JP5068438B2 - 半導体メモリ装置及びこの装置の配置方法 - Google Patents
半導体メモリ装置及びこの装置の配置方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5068438B2 JP5068438B2 JP2005264291A JP2005264291A JP5068438B2 JP 5068438 B2 JP5068438 B2 JP 5068438B2 JP 2005264291 A JP2005264291 A JP 2005264291A JP 2005264291 A JP2005264291 A JP 2005264291A JP 5068438 B2 JP5068438 B2 JP 5068438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data input
- local data
- output signal
- line
- signal line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0207—Geometrical layout of the components, e.g. computer aided design; custom LSI, semi-custom LSI, standard cell technique
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
- G11C5/025—Geometric lay-out considerations of storage- and peripheral-blocks in a semiconductor storage device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
- G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/18—Bit line organisation; Bit line lay-out
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/50—Peripheral circuit region structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Dram (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
CJ:接合領域
SWD:サブワードラインドライバ領域
SA:センス増幅器領域
SMCA:サブメモリセルアレイ領域
MC:メモリセル
BL:ビットライン
PX:ワード選択信号ライン
NWL:メインワードライン
SWL:サブワードライン
CSL:コラム選択信号ライン
LIO:ローカルデータ入出力ライン
GIO:グローバルデータ入出力ライン
LGIOMUX:ローカルグローバルマルチプレクサ領域
IOSA:入出力センス増幅器
PERI:ローアドレスデコーダを含む周辺回路領域
DIO:データ入出力信号ライン
P1、P2:パワーライン、
CON:サブワードラインドライバ制御信号ライン
Claims (34)
- メモリセルアレイを備える半導体メモリ装置において、
前記メモリセルアレイ上の同一層に同じ方向で配置されたコラム選択信号ライン及びグローバルデータ入出力信号ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記コラム選択信号ラインと異なる層に前記コラム選択信号ラインと直交する方向で配置されたワードライン及び第1ローカルデータ入出力信号ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記コラム選択信号ライン及び前記ワードラインと異なる層に前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同じ方向に配置された第2ローカルデータ入出力信号ラインと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ライン一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1及び第2ローカルデータ入出力信号ラインは、ローカルデータ入出力信号ライングループに分割され、各ローカルデータ入出力信号ライングループは2対を単位として構成されてこれらは相互に隣接して配置され、その2つのローカルデータ入出力信号ライン対の各々は複数の部分ローカルデータ入出力信号ラインで構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第1部分ローカルデータ入出力ラインと、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第2部分ローカルデータ入出力ラインと、を含み、
前記第1部分ローカルデータ入出力ラインの他端と前記第2部分ローカルデータ入出力ラインの他端が互いに交差するように形成され、
前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続され、
前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続される
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されたセンス増幅器領域と、をさらに備えて、前記第1及び第2ローカルデータ信号ラインは前記センス増幅器領域上に配置させることを特徴とする請求項4に記載の半導体メモリ装置。 - 前記メモリセルアレイ領域上に各々配置されるメモリセルは、ダイナミックメモリセルであることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。
- 前記グローバルデータ入出力ラインは、前記センス増幅器領域及び前記サブメモリセルアレイ領域上に配置されることを特徴とする請求項5に記載の半導体メモリ装置。
- メモリセルアレイ及び周辺回路領域を備える半導体メモリ装置において、
前記メモリセルアレイ上の同一層に同じ方向で配置されたワードライン及びローカルデータ入出力信号ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記ワードラインと異なる層に前記ワードラインと直交する方向で配置されたコラム選択信号ライン及び第1グローバルデータ入出力信号ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記ワードライン及び前記コラム選択信号ラインと異なる層に前記第1グローバルデータ入出力信号ラインと直交する方向で配置された第2グローバルデータ入出力信号ラインと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されるセンス増幅器領域と、
前記センス増幅器領域及び前記サブメモリセルアレイ領域の上に配置される第1グローバルデータ入出力ラインと、
前記サブメモリセルアレイ領域及び前記サブワードラインドライバ領域上に配置される第2グローバルデータ入出力ラインと、
をさらに備えることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。 - 前記メモリセルは、
ダイナミックメモリセルであることを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記第2グローバルデータ入出力ラインと接続される入出力センス増幅器が前記周辺回路領域に配置されることを特徴とする請求項9に記載の半導体メモリ装置。 - メモリセルアレイ及び周辺回路領域を備える半導体メモリ装置において、
