JP2009158574A - 半導体記憶装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】不揮発性メモリの、対となるメモリアレイのメインビット線の接続において、対となるメモリアレイのアドレスデコーダのアドレス割付を同一に保ち、且つ、配線のクロス接続を発生しない第1、第2メインビット線の接続構成を有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】第1カラムゲート回路20−1のゲートトランジスタTR1〜4のゲートは、第1及び第2メインビット線GBL0、1に対して直交交差して配置され、第1メインビット線GBL0と2つのビット線BL0−1、BL1−1とを接続する2つのゲートトランジスタTR1、2のドレインは、共通のエリアRD1に形成され、第2メインビット線GBL1と他の2つのビット線とを接続する他の2つのゲートトランジスタのドレインは、他の共通のエリアDR2に形成され、第1及び第2メインビット線線GBL0、1のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなる。
【選択図】図1

Description

本発明は、不揮発性半導体メモリの、対となるメモリアレイの第1、第2メインビット線の接続に係り、詳しくは、対となるメモリアレイのアドレスデコーダのアドレス割付を同一にし、且つ、第1、第2メインビット線の接続においては、クロス接続を発生しない配線接続構成を有する半導体記憶装置に関する。
特許文献1には、センス回路を構成する差動増幅器において、読み出し速度やノイズに対する耐性の観点から、参照センス線の容量をセンス線の容量に正確に合わせ、容量バランスをとるため、第1、第2メモリセルが配置されたメモリアレイと、第1、第2メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第1、第2カラムツリーとを設け、第1メモリセルが選択されると第1カラムツリー側を差動増幅器のセンス信号入力端に結合させ、第2カラムツリー側を参照信号入力端に結合させて容量バランスを得る構成が記載されている。次にこの構成について説明する。
特開2002−8386号公報
図3は、差動増幅器のセンス線と参照センス線との容量バランスを得るメモリアレイ構成を示すメモリブロック図である。図3において、第1カラムツリーは、第1のメモリセルのデータが伝達される配線群として、第1中間データ線IDL01、メインビット線MBL0−01、及びビット線Bi:BL0、1、Bj:BL0、1を含んでいる。第2カラムツリーは、他のメモリセルのデータが伝達される配線群として、第2中間データ線IDL23、メインビット線MBL0−23、及びビット線Bi:BL2、3、Bj:BL2、3を含んでいる。これらビット線BLには、メモリセル(図示せず)が接続されてメモリアレイを構成している。
メモリアレイの拡張は、破線で示される同様の構成の第1カラムゲート0103−Bi:1、0103−Bj:1により拡張され、ブロックBi及びBjを構成している。このためメインビット線MBL1−01、MBL1−23は、第2カラム選択デコーダ0104の第2カラム選択D1により第2カラムゲート0105が選択され、第1中間データ線IDl01、IDL23にそれぞれ接続されている。
第1カラム選択デコーダ0102は、カラム選択用内部アドレス信号をデコードし、複数の第1カラム選択信号線Bi:H0〜Bi:H3、Bj:H0〜Bj:H3の1つを選択して活性化する。これにより、第1カラムゲート0103−Bi:0、0103−Bj:0中の1つのゲートがオンし、ビット線Bi:BL0〜Bi:BL3、Bj:BL0〜Bj:BL3の1つがメインビット線MBL0−01、またはMBL0−23に接続される。この場合、第2カラム選択デコーダ0104は、第2カラム選択信号D0により活性化され、メインビット線MBL0−01が第1中間データ線IDL01に接続され、メインビット線MBL0−23が第2中間データ線IDL23に接続される。
