JP2008078315A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板10内には、少なくともワード線を除き、複数のメモリセルがロウ及びカラムに配置されたメモリセルアレイ11と、選択されたメモリセルのデータを読み込むセンスアンプ12と、選択された前記メモリセルにデータを書き込むライトバッファ13と、書き込みデータ又は読み出しデータを受ける入出力回路14と、メモリセルアレイのロウ方向の分割数と少なくとも同数個配置された複数のワード線ドライバ15−1〜15−4と、ワード線ドライバの数と同数個のアドレスデコーダ16−1〜16−4が配置されている。複数のワード線ドライバ15−1〜15−4のそれぞれと、メモリセルアレイのロウに配置された複数のメモリセルは複数のワード線により接続される。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体基板10内には、少なくともワード線を除き、複数のメモリセルがロウ及びカラムに配置されたメモリセルアレイ11と、選択されたメモリセルのデータを読み込むセンスアンプ12と、選択された前記メモリセルにデータを書き込むライトバッファ13と、書き込みデータ又は読み出しデータを受ける入出力回路14と、メモリセルアレイのロウ方向の分割数と少なくとも同数個配置された複数のワード線ドライバ15−1〜15−4と、ワード線ドライバの数と同数個のアドレスデコーダ16−1〜16−4が配置されている。複数のワード線ドライバ15−1〜15−4のそれぞれと、メモリセルアレイのロウに配置された複数のメモリセルは複数のワード線により接続される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ゲートアレイに係わり、例えば配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置に関する。
従来、ゲートアレイにおいてメモリを構成する場合、標準ロジック素子のみを用いてメモリを構成している。しかし、この方法では、メモリセル、アドレスデコーダ、ワード線ドライバ、センスアンプなどを構成するトランジスタのディメンジョンが個別に定められている。このため、メモリセルやセンスアンプ等を用いて例えばスタティックRAMを構成する場合、ビット線の容量と、ビット線に接続され、メモリセルを構成する転送トランジスタとの接合容量を定めることが困難である。したがって、センスアンプなどを構成するトランジスタのディメンジョンを最適化することが困難である。また、例えばメモリセルに対してワード線ドラバの位置も最適化されていないため、効率的な配線が不可能であり、メモリ部分のレイアウト面積が大きくなる。このため、半導体記憶装置として十分な性能を得ることが困難であるなどの問題が存在する。
尚、メタル配線を変更することにより、メモリセルのビット構成を変更可能とした技術が開発されている(例えば特許文献1参照)
特開2001−195877号公報
本発明は、配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供しようとするものである。
本発明の半導体装置の態様は、半導体基板内に、少なくともワード線を除き、複数のメモリセルがロウ及びカラムに配置されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのカラム方向の少なくとも一端部に配置され、選択された前記メモリセルのデータを読み込むセンスアンプと、選択された前記メモリセルにデータを書き込むライトバッファと、書き込みデータ又は読み出しデータを受ける入出力回路とを含むカラム系回路と、前記メモリセルアレイのロウ方向の少なくとも一端部に配置され、前記メモリセルアレイのロウ方向の分割数と少なくとも同数個配置された複数のワード線ドライバと、前記ワード線ドライバに接続され、前記ワード線ドライバの数と同数個のアドレスデコーダと、前記メモリセルアレイのカラムに配置された複数のメモリセルと、前記カラム系回路を構成する複数の前記センスアンプ回路とを接続する複数のビット線と、複数の前記ワード線ドライバのそれぞれと、複数の前記ワード線ドライバのそれぞれに対応する前記メモリセルアレイのロウに配置された複数のメモリセルとを接続する複数のワード線とを具備している。
