に戻る。
電極485とゲート配線481が、コンタクトホールを介して接続していることから、接
触抵抗等が高く、構造的な要因から第1の電極上の電荷が放電されにくかったためと考え
られる。
5の画素部を有するアクティブマトリクス基板を用いて、透過型の液晶表示装置を作製し
たものである。図4及び図5のアクティブマトリクス基板を鎖線B―B’で切断した断面
を示している。
電極をパターニングしてできる対向電極702よりなる。対向基板とアクティブマトリク
ス基板には配向膜703が形成されている。配向膜のラビング方向705及び706は直
交する。基板間には液晶が注入されている。
の配向を図1(A)に示す。ドレイン電極482及び画素電極491は−5Vの電位を有
する。隣接する画素の画素電極と接する第2の電極492は+5Vの電位を有する。ゲー
ト配線481は―8Vの電位を有する。液晶分子707が基板面に対し垂直に配向するの
に十分な電圧がかかっている。
電荷があっても、第2の電極492によりこの電荷による電界が遮蔽される。このため、
第1の電極485上方の液晶の配向は電圧が0Vの時に示す、ツイスト配向をしている。
かる。本発明を適用した、図1(B)の構成は、駆動電源を切った後に第1の電極485
に電荷が残留してできる電界を第2の電極492が遮蔽し、液晶層に電界が漏洩するのを
防止する効果がある。これにより、駆動電源を切ったのちに、液晶の配向が固定されて残
らず、もとの配向に戻る。
ことにより、表示を行う半導体装置に広く適用可能である。
2の電極により遮蔽することにより、電極上に残留した電荷によりできる電界により、液
晶の配向が変化し、駆動電源を切った後もその配向が固定されて残る現象を低減させるこ
とができる。これにより、長期信頼性が高く、表示品位の良好な表示装置を実現すること
ができる。
トリクス基板の画素部の上面図を示す。図1は図5の画素部の上面図をB―B’で切断し
た断面を示す。
されたソース配線483と、ゲート配線とソース配線の交差部近傍の画素TFTを有する
画素部と、nチャネル型TFTやpチャネル型TFTを有する駆動回路とを含む。なお、
ゲート配線とはゲート配線481がゲート電極485と電気的に接続したものを示す。
成されている。第1の半導体膜484は実用に際しTFT素子の活性層として機能する。
第2の半導体膜493は後述する保持容量505の容量電極として機能する。
5、ソース配線483を形成する。
の層間絶縁膜は酸化珪素、酸化窒化珪素のような無機膜を用いる。第1の層間絶縁膜の膜
厚は10nm〜400nmとする。第2の層間絶縁膜はアクリル樹脂膜、ポリイミド樹脂
膜、ベンゾシクロブテン(BCB)膜のような有機樹脂膜を用いる。第2の層間絶縁膜の
膜厚は0.8〜1.6μmとする。第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜の二層を合わせ
た膜厚は2.0μm以下と薄い。第1の層間絶縁膜と第2の層間絶縁膜の比誘電率は3.
0〜4.0である。
01〜805を形成する。
2の電極492、ドレイン電極482を形成する。
接続電極480を介して電気的に接続する。
に接続する。
接続する。
る。
極492に重なるように形成する。
電極とする。ゲート絶縁膜(図示せず)を保持容量の誘電体膜として機能する。第2の半
導体膜493は画素電極491と同電位になる。第1の電極485はゲート配線と同電位
になる。
。または、第2の電極の代りに、画素電極491又は画素電極及び第2の電極が、第1の
電極485の面積の70%以上と重なるようにしても良い。つまり、導電性を有する半導
体膜が第1の電極の面積の70%以上と重なるようにする。
が保持容量の面積の少なくとも90%以上と重なるようにすると良い。
ミ、銀等で形成し、画素電極の機能を持たせて、反射型の液晶表示装置とすることも可能
である。
が2.0μm以下と薄いときは、残留した電荷によりできる電界が液晶に分圧されてかか
り、駆動電源を切った後も液晶の配向が固定されて残りやすい。
の電極から形成される保持容量の上方の液晶の配向は速やかにもとに戻る。
)で遮蔽し、液晶層に電界が漏洩するのを防ぐことができるからである。
こととする。
持容量と、表示領域の周辺に設けられる駆動回路のTFTを同時に作製する方法について
工程に従って詳細に説明する。
れる駆動回路(信号線駆動回路、走査線駆動回路等)のTFTを同一基板上に作製する方
法について工程に従って説明する。但し、説明を簡単にするために、駆動回路部にはその
基本構成回路であるCMOS回路を、画素部の画素TFTにはnチャネル型TFTとを、
ある経路に沿った断面により図示することにする。
などに代表されるバリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどのガ
ラスから成る基板400上に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜
などの絶縁膜から成る下地膜401を形成する。例えば、プラズマCVD法でSiH4、
NH3、N2Oから作製される酸化窒化シリコン膜401aを10〜200nm(好ましくは
50〜100nm)形成し、同様にSiH4、N2Oから作製される酸化窒化水素化シリコン
膜401bを50〜200nm(好ましくは100〜150nm)の厚さに積層形成する。
本実施例では下地膜401を2層構造として示したが、前記絶縁膜の単層膜または2層以
上積層させた構造として形成しても良い。
知の熱結晶化法を用いて作製した結晶質半導体膜で形成する。この島状半導体膜402〜
406の厚さは25〜80nm(好ましくは30〜60nm)
の厚さで形成する。結晶質半導体膜の材料に限定はないが、好ましくはシリコンまたはシ
リコンゲルマニウム(SiGe)合金などで形成すると良い。
エキシマレーザーやYAGレーザー、YVO4レーザーを用いる。これらのレーザーを用
いる場合には、レーザー発振器から放射されたレーザー光を光学系で線状に集光し半導体
膜に照射する方法を用いると良い。結晶化の条件は実施者が適宣選択するものであるが、
エキシマレーザーを用いる場合はパルス発振周波数30Hzとし、レーザーエネルギー密