カラム切り替え選択デコーダ0106は、第1カラムツリー内のメモリセルが選択されたとき、切り替え信号SW01がハイ、切り替え信号SW23がローとなる。これにより、第1中間データ線IDL01がデータ線DLに接続されると共に、第2中間データ線IDL23が参照データ線RDLに接続される。第2カラムツリー内のメモリセルが選択されたときは、切り替え信号SW01がロー、切り替え信号SW23がハイとなり、第2中間データ線IDL23がデータ線DLに接続されると共に、第1中間データ線IDL01が参照データ線RDLに接続される。
また、データ線DLは、センス回路内の差動増幅器のセンス信号入力端側に結合され、参照データ線RDLは、参照信号入力端側に結合されている(図示せず)ため、第1、第2カラムツリーのうち、読み出し選択されたメモリセルを含むカラムツリーがデータ線DLに結合され、他方の非選択カラムツリーが参照データ線RDLに結合されることになる。これにより、第1、第2カラムツリーの構成は同様であるからツリーの容量は同様となり、データ線DLと参照データ線RDLとに付加される容量を等しくでき、容量を正確に合わせることができる。
ところがこの構成によると、選択されたメモリセルに応じて、第1カラム選択デコーダ0102が、アドレスAdd<00>、アドレスAdd<01>、アドレスAdd<10>、アドレスAdd<11>を順次受信して、第1カラムゲート0103−Bi:0を上から順に選択すると、ビット線は、Bi:BL0、Bi:BL1、Bi:BL2、Bi:BL3の順にメインビット線MBL0−01に接続される。
この接続に対応した非選択ビット線をメインビット線MBL0−01に接続するためには、第1カラムゲート0103−Bj:0は、Bj:BL2、Bj:BL3、Bj:BL0、Bj:BL1の順に接続する必要がある。このため第1カラムゲート0103−Bj:0を選択する第1カラム選択デコーダ0102は、上から順にアドレスAdd<10>、アドレスAdd<11>、アドレスAdd<00>、アドレスAdd<01>に対応して選択信号を出力する必要があり、2つの第1カラム選択デコーダ0102のアドレス割付が、同一では無くなる。
図4は、第1カラム選択デコーダのアドレス割付が同一の場合のメインビット線の構成を示すメインビット線構成図である。図4において、選択されたメモリセルに応じて、第1カラム選択デコーダ0102が、アドレスAdd<00>、アドレスAdd<01>、アドレスAdd<10>、アドレスAdd<11>を順次受信して、第1カラムゲート0103−Bi:0を上から順に選択すると、ビット線は、Bi:BL0、Bi:BL1、Bi:BL2、Bi:BL3の順にメインビット線MBL0−01に接続される。
これに対して、第1カラムゲート0103−Bj:0を選択する第1カラム選択デコーダ0102も同一のアドレス割付が行われているため、第1カラムゲート0103−Bj:0は上から順に選択され、ビット線は、Bj:BL0、Bj:BL1、Bj:BL2、Bj:BL3の順にメインビット線MBL0−23に接続される。ところがメモリアレイのブロックBi、Bj間で、メインビット線が互いにクロスして接続されているため、ブロックBi側の選択ビット線がメインビット線MBL0−01に接続されている場合は、ブロックBj側の非選択ビット線もメインビット線MBL0−01に接続されるが、ブロックBi側のメインビット線MBL0−23にクロスして接続されているため、センス回路に対し選択、非選択ビット線の接続対応関係が保たれる。
同様に、ブロクBi側の選択ビット線がメインビット線MBL0−23に接続されている場合は、ブロックBj側の非選択ビット線もメインビット線MBL0−23に接続される。ところが、ブロックBi側のメインビット線MBL0−01にクロスして接続されているため、カラム切り替えゲート0101において再度クロスされることで、センス回路に対し選択、非選択ビット線の接続対応関係が保たれる。
図5は、図3、4の第1カラムゲート0103−Bi:0のレイアウトを示すレイアウト図である。図5において、第1カラム選択信号線Bi:H0〜Bi:H3が、メインビット線MBL0−01、MBL0−23に対して直交して配列されている。第1カラム選択信号線Bi:H0の選択信号により選択されて、ビット線Bi:BL0とメインビット線MBL0−01とを接続するゲートトランジスタのゲートH0−1は、その交点下に配置されている。
