JPWO2017126544A1 - 再構成可能回路、再構成可能回路システム、および再構成可能回路の動作方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図13は、本実施形態を説明するための再構成可能回路のブロック図である。
図1は、本実施形態に係る抵抗変化素子の一例を示す模式図であり、図1(a)は、抵抗変化素子を示す模式図、図1(b)は(a)を簡略化したシンボリック表現、図1(c)は、抵抗変化素子の抵抗変化させるため電圧を示す表である。
図2は、本実施形態に係るスイッチセルの構成を示す模式図であり、図2(a)は、2つの抵抗変化素子とトランジスタを含むスイッチセルを示す模式図である。
図5は、再構成可能回路の基本構成であるロジックセルのブロック図を示している。図5に示すように、ロジックセル300は、ロジック部(LB)310と、ロジックメモリ部(ME)320と、IMUX330と、SMUX340とを含む。
これにより、書込み制御線、および書込みデコーダ回路の増大を最小限に抑えることが可能になる。
図11に示すような通常の最密度配線領域500の配線密度は1つのロジックセルに対して以下のようになる。
となる。
となる。
{(Nr−1)×(N×M+4×P)+T}
>{(Nr−1)×(N×M)−T}
>0
となる。
第2の実施形態として4入力のルックアップテーブルを例に説明する。
図12に示すように、ロジックセル内にロジック部を分散配置すると、IMUX330に近い側にあるロジック部310−1と、遠い側にあるロジック部310−2で、信号線長の差分が大きくなる。このため、同じ論理演算を行う場合でも、演算上のクリティカルパスが、ロジック部310−2を経由する場合は、310−1を経由する場合に比べて動作周波数が遅くなる。
なお、図面中の矢印の向きは、一例を示すものであり、ブロック間の信号の向きを限定するものではない。
抵抗変化素子から構成され、少なくとも2個に分散して配置されたロジックメモリ部と、
前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、
前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している、再構成可能回路。
前記ロジック部は、少なくとも2個に分散して配置され、分散して配置された前記ロジック部は、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続されている、付記1に記載の再構成可能回路。
前記クロスバースイッチ回路は、前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも2個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、付記2に記載の再構成可能回路。
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部が隣接して配置されている、付記1〜3のいずれか1つに記載の再構成可能回路。
前記ロジックメモリ部は、互いに所定の方向に対して反転対称に配置されている、付記1〜4のいずれか1つに記載の再構成可能回路。
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第1の抵抗変化素子と、第2の抵抗変化素子と、少なくとも1つのトランジスタから構成され、前記第1の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第2の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とが接続されている、付記1〜5のいずれか1つに記載の再構成可能回路。
前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置されている、付記6に記載の再構成可能回路。
前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子は,イオン電導層を用いた原子移動型素子である、付記6または7に記載の再構成可能回路。
付記1〜8のいずれか1つに記載の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する、再構成可能回路システム。
ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも2個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、
信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力し、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する、再構成可能回路の動作方法。
前記ロジック部を、少なくとも2個に分散して配置し、分散して配置された前記ロジック部を、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続する、付記10に記載の再構成可能回路の動作方法。
前記クロスバースイッチ回路は前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも2個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、付記11に記載の再構成可能回路の動作方法。
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部を隣接して配置する、付記10〜12のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。
前記ロジックメモリ部を、互いに所定の方向に対して反転対称に配置する、付記10〜13のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第1の抵抗変化素子と、第2の抵抗変化素子と、少なくとも1つのトランジスタから構成し、前記第1の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第2の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とを接続する、付記10〜14のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。
前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置する、付記15に記載の再構成可能回路の動作方法。
前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子は,イオン電導層を用いた原子移動型素子である、付記15または16に記載の再構成可能回路の動作方法。
以上、上述した実施形態を模範的な例として本発明を説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態には限定されない。即ち、本発明は、本発明のスコープ内において、当業者が理解し得る様々な態様を適用することができる。
この出願は、2016年1月20日に出願された日本出願特願2016−008495を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
2・・・ロジック部
3・・・ロジックメモリ部
4・・・信号パス切り替え部
10・・・抵抗変化素子
11・・・第1の配線層