度を100〜400mJ/cm2(代表的には200〜300mJ/cm2)とする。また、YAGレー
ザーを用いる場合にはその第2高調波を用いパルス発振周波数1〜10kHzとし、レー
ザーエネルギー密度を300〜600mJ/cm2(代表的には350〜500mJ/cm2)とすると
良い。
そして幅100〜1000μm、例えば400μmで線状に集光したレーザー光を基板全
面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の重ね合わせ率(オーバーラップ率)を80
〜98%として行う。
ゲート絶縁膜407はプラズマCVD法またはスパッタ法を用い、厚さを40〜150n
mとしてシリコンを含む絶縁膜で形成する。本実施例では、120nmの厚さの酸化窒化
シリコン膜で形成する。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化シリコン膜に限定され
るものでなく、他のシリコンを含む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例
えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマCVD法でTEOS(Tetraethyl Ort
ho Silicate)とO2とを混合し、反応圧力40Pa、基板温度300〜400℃とし、高周
波(13.56MHz)電力密度0.5〜0.8W/cm2で放電させて形成することができる。
このようにして作製される酸化シリコン膜は、その後400〜500℃の熱アニールによ
りゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができる。
2の導電膜409とを形成する。本実施例では、第1の導電膜408をTaNで50〜1
00nmの厚さに形成し、第2の導電膜409をWで100〜300nmの厚さに形成す
る。
ッ化タングステン(WF6)を用いる熱CVD法で形成することもできる。いずれにして
もゲート電極として使用するためには低抵抗化を図る必要があり、W膜の抵抗率は20μ
Ωcm以下にすることが望ましい。W膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図るこ
とができるが、W中に酸素などの不純物元素が多い場合には結晶化が阻害され高抵抗化す
る。このことより、スパッタ法による場合、純度99.9999%のWターゲットを用い
、さらに成膜時に気相中からの不純物の混入がないように十分配慮してW膜を形成するこ
とにより、抵抗率9〜20μΩcmを実現することができる。
、いずれもTa、W、Ti、Mo、Al、Cuから選ばれた元素、または前記元素を主成
分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をド
ーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜を用いてもよい。本実施例以外の組
み合わせとしては、第1の導電膜をタンタル(Ta)で形成し、第2の導電膜をWとする
組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)で形成し、第2の導電膜をAlとす
る組み合わせ、第1の導電膜を窒化タンタル(TaN)で形成し、第2の導電膜をCuと
する組み合わせなどがある。
第1のエッチング処理を行う。本実施例ではICP(Inductively Coupled Plasma:誘導
結合型プラズマ)エッチング法を用い、エッチング用ガスを混合し、1Paの圧力でコイル
型の電極に500WのRF(13.56MHz)電力を投入してプラズマを生成して行う。基板側
(試料ステージ)にも100WのRF(13.56MHz)電力を投入し、実質的に負の自己バイ
アス電圧を印加する。エッチングガスを適宜選択することによりW膜及びTaN膜とも同
程度にエッチングされる。
、基板側に印加するバイアス電圧の効果により第1の導電層及び第2の導電層の端部がテ
ーパー部の角度が15〜45°のテーパー形状となる。ゲート絶縁膜上に残渣を残すこと
なくエッチングするためには、10〜20%程度の割合でエッチング時間を増加させると
良い。W膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は2〜4(代表的には3)であるので、
オーバーエッチング処理により、酸化窒化シリコン膜が露出した面は20〜50nm程度エ
ッチングされることになる。こうして、第1のエッチング処理により第1の導電層と第2
の導電層から成る第1の形状の導電層417〜422(第1の導電層417a〜422a
と第2の導電層417b〜422b)を形成する。416はゲート絶縁膜であり、第1の
形状の導電層417〜422で覆われない領域は20〜50nm程度エッチングされ薄くな
った領域が形成される。
(B))ドーピングの方法はイオンドープ法若しくはイオン注入法で行えば良い。イオン
ドープ法の条件はドーズ量を1×1013〜5×1014atoms/cm2とし、加速電圧を60〜
100keVとして行う。n型を付与する不純物元素として15族に属する元素、典型的
にはリン(P)または砒素(As)を用いるが、ここではリン(P)を用いる。この場合
、導電層417〜420がn型を付与する不純物元素に対するマスクとなり、自己整合的
に第1の不純物領域423〜426が形成される。第1の不純物領域423〜426には
1×1020〜1×1021atomic/cm3の濃度範囲でn型を付与する不純物元素を添加する。
い、反応性ガスをチャンバーに導入して、コイル型の電極に所定のRF電力(13.56MHz)を
供給し、プラズマを生成して行う。基板側(試料ステージ)には低めのRF(13.56MHz)
電力を投入し、第1のエッチング処理に比べ低い自己バイアス電圧を印加する。W膜を異
方性エッチングして第2の形状の導電層427〜432を得る。
ピング処理よりもドーズ量を下げて高い加速電圧の条件としてn型を付与する不純物元素