前記メモリセルアレイ上の同一層に同じ方向で配置されたワードライン及び第1ローカルデータ入出力ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記ワードラインが配置された層と異なる層に前記第1ローカルデータ入出力ラインと同じ方向で配置された第2ローカルデータ入出力ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記ワードライン及び前記第2ローカルデータ入出力ラインと異なる層に前記ワードラインと直交する方向で配置されたコラム選択信号ライン及び第1グローバルデータ入出力ラインと、
前記メモリセルアレイ上の前記第2ローカルデータ入出力ラインと同一層に前記第1グローバルデータ入出力ラインと直交する方向で配置された第2グローバルデータ入出力ラインと、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインは、所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインの分割された部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されて、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインの分割された部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列される、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインの分割された部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されて、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインの分割された部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1及び第2ローカルデータ入出力信号ラインは、ローカルデータ入出力信号ライングループに分割され、各ローカルデータ入出力信号ライングループは2対を単位として構成されてこれらは相互に隣接して配置され、その2つのローカルデータ入出力信号ライン対の各々は複数の部分ローカルデータ入出力信号ラインで構成されることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第1部分ローカルデータ入出力ラインと、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第2部分ローカルデータ入出力ラインと、を含み、
前記第1部分ローカルデータ入出力ラインの他端と前記第2部分ローカルデータ入出力ラインの他端が互いに交差するように形成され、
前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続され、
前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続される
ことを特徴とする請求項14に記載の半導体メモリ装置。 - 前記ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されるセンス増幅器領域と、
前記センス増幅器領域上に配置される第1及び第2ローカルデータ入出力信号ラインと、
前記センス増幅器領域及び前記サブメモリセルアレイ領域の上に配置される第1グローバルデータ入出力信号ラインと、
前記サブメモリセルアレイ領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上に配置される第2グローバルデータ入出力信号ラインと、
をさらに備えることを特徴とする請求項12に記載の半導体メモリ装置。 - 前記メモリセルアレイ領域の各々に形成されるメモリセルは、ダイナミックメモリセルであることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2グローバルデータ入出力ラインと接続された入出力センス増幅器が前記周辺回路領域に配置されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインは、所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。 - 前記第1及び第2ローカルデータ入出力信号ラインはローカルデータ入出力信号ライングループに分割され、各ローカルデータ入出力信号ライングループは2対を単位として構成されてこれらは相互に隣接して配置され、その2つのローカルデータ入出力信号ライン対の各々は複数の部分ローカルデータ入出力信号ラインで構成されることを特徴とする請求項16に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第1部分ローカルデータ入出力ラインと、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第2部分ローカルデータ入出力ラインと、を含み、
前記第1部分ローカルデータ入出力ラインの他端と前記第2部分ローカルデータ入出力ラインの他端が互いに交差するように形成され、
前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続され、
前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続される
ことを特徴とする請求項20に記載の半導体メモリ装置。 - 前記半導体メモリ装置は、
前記第2グローバルデータ入出力ラインと接続された入出力センス増幅器が前記周辺回路領域に配置されることを特徴とする請求項21に記載の半導体メモリ装置。 - ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されるセンス増幅器領域と、
前記サブワードラインドライバ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置された接合領域と、を備える半導体メモリ装置において、
前記センス増幅器領域及び前記サブメモリセルアレイ領域の上の前記ワードラインと異なる層に前記ワードラインと直交する方向で配置されたコラム選択信号ラインと、
前記センス増幅器領域及び前記接合領域の上の前記ワードラインと同一層に前記ワードラインと同じ方向で配置されるローカルデータ入出力信号ラインと、
前記接合領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上の前記ワードラインと異なる層に前記コラム選択信号ラインと同じ方向で配置されるサブワードラインドライバ制御信号ラインと、
前記接合領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上の前記ワードライン及び前記サブワードラインドライバ制御信号ラインと異なる層に前記コラム選択信号ラインと同じ方向で配置されるグローバルデータ入出力信号ラインと、を備えて、
前記ローカルデータ入出力信号ラインと前記グローバルデータ入出力信号ラインとの間にデータを伝送するローカルグローバル入出力マルチプレクサが前記接合領域に配置されることを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記グローバルデータ入出力信号ラインは、前記コラム選択信号ラインと同一層に配置されることを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置。
- 前記サブワードラインドライバ制御信号ラインは、前記コラム選択信号ラインと同一層に配置されることを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置。
- ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されたセンス増幅器領域と、
ローアドレスデコーダを備える周辺回路領域と、
を備える半導体メモリ装置の配置方法において、
前記センス増幅器領域上の前記ワードラインと同一層に前記ワードラインと同じ方向で第1ローカルデータ入出力ラインを配置する段階と、
前記センス増幅器領域上の前記ワードラインと異なる層に前記第1ローカルデータ入出力ラインと同じ方向で第2ローカルデータ入出力ラインを配置する段階と、