本発明によれば、配線層のみの変更によって、1つのメモリセルアレイから任意のワード・ビット構成の複数のメモリを生成することが可能な半導体装置を提供できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に関わる概念図を示している。第1の実施形態は、例えばスタティックRAMを構成するメモリセルアレイをロウ方向に4分割し、4つのメモリとして使用する場合を示している。すなわち、メモリセルアレイ11は、例えばメモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4の4つに分割されている。メモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4のそれぞれの容量は、同一である必要はなく、必要に応じて、任意に定めることが可能である。
図1は、第1の実施形態に関わる概念図を示している。第1の実施形態は、例えばスタティックRAMを構成するメモリセルアレイをロウ方向に4分割し、4つのメモリとして使用する場合を示している。すなわち、メモリセルアレイ11は、例えばメモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4の4つに分割されている。メモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4のそれぞれの容量は、同一である必要はなく、必要に応じて、任意に定めることが可能である。
メモリセルアレイ11のカラム方向一端部には、センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14などのカラム系回路が配置されている。メモリセルアレイ11のロウ方向両端部には、メモリセルアレイ11の分割数に対応した数のワード線ドライバ15−1、15−2、15−3、15−4と、アドレスデコーダ16−1、16−2、16−3、16−4を含むロウ系回路が配置されている。すなわち、メモリセルアレイ11のロウ方向一端部にワード線ドライバ15−1、15−2と、アドレスデコーダ16−1、16−2が配置され、メモリセルアレイ11のロウ方向他端部にワード線ドライバ15−3、15−4と、アドレスデコーダ16−3、16−4が配置されている。さらに、アドレスデコーダ16−4の近傍に、センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14、ワード線ドライバ15−1、15−2、15−3、15−4と、アドレスデコーダ16−1、16−2、16−3、16−4の動作を制御する制御部17が配置されている。
メモリセルアレイ11、センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14、ワード線ドライバ15−1、15−2、15−3、15−4と、アドレスデコーダ16−1、16−2、16−3、16−4、制御部17は、半導体基板10上に予め形成されている。
センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14のそれぞれは、複数のセンスアンプ回路(S/A)12a、複数のライトバッファ回路(WB)13a、複数の入出力回路(I/O)14aを含んでおり、1つのセンスアンプ12a、ライトバッファ13a、及び入出力回路14aが1ユニットとして一対のビット線BL11、BL12に対応して配置されている。
センスアンプ回路12aは、データの読み出し時、図示せぬカラムデコーダ、カラム選択ゲートにより選択されたビット線に接続され、このビット線に読み出されたデータを検出する。ライトバッファ回路13aは、データの書き込み時、カラムデコーダ、カラム選択ゲートにより選択されたビット線に接続され、このビット線に書き込みデータを供給する。入出力回路14aは、センスアンプ回路12a、ライトバッファ回路13aに接続され、入力データ、出力データを受ける。
尚、図1は、ビット線を簡略化して示している。センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14のそれぞれは、このユニットがメモリセルアレイ11のビット幅に対応した数だけ配置されて構成されている。このため、ビット幅を例えばnとした場合、一対のビット線BL11、BL12〜BLn1、BLn2が形成されている。これらビット線BL11、BL12〜BLn1、BLn2は、例えば第1層の金属配線M1によりメモリセルアレイ11上に形成されている。
また、ワード線ドライバ15−1〜15−4は、それぞれメモリセルアレイ11のロウに配置されたメモリセルの数に対応した数のドライブ回路DR15aを含んでいる。アドレスデコーダ16−1は、例えばワード線ドライバ15−1に予め接続され、アドレスデコーダ16−2は、例えばワード線ドライバ15−2に予め接続され、アドレスデコーダ16−3は、例えばワード線ドライバ15−3に予め接続され、アドレスデコーダ16−4は、例えばワード線ドライバ15−4に予め接続されている。
但し、ワード線ドライバ15−1、15−2、15−3、15−4と、メモリセルアレイ11とをそれぞれ接続するワード線WL1、WL2、WL3、WL4は、この時点において形成されていない。
図2は、メモリセルアレイ11のレイアウトパターンを示している。図2において、破線で囲まれた範囲が1つのメモリセルMCを示している。このメモリセルMCは、スタティックRAMを構成するドライブトランジスタDT1、DT2、負荷トランジスタLT1、LT2、転送トランジスタTT1、TT2により構成されている。転送トランジスタTT1、TT2の拡散層DLは、ビット線コンタクトBLC1、BLC2を介して、例えば一対のビット線BL11、BL12に接続されている。図2から明らかなように、この時点において、ワード線は形成されていない。
図1に示すように、メモリセルアレイ11、センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14、ワード線ドライバ15−1〜15−4、アドレスデコーダ16−1〜16−4、制御部17を予め基板10上に形成した状態において、メモリセルアレイ11の分割数に応じて、ワード線が配置される。
すなわち、図1に示すように、メモリセルアレイ11が4つのメモリセルアレイMC1〜MC4に分割される場合、メモリセルアレイMC1、MC4に複数のワード線WL1、WL4がそれぞれ形成される。さらに、メモリセルアレイMC2、MC3に複数のワード線WL2、WL3がそれぞれ形成される。ワード線WL1は、ワード線ドライバ15−1に接続され、ワード線WL2は、ワード線ドライバ15−2に接続され、ワード線WL3は、ワード線ドライバ15−3に接続され、ワード線WL4は、ワード線ドライバ15−4に接続される。ワード線WL1、WL4は、例えば第1の配線層M1より、上方に位置する第3の配線層M3によって形成され、ワード線WL2、WL3は、例えば第3の配線層M3より、上方に位置する第4の配線層M4によって形成される。
図3は、図2に示すメモリセルにワード線WL1を形成した場合を示している。転送トランジスタTT1、TT2のゲート電極上には、例えば第1の配線層M1によりゲートコンタクトGC1、GC2が形成されている。このゲートコンタクトGC1、GC2の上に例えば第2の配線層M2により配線MW1、MW2が形成されている。これら配線MW1、MW2の上に、例えばコンタクトWLC1、WLC2と、これらコンタクトWLC1、WLC2に接続されたワード線WL1が形成される。これらコンタクトWLC1、WLC2に接続されたワード線WL1は、例えば第3の配線層M3により形成されている。
上記構成により、1つのメモリセルアレイ11から任意のワード・ビット構成を有する4つのメモリを生成することができる。
また、メモリセルアレイ11の分割数を3個とする場合、例えば図1のメモリセルアレイMC3とMC4を1つのメモリセルアレイとして使用する場合、ワード線WL3を形成せず、ワード線WL1、WL2、WL4を形成すればよい。また、メモリセルアレイ11のメモリセルアレイMC1とMC2を1つのメモリセルアレイとして使用し、メモリセルアレイ11の分割数を2個とする場合、例えばワード線WL1、WL3を形成せず、ワード線WL2、WL4のみを形成すればよい。さらに、メモリセルアレイMC1〜MC4を1つのメモリセルアレイとして使用する場合、例えばワード線ML2のみをロウ方向に延長して形成すればよい。
尚、上記説明において、ビット線は予め形成していたが、これに限定されるものではない。例えばメモリセルは、各トランジスタのみを形成し、ワード線の形成に先立って、ビット線を形成することも可能である。
上記第1の実施形態によれば、ワード線が形成されていないメモリセルアレイ11と、このメモリセルアレイ11のカラム側の一方に配置されたセンスアンプ12、ライトバッファ13、入出力部14と、ロウ側の両方に配置されたワード線ドライバ15−1〜15−4、アドレスバッファ16−1〜16−4、及び制御部17とを予め基板10上に形成し、メモリセルアレイ11のロウ方向の分割数に応じてワード線を形成することにより、任意のワード・ビット構成のメモリを形成することができる。
しかも、この方法の場合、各ビット線の容量や、ビット線と転送トランジスタとの接合容量、及びワード線の容量が予め分かっているため、メモリセル、アドレスデコーダ、ワード線ドライバ、センスアンプなどを構成するトランジスタのディメンジョンを最適化することが可能である。
また、メモリセル、アドレスデコーダ、ワード線ドライバ、センスアンプなどの構成要素の配置を予め最適化できるため、ゲートアレイにおいて、標準ロジック素子のみを用いてメモリを生成する場合に比べ、メモリ部分のレイアウト面積を縮小することが可能であり、性能の向上も期待できる。
上記第1の実施形態は、メモリセルアレイ11をロウ方向に最大で4分割する場合について説明した。しかし、これに限定されるものではなく、ワード線の配線層を増加するとともに、ワード線ドライバ、アドレスデコーダの数を5個以上とすることにより、メモリセルアレイを5分割以上とすることが可能である。
(第2の実施形態)
図4は、第2の実施形態に係る構成を示している。図4において図1と同一部分には同一符号を付している。
図4は、第2の実施形態に係る構成を示している。図4において図1と同一部分には同一符号を付している。
第2の実施形態は、メモリセルアレイ11のカラム方向一端部にセンスアンプ12−1、ライトバッファ13−1、入出力部14−1を予め形成し、カラム方向他部にセンスアンプ12−2、ライトバッファ13−2、入出力部14−2を予め形成している。この状態において、メモリセルアレイ11をロウ方向に4分割し、カラム方向に2分割することにより、メモリセルアレイ11を8個のメモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4、MC5、MC6、MC7、MC8に分割している。
メモリセルアレイMC1、MC2、MC3、MC4上には、例えば第1の配線層M1により、ビット線BL11−1〜BLn2−1が形成されている。これらビット線BL11−1〜BLn2−1は、センスアンプ12−1に接続されている。メモリセルアレイMC5、MC6、MC7、MC8上には、例えば第1の配線層M1により、ビット線BL11−2〜BLn2−2が形成されている。これらビット線BL11−2〜BLn2−2は、センスアンプ12−2に接続されている。ワード線の配置は、第1の実施形態と同様である。
第2の実施形態によれば、メモリセルアレイ11のカラム方向の一方にセンスアンプ12−1、ライトバッファ13−1、入出力部14−1を予め形成し、カラム方向の他方にセンスアンプ12−2、ライトバッファ13−2、入出力部14−2を予め形成している。このため、メモリセルアレイ11をカラム方向にも分割することができる。したがって、メモリセルアレイ11を一層多様なメモリを構築することが可能である。
(第3の実施形態)
図5は、第3の実施形態に係る構成を示しており、第1、第2の実施形態と同一部分には同一符号を付している。第3の実施形態は、1ポートのスタティックRAMにより構成されたメモリセルアレイを用いて2ポートのスタティックRAMを構成する場合を示している。
図5は、第3の実施形態に係る構成を示しており、第1、第2の実施形態と同一部分には同一符号を付している。第3の実施形態は、1ポートのスタティックRAMにより構成されたメモリセルアレイを用いて2ポートのスタティックRAMを構成する場合を示している。
図5において、基板10上には、メモリセルアレイ11と、メモリセルアレイ11のカラム方向一端部に配置されたセンスアンプ12−1、12−2、ライトバッファ13−1、13−2、入出力部14−1、14−2と、メモリセルアレイ11のロウ方向両端部に配置されたワード線ドライバ15−1,15−2、アドレスデコーダ16−1、16−2と、これらの動作を制御する制御部17が予め形成されている。第3の実施形態においても、この時点において、ワード線は形成されていない。
メモリセルアレイ11は、第1、第2の実施形態と同様に1ポートのスタティックRAMである。このメモリセルアレイ11は、ロウ方向に例えば2等分され、メモリセルアレイMC1と、メモリセルアレイMC2として使用される。
センスアンプ12−1、ライトバッファ13−1、入出力部14−1は、例えばメモリセルアレイMC1のビット幅に対応した数のセンスアンプ回路12a、ライトバッファ回路13a,入出力回路14aを有している。センスアンプ12−2、ライトバッファ13−2、入出力部14−2は、例えばメモリセルアレイMC2のビット幅に対応した数のセンスアンプ回路12a、ライトバッファ回路13a、入出力回路14aを有している。センスアンプ12−1、12−2には、一対のビット線BL11、BL12〜BLn1、BLn2が接続されている。ビット線BL11、BL12〜BLn1、BLn2は、例えば第1の配線層M1により形成されている。
