JP2002016116A - 不純物添加装置および半導体装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 半導体装置の作製工程において、不純物を添
加した領域のシート抵抗を作製工程の早期の段階で予測
する。 【解決手段】 熱活性化前の不純物を添加した領域のラ
マンスペクトルと熱活性化後のシート抵抗との間に相関
があることを利用する。例えば、不純物添加領域のシー
ト抵抗を１ｋΩ／□以下にしたい場合、イオンドーピン
グ後５１４．５ｍｍのレーザーを用いてラマンスペクト
ル測定をして、ラマン散乱スペクトルのピークが５１
５．５ｃｍ^−１以下であれば可、以上であればさらに不
純物添加の要がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は結晶構造を有する半
導体（以下、結晶性半導体という）を用いたトランジス
タやダイオード、抵抗素子などで構成される半導体装
置、および該半導体装置の作製方法に関し、また、当該
半導体装置に不純物添加領域を形成する不純物添加装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＭＯＳトランジスタの構成要素であるソ
ース・ドレイン領域やＬＤＤ領域などの不純物添加領域
を作製する場合、何らかの方法で不純物を添加し、その
後、熱処理を行うことにより不純物を活性化する方法が
採用されている。

【０００３】不純物を添加する方法として、イオン注入
法やイオンドーピング法などが使われている。イオン注
入法とはシリコンなどの半導体にボロン（Ｂ）やリン
（Ｐ）などの元素をイオン化し、質量分析して必要なイ
オンのみを電界で加速して打ち込む技術であり、イオン
ドーピング法は質量分析を行わずにイオンを電界で加速
して打ち込む技術である。イオン注入法やイオンドープ
法は不純物添加時に結晶構造を破壊する。

【０００４】不純物添加の方法で、不純物の量や場所な
どといった不純物添加の条件は、半導体装置の性質を左
右する。例えばＭＯＳトランジスタにおいて、不純物の
量が少ないと不純物添加領域のシート抵抗が大きくな
り、ＭＯＳトランジスタのオン電流が減少する。

【０００５】不純物添加条件として例えば、特開平１０
−２５６５５７号公報では活性層の最下部層に結晶が一
部残る条件で注入することが熱処理後のシート抵抗を下
げるために重要であると述べている。特開平１０−２５
６５５７号公報では理想的な不純物添加条件を与えてい
るが、その妥当性は配線形成後の電気測定で判断するし
かなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するために、半導体装置を作製する早期の段階で不純
物を添加した領域のシート抵抗を予測し、不純物添加条
件の妥当性を確かめることができる技術を提供すること
を課題とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】結晶性半導体に不純物を
添加後、活性化前に、添加した領域のラマン散乱光スペ
クトルを測定する。結晶性半導体に結晶が残っていれ
ば、その結晶特有のピークが確認できる。そして前記ピ
ーク位置と活性化後のシート抵抗には相関があることが
わかった。ゆえに前記相関関係を用いてピーク位置から
不純物添加領域のシート抵抗を予測することができる。

【０００８】また不純物の添加後、前記相関関係を用い
て活性化前に活性化後のシート抵抗を予測できれば、活
性化後のシート抵抗が不適切な場合、不純物を追加で添
加することができる。

【０００９】不純物添加装置とラマン散乱光スペクトル
測定装置を組み合わせると、不純物添加後、ラマン散乱
光スペクトル測定を行い、前記相関関係からシート抵抗
を予測し、必要であれば不純物を再添加することができ
る装置ができる。

【００１０】ここで不純物を添加する方法とは、イオン
注入法やイオンドーピング法などがある。イオン注入法
とはシリコンなどの半導体にボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）
などの元素をイオンにして引きだした後、質量分析して
必要なイオンのみを電界で加速して打ち込む技術であ
り、イオンドーピング法は質量分析を行わずにイオンを
電界で加速して打ち込む技術である。イオン注入法やイ
オンドープ法は不純物添加時に結晶性を破壊する。

【００１１】ここで活性化とは、熱処理、ラピッドサー
マルアニール、レーザー活性化などがある。例えばイオ
ン注入においては、注入後の不純物の多くは結晶内で格
子位置に置換できず欠陥としての格子間原子として存在
している。活性化はこれらの不純物を結晶格子の置換位
置に置き換え、電気的にアクセプターまたはドナーとし
て働くようにする。この時にイオン注入などで破壊され
た結晶性もある程度回復できる。

【００１２】結晶性半導体とは、少なくとも一部に結晶
構造を有する半導体であり、例えば単結晶半導体、多結
晶半導体、微結晶半導体、結晶とアモルファスの混在し
た半導体である。ただしラマン散乱光スペクトル測定
で、ピークが確認できるものでなければならない。また
不純物とは、ボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの１３族ま
たは１５族の元素で、シリコンなどの半導体に添加して
不純物半導体を構成する。

【００１３】

【発明の実施の形態】例えば結晶性のシリコンにイオン
ドーピング法で不純物を添加する。その後、５１４．５
ｎｍのレーザーを用いてラマン散乱光スペクトル測定を
行った場合、結晶が残っていれば５００ｃｍ―¹から５
２０．６ｃｍ―¹の範囲にピークが確認できる（図
１）。前記ピーク位置と活性化後のシート抵抗には相関
があることがわかった。図２に前記ピーク位置と８５０
℃で３０分間熱活性化した後のシート抵抗との関係を示
す。この相関関係を用いて、活性化前に活性化後のシー
ト抵抗を予測することができる。

【００１４】図２によれば、不純物添加領域のシート抵
抗を１ｋΩ／□以下にしたい場合、ラマン散乱光スペク
トルのピークが５１５．５ｃｍ―¹以下である必要があ
る。もしラマン散乱光スペクトルのピークが５１５．５
ｃｍ―¹以上であった場合、さらに不純物を添加する。
もう一度ラマン散乱光スペクトル測定を行い、ピークが
５１５．５ｃｍ―¹以下になっていれば、活性化後のシ
ート抵抗が１ｋΩ／□以下となる。

【００１５】従って、イオン注入法またはイオンドープ
法により半導体に不純物元素を添加する手段と、ラマン
散乱光スペクトルを測定する手段とを組合せ、一つの筐
体内において、或いは複数の筐体内において、不純物の
添加と、ラマン散乱スペクトル測定を行い、前記相関関
係からシート抵抗を予測し、プロセスの妥当性を判断
し、必要であれば追加で不純物を添加するといった不純
物添加装置を形成することができる。