前記サブメモリセルアレイ領域及び前記センス増幅器領域の上の前記ワードライン及び前記第2ローカルデータ入出力ラインと異なる層に前記ワードラインと直交する方向でコラム選択信号ライン及び第1グローバルデータ入出力ラインを配置する段階と、
前記サブメモリセルアレイ領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上の前記第2ローカルデータ入出力ラインと同一層に前記第1グローバルデータ入出力ラインと直交する方向で第2グローバルデータ入出力ラインを配置する段階と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置の配置方法。 - 前記第2グローバルデータ入出力信号ラインと接続された入出力センス増幅器を前記周辺領域に配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置の配置方法。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第1ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインは所定数の部分ローカルデータ入出力信号ラインに分割され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの一部の各々は前記第1ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列され、前記第2ローカルデータ入出力信号ラインを分割した部分ローカルデータ入出力信号ラインの残りの各々は前記第2ローカルデータ入出力信号ラインと同一層に配列されることを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置の配置方法。 - 前記第1及び第2ローカルデータ入出力信号ラインはローカルデータ入出力信号ライングループに分割され、各ローカルデータ入出力信号ライングループは2対を単位して構成されてこれらは相互に隣接して配置され、その2つのローカルデータ入出力信号ライン対の各々は複数の部分ローカルデータ入出力信号ラインで構成されることを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置の配置方法。
- 前記第1ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第1部分ローカルデータ入出力ラインと、
前記第2ローカルデータ入出力信号ラインが配列される層と同一層に配列される複数の第2部分ローカルデータ入出力ラインと、を含み、
前記第1部分ローカルデータ入出力ラインの他端と前記第2部分ローカルデータ入出力ラインの他端が互いに交差するように形成され、
前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続され、
前記第2部分ローカルデータ入出力信号ラインの一端と前記第1部分ローカルデータ入出力信号ラインの他端が互いに接続される
ことを特徴とする請求項29に記載の半導体メモリ装置の配置方法。 - 前記第2グローバルデータ入出力信号ラインと接続された入出力センス増幅器を前記周辺領域に配置する段階をさらに備えることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置の配置方法。
- ワードラインと同じ方向で配置されたサブワードラインと前記ワードラインと直交する方向で配置されたビットラインとの間に接続されたメモリセルを備えるサブメモリセルアレイ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向と直交する方向に並ぶように配置されたサブワードラインドライバ領域と、
前記サブメモリセルアレイ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置されたセンス増幅器領域と、
前記サブワードラインドライバ領域間の領域に前記ビットラインの延びる方向に並ぶように配置された接合領域と、
を備える半導体メモリ装置の配置方法において、
前記センス増幅器領域及び前記サブメモリセルアレイ領域の上の前記ワードラインと異なる層に前記ワードラインと直交する方向でコラム選択信号ラインを配置する段階と、
前記センス増幅器領域及び前記接合領域の上の前記ワードラインと同一層に前記ワードラインと同じ方向でローカルデータ入出力信号ラインを配置する段階と、
前記接合領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上の前記ワードラインと異なる層に前記コラム選択信号ラインと同じ方向でサブワードラインドライバ制御信号ラインを配置する段階と、
前記接合領域及び前記サブワードラインドライバ領域の上の前記ワードライン及び前記サブワードラインドライバ制御信号ラインと異なる層に前記コラム選択信号ラインと同じ方向でグローバルデータ入出力信号ラインを配置する段階と、
前記ローカルデータ入出力信号ラインと前記グローバルデータ入出力信号ラインとの間にデータを伝送するローカルグローバル入出力マルチプレクサを前記接合領域に配置する段階と、
を備えることを特徴とする半導体メモリ装置の配置方法。 - 前記グローバルデータ入出力信号ラインを前記コラム選択信号ラインと同一層に配置することを特徴とする請求項32に記載の半導体メモリ装置の配置方法。
- 前記サブワードラインドライバ制御信号ラインを前記コラム選択信号ラインと同一層に配置することを特徴とする請求項32に記載の半導体メモリ装置の配置方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040072761A KR100615575B1 (ko) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 배치 방법 |
KR10-2004-0072761 | 2004-09-10 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006080537A JP2006080537A (ja) | 2006-03-23 |
JP5068438B2 true JP5068438B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=36159688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005264291A Expired - Fee Related JP5068438B2 (ja) | 2004-09-10 | 2005-09-12 | 半導体メモリ装置及びこの装置の配置方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7295454B2 (ja) |
JP (1) | JP5068438B2 (ja) |
KR (1) | KR100615575B1 (ja) |
TW (1) | TWI265526B (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7161823B2 (en) * | 2004-06-03 | 2007-01-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor memory device and method of arranging signal and power lines thereof |
KR100665837B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치에서의 라인 배치 구조 |
JP2008258425A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 標準セルおよびこれを有する半導体装置 |