また、第1カラム選択信号線Bi:H1の選択信号により選択されて、ビット線Bi:BL1とメインビット線MBL0−01とを接続するゲートトランジスタのゲートH1−1、第1カラム選択信号線Bi:H2の選択信号により選択されて、ビット線Bi:BL2とメインビット線MBL0−23とを接続するゲートトランジスタのゲートH2−1、第1カラム選択信号線Bi:H3の選択信号により選択されて、ビット線Bi:BL3とメインビット線MBL0−23とを接続するゲートトランジスタのゲートH3−1も同様に、それぞれの交点下に配置されている。
このレイアウトは、レイアウトの繰り返しパターンを、メインビット線のピッチを単位に繰り返すことができるため、レイアウト設計が簡単となる特徴がある。ところが図4のように、2つの第1カラム選択デコーダ0102のアドレス割付が同一の場合、メインビット線は、メモリアレイのブロックBi、Bj間で互いにクロスして接続される必要がある。これのクロス接続についての詳細を次に説明する。ところで、レイアウトにおいて第1カラム選択信号線Bi:H1、Bi:H2の順序が図2、3の順序と入れ替わっているが、これは第1カラム選択デコーダ0102のアドレス割付を入れ替えることで、2つの第1カラム選択デコーダ0102のアドレス割付の規則性を保つことができる。
図6は、図5の第1カラムゲートを、破線Aで切断した右手方向からの断面図である。図6において、ゲートトランジスタのゲートH1−1及びH3−1はゲート層Gateに、メインビット線MBL0−23は第2メタル層Metal2に、第1カラム選択信号線Bi:H0〜Bi:H3は第3メタル層Metal3にそれぞれ形成されている。図5の第1カラムデコーダ0103−Bi:0のレイアウト上では、メインビット線MBL0−01、MBL0−23をクロス接続できないため、第1メタル層Metal1又は第3メタル層Metal3を介してクロス接続する必要がある。このためクロス接続のための新たなレイアウト領域が必要となる。
このように、第1カラム選択デコーダのアドレス割付を同一にすると、設計は容易となるが、メインビット線のクロス接続に要するレイアウト面積が増大し、チップ面積を増加させる要因となる。また、クロス接続を避け、レイアウト面積の増大を抑制した接続構成では、2つの第1カラム選択デコーダのアドレス割付が同一では無くなり、設計及び不良ビットの発生状況の分析が煩雑となる。
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、その目的は、不揮発性半導体メモリの、対となるメモリアレイの第1、第2メインビット線の接続において、対となるメモリアレイのアドレスデコーダのアドレス割付を同一に保ち、且つ、配線のクロス接続を発生しない第1、第2メインビット線の接続構成を有する半導体記憶装置を提供することにある。
本発明の半導体記憶装置は、複数の第1、第2ブロックの一方の側に、第1メモリセルが配置され、もう一方の側に第2メモリセルが配置されて成るメモリアレイと、第1、第2ブロックの一方の側に配置された第1メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第1カラムツリーと、第1、第2ブロックのもう一方の側に配置された第2メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第2カラムツリーと、第1メモリセルのビット線を第1カラムツリーの第1メインビット線に結合させ、且つ、第2メモリセルのビット線を第2カラムツリーの第2メインビット線に結合させるカラムデコード回路と、を有する半導体記憶装置であって、カラムデコード回路は、第1ブロックに属する第1カラムゲート回路と、第2ブロックに属する第2カラムゲート回路と、第1、第2カラムゲート回路を制御する第1、第2カラムプリデコード回路とを有し、第1、第2カラムゲート回路のゲートトランジスタのゲートは、第1及び第2メインビット線に対して直交交差して配置され、第1メインビット線と2つのビット線とを接続する2つのゲートトランジスタのソースは、共通のエリアに形成され、第2メインビット線と他の2つのビット線とを接続する他の2つのゲートトランジスタのソースは、他の共通のエリアに形成され、第1及び第2メインビット線のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなることを特徴とする。