【００１６】ここで不純物とは、ボロン（Ｂ）やリン
（Ｐ）などの１３族または１５族の元素で、シリコンな
どの半導体に添加して不純物半導体を構成する。また結
晶性のシリコンとは、少なくとも一部に結晶性を有する
シリコンであり、例えば単結晶シリコン、多結晶シリコ
ン、微結晶シリコン、結晶とアモルファスの混在したシ
リコンである。ただしラマン散乱光スペクトル測定で、
波長５１４．５ｎｍのレーザーを用いた場合に５００ｃ
ｍ―¹から５２０．６ｃｍ―¹にピークが確認できるもの
でなければならない。

【００１７】イオンドープとはシリコンなどの半導体に
ボロン（Ｂ）やリン（Ｐ）などの元素をイオンにして引
きだした後、電界で加速して打ち込む技術である。イオ
ンドープは不純物添加時に結晶性を破壊する。

【００１８】ここでは、波長５１４．５ｎｍのレーザー
を用いてラマン散乱光スペクトルを測定した場合を示し
たが、４８８．０ｎｍなど他の波長を用いてもデータを
取り直すことで可能である。また、活性化として８５０
℃３０分の熱活性化を例にあげたが、この工程はラピッ
ドサーマルアニール、レーザー活性化などでもよく、熱
活性化の場合には４００℃〜１４００℃で行える。ただ
し、データを取り直す必要がある。

【００１９】

【実施例】[実施例１]本発明の不純物添加法をＭＯＳト
ランジスタのソース・ドレイン領域の形成に適用し、結
晶質半導体膜から表示装置を作製する実施例を説明す
る。ここでは、画素領域の画素ＴＦＴ及び保持容量と、
画素領域の周辺に設けられる駆動回路のＴＦＴを同時に
作製する方法について図面を参照しながら説明する。

【００２０】図３（Ａ）において、基板３０１にはコー
ニング社の＃７０５９ガラスや＃１７３７ガラスなどに
代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケ
イ酸ガラスなどのガラス基板の他に、ポリエチレンテレ
フタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐ
ＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）など光学的
異方性を有しないプラスチック基板を用いることができ
る。ガラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも
１０〜２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておい
ても良い。そして、基板３０１のＴＦＴを形成する表面
に基板３０１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリ
コン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜など
の絶縁膜から成る絶縁膜３０２を形成する。例えば、プ
ラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃、Ｎ₂Ｏから作製され
る酸化窒化シリコン膜を１０〜１００ｎｍの厚さに形成
し、絶縁膜３０２とする。

【００２１】酸化窒化シリコン膜は平行平板型のプラズ
マＣＶＤ法を用いて形成する。酸化窒化シリコン膜は、
ＳｉＨ₄を１６．９１Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ、ＮＨ₃を１６
９．１Ｐａ・ｌ／ｓｅｃ、Ｎ₂Ｏを３３．８２Ｐａ・ｌ
／ｓｅｃとして反応室に導入し、基板温度３２５℃、反
応圧力４０Ｐａ、放電電力密度０．４１Ｗ／ｃｍ²、放
電周波数６０ＭＨｚとする。

【００２２】次に、１０〜１００ｎｍ（好ましくは３０
〜６０ｎｍ）の厚さで非晶質構造を有する半導体膜３０
３を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法
で形成する。代表的には、プラズマＣＶＤ法で非晶質シ
リコン膜を５５ｎｍの厚さに形成する。また、絶縁膜３
０２と非晶質シリコン膜３０３とを連続形成することも
可能である。例えば、前述のように酸化窒化シリコン膜
を成膜後、反応ガスをＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂からＳｉＨ₄
とＨ₂或いはＳｉＨ₄のみに切り替えれば、大気雰囲気に
晒すことなく連続して形成できる。その結果、この界面
での汚染を防ぐことが可能となり、作製するＴＦＴの特
性バラツキやしきい値電圧の変動を低減させることがで
きる。

【００２３】図３（Ｂ）で示す結晶化の工程はレーザー
結晶化法で行う。パルス発振型のエキシマレーザーに代
表されるガスレーザーや、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ₄レ
ーザーに代表される固体レーザーを用いる。これらのレ
ーザーを用いる場合には、レーザー発振器から放射され
たレーザー光を光学系で線状または長方形状または矩形
状に集光し半導体膜に照射する方法を用いると良い。非
晶質半導体膜に対するレーザーの照射条件は実施者が適
宣選択するものであるが、エキシマレーザーを用いる場
合はパルス発振周波数３０Ｈｚとし、レーザーエネルギ
ー密度を１００〜４００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には２０
０〜３００ｍＪ／ｃｍ²）とする。また、ＹＡＧレーザ
ーを用いる場合にはその第２高調波を用いパルス発振周
波数１〜１０ｋＨｚとし、レーザーエネルギー密度を３
００〜６００ｍＪ／ｃｍ²（代表的には３５０〜５００
ｍＪ／ｃｍ²）とすると良い。そして幅１００〜１００
０μｍ、例えば４００μｍで線状に集光したレーザー光
を基板全面に渡って照射し、この時の線状レーザー光の
重ね合わせ率（オーバーラップ率）を８０〜９８％とし
て行う。

【００２４】このレーザー結晶化法により作製される結
晶質半導体膜３０５は複数の結晶粒が集合した多結晶構
造を有する。

【００２５】そして、図３（Ｃ）に示すように光露光プ
ロセスによりレジストパターンを形成し、ドライエッチ
ングによって結晶質半導体膜３０５を島状に分割し、島
状の半導体膜３０６〜３０９を形成する。ドライエッチ
ングにはＣＦ₄とＯ₂の混合ガスを用いる。ゲート絶縁膜
３１０はプラズマＣＶＤ法またはスパッタ法を用い、厚
さを４０〜２００ｎｍとしてシリコンを含む絶縁膜で形
成する。プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄とＮ₂Ｏの混合ガス
から作製される酸化窒化シリコン膜はゲート絶縁膜とし
て適した材料であり、８０ｎｍの厚さに形成しゲート絶
縁膜とする。勿論、ゲート絶縁膜はこのような酸化窒化
シリコン膜に限定されるものでなく、他のシリコンを含
む絶縁膜を単層または積層構造として用いても良い。例
えば、酸化シリコン膜を用いる場合には、プラズマＣＶ
Ｄ法でＴＥＯＳとＯ₂とを混合し、反応圧力４０Ｐａ、
基板温度３００〜４００℃とし、高周波（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／ｃｍ²で放電させて
形成することができる。このようにして作製される酸化
シリコン膜は、その後４００〜５００℃の熱アニールに
よりゲート絶縁膜として良好な特性を得ることができ
る。