KR100833596B1 (ko) * | 2007-04-30 | 2008-05-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치 및 그의 레이아웃 방법 |
JP5690464B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2015-03-25 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体記憶装置 |
KR20090090602A (ko) * | 2008-02-21 | 2009-08-26 | 삼성전자주식회사 | 워드 라인 저항을 감소시킬 수 있는 상 변화 메모리 장치 |
JP2012043486A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
US9214219B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-12-15 | Rambus Inc. | Distributed sub-page selection |
JP5777991B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2015-09-16 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2013131615A (ja) * | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Elpida Memory Inc | 半導体装置 |
CN105825881B (zh) * | 2015-01-09 | 2019-01-01 | 旺宏电子股份有限公司 | 记忆体 |
KR102291518B1 (ko) | 2015-03-20 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 스토리지 장치 |
US9818623B2 (en) | 2016-03-22 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Method of forming a pattern for interconnection lines and associated continuity blocks in an integrated circuit |
US9786545B1 (en) | 2016-09-21 | 2017-10-10 | Globalfoundries Inc. | Method of forming ANA regions in an integrated circuit |
US9818640B1 (en) | 2016-09-21 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Apparatus and method of forming self-aligned cuts in a non-mandrel line of an array of metal lines |
US9818641B1 (en) | 2016-09-21 | 2017-11-14 | Globalfoundries Inc. | Apparatus and method of forming self-aligned cuts in mandrel and a non-mandrel lines of an array of metal lines |
US9852986B1 (en) | 2016-11-28 | 2017-12-26 | Globalfoundries Inc. | Method of patterning pillars to form variable continuity cuts in interconnection lines of an integrated circuit |
US10002786B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-06-19 | Globalfoundries Inc. | Interconnection cells having variable width metal lines and fully-self aligned variable length continuity cuts |
US10043703B2 (en) | 2016-12-15 | 2018-08-07 | Globalfoundries Inc. | Apparatus and method for forming interconnection lines having variable pitch and variable widths |
US9887127B1 (en) * | 2016-12-15 | 2018-02-06 | Globalfoundries Inc. | Interconnection lines having variable widths and partially self-aligned continuity cuts |
US9812351B1 (en) | 2016-12-15 | 2017-11-07 | Globalfoundries Inc. | Interconnection cells having variable width metal lines and fully-self aligned continuity cuts |
US10262935B2 (en) * | 2016-12-16 | 2019-04-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device and method of disposing conduction lines of the same |
KR20200132035A (ko) | 2019-05-15 | 2020-11-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
US11043500B1 (en) * | 2020-03-19 | 2021-06-22 | Micron Technology, Inc. | Integrated assemblies comprising twisted digit line configurations |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04340252A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路装置及びセルの配置配線方法 |
JP3212795B2 (ja) * | 1994-03-15 | 2001-09-25 | 株式会社東芝 | ダイナミック型半導体記憶装置 |
JPH0863957A (ja) | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Hitachi Ltd | データ線ツイスト部配置方法及びこれを用いた半導体集積回路装置 |
JP3666671B2 (ja) * | 1994-12-20 | 2005-06-29 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP3453235B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体記憶装置 |
JPH09253806A (ja) | 1996-03-25 | 1997-09-30 | Nippon Steel Corp | 連続鋳造用タンディッシュおよびその使用方法 |
US5821592A (en) * | 1997-06-30 | 1998-10-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Dynamic random access memory arrays and methods therefor |