をドーピングする。例えば、加速電圧を70〜120keVとし、1×1013/cm2のドー
ズ量で行い、図7(B)で島状半導体膜に形成された第1の不純物領域の内側に新たな不
純物領域を形成する。ドーピングは、第2の形状の導電層427〜430を不純物元素に
対するマスクとして用い、第1の導電層427a〜430aの下側の領域にも不純物元素
が添加されるようにドーピングする。こうして、第1の導電層427a〜430aと重な
る第2の不純物領域433〜437を形成する。n型を付与する不純物元素は、第2の不
純物領域で1×1017〜1×1018 atomic/cm3の濃度となるようにする。
であるTaNがエッチングされて後退するので第3の形状の導電層438〜443(第1
の導電層438a〜443aと第2の導電層438b〜443b)を形成する。444は
ゲート絶縁膜であり第3の形状の導電層438〜443で覆われない領域はさらに20〜
50nm程度エッチングされ薄くなった領域が形成される。
5〜449と、第3の不純物領域の外側にある第4の不純物領域450〜454が形成さ
れる。これにより第3の不純物領域及び第4の不純物領域におけるn型を付与する不純物
元素の濃度は第2の不純物領域におけるn型を付与する不純物元素の濃度とほぼ等しくな
る。
、406に一導電型とは逆の導電型の第4の不純物領域458〜461を形成する。第3
の形状の導電層439、441を不純物元素に対するマスクとして用い、自己整合的に不
純物領域を形成する。このとき、nチャネル型TFTを形成する島状半導体膜402、4
04、405はレジストマスク455〜457で全面を被覆しておく。不純物領域458
〜461にはそれぞれ異なる濃度でリンが添加されているが、ジボラン(B2H6)を用い
たイオンドープ法により、そのいずれの領域においても不純物濃度を2×1020〜2×1
021atoms/cm3となるようにする。
と重なる導電層438〜441がTFTのゲート電極として機能する。
また、442はソース配線、443は駆動回路内の配線として機能する。なお、本発明の
第1の電極485はゲート電極を形成する導電層441のことをいう。
に添加された不純物元素を活性化する工程を行う。この工程はファーネスアニール炉を用
いる熱アニール法で行う。その他に、レーザーアニール法、またはラピッドサーマルアニ
ール法(RTA法)を適用することができる。熱アニール法では酸素濃度が1ppm以下
、好ましくは0.1ppm以下の窒素雰囲気中で400〜700℃、代表的には500〜
600℃で行うものであり、本実施例では500℃で4時間の熱処理を行う。ただし、4
38〜443に用いた配線材料が熱に弱い場合には、配線等を保護するため層間絶縁膜(
シリコンを主成分とする)を形成した後で活性化を行うことが好ましい。
処理を行い、島状半導体膜を水素化する工程を行う。この工程は熱的に励起された水素に
より半導体膜のダングリングボンドを終端する工程である。水素化の他の手段として、プ
ラズマ水素化(プラズマにより励起された水素を用いる)を行っても良い。
0nmの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜473とし
てアクリル樹脂膜又はポリイミド樹脂膜を1.8μmの厚さで形成する。次いで、コンタ
クトホールを形成するためのエッチング工程を行う。
150nmの厚さで形成し、島状半導体膜のソースまたはドレイン領域を形成する半導体膜
とコンタクトを形成し、そのTi膜上に重ねてアルミニウム(Al)を300〜400nm
の厚さで形成し、さらにTi膜または窒化チタン(TiN)膜を100〜200nmの厚さ
で形成して3層構造とした。
配線474〜476、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線477〜479
を形成する。
第2の電極492を形成する。本実施例においては、第1の電極485の面積の70%が
第2の電極と重なるようにした。
示してはいないが、ゲート配線481は第1の電極485とコンタクトホールにより電気
的に接続する。ドレイン電極482は第1の半導体膜484のドレイン領域と電気的に接
続する。第2の電極492は第2の半導体膜493と電気的に接続し、第2の半導体膜4
93を保持容量505の電極として機能させる。
ッチング処理により画素電極491を形成する。画素電極491は、第2の層間絶縁膜4
73上に形成され、画素TFTのドレイン電極482、第2の電極492と重なる部分を
設け、接続構造を形成している。
n2O3―SnO2;ITO)などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成して用いる
ことができる。このような材料のエッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特
にITOのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッチング加工性を改善するために酸
化インジウム酸化亜鉛合金(In2O3―ZnO)を用いても良い。酸化インジウム酸化亜
鉛合金は表面平滑性に優れ、ITOに対して熱安定性にも優れているので、ドレイン電極
482の端面で接触するAlとの腐蝕反応を防止できる。同様に、酸化亜鉛(ZnO)も
適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム(Ga)を添
加した酸化亜鉛(ZnO:Ga)などを用いることができる。
せることができる。
ル型TFT503を有する駆動回路部と、画素TFT504、保持容量505とを有する
画素部を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上ア
クティブマトリクス基板と呼ぶ。
する導電層438と重なる第3の不純物領域445(GOLD領域)、ゲート電極の外側
に形成される第4の不純物領域450(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域と
して機能する第1の不純物領域423を有している。