【００２６】そして、ゲート絶縁膜３１０上にゲート電
極を形成するための第１の導電膜３１１と第２の導電膜
３１２とを形成する。本実施例で示すＴＦＴのゲート電
極は２層構造で形成し、第１の導電膜３１１を窒化タン
タル（本明細書ではＴａＮと表記する）膜で５０〜１０
０ｎｍの厚さに形成し、第２の導電膜３１２をタングス
テン（Ｗ）膜で１００〜３００ｎｍの厚さに形成する。

【００２７】ＴａＮ膜は、後の工程で熱処理を行うこと
を念頭におくと、熱安定性の高い優れた材料である。Ｗ
膜はＷをターゲットとしたスパッタ法で形成する。その
他に６フッ化タングステン（ＷＦ₆）を用いる熱ＣＶＤ
法で形成することもできる。いずれにしてもゲート電極
として使用するためには低抵抗化を図る必要がある。Ｗ
膜は結晶粒を大きくすることで低抵抗率化を図ることが
できるが、Ｗ中に酸素などの不純物元素が多い場合には
結晶化が阻害され高抵抗化する。Ｗのターゲットには純
度９９．９９９９％のものを用い、さらに成膜時に気相
中からの不純物の混入がないように十分配慮してＷ膜を
形成することにより、抵抗率９〜２０μΩ・ｃｍを実現
することができる。

【００２８】次に図４（Ａ）に示すように、レジストに
よるマスク３１３を形成し第１のエッチング処理を行
う。エッチング方法に限定はないが、好適にはＩＣＰ
（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓ
ｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング装置を用いる。
エッチング用ガスにはＣＦ₄とＣｌ₂を用い、０．５〜２
Ｐａ、好ましくは１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５０
０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズ
マを生成してエッチングを行う。基板側（試料ステー
ジ）にも１００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投
入し、実質的に負の自己バイアス電圧が印加された状態
で行う。ＣＦ₄とＣｌ₂を混合した場合にはＷ膜及びＴａ
膜とも同程度の速度でエッチングすることがでできる。

【００２９】第１のエッチング処理では、第１の導電層
及び第２の導電層の端部がテーパー形状となるように加
工する。テーパー部の角度は１５〜４５°とする。しか
し、ゲート絶縁膜上に残渣を残すことなくエッチングす
るためには、１０〜２０％程度の割合でエッチング時間
を増加させるオーバーエッチング処理をすると良い。Ｗ
膜に対する酸化窒化シリコン膜の選択比は２〜４（代表
的には３）であるので、オーバーエッチング処理によ
り、酸化窒化シリコン膜が露出した面は２０〜５０ｎｍ
程度エッチングされる。こうして、第１のエッチング処
理により第１の導電層と第２の導電層から成る第１の形
状の導電層３１４〜３１８（第１の導電層３１４ａ〜３
１８ａと第２の導電層３１４ｂ〜３１８ｂ）を形成す
る。

【００３０】次に図４（Ｂ）に示すように第２のエッチ
ング処理を行う。ＩＣＰエッチング装置を用い、エッチ
ングガスにＣＦ₄とＣｌ₂とＯ₂を混合して、１Ｐａの圧
力でコイル型の電極に５００ＷのＲＦ電力（１３．５６
ＭＨｚ）を供給してプラズマを生成する。基板側（試料
ステージ）には５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力
を投入し、第１のエッチング処理に比べ低い自己バイア
ス電圧となるようにする。このような条件によりＷ膜を
異方性エッチングし、かつ、それより遅いエッチング速
度でＴａＮ膜を異方性エッチングして第２の形状の導電
層３１９〜３２３（第１の導電層３１９ａ〜３２３ａと
第２の導電層３１９ｂ〜３２３ｂ）を形成する。３２４
はゲート絶縁膜であり、第２の形状の導電層３１９〜３
２３で覆われない領域は、第１のエッチング処理と第２
のエッチング処理により４０〜８０ｎｍ程度エッチング
され薄くなった領域が形成される。

【００３１】ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型Ｔ
ＦＴの不純物領域の形成は、第２の形状の導電層を利用
して自己整合的に形成する。ｎチャネル型ＴＦＴには濃
度の異なる２種類の不純物領域を形成する。図４（Ｃ）
は第１のドーピング処理（高加速電圧低ドーズ量の条
件）でｎ型を付与する不純物元素を添加して、第１の導
電層３１９ａ〜３２３ａと重なる第１の不純物領域３２
５〜３２８を形成する工程を示す。この場合、第１の不
純物領域３２５〜３２８の外側には第２の不純物領域３
２９〜３３２が形成される。ドーピング処理の方法は、
イオンドープ法やイオン注入法などにより行う。ｎ型を
付与する不純物元素は、周期律表第１５族の元素であ
り、代表的にはリン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）を用い
る。添加される不純物元素の濃度は第１の不純物領域に
おいて２×１０¹⁶〜１×１０¹⁸／ｃｍ³となるようにす
る。また、第２の不純物領域においては、１×１０¹⁷〜
５×１０ ¹⁸／ｃｍ³となるようにする。

【００３２】次に、図５（Ａ）に示すようにレジストに
よるマスク３３３を形成する。このマスクは画素ＴＦＴ
と駆動回路の内サンプリング回路のｎチャネル型ＴＦＴ
のソース及びドレイン領域を確定するために形成する。
第２のドーピング処理は駆動回路のｎチャネル型ＴＦＴ
に第３の不純物領域３３４を形成するために行う。第３
の不純物領域３３４に添加されるｎ型を付与する不純物
元素の濃度は５×１０ ¹⁷〜５×１０¹⁹／ｃｍ³となるよ
うにする。さらに、第３のドーピング処理を行い、ｎ型
を付与する不純物元素が１×１０²⁰〜１×１０²¹／ｃｍ
³濃度で添加される第４の不純物領域３３５〜３３７を
形成する。