図6は、カラム系回路の一部を取り出して示している。ライトバッファ回路13a−1と、センスアンプ回路12a−1はカラム選択ゲート18a−1の入力端に接続されている。カラム選択ゲートの出力端は、一対のビット線BL11、BL12に接続されている。ライトバッファ回路13a−1と、センスアンプ回路12a−2はカラム選択ゲート18a−2の入力端に接続されている。カラム選択ゲートの出力端は、一対のビット線BLi1、BLi2に接続されている。第3の実施形態において、データの書き込みは、ライトバッファ回路13a−2を使用せず、ライトバッファ回路13a−1のみが使用される。したがって、ライトバッファ回路13a−2は、カラム選択ゲート18a−2に接続されていない。
ワード線ドライバ15−1、15−2は、メモリセルアレイのワード数に対応したドライブ回路DR15aをそれぞれ有している。
上記構成において、メモリセルアレイMC1の上方に、ワード線ドライバ15−1に接続された複数のワード線WL1が形成され、メモリセルアレイMC2の上方に、ワード線ドライバ15−2に接続された複数のワード線WL2が形成される。ワード線WL1、WL2は、例えば第3の配線層により形成される。
上記構成の2ポートスタティックRAMにおいて、メモリセルアレイMC1、MC2の書き込みは、メモリセルアレイMC1側のライトバッファ13−1、入出力部14−1を用いて行われる。このため、メモリセルアレイMC1とMC2は、必ず同一のデータが書き込まれる。すなわち、データの書き込み時、図6に示すように、図示せぬカラムデコーダにより、カラム選択ゲート18a−1、18a−2が選択される。このカラム選択ゲート18a−1、18a−2により、メモリセルアレイMC1とメモリセルアレイMC2の同一位置にあるビット線対BL11、BL12と、BLi1、BLi2が選択される。また、ワード線ドライバ15−1、15−2により、ロウアドレスに応じて、メモリセルアレイMC1、MC2の同一位置のワード線が選択される。このようにして、メモリセルアレイMC1、MC2の同一位置のメモリセルに同一のデータが書き込まれる。
一方、データの読み出しは、メモリセルアレイMC1と、メモリセルアレイMC2において独立に行うことができる。すなわち、メモリセルアレイMC1は、カラムアドレスに応じて選択されたビット線と、アドレスデコーダ16−1、及びワード線ドライバ15−1によって選択されたワード線とによりメモリセルが選択される。この選択されたメモリセルから読み出されたデータはセンスアンプ12−1、入出力部14−1を介して出力される。また、メモリセルアレイMC2は、カラムアドレスに応じて選択されたビット線と、アドレスデコーダ16−2、及びワード線ドライバ15−2によって選択されたワード線とによりメモリセルが選択される。この選択されたメモリセルから読み出されたデータは、センスアンプ12−2、入出力部14−2を介して出力される。
尚、第3の実施形態において、メモリセルアレイMC1に対応した範囲内のライトバッファ13−1のみが使用され、メモリセルアレイMC2に対応した範囲のライトバッファ回路13−2は使用しない。このため、ライトバッファ13−2を形成しなくともよい。
上記第3の実施形態によれば、1つのメモリセルアレイ11をメモリセルアレイMC1、メモリセルアレイMC2に分割し、これらメモリセルアレイMC1、MC2に、入出力部14−1及びライトバッファ13−1を介して同一のデータを書き込み、メモリセルアレイMC1、MC2のデータをセンスアンプ12−1、12−2、入出力部14−1、14−2を用いて独立に読み出すことを可能としている。このため、1ポートのスタティックRAMにより構成されたメモリセルアレイ11を2ポートのスタティックRAMとして使用することができる。
尚、第1乃至第3の実施形態は、スタティックRAMを例に説明した。しかし、メモリセルアレイは、スタティックRAMに限定されるものではなく、ダイナミックRAMや、ヴィアの配置によりデータを記憶させるVia Programming ROM などを適用することも可能である。
また、ワード線ドライバ、アドレスバッファの数は、少なくともメモリセルアレイの予想される分割数と同数であればよい。
さらに、ワード線ドライバ、アドレスバッファは、必ずしもメモリセルアレイのロウ方向両端に配置する必要はなく、メモリセルアレイの分割数が2個の場合は、メモリセルアレイのロウ方向一端部のみに配置してもよい。