pチャネル型TFT502にはチャネル形成領域463、ゲート電極を形成する導電層4
39と重なる第5の不純物領域446、ソース領域またはドレイン領域として機能する第
6の不純物領域451を有している。nチャネル型TFT503にはチャネル形成領域4
64、ゲート電極を形成する導電層440と重なる第3の不純物領域447(GOLD領
域)、ゲート電極の外側に形成される第4の不純物領域452(LDD領域)とソース領
域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域425を有している。
3の不純物領域448(GOLD領域)、ゲート電極の外側に形成される第4の不純物領
域453(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領
域426を有している。また、保持容量505の一方の電極として機能する半導体膜49
3にはp型を付与する不純物元素が添加されている。第1の電極485とその間の絶縁層
(ゲート絶縁膜と同じ層)とで保持容量を形成している。
鎖線D―D’で切断した断面に対応する。
施例のアクティブマトリクス基板を用いて透過型の液晶表示装置を作製したときに、駆動
電源を切った後に配向が固定されて残る不安定な要因を低減することができた。
用することができる。
00nmの厚さで形成する。その上に有機絶縁物材料から成る第2の層間絶縁膜473と
してアクリル樹脂膜又はポリイミド膜を1.8μmの厚さで形成する。次いで、コンタク
トホールを形成するためのエッチング工程を行う。
150nmの厚さで形成し、島状半導体膜のソースまたはドレイン領域を形成する半導体膜
とコンタクトを形成し、そのTi膜上に重ねてアルミニウム(Al)を300〜400nm
の厚さで形成し、さらにTi膜または窒化チタン(TiN)膜を100〜200nmの厚さ
で形成して3層構造とした。
配線474〜476、ドレイン領域とコンタクトを形成するドレイン配線477〜479
を形成する。
形成する。本実施例においては、ドレイン電極482が反射型液晶表示装置の画素電極と
しての機能を有している。ドレイン電極482が第1の電極485の面積の70%と重な
る。
電極とする。ゲート絶縁膜(444)は保持容量の誘電体膜として機能する。第2の半導
体膜493は画素電極491と同電位になる。第1の電極485はゲート配線と同電位に
なる。
示してはいないが、ゲート配線481は第1の電極485とコンタクトホールにより電気
的に接続する。ドレイン電極482は第1の半導体膜484のドレイン領域と電気的に接
続する。かつ、ドレイン電極482は第2の半導体膜493と電気的に接続し、第2の半
導体膜493を保持容量505の電極として機能させる。
せることができる。
ル型TFT503を有する駆動回路部と、画素TFT504、保持容量505とを有する
画素部を同一基板上に形成することができる。本明細書中ではこのような基板を便宜上ア
クティブマトリクス基板と呼ぶ。
する導電層438と重なる第3の不純物領域445(GOLD領域)、ゲート電極の外側
に形成される第4の不純物領域450(LDD領域)とソース領域またはドレイン領域と
して機能する第1の不純物領域423を有している。
pチャネル型TFT502にはチャネル形成領域463、ゲート電極を形成する導電層4
39と重なる第5の不純物領域446、ソース領域またはドレイン領域として機能する第
6の不純物領域451を有している。nチャネル型TFT503にはチャネル形成領域4
64、ゲート電極を形成する導電層440と重なる第3の不純物領域447(GOLD領
域)、ゲート電極の外側に形成される第4の不純物領域452(LDD領域)とソース領
域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域425を有している。
(第1の電極)485と重なる第3の不純物領域448(GOLD領域)、ゲート電極の
外側に形成される第4の不純物領域453(LDD領域)とソース領域またはドレイン領
域として機能する第1の不純物領域426を有している。また、保持容量505の一方の
電極として機能する半導体膜493にはp型を付与する不純物元素が添加されている。第
1の電極485とその間の絶縁層(ゲート絶縁膜と同じ層)とで保持容量を形成している
。
線E―E’、鎖線F―F’に対応する。
示装置にすることができる。このとき、第2の電極を第1の電極485の面積の70%に
重ねることで、電極上に残留した電荷による電界を遮蔽し、液晶層に電界が漏洩すること
を防ぐことが出来る。
クス型液晶表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図6を用いる。
ティブマトリクス基板上に配向膜512を形成しラビング処理を行う。
なお、本実施例では配向膜512を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパタ
ーニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサを所望の位置に形成
した。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい。
応して配置されたカラーフィルタが設けられている。また、駆動回路の部分にも遮光層を
設けた。このカラーフィルタと遮光層とを覆う平坦化膜を設けた。次いで、平坦化膜上に
透明導電膜からなる対向電極510を画素部に形成し、対向基板の全面に配向膜511を
形成し、ラビング処理を施した。
ル材513で貼り合わせる。シール材513にはフィラーが混入されていて、このフィラ
ーと柱状スペーサによって均一な間隔を持って2枚の基板が貼り合わせられる。その後、
両基板の間に液晶材料514を注入し、封止剤(図示せず)によって完全に封止する。液
晶材料514には公知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図6に示すアクティブ
マトリクス型液晶表示装置が完成する。そして、必要があれば、アクティブマトリクス基