【００３３】第４の不純物領域３３５〜３３７のラマン
散乱光スペクトルを測定する。波長５１４．５ｎｍのレ
ーザーを用いてラマン散乱光スペクトルを測定した場合
に、５００ｃｍ―¹から５２０．６ｃｍ―¹の範囲にピー
クができることを確認する（図１）。本実施例では不純
物の活性化を５００℃１時間の加熱処理で行うので、あ
らかじめ５００℃１時間で加熱処理した場合のピーク位
置とシート抵抗との関係のデータを取得しておく。シー
ト抵抗を目標の値にするピーク位置になるように、必要
におおじて何度か不純物を添加する。

【００３４】本実施例では、波長５１４．５ｎｍのレー
ザーを用いてラマン散乱光スペクトルを測定した場合を
示したが、４８８．０ｎｍなど他の波長を用いてもデー
タを取り直すことで可能である。また、第二の不純物添
加領域３２９〜３３２に対しても同様に可能である。第
一の不純物領域３２５〜３２８、第３の不純物添加領域
３３４に対しても基板裏面からラマン散乱光スペクトル
を測定することで、同様に可能である。

【００３５】ｐチャネル型ＴＦＴに対するの不純物領域
の形成は、図５（Ｂ）で示す様に、レジストのマスク３
３８をｎチャネル型ＴＦＴが形成される領域を保護する
ように形成し、第４のドーピング処理によりｐ型を付与
する不純物元素が添加された第５の不純物領域３３９、
３４０を形成する。ｐ型を付与する不純物元素は、周期
律表第１３族の元素であり、代表的にはボロン（Ｂ）を
用いる。

【００３６】第５の不純物領域３３９、３４０に対して
も、あらかじめ５００℃１時間で加熱処理した場合のピ
ーク位置とシート抵抗との関係のデータを取得してお
き、第４不純物添加領域と同様にラマン散乱光スペクト
ルを測定し、目標のシート抵抗になるように必要におお
じて何度か不純物を添加する。

【００３７】図５（Ｃ）に示すように、ゲート電極およ
びゲート絶縁膜上から第１の層間絶縁膜３４１を形成す
る。第１の層間絶縁膜は酸化シリコン膜、酸化窒化シリ
コン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた
積層膜で形成すれば良い。いずれにしても第１の層間絶
縁膜３４１は無機絶縁物材料から形成し、膜中に５〜３
０原子％、好ましくは１５〜２５原子％の水素を含有さ
せておくと良い。第１の層間絶縁膜３４１の膜厚は１０
０〜２００ｎｍとする。酸化シリコン膜を用いる場合に
は、プラズマＣＶＤ法で、ＴＥＯＳとＯ₂とを混合し、
反応圧力４０Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高
周波（１３．５６ＭＨｚ）電力密度０．５〜０．８Ｗ／
ｃｍ²で放電させて形成する。酸化窒化シリコン膜を用
いる場合には、プラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｎ
Ｈ₃から作製される酸化窒化シリコン膜、またはＳｉ
Ｈ₄、Ｎ₂Ｏから作製される酸化窒化シリコン膜で形成す
れば良い。この場合の作製条件は反応圧力２０〜２００
Ｐａ、基板温度３００〜４００℃とし、高周波（６０Ｍ
Ｈｚ）電力密度０．１〜１．０Ｗ／ｃｍ²で形成するこ
とができる。また、ＳｉＨ₄、Ｎ₂Ｏ、Ｈ₂から作製され
る酸化窒化水素化シリコン膜を適用しても良い。窒化シ
リコン膜も同様にプラズマＣＶＤ法でＳｉＨ₄、ＮＨ₃か
ら作製することが可能である。

【００３８】その後、それぞれの濃度で添加したｎ型ま
たはｐ型を付与する不純物元素を活性化する工程を行
う。この工程はファーネスアニール炉を用いて加熱処理
を行っても良いし、レーザーアニール法で行っても良
い。加熱処理で行う場合には酸素濃度が１ｐｐｍ以下、
好ましくは０．１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気中で４００〜
７００℃、代表的には４００〜５５０℃で行うものであ
り、本実施例では５００℃で１時間の加熱処理を行う。
この加熱処理により、第１の層間絶縁膜３４１が含有す
る水素が半導体膜中に拡散し、同時に水素化を行うこと
もできる。また、基板３０１に耐熱温度が低いプラスチ
ック基板を用いる場合には、レーザーアニール法を適用
することが好ましい。

【００３９】また、加熱処理を行った後で、３〜１００
％の水素を含む雰囲気中において３００〜４５０℃で１
〜１２時間の熱処理を行って、半導体膜を水素化しても
良い。いずれにしても、水素化の目的は半導体膜にある
１０¹⁶〜１０¹⁸／ｃｍ³のダングリングボンドを水素で
補償してその密度を低減させることにある。水素化の他
の手段として、プラズマ水素化（プラズマにより励起さ
れた水素を用いる）を行っても良い。

【００４０】第２の層間絶縁膜３４２は、有機絶縁物材
料を用い平均膜厚１．０〜２．０μｍで形成する。有機
樹脂材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミ
ド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）
等を使用することができる。例えば、基板に塗布後、熱
重合するタイプのポリイミドを用いる場合には、クリー
ンオーブンを用い３００℃で焼成して形成する。また、
アクリルを用いる場合には、２液性のものを用い、主材
と硬化剤を混合した後、スピナーを用いて基板全面に塗
布した後、ホットプレートで８０℃６０秒の予備加熱を
行い、さらにクリーンオーブンを用い２５０℃で６０分
焼成して形成することができる。

【００４１】このように、層間絶縁膜を有機絶縁物材料
で形成することにより、表面を良好に平坦化させること
ができる。また、有機樹脂材料は一般に誘電率が低いの
で、寄生容量を低減することができる。しかし、吸湿性
があり保護膜としては適さないので、本実施例のよう
に、保護絶縁膜３４１として形成した酸化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などと組み合わせ
て用いる必要がある。

【００４２】その後、光露光プロセスにより所定のパタ
ーンのレジストマスクを形成し、それぞれの半導体膜に
形成されるソース領域またはドレイン領域に達するコン
タクトホールを形成する。コンタクトホールの形成はド
ライエッチング法により行う。この場合、エッチングガ
スにＣＦ₄、Ｏ₂、Ｈｅの混合ガスを用い有機樹脂材料か
ら成る第２の層間絶縁膜３４２をエッチングし、その
後、続いてエッチングガスをＣＦ₄、Ｏ₂として第１の層
間絶縁膜３４１をエッチングする。さらに、島状半導体
膜との選択比を高めるために、エッチングガスをＣＨＦ
₃に切り替えてゲート絶縁膜をエッチングすることによ
り、良好にコンタクトホールを形成することができる。

【００４３】そして、導電性の金属膜をスパッタ法や真
空蒸着法で形成し、光露光プロセスにより所定のパター
ンのレジストマスクを形成し、エッチングによってソー
ス配線及びドレイン配線３４３〜３４９を形成する。同
時に形成される３５０は画素電極として機能するもので
ある。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ｔ
ｉ膜を５０〜１５０ｎｍの厚さで形成し、島状半導体膜
のソースまたはドレイン領域を形成する半導体膜とコン
タクトを形成し、そのＴｉ膜上に重ねてアルミニウム
（Ａｌ）を３００〜４００ｎｍの厚さで形成して配線と
する。

【００４４】この状態で３００〜４５０℃で１〜１２時
間の加熱処理（シンタリング）を行うと良好なオーミッ
ク接触を得ることができる。この加熱処理を水素雰囲気
中で行えば、水素化処理を兼ねることもできる（図５
（Ｃ））。

【００４５】こうして、６枚のフォトマスクにより、駆
動回路のＴＦＴと画素領域の画素ＴＦＴとを一体形成し
た基板を完成させることができる。駆動回路３５６には
第１のｐチャネル型ＴＦＴ３５１、第１のｎチャネル型
ＴＦＴ３５２、第２のｎチャネル型ＴＦＴ３５３、画素
領域３５７には画素ＴＦＴ３５４、保持容量３５５が形
成されている。本明細書では便宜上このような基板をア
クティブマトリクス基板と呼ぶ。

【００４６】駆動回路３５６の第１のｐチャネル型ＴＦ
Ｔ３５１には、チャネル形成領域３５８、第５の不純物
領域から成るソースまたはドレイン領域３５９、３６０
を有したシングルドレインの構造で形成されている。し
かし、ソースまたはドレイン領域３５９は第１の導電層
３１９ａと重なるように形成されている。

【００４７】第１のｎチャネル型ＴＦＴ３５２はチャネ
ル形成領域３６１、ゲート電極である第２の導電層３２
０ａと重なる第３の不純物領域３６２、ゲート電極の外
側に形成される第４の不純物領域３６３を有している。
第３の不純物領域３６２はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄ
ｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）領域であり、第４の不純物領域
３６３はソース領域またはドレイン領域として機能する
領域である。特に、第３の不純物領域３６２はゲート電
極とオーバーラップするＬＤＤ領域（このようなＬＤＤ
領域をＬｏｖと表記する）であり、ＧＯＬＤ（Ｇａｔｅ
Ｏｖｅｒｌａｐｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造とも呼ばれ
ている。これによりホットキャリア効果によるＴＦＴの
劣化を防止することができ、１０Ｖ以上の高い電圧を印
加してもきわめて安定した動作を得ることができる。

【００４８】また、第２のｎチャネル型ＴＦＴ３５３は
チャネル形成領域３６４、ゲート電極である第２の導電
層３２１ａと重なる第１の不純物領域３６５、ゲート電
極の外側に形成される第２の不純物領域３６６、第４の
不純物領域３６７を有している。第１の不純物領域３６
５はＬｏｖであり、ホットキャリア効果によるＴＦＴの
劣化を防止する。第２の不純物領域３６６はゲート電極
とオーバーラップしないＬＤＤ領域（このようなＬＤＤ
領域をＬｏｆｆと表記する）であり、オフ電流を低減す
る効果がある。

【００４９】画素ＴＦＴ３５４には、チャネル形成領域
３６８、第１の不純物領域３６９、第２の不純物領域３
７０、第４の不純物領域３７１を有している。図５
（Ｃ）では画素ＴＦＴ３５４をダブルゲート構造で示し
たが、シングルゲート構造でも良いし、複数のゲート電
極を設けたマルチゲート構造としても差し支えない。さ
らに、容量配線３２３と、ゲート絶縁膜と同じ材料から
成る絶縁膜と、半導体膜３７４、３７５（３７５にはｎ
型を付与する不純物元素が添加されている）とから保持
容量３５５が形成されている。

【００５０】第１の不純物領域から第４の不純物領域に
はｎ型を付与する不純物元素が添加されている。第１の
不純物領域には２×１０¹⁶〜１×１０¹⁸／ｃｍ³、第２
の不純物領域には１×１０¹⁷〜５×１０¹⁸／ｃｍ³、第
３の不純物領域には５×１０^{1 7}〜５×１０¹⁹／ｃｍ³、
第４の不純物領域には１×１０²⁰〜１×１０²¹／ｃｍ³
の濃度で不純物元素を添加する。第５の不純物領域はｐ
型を付与する不純物元素が添加され、第４の不純物領域
よりも１．５〜３倍の濃度で不純物元素を添加してお
く。

【００５１】第１の不純物領域と第３の不純物領域はＬ
ｏｖであり、チャネル長方向の長さを０．５〜３μｍ、
好ましくは０．５〜１．５μｍで形成する。この２つの
不純物領域において添加する不純物元素の濃度に違いを
持たせる理由は、前者はオフ電流の低減を考慮して可能
な限り低濃度で形成するのに対し、後者は電流駆動能力
を高めるためにオン電流を重視していることに由来して
いる。第２の不純物領域はＬｏｆｆであり、チャネル長
方向の長さを０．５〜３μｍ、好ましくは１．０〜１．
５μｍで形成する。

【００５２】第１のｐチャネル型ＴＦＴ３５１及び第１
のｎチャネル型ＴＦＴ３５２はシフトレジスタ回路やバ
ッファ回路などを形成する。第２のｎチャネル型ＴＦＴ
３５３はサンプリング回路に適用する。このように、ア
クティブマトリクス基板上に形成される各回路が要求す
る仕様に応じてＴＦＴの構造を最適化しその動作性能と
信頼性を向上させることが可能となる。