また、基板10上に、例えば図1に示すメモリセルアレイ11、センスアンプ12、ライトバッファ13、入出力回路14、ワード線ドライバ15−1〜15−4、アドレスバッファ16−1〜16−4からなる第1のメモリと、第1のメモリと同一構成の第2のメモリを、予め2組形成しておくことも可能である。この場合、例えば第1のメモリのメモリセルアレイ11に、例えばアドレスデコーダ16−1、ワード線ドライバ15−1により選択される例えばnビット幅の余剰領域があり、第2のメモリのメモリセルアレイ11に、例えばアドレスデコーダ16−1、ワード線ドライバ15−1により選択される例えばnビット幅の余剰領域がある場合、これら余剰領域を組み合わせて使用することも可能である。すなわち、この場合、第1のメモリのアドレスデコーダ16−1に供給されるアドレスと同一のアドレスを第2のメモリのアドレスデコーダ16−1に供給し、第1、第2のメモリのカラム系に2n個のビット線から1つを選択するアドレスを供給する。このような構成とすることにより、第1、第2のメモリの余剰領域を用いて2n個のビット幅を有するメモリを構成することが可能となる。
その他、本発明の要旨を変えない範囲において種々変形実施可能なことは勿論である。
10…半導体基板、11、MC1〜MC8…メモリセルアレイ、12、12−1、12−2…センスアンプ、13、13−1、13−2…ライトバッファ、14、14−1、14−2…入出力部、15−1〜15−4…ワード線ドライバ、16−1〜16−4…アドレスデコーダ、18−1,18−2…カラム選択ゲート、BL11〜BLn2…ビット線、WL1〜WL4…ワード線。
Claims (5)
- 半導体基板内に、少なくともワード線を除き、複数のメモリセルがロウ及びカラムに配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのカラム方向の少なくとも一端部に配置され、選択された前記メモリセルのデータを読み込むセンスアンプと、選択された前記メモリセルにデータを書き込むライトバッファと、書き込みデータ又は読み出しデータを受ける入出力回路とを含むカラム系回路と、
前記メモリセルアレイのロウ方向の少なくとも一端部に配置され、前記メモリセルアレイのロウ方向の分割数と少なくとも同数個配置された複数のワード線ドライバと、
前記ワード線ドライバに接続され、前記ワード線ドライバの数と同数個のアドレスデコーダと、
前記メモリセルアレイのカラムに配置された複数のメモリセルと、前記カラム系回路を構成する複数の前記センスアンプ回路とを接続する複数のビット線と、
複数の前記ワード線ドライバのそれぞれと、複数の前記ワード線ドライバのそれぞれに対応する前記メモリセルアレイのロウに配置された複数のメモリセルとを接続する複数のワード線と
を具備することを特徴とする半導体装置。 - 複数の前記ワード線ドライバにそれぞれ接続される複数のワード線は、互いに異なる配線層に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記メモリセルアレイは、カラム方向にも分割され、前記ビット線は、分割された前記メモリセルアレイのカラムに配置された複数のメモリセルにそれぞれ接続されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記メモリセルアレイは、ロウ方向に第1、第2のメモリセルアレイに2分割され、
前記カラム系回路もロウ方向に第1、第2のカラム系回路に2分割され、
前記第1、第2のメモリセルアレイの複数の前記ビット線は前記第1、第2のカラム系回路を構成するセンスアンプに接続され、
データの書き込み時、前記第1のカラム系回路に含まれるライトバッファを介して前記第1、第2のメモリセルアレイの両方に同一データを書き込むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記第1、第2のメモリセルアレイに対応して設けられ、カラムアドレスに応じて前記ビット線を選択するカラム選択ゲートと、
前記第1のメモリセルアレイに対応した前記ライトバッファは前記第1、第2のメモリセルアレイに対応したカラム選択ゲートに接続されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2017126544A1 (ja) * | 2016-01-20 | 2018-11-22 | 日本電気株式会社 | 再構成可能回路、再構成可能回路システム、および再構成可能回路の動作方法 |
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