KR100300047B1 (ko) * | 1998-05-30 | 2001-09-22 | 김영환 | 노이즈 간섭 방지를 위한 데이터라인 배열 구조를 갖는 반도체 메모리 소자 |
JP2000022108A (ja) * | 1998-07-02 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP3779480B2 (ja) * | 1999-02-10 | 2006-05-31 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR20010016800A (ko) * | 1999-08-04 | 2001-03-05 | 윤종용 | 반도체 메모리 장치의 신호 라인 배치방법 |
KR100310992B1 (ko) * | 1999-09-03 | 2001-10-18 | 윤종용 | 멀티 뱅크 메모리 장치 및 입출력 라인 배치방법 |
JP4127605B2 (ja) | 2001-09-07 | 2008-07-30 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2003085976A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路 |
US6980462B1 (en) * | 2003-11-18 | 2005-12-27 | Lsi Logic Corporation | Memory cell architecture for reduced routing congestion |
KR100642636B1 (ko) * | 2004-07-30 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 라인 배치 방법 |
US7142471B2 (en) * | 2005-03-31 | 2006-11-28 | Sandisk 3D Llc | Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array |
-
2004
- 2004-09-10 KR KR1020040072761A patent/KR100615575B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-09-09 TW TW094131055A patent/TWI265526B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-12 JP JP2005264291A patent/JP5068438B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-12 US US11/225,221 patent/US7295454B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-09-27 US US11/863,141 patent/US7679985B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-27 US US11/863,151 patent/US7391636B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060023866A (ko) | 2006-03-15 |
US20080013397A1 (en) | 2008-01-17 |
US20060055045A1 (en) | 2006-03-16 |
TWI265526B (en) | 2006-11-01 |
KR100615575B1 (ko) | 2006-08-25 |
US7295454B2 (en) | 2007-11-13 |
US7679985B2 (en) | 2010-03-16 |
US20080013357A1 (en) | 2008-01-17 |
TW200614257A (en) | 2006-05-01 |
US7391636B2 (en) | 2008-06-24 |
JP2006080537A (ja) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5068438B2 (ja) | 半導体メモリ装置及びこの装置の配置方法 | |
US10566047B2 (en) | Semiconductor device having multiport memory | |
KR20210110012A (ko) | 서브 워드라인 드라이버 | |
JP2008108818A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7630223B2 (en) | Memory device and method of arranging signal and power lines | |
US20100328985A1 (en) | Semiconductor device having plural circuit blocks laid out in a matrix form | |
KR100873623B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
JP5458235B2 (ja) | 半導体記憶装置、およびlio分割方法 | |
JP2000228508A (ja) | 半導体記憶装置 | |
EP0788109B1 (en) | Semiconductor integrated circuit having improved wiring in input terminal | |
JP3469074B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP3571497B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2009170903A (ja) | 複数のカッティング部を有するヒューズ及びこれを含むヒューズセット構造 | |
KR100702007B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 이의 신호라인 배치 방법 | |
US20050248042A1 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2010177505A (ja) | 半導体集積回路及びそのレイアウト方法 | |
JP2000260965A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100833596B1 (ko) | 반도체 장치 및 그의 레이아웃 방법 | |
CN116705786A (zh) | 半导体结构版图及半导体结构 | |
US6687182B2 (en) | Semiconductor memory device | |
JP2008078315A (ja) | 半導体装置 | |
KR20050106895A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 그의 레이아웃 방법 | |
JP2009158574A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080201 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20080619 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080910 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120327 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120815 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |