JPH09253806A - 連続鋳造用タンディッシュおよびその使用方法 - Google Patents

連続鋳造用タンディッシュおよびその使用方法

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JPH09253806A
JPH09253806A JP6696096A JP6696096A JPH09253806A JP H09253806 A JPH09253806 A JP H09253806A JP 6696096 A JP6696096 A JP 6696096A JP 6696096 A JP6696096 A JP 6696096A JP H09253806 A JPH09253806 A JP H09253806A
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JP
Japan
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molten metal
ladle
pouring
chamber
receiving chamber
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JP6696096A
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Kazumi Yasuda
一美 安田
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Nippon Steel Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】異鋼種連々鋳において、成分規格に適合しない
ために屑化される鋳片の発生量を低減する。またタンデ
ィッシュへの合金添加により取鍋の溶湯の一部を成分の
異なる鋳片とする際に、成分規格に適合しないために屑
化される鋳片の発生量を低減する。 【解決手段】受湯室とこれに連接した1または2以上の
注湯室とを有し、受湯室の底面は注湯室の底面よりも高
く形成し、受湯室と注湯室とは隔壁により区割されると
共に受湯室の底面に近い高さに設けられた開閉可能な開
孔部により連通可能に形成されたタンディッシュを用い
る。先鍋からの溶湯の供給を停止し、受湯室内の先鍋の
溶湯を注湯室に移し、開孔部を閉じ、後鍋の溶湯を受湯
室に注入し、注湯室内の先鍋の溶湯量が十分に低減した
後に開孔部を開く。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は連続鋳造用タンディ
ッシュとその使用方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば先鍋の溶湯と後鍋の溶湯の成分が
異なる連々鋳(異鋼種連々鋳)において、先鍋から後鍋
に交換する際は、タンディッシュから鋳型への溶湯の注
入は継続したままで、タンディッシュ内に先鍋の溶湯が
残存している間に後鍋の溶湯をタンディッシュに注入開
始する。
【0003】この際、先鍋の溶湯と後鍋の溶湯はタンデ
ィッシュ内で混じり合って鋳型に注入される。後鍋の注
入開始の直後は、タンディッシュ内には先鍋の溶湯量が
多く後鍋の溶湯量が少ないために、鋳型には先鍋に近い
成分の溶湯が注入されるが、後鍋の溶湯が混じっている
ため先鍋の溶湯の成分規格には適合しない。このために
鋳片は屑化される。後鍋の注入開始からの時間が経過す
るとタンディッシュ内の溶湯は後鍋の成分に近づくが、
後鍋の成分規格に適合する成分となるためには後鍋の注
入開始から相当の時間が必要で、それまでに製造された
鋳片も後鍋の成分規格に適合しないために屑化される。
【0004】また取鍋溶鋼の受鋼の途中でタンディッシ
ュに合金を添加し、取鍋溶鋼の一部を取鍋溶鋼の成分と
は異なる連続鋳造鋳片とする試みも行なわれている。し
かしこの際にもタンディッシュ内の溶鋼は急には成分が
変わらないため、成分規格に適合しない鋳片が発生す
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、先鍋の溶湯
と後鍋の溶湯の成分が異なる異鋼種連々鋳において、後
鍋の注入開始後、短時間内で、後鍋の成分規格に適合す
る溶湯を鋳型に注入する事ができる連続鋳造用タンディ
ッシュとその使用方法の提供を課題としている。
【0006】本発明はまた、取鍋溶鋼の一部を取鍋溶鋼
とは異なる成分の鋳片とする際に、成分規格に適合しな
いために屑化される鋳片の発生量を低減することを課題
としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は(1)取鍋から
の溶湯を受け入れる受湯室と、受湯室に連接され受湯室
からの溶湯を受け入れて連続鋳造鋳型に注入する1また
は2以上の注湯室とを有し、受湯室の底面は注湯室の底
面よりも高く、受湯室と注湯室とは隔壁により区割され
ると共に受湯室の底面に近い高さに設けられた開閉可能
な開孔部により連通可能に形成されていることを特徴と
する、連続鋳造用タンディッシュである。
【0008】また(2)注湯室が合金添加装置を有する
注湯室である、前記(1)記載の連続鋳造用タンディッ
シュである。
【0009】また(3)先鍋の溶湯を鋳造した後で先鍋
の溶湯とは成分が異なる後鍋の溶湯を鋳造する異鋼種連
々鋳に際し前記(1)または(2)に記載のタンディッ
シュを用いて、先鍋からの溶湯の供給を停止し、受湯室
内の先鍋の溶湯の全部又は殆どが注湯室に移動した後で
開孔部を閉じ、受湯室に後鍋の溶湯を注入し、注湯室内
の先鍋の溶湯が十分に少なくなった後で開孔部を開き、
受湯室内の後鍋の溶湯を注湯室を経由して鋳型に注入す
る事を特徴とする、連続鋳造用タンディッシュの使用方
法である。
【0010】また(4)前記(2)の連続鋳造用タンデ
ィッシュを用いて取鍋から溶湯を受け入れている途中
で、開孔部の一部または全部を閉めて一部または全部の
注湯室内の溶湯量を十分に減少させ、その後合金添加装
置から該一部又は全部の注湯室に合金を添加すると共に
該一部または全部の開孔部を開き、該一部又は全部の注
湯室内の合金を添加した溶湯を用いて、取鍋溶湯とは異
なる成分の連続鋳造鋳片を製造することを特徴とする、
連続鋳造用タンディッシュの使用方法である。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は本発明の例の説明図で、
(A)は先鍋の溶湯の注入の説明図、(B)は先鍋の溶
湯の注入終了時の説明図、(C)は後鍋の溶湯の注入の
説明図である。即ち本発明の連続鋳造用タンディッシュ
は、取鍋10あるいは11から溶湯を受け入れる受湯室
1と、受湯室1に連接され受湯室1からの溶湯を受け入
れて連続鋳造鋳型8に注入する1または2以上の注湯室
2,2’とを有する。
【0012】受湯室1の底面3は注湯室2,2’の底面
4よりも高く形成されている。また受湯室1と注湯室
2,2’は隔壁5により区割されると共に受湯室の底面
3に近い高さに設けられた開閉可能な開孔部6,6’に
より連通可能に形成されている。図中9,9’は合金添
加装置で、注湯室2,2’に配設する。
【0013】尚図1で開閉可能な開孔部6はノズルとス
トッパー7を用いる例であるが、開孔部6は例えば隔壁
5に設けた横孔とこの横孔を開閉するために隔壁5に沿
って上下するスライディング板とで形成したもの等であ
ってもよい。
【0014】先鍋10の溶湯12(図1(A))を鋳造
した後で先鍋の溶湯12とは成分が異なる後鍋11の溶
湯13(図1(C))を鋳造する異鋼種連々鋳を図1に
基づいて説明する。図1(A)で先鍋10からの溶湯の
供給を停止すると、開孔部6は開いているため、受湯室
1内の先鍋の溶湯12の全部又は殆どは注湯室2へ移動
し、図1(B)の状態になる。
【0015】その後、図1(C)の如く開孔部6を閉じ
て受湯室1へ後鍋11の溶湯13を注入する。この後鍋
の溶湯13の注入開始の際には受湯室1内には先鍋の溶
湯12は残留していない。従って図1(C)の受湯室1
内の後鍋の溶湯13は後鍋の成分規格に適合している。
【0016】開孔部6を閉じた後も、注湯室2,2’内
の先鍋の溶湯12の鋳型への注入は継続している。この
ため図1(C)で注湯室2内の先鍋の溶湯12は時間の
経過と共に少なくなる。図1(C)で開孔部6は閉じら
れているために、この際注湯室2内の先鍋の溶湯12は
後鍋の溶湯13と混じり合う事がなく、従って図1
(C)の注湯室2内の先鍋の溶湯12は先鍋の成分規格
に適合している。
【0017】図1(C)で、注湯室2内の先鍋の溶湯1
2の量が十分に少なくなった後で開孔部6を開き、受湯
室1内の後鍋の溶湯13を注湯室2へ流入させ、以後受
湯室1内の後鍋の溶湯13を注湯室2を経由して鋳型8
に注入する。開孔部6を開いた時、注湯室2内には先鍋
の溶湯12が残留し、後鍋の溶湯13と混合するが、先
鍋の溶湯12の残存量は十分に少ないために、注湯室2
内の溶湯は短時間で後鍋の溶湯の成分規格に適合するに
至る。
【0018】本発明においては、上記の如く、先鍋の溶
湯と後鍋の溶湯の混合は、受湯室1においては発生しな
い。先鍋の溶湯と後鍋の溶湯の混合は注湯室2において
発生するが、この混合に際して先鍋の溶湯量は十分に少
ないために、短時間内で後鍋の成分規格に適合する溶湯
となる。従って本発明によると、先鍋の溶湯と後鍋の溶
湯の混合のために成分規格に外れ屑化される連続鋳造鋳
片の発生量を十分に低減することができる。
【0019】図1において、各注湯室2,2’には合金
添加装置9,9’を配設することができる。また開孔部
6,6’の何れかをあるいは双方を閉じることにより、
注湯室2,2’内の溶湯量を所望の如くに十分に少なく
することができる。また注湯室2と2’の溶湯は混合す
る事はなく、注湯室2あるいは2’から受湯室1へ溶湯
が逆流することもない。
【0020】図1(A)において、取鍋溶湯12の注入
開始から注入終了までの間、継続して、例えば注湯室2
には合金供給装置から合金14を添加し、例えば注湯室
2’には合金の添加は行わない。この際、鋳型8から合
金を含有した成分規格に適合する鋳片が終始一貫して発
生し、鋳型8’からは合金を含有しない成分規格に適合