【００５３】図６は画素部のほぼ一画素分を示す上面図
である。図中に示すＡ−Ａ'断面が図５（Ｃ）に示す画
素部の断面図に対応している。画素ＴＦＴ３５４のゲー
ト電極３２２は、図示されていないゲート絶縁膜を介し
てその下の島状半導体膜３０９と交差している。図示は
していないが、島状半導体膜３０９には、ソース領域、
ドレイン領域、ＬＤＤ領域が形成されている。また、３
７２はソース配線３４９とソース領域とのコンタクト
部、３７３は画素電極３５０とドレイン領域とのコンタ
クト部である。保持容量３５５は、画素ＴＦＴ３５４の
ドレイン領域から延在する半導体膜とゲート絶縁膜を介
して容量配線３２３が重なる領域で形成されている。こ
こで示す構成は、画素電極３５０がソース配線やドレイ
ン配線と同じ材料で形成されており、即ち、反射型の表
示装置に適用可能なアクティブマトリクス基板を示して
いる。

【００５４】[実施例２]実施例１で作製したアクティブ
マトリクス基板は反射型の表示装置に適用することがで
きる。一方、透過型の液晶表示装置とする場合には画素
部の各画素に設ける画素電極を透明電極で形成すれば良
い。本実施例では透過型の液晶表示装置に対応するアク
ティブマトリクス基板の作製方法について図７を用いて
説明する。

【００５５】アクティブマトリクス基板は実施例１と同
様に作製する。しかし、ソース配線及びドレイン配線を
形成する前に、第２の層間絶縁膜３４２上に透明導電膜
を形成し、画素電極３７６を形成する。その後、ソース
配線３７７及びドレイン配線３７８を形成する。ドレイ
ン配線３７８は画素電極３７６と重ね合わせてコンタク
ト部を形成する。ソース配線及びドレイン配線の一例
は、Ｔｉ膜を５０〜１５０ｎｍの厚さで形成し、島状半
導体膜のソースまたはドレイン領域を形成する半導体膜
とコンタクトを形成し、そのＴｉ膜上に重ねてＡｌを３
００〜４００ｎｍの厚さで形成して設ける。この構成に
すると、画素電極３７６はドレイン配線３７８を形成す
るＴｉ膜のみと接触することになる。その結果、透明導
電膜材料とＡｌとが反応するのを防止できる。

【００５６】透明導電膜の材料は、酸化インジウム（Ｉ
ｎ₂Ｏ₃）や酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―Ｓ
ｎＯ₂；ＩＴＯ）などをスパッタ法や真空蒸着法などを
用いて形成して用いることができる。このような材料の
エッチング処理は塩酸系の溶液により行う。しかし、特
にＩＴＯのエッチングは残渣が発生しやすいので、エッ
チング加工性を改善するために酸化インジウム酸化亜鉛
合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）を用いても良い。酸化インジ
ウム酸化亜鉛合金は表面平滑性に優れ、ＩＴＯに対して
熱安定性にも優れているので、ドレイン配線３７８の端
面で接触するＡｌとの腐蝕反応を防止できる。同様に、
酸化亜鉛（ＺｎＯ）も適した材料であり、さらに可視光
の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ）を添
加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）などを用いることがで
きる。

【００５７】このようにして、透過型の液晶表示装置に
対応したアクティブマトリクス基板を完成させることが
できる。本実施例では、実施例１と同様な工程として説
明したが、このような構成は実施例２や実施例３で示す
アクティブマトリクス基板に適用することができる。

【００５８】[実施例３]本実施例では実施例１または実
施例２で作製したアクティブマトリクス基板から、アク
ティブマトリクス型液晶表示装置を作製する工程を説明
する。図８に示すように、図５（Ｃ）の状態のアクティ
ブマトリクス基板に柱状スペーサから成るスペーサを形
成する。スペーサは数μｍの粒子を散布して設ける方法
でも良いが、ここでは基板全面に樹脂膜を形成した後こ
れをパターニングして形成する方法を採用する。このよ
うなスペーサの材料に限定はないが、例えば、ＪＳＲ社
製のＮＮ７００を用い、スピナーで塗布した後、露光と
現像処理によって所定のパターンに形成する。さらにク
リーンオーブンなどで１５０〜２００℃で加熱して硬化
させる。このようにして作製されるスペーサは露光と現
像処理の条件によって形状を異ならせることができる
が、好ましくは、柱状スペーサ４０１、４０２の形状は
柱状で頂部が平坦な形状となるようにすると、対向側の
基板を合わせたときに液晶表示装置としての機械的な強
度を確保することができる。形状は円錐状、角錐状など
特別の限定はない。がその高さは使用する液晶材料にも
依存して、ネマチック液晶の場合には３〜８μｍ、スメ
チック液晶の場合には１〜４μｍとなるようにする。

【００５９】柱状スペーサの配置は任意に決定すれば良
いが、好ましくは、図８で示すように、画素領域におい
ては画素電極３５０のコンタクト部３７３と重ねてその
部分を覆うように柱状スペーサ４０１を形成すると良
い。コンタクト部３７３は平坦性が損なわれこの部分で
は液晶がうまく配向しなくなるので、このようにしてコ
ンタクト部３７３にスペーサ用の樹脂を充填する形で柱
状スペーサ４０１を形成することでディスクリネーショ
ンなどを防止することができる。

【００６０】その後、配向膜４０３を形成する。配向膜
にはポリイミド樹脂を用る。配向膜を形成した後、ラビ
ング処理を施して液晶分子がある一定のプレチルト角を
持って配向するようにする。画素領域に設けた柱状スペ
ーサ４０１の端部からラビング方向に対してラビングさ
れない領域が２μｍ以下となるようにする。また、ラビ
ング処理では静電気の発生がしばしば問題となるが、駆
動回路のＴＦＴ上にも柱状スペーサ４０２を形成してお
くと、スペーサとしての本来の役割と、静電気からＴＦ
Ｔを保護する効果を得ることができる。

【００６１】対向側の対向基板４０４には、透明導電膜
で形成される対向電極４０５および配向膜４０６を形成
する。そして、画素領域と駆動回路が形成されたアクテ
ィブマトリクス基板と対向基板とをシール剤（図示せ
ず）で貼り合わせる。その後、両基板の間に液晶４０７
を注入し、封止材（図示せず）によって完全に封止す
る。液晶材料には公知の液晶材料を用いれば良い。この
ようにして図８に示すアクティブマトリクス型の液晶表
示装置が完成する。

【００６２】図９はスペーサとシール剤を形成したアク
ティブマトリクス基板の上面図を示し、画素部および駆
動回路部とスペーサおよびシール剤の位置関係を示す上
面図である。画素領域５８８の周辺に駆動回路として走
査信号駆動回路５８５と画像信号駆動回路５８６が設け
られている。さらに、その他ＣＰＵやメモリなどの信号
処理回路５８７も付加されていても良い。そして、これ
らの駆動回路は接続配線５８３によって外部入出力端子
５８２と接続されている。画素部５８８では走査信号駆
動回路５８５から延在するゲート配線群５８９と画像信
号駆動回路５８６から延在するソース配線群５９０がマ
トリクス状に交差して画素を形成し、各画素にはそれぞ
れ図５（Ｃ）で示す画素ＴＦＴ３５４と保持容量３５５
が設けられている。

【００６３】画素領域に設ける柱状スペーサ４０１は、
すべての画素に対して設けても良いが、マトリクス状に
配列した画素の数個から数十個おきに設けても良い。即
ち、画素部を構成する画素の全数に対するスペーサの数
の割合は２０〜１００％とすると良い。また、駆動回路
部に設けるスペーサ４０２はその全面を覆うように設け
ても良いし、図８で示したように各ＴＦＴのソースおよ
びドレイン配線の位置にあわせて複数個に分割して設け
ても良い。シール材５７９は、基板３０１上の画素部５
８８および走査信号制御回路５８５、画像信号制御回路
５８６、その他の信号処理回路５８７の外側であって、
外部入出力端子５８２よりも内側に形成する。

【００６４】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置の構成を図１０の斜視図を用いて説明する。図１
０においてアクティブマトリクス基板は、基板３０１上
に形成された、画素部５８８と、走査信号駆動回路５８
５と、画像信号駆動回路５８６とその他の信号処理回路
５８７とで構成される。画素部５８８には画素ＴＦＴ３
５４と保持容量３５５が設けられ、画素部の周辺に設け
られる駆動回路はＣＭＯＳ回路を基本として構成されて
いる。走査信号駆動回路５８５と、画像信号駆動回路５
８６はそれぞれゲート配線３２２とソース配線３４９で
画素ＴＦＴ３５４に接続している。また、フレキシブル
プリント配線板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ
Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）５９１が外部入力端子５８２
に接続していて画像信号などを入力するのに用いる。そ
して接続配線５８３でそれぞれの駆動回路に接続してい
る。また、対向基板４０４には図示していないが、遮光
膜や透明電極が設けられている。

【００６５】このような構成の液晶表示装置は、実施例
１、２で示すアクティブマトリクス基板を用いて形成す
ることができる。実施例１で示すアクティブマトリクス
基板を用いれば反射型の液晶表示装置が得られ、実施例
２で示すアクティブマトリクス基板を用いると透過型の
液晶表示装置を得ることができる。

【００６６】[実施例４]本発明の半導体装置は、各種多
様の電子機器の表示装置や各種集積回路、或いは、従来
の集積回路に代わる回路用途に応用することができる。
このような半導体装置には、携帯情報端末（電子手帳、
モバイルコンピュータ、携帯電話等）、ビデオカメラ、
スチルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、プロ
ジェクター等が挙げられる。それらの一例を図１１〜図
１３に示す。

【００６７】図１１（Ａ）は携帯電話であり、表示用パ
ネル２７０１、操作用パネル２７０２、接続部２７０３
から成り、表示用パネル２７０１には液晶表示装置また
はＥＬ表示装置に代表される表示装置２７０４、音声出
力部２７０５、アンテナ２７０９などが設けられてい
る。操作パネル２７０２には操作キー２７０６、電源ス
イッチ２７０２、音声入力部２７０５８などが設けられ
ている。本発明は表示装置２９０４及びそれに付随する
半導体集積回路の作製工程に用いることができる。

【００６８】図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
９１０１、液晶表示装置またはＥＬ表示装置に代表され
る表示装置９１０２、音声入力部９１０３、操作スイッ
チ９１０４、バッテリー９１０５、受像部９１０６から
成っている。本発明は表示装置９１０２及びそれに付随
する半導体集積回路の作製工程に用いることができる。

【００６９】図１１（Ｃ）はモバイルコンピュータ或い
は携帯型情報端末であり、本体９２０１、カメラ部９２
０２、受像部９２０３、操作スイッチ９２０４、液晶表
示装置またはＥＬ表示装置に代表される表示装置９２０
５で構成されている。本発明は表示装置９２０５及びそ
れに付随する半導体集積回路の作製工程に用いることが
できる。

【００７０】図１１（Ｄ）はテレビ受像器であり、本体
９４０１、スピーカ９４０２、液晶表示装置またはＥＬ
表示装置に代表される表示装置９４０３、受信装置９４
０４、増幅装置９４０５等で構成される。本発明は表示
装置９４０３及びそれに付随する半導体集積回路の作製
工程に用いることができる。

【００７１】図１１（Ｅ）は携帯書籍であり、本体９５
０１、液晶表示装置またはＥＬ表示装置に代表される表
示装置９５０２、９５０３、記憶媒体９５０４、操作ス
イッチ９５０５、アンテナ９５０６から構成されてお
り、ミニディスク（ＭＤ）やＤＶＤに記憶されたデータ
や、アンテナで受信したデータを表示するものである。
本発明は表示装置９５０２、９５０３及びそれに付随す
る半導体集積回路の作製工程に用いることができる。

【００７２】図１２（Ａ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体９６０１、画像入力部９６０２、液晶表示装
置またはＥＬ表示装置に代表される表示装置９６０３、
キーボード９６０４で構成される。本発明は表示装置９
６０１及びそれに付随する半導体集積回路の作製工程に
用いることができる。

【００７３】図１２（Ｂ）はプログラムを記録した記録
媒体（以下、記録媒体と呼ぶ）を用いるプレーヤーであ
り、本体９７０１、液晶表示装置またはＥＬ表示装置に
代表される表示装置９７０２、スピーカ部９７０３、記
録媒体９７０４、操作スイッチ９７０５で構成される。
なお、この装置は記録媒体としてＤＶＤ（Ｄｉｇｔｉａ
ｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）、ＣＤ等を用い、音
楽鑑賞や映画鑑賞やゲームやインターネットを行うこと
ができる。本発明は表示装置９７０２及びそれに付随す
る半導体集積回路の作製工程に用いることができる。

【００７４】図１２（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体９８０１、液晶表示装置またはＥＬ表示装置に代表さ
れる表示装置９８０２、接眼部９８０３、操作スイッチ
９８０４、受像部（図示しない）で構成される。本発明
は表示装置９８０２及びそれに付随する半導体集積回路
の作製工程に用いることができる。

【００７５】図２１（Ａ）はフロント型プロジェクター
であり、投射装置３６０１、スクリーン３６０２で構成
される。本発明は表示装置３６０１及びそれに付随する
半導体集積回路の作製工程に用いることができる。

【００７６】図２１（Ｂ）はリア型プロジェクターであ
り、本体３７０１、投射装置３７０２、ミラー３７０
３、スクリーン３７０４で構成される。本発明は表示装
置３７０２及びそれに付随する半導体集積回路の作製工
程に用いることができる。

【００７７】尚、図２１（Ｃ）は、図２１（Ａ）及び図
２１（Ｂ）中における投射装置３６０１、３７０２の構
造の一例を示した図である。投射装置３６０１、３７０
２は、光源光学系３８０１、ミラー３８０２、３８０４
〜３８０６、ダイクロイックミラー３８０３、プリズム
３８０７、液晶表示装置３８０８、位相差板３８０９、
投射光学系３８１０で構成される。投射光学系３８１０
は、投射レンズを含む光学系で構成される。本実施例は
三板式の例を示したが、特に限定されず、例えば単板式
であってもよい。また、図２１（Ｃ）中において矢印で
示した光路に実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を
有するフィルムや、位相差を調節するためのフィルム、
ＩＲフィルム等の光学系を設けてもよい。

【００７８】また、図２１（Ｄ）は、図２１（Ｃ）中に
おける光源光学系３８０１の構造の一例を示した図であ
る。本実施例では、光源光学系３８０１は、リフレクタ
ー３８１１、光源３８１２、レンズアレイ３８１３、３
８１４、偏光変換素子３８１５、集光レンズ３８１６で
構成される。なお、図２１（Ｄ）に示した光源光学系は
一例であって特に限定されない。例えば、光源光学系に
実施者が適宜、光学レンズや、偏光機能を有するフィル
ムや、位相差を調節するフィルム、ＩＲフィルム等の光
学系を設けてもよい。

【００７９】ここでは図示しなかったが、本発明はその
他にもナビゲーションシステムをはじめ冷蔵庫、洗濯
機、電子レンジ、固定電話機、ファクシミリなどに組み
込む表示装置としても適用することも可能である。この
ように本発明の適用範囲はきわめて広く、さまざまな製
品に適用することができる。

【００８０】

【発明の効果】イオン注入法またはイオンドープ法で形
成される不純物添加領域のラマン散乱光スペクトルのピ
ーク位置を判別することにより、該不純物添加領域の活
性化前に活性化後のシート抵抗を予測することができ
る。その結果を基に、必要があれば追加のドーピングを
行い、不純物添加領域における活性化後のシート抵抗を
１ｋΩ／□以下とすることができる。このような本発明
の方法を適用すれば、結晶性シリコンを用いて作製され
る半導体素子の特性ばらつきを低減させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 結晶性のシリコンに絶縁膜上からリン（Ｐ）
をイオンドーピングで添加し、ラマン散乱光スペクトル
測定を行った結果である。矢印と点線で示したピークは
結晶性のシリコンによるものである。

【図２】 図１で示したピークの位置と、そのサンプル
を８５０℃で３０分間熱処理した後電気測定を行い、シ
ート抵抗を求めたものとの関係である。

【図３】 画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図４】 画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図５】 画素ＴＦＴ、駆動回路のＴＦＴの作製工程を
示す断面図。

【図６】 画素領域の画素を示す上面図。

【図７】 透過型液晶表示装置の画素の構成を説明する
断面図。

【図８】 液晶表示装置の構成を説明する断面図。

【図９】 液晶表示装置の入力端子、配線、回路配置、
スペーサ、シール剤の配置を説明する上面図。

【図１０】 液晶表示装置の構成を説明する斜視図。

【図１１】 半導体装置の一例を示す図。

【図１２】 半導体装置の一例を示す図。

【図１３】 プロジェクターの一例を示す図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M106 AA01 BA05 CB01 DH13 5F052 AA02 AA11 BB02 BB07 DA02 DB03 DB07 JA01 JA04 5F110 AA24 BB02 CC02 DD01 DD02 DD13 DD14 DD15 DD25 EE01 EE04 EE14 EE23 EE27 EE44 EE45 FF02 FF04 FF09 FF28 FF30 FF36 GG02 GG13 GG25 GG43 GG45 HJ01 HJ04 HJ12 HJ13 HJ23 HJ30 HL03 HL04 HL11 HL27 HM15 NN03 NN22 NN23 NN24 NN27 NN35 NN72 NN73 PP03 PP06 QQ04 QQ11 QQ19 QQ23 QQ24 QQ25

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】結晶性半導体に、イオン注入またはイオン
   ドーピングを用いて不純物を添加する第一の工程と、 前記第一の工程において不純物を添加した領域のラマン
   散乱光スペクトルを測定する工程とを有することを特徴
   とする半導体装置の作製方法。
2. 【請求項２】結晶性半導体に、イオン注入またはイオン
   ドーピングを用いて不純物を添加する第一の工程と、 前記第一の工程において不純物を添加した領域のラマン
   散乱光スペクトルを測定する第二の工程と、 前記第二の工程において得られたラマン散乱光スペクト
   ルの測定結果をもとに第一の工程の妥当性を判断し、不
   適切であれば第一の工程を再度行う工程とを含むことを
   特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 【請求項３】結晶性半導体に、イオン注入またはイオン
   ドーピングを用いて不純物を添加する第一の手段と、 前記第一の手段において不純物を添加した領域のラマン
   散乱光スペクトルを測定する第二の手段とを有すること
   を特徴とする不純物添加装置。
4. 【請求項４】結晶性半導体に、イオン注入またはイオン
   ドーピングを用いて不純物を添加する第一の手段と、 前記第一の手段において不純物を添加した領域のラマン
   散乱光スペクトルを測定する第二の手段と、 前記第二の手段において得られたラマン散乱光スペクト
   ルのピーク位置を判断する第三の手段とを有することを
   特徴とする不純物添加装置。