板または対向基板を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用いて偏光板等を適宜
設けた。そして、公知の技術を用いてFPCを貼りつけた。
ができる。
に用いることができる。即ち、それら電気光学装置を表示部に組み込んだ電子機器全てに
本発明を適用できる。
マウントディスプレイ(ゴーグル型ディスプレイ)、カーナビゲーション、カーステレオ
、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話または電子
書籍等)などが挙げられる。それらの一例を図22、図23及び図24に示す。
表示部2003、キーボード2004等を含む。本発明を表示部2003に適用すること
ができる。
03、操作スイッチ2104、バッテリー2105、受像部2106等を含む。本発明を
表示部2102に適用することができる。
、カメラ部2202、受像部2203、操作スイッチ2204、表示部2205等を含む
。本発明は表示部2205に適用できる。
ム部2303等を含む。本発明は表示部2302に適用することができる。
ーヤーであり、本体2401、表示部2402、スピーカ部2403、記録媒体2404
、操作スイッチ2405等を含む。なお、このプレーヤーは記録媒体としてDVD(Di
gtial Versatile Disc)、CD等を用い、音楽鑑賞や映画鑑賞やゲ
ームやインターネットを行うことができる。
本発明は表示部2402に適用することができる。
3、操作スイッチ2504、受像部(図示しない)等を含む。本発明を表示部2502に
適用することができる。
02等を含む。本発明は投射装置2601の一部を構成する液晶表示装置2808に適用
することができる。
ー2703、スクリーン2704等を含む。本発明は投射装置2702の一部を構成する
液晶表示装置2808に適用することができる。
2702の構造の一例を示した図である。投射装置2601、2702は、光源光学系2
801、ミラー2802、2804〜2806、ダイクロイックミラー2803、プリズ
ム2807、液晶表示装置2808、位相差板2809、投射光学系2810で構成され
る。投射光学系2810は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は三板式の
例を示したが、特に限定されず、例えば単板式であってもよい。また、図23(C)中に
おいて矢印で示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、
位相差を調節するためのフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
した図である。本実施例では、光源光学系2801は、リフレクター2811、光源28
12、レンズアレイ2813、2814、偏光変換素子2815、集光レンズ2816で
構成される。なお、図23(D)に示した光源光学系は一例であって特に限定されない。
例えば、光源光学系に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィルムや、位相
差を調節するフィルム、IRフィルム等の光学系を設けてもよい。
合を示しており、反射型の電気光学装置での適用例は図示していない。
03、表示部2904、操作スイッチ2905、アンテナ2906等を含む。本発明を表
示部2904に適用することができる。
3、記憶媒体3004、操作スイッチ3005、アンテナ3006等を含む。本発明は表
示部3002、3003に適用することができる。
等を含む。本発明は表示部3103に適用することができる。本発明のディスプレイは特
に大画面化した場合において有利であり、対角10インチ以上(特に30インチ以上)の
ディスプレイには有利である。
が可能である。また、本実施例の電子機器は実施例1〜3のどのような組み合わせからな
る構成を用いても実現することができる。
Claims (2)
- 画素と、前記画素を複数有する画素部と、を有する表示装置であって、
前記画素は、
第1の半導体膜と、第2の半導体膜と、第1の電極と、第2の電極と、第3の電極と、第1の配線と、絶縁膜と、ゲート配線と、画素電極と、を有し、
前記第1の電極は、前記第1の半導体膜と重なる領域を有し、
前記第1の電極は、前記第2の半導体膜と重なる領域を有し、
前記第1の配線は、前記第1の電極と同層に設けられ、ソース信号を供給する機能を有し、
前記絶縁膜は、前記第1の電極上及び前記第1の配線上に設けられ、
前記第2の電極、前記第3の電極、前記ゲート配線、及び前記画素電極は、前記絶縁膜上に設けられ、
前記第2の電極は、前記第1の電極と重なる領域及び前記第1の配線と重なる領域を有し、
前記第1の電極の面積の70%以上が前記第2の電極と重なっており、
前記第2の電極は、前記画素電極と接し、
前記ゲート配線は、前記絶縁膜に設けられた第1の開口部を介して前記第1の電極と電気的に接続され、
前記第1の配線は、前記第3の電極を介して前記第2の半導体膜と電気的に接続され、
前記第1の電極の一部は、容量素子の一方の電極を構成し、
前記第1の半導体膜は、前記容量素子の他方の電極を構成していることを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の電極は、前記絶縁膜に設けられた第2の開口部を介して前記第1の半導体膜と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
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Family Cites Families (51)
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JPS62209514A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-14 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクス基板 |
JPH0812354B2 (ja) * | 1987-10-14 | 1996-02-07 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP3053093B2 (ja) * | 1988-07-29 | 2000-06-19 | 株式会社日立製作所 | アクティブマトリクス液晶表示装置 |
JPH03175430A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-07-30 | Nec Corp | 反射型液晶表示装置 |
JP2622183B2 (ja) | 1990-04-05 | 1997-06-18 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス表示装置 |
US5245450A (en) * | 1990-07-23 | 1993-09-14 | Hosiden Corporation | Liquid crystal display device with control capacitors for gray-scale |
JP3357687B2 (ja) * | 1992-07-15 | 2002-12-16 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタおよび液晶表示装置の製造方法 |
JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
JPH06148678A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-27 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JP2556262B2 (ja) * | 1993-07-07 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 液晶表示パネル |
CN100477247C (zh) | 1994-06-02 | 2009-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 有源矩阵显示器和电光元件 |
JP3312083B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP3253808B2 (ja) * | 1994-07-07 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JPH08297301A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-11-12 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
JP3792749B2 (ja) * | 1995-06-02 | 2006-07-05 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPH0926601A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Sony Corp | 液晶表示装置およびその製造方法 |
KR0156202B1 (ko) * | 1995-08-22 | 1998-11-16 | 구자홍 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP3490216B2 (ja) * | 1996-04-24 | 2004-01-26 | シャープ株式会社 | スイッチング素子基板の製造方法 |
JPH09127551A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sharp Corp | 半導体装置およびアクティブマトリクス基板 |
JP2803713B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1998-09-24 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法 |
JP2720862B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1998-03-04 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタアレイ |
JPH09269482A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Victor Co Of Japan Ltd | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JP3396130B2 (ja) * | 1996-06-03 | 2003-04-14 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JPH1010556A (ja) * | 1996-06-26 | 1998-01-16 | Advanced Display:Kk | 液晶表示装置 |
JP3622934B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-02-23 | エルジー フィリップス エルシーディー カンパニー リミテッド | 薄膜トランジスタ型液晶表示装置 |
JP3992797B2 (ja) * | 1996-09-25 | 2007-10-17 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4032443B2 (ja) * | 1996-10-09 | 2008-01-16 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタ、回路、アクティブマトリクス基板、液晶表示装置 |