する鋳片が終始一貫して発生し、成分規格に適合しない
屑鋳片は発生しない。
【0021】図2は、成分がXの取鍋溶湯を受湯の途中
でその一部からXとは成分が異なる成分がYの連続鋳造
鋳片を製造する例の説明図である。図2(A)で開孔部
6を閉じ開孔部6’を開いて置くと注湯槽2内の溶湯X
の量のみが減少する。次に注湯室2のみに合金14を添
加し開孔部6開くと、図2(B)の如く、注湯室2内の
溶湯は、合金14を含有した成分がYの一様な組成にな
り、鋳型8からは成分がYの鋳片が、また鋳型8’から
は成分がXの鋳片が併行して取り出される。
【0022】図2の鋳型8においては、鋳片の成分を鋳
造の途中でXからYに変更するが、本発明によると、図
2(A)の如く、注湯室2内の溶湯Xの残留量が十分に
低減した後で合金を添加し成分をYに変更するため、成
分規格に外れて屑化される連続鋳造鋳片の発生量は低減
する。
【0023】
【発明の効果】本発明によると、先鍋の溶湯と後鍋の溶
湯の成分が異なる異鋼種連々鋳において、後鍋の注入開
始後短時間内で、後鍋の成分規格に適合する成分の鋳片
が得られるために、成分規格に適合しないために屑化さ
れる鋳片の発生量を低減する事ができる。
【0024】また本発明によると、取鍋溶鋼の一部を取
鍋溶鋼とは異なる成分の鋳片とする際に、成分規格に適
合しないために屑化される鋳片の発生量を低減する事が
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は本発明の例の説明図。
【図2】は本発明の装置の使用方法の例の説明図。
【符号の説明】
1:受湯室、 2(2’):注湯室、 3:受湯室の底
面、 4:注湯室の底面、 5:隔壁、 6(6’):
開孔部、 7:ストッパー、 8(8’):連続鋳造鋳
型、 9(9’):合金添加装置、 10:先鍋、 1
1:後鍋、 12:先鍋の溶湯、 13:後鍋の溶湯、
14:合金。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】取鍋から溶湯を受け入れる受湯室と、受湯
    室に連接され受湯室からの溶湯を受け入れて連続鋳造鋳
    型に注入する1または2以上の注湯室とを有し、受湯室
    の底面は注湯室の底面よりも高く、受湯室と注湯室とは
    隔壁により区割されると共に受湯室の底面に近い高さに
    設けられた開閉可能な開孔部により連通可能に形成され
    ていることを特徴とする、連続鋳造用タンディッシュ。
  2. 【請求項2】各注湯室が合金添加装置を有する注湯室で
    ある、請求項1記載の連続鋳造用タンディッシュ。
  3. 【請求項3】先鍋の溶湯を鋳造した後で先鍋の溶湯とは
    成分が異なる後鍋の溶湯を鋳造する異鋼種連々鋳に際し
    請求項1または2記載のタンディッシュを用いて、先鍋
    の溶湯の供給を停止し、受湯室内の先鍋の溶湯の全部又
    は殆んどが注湯室に移動した後で開孔部を閉じ、受湯室
    に後鍋の溶湯を注入し、注湯室内の先鍋の溶湯量が十分
    に少なくなった後で開孔部を開き受湯室内の後鍋の溶湯
    を注湯室を経由して鋳型に注入する事を特徴とする、連
    続鋳造用タンディッシュの使用方法。
  4. 【請求項4】請求項2の連続鋳造用タンディッシュを用
    いて、取鍋から溶湯を受け入れている途中で、開孔部の
    一部または全部を閉めて一部または全部の注湯室内の溶
    湯量を十分に減少させ、その後合金添加装置から該一部
    又は全部の注湯室に合金を添加すると共に該一部または
    全部の開孔部を開き、該一部又は全部の注湯室内の合金
    を添加した溶湯を用いて、取鍋溶湯とは異なる成分の連
    続鋳造鋳片を製造することを特徴とする、連続鋳造用タ
    ンディッシュの使用方法。
JP6696096A 1996-03-25 1996-03-25 連続鋳造用タンディッシュおよびその使用方法 Withdrawn JPH09253806A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7295454B2 (en) 2004-09-10 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Cited By (3)

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US7295454B2 (en) 2004-09-10 2007-11-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and arrangement method thereof
US7391636B2 (en) 2004-09-10 2008-06-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device and arrangement method thereof
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