12・・・第2の配線層
13・・・固体電解層
100a〜100i・・・スイッチセル
110・・・第1の抵抗変化素子
120・・・第2の抵抗変化素子
111,121・・・第1の電極
112,122・・・第2の電極
130・・・選択トランジスタ
131,132・・・拡散層
133・・・ゲート電極
200・・・クロスバースイッチ回路
210a,210b,210c・・・第1の制御トランジスタ
220a,220b,220c・・・第2の制御トランジスタ
230a,230b,230c・・・第3の制御トランジスタ
300,300’,300A・・・ロジックセル
300−1・・・第1のロジックセル
300−2・・・第2のロジックセル
300−3・・・第3のロジックセル
300−4・・・第4のロジックセル
310・・・ロジック部
310−1・・・ロジック部
310−2・・・ロジック部
320・・・ロジックメモリ部
320−1・・・ロジックメモリ部
320−2・・・ロジックメモリ部
320−Nr・・・第Nrのロジックメモリ部
330・・・入出力信号切り替え部
340・・・信号パス切り替え部
400・・・ルックアップテーブル
401a〜401h・・・マルチプレクサ
500・・・最密度配線領域
600a,600b・・・スイッチセル
れている。ここで、第2の制御トランジスタ220cの他方の拡散層には電源線PS[1]が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線PGV[j+1]が接続されている。さらに、信号線RV[j+1]は、スイッチセル100c、スイッチセル100f、およびスイッチセル100iに接続された第3の制御トランジスタ230cの一方の拡散層と接続されている。ここで、第3の制御トランジスタ230cの他方の拡散層には電源線PS[2]が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線PGV[j+1]が接続されている。
なお、図面中の矢印の向きは、一例を示すものであり、ブロック間の信号の向きを限定するものではない。
Claims (17)
- 抵抗変化素子から構成され、少なくとも2個に分散して配置されたロジックメモリ部と、
前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、
前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している、再構成可能回路。 - 前記ロジック部は、少なくとも2個に分散して配置され、分散して配置された前記ロジック部は、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続されている、請求項1に記載の再構成可能回路。
- 前記クロスバースイッチ回路は、前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも2個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項2に記載の再構成可能回路。 - 前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部が隣接して配置されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の再構成可能回路。
- 前記ロジックメモリ部は、互いに所定の方向に対して反転対称に配置されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の再構成可能回路。
- 前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第1の抵抗変化素子と、第2の抵抗変化素子と、少なくとも1つのトランジスタから構成され、前記第1の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第2の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とが接続されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の再構成可能回路。 - 前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置されている、請求項6に記載の再構成可能回路。
- 前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子は,イオン電導層を用いた原子移動型素子である、請求項6または7に記載の再構成可能回路。
- 請求項1〜8のいずれか1つに記載の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する、再構成可能回路システム。
- ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも2個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、
信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力し、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する、再構成可能回路の動作方法。 - 前記ロジック部を、少なくとも2個に分散して配置し、分散して配置された前記ロジック部を、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続する、請求項10に記載の再構成可能回路の動作方法。
- 前記クロスバースイッチ回路は前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも2個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項11に記載の再構成可能回路の動作方法。 - 前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部を隣接して配置する、請求項10〜12のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。
- 前記ロジックメモリ部を、互いに所定の方向に対して反転対称に配置する、請求項10〜13のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。
- 前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第1の抵抗変化素子と、第2の抵抗変化素子と、少なくとも1つのトランジスタから構成し、前記第1の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第2の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とを接続する、請求項10〜14のいずれか1つに記載の再構成可能回路の動作方法。 - 前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置する、請求項15に記載の再構成可能回路の動作方法。
- 前記第1の抵抗変化素子、および前記第2の抵抗変化素子は,イオン電導層を用いた原子移動型素子である、請求項15または16に記載の再構成可能回路の動作方法。
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