JP3669082B2 (ja) * | 1996-10-17 | 2005-07-06 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子用薄膜トランジスタアレイ |
JP3277137B2 (ja) * | 1997-03-06 | 2002-04-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
US6088070A (en) * | 1997-01-17 | 2000-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix liquid crystal with capacitor between light blocking film and pixel connecting electrode |
JP3782194B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2006-06-07 | 株式会社東芝 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
WO1999028784A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Afficheur du type a reflexion et dispositif d'image utilisant cet afficheur |
JP4126156B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP3076030B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2000-08-14 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
KR100430773B1 (ko) * | 1998-07-14 | 2004-05-10 | 가부시끼가이샤 도시바 | 액티브 매트릭스형 액정표시장치 |
JP4386978B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2009-12-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR100324914B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2002-02-28 | 니시무로 타이죠 | 기판의 검사방법 |
EP1020920B1 (en) | 1999-01-11 | 2010-06-02 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a driver TFT and a pixel TFT on a common substrate |
JP2000206565A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Sony Corp | 表示装置用半導体素子及びこれを用いた液晶表示装置 |
JP3378820B2 (ja) * | 1999-01-20 | 2003-02-17 | 三洋電機株式会社 | 垂直配向型液晶表示装置 |
US6590229B1 (en) | 1999-01-21 | 2003-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and process for production thereof |
JP2000258798A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
US6531713B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
JP4517419B2 (ja) * | 1999-08-18 | 2010-08-04 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその修復方法 |
JP4700156B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2011-06-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US6646287B1 (en) * | 1999-11-19 | 2003-11-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device with tapered gate and insulating film |
US6789910B2 (en) * | 2000-04-12 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. | Illumination apparatus |
KR100686229B1 (ko) * | 2000-04-20 | 2007-02-22 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR100612994B1 (ko) * | 2000-05-12 | 2006-08-14 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 기판 |
US6613620B2 (en) * | 2000-07-31 | 2003-09-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
KR100469341B1 (ko) * | 2000-08-30 | 2005-01-31 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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