本発明の半導体記憶装置は、2つのゲートトランジスタが、2つのビット線を第1又は第2メインビット線のいずれかに接続する場合、2つのゲートトランジスタのソースと第1又は第2メインビット線とを接続するコンタクトホールが、第1メインビット線側に形成されることにより第1メインビット線と接続され、第2メインビット線側に形成されることにより第2メインビット線と接続されることを特徴とする。
本発明によれば、不揮発性半導体メモリの、対となるメモリアレイの第1、第2メインビット線の接続において、配線のクロス接続が発生しないため、対となるメモリアレイのアドレスデコーダのアドレス割付を同一に保つことが可能となる。これにより、レイアウト面積の増大を抑制した接続構成を有し、アドレスデコーダのアドレス割付が同一に保たれた半導体記憶装置を提供することができる。
本発明による半導体記憶装置の実施の形態について、図を用いて説明する。図2は、本発明による第1カラムデコード回路を示すブロック図である。ツリー構成及びその接続動作については、図3、4と基本的に同じであるため、説明を省略し、デコード部分についてのみ説明する。図2において、カラムデコード回路100の第1カラムゲート回路20−1は、カラムプリデコード回路30−1により各ゲートトランジスタが選択され、ビット線BL0−1、BL1−1と第1メインビット線GBL0とを、及びビット線BL2−1、BL3−1と第2メインビット線GBL1とを互いに接続している。
第2カラムゲート回路20−2は、第2カラムプリデコード回路30−2により各ゲートトランジスタが選択され、ビット線BL0−2、BL1−2と第2メインビット線GBL1とを、及びビット線BL2−2、BL3−2と第1メインビット線GBL0とを互いに接続している。このように、第2カラムゲート回路20−2内でビット線とメインビット線の接続が入れ替わっているため、クロス接続が無くなっているところが図4の場合と異なっている。この接続により、図4の場合と同様に、センス回路に対し選択、非選択ビット線の接続対応関係を保つことができる。
つぎに、カラムゲート回路内でのビット線とメインビット線とのレイアウト接続について説明する。第1、第2カラムゲート回路20−1、20−2の構成は同じであるため、第1カラムゲート回路について説明する。図1は、本発明によるカラムゲート回路のレイアウトを示すレイアウト図である。図1において、第1カラムゲート回路20−1のゲートトランジスタTR1〜TR4のゲート11−1、13−1、15−1、17−1は、第1、第2メインビット線GBL0、GBL1に対して直交交差して配置されている。
第1メインビット線GBL0と2つのビット線BL0−1、BL1−1とを接続する2つのゲートトランジスタTR1、TR2のドレインは、共通のエリアDR1に形成され、ゲート11−1、13−1に接続されたカラム選択信号線10−1、12−1により選択される。第2メインビット線GBL1と2つのビット線BL2−1、BL3−1とを接続する2つのゲートトランジスタTR3、TR4のドレインは、共通のエリアDR2に形成され、ゲート15−1、17−1に接続されたカラム選択信号線14−1、16−1により選択される。これにより、第1及び第2メインビット線のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなっている。
また、第1メインビット線GBL0と2つのビット線BL0−1、BL1−1とを接続するために、第1メインビット線GBL0と2つのゲートトランジスタTR1、TR2のドレインの共通のエリアDR1との交差部分に、接続のためのコンタクトホール18−1が形成されている。さらに、第2メインビット線GBL1と2つのビット線BL2−1、BL3−1とを接続するために、第2メインビット線GBL1と2つのゲートトランジスタTR3、TR4のドレインの共通のエリアDR2との交差部分に、接続のためのコンタクトホール18−2が形成されている。
第1メインビット線GBL0と2つのビット線BL2−1、BL3−1とを接続し、且つ、第2メインビット線GBL1と2つのビット線BL0−1、BL2−1とを接続する切り替え接続を行うには、第1メインビット線GBL0と2つのゲートトランジスタTR3、TR4のドレインの共通のエリアDR2との交差部分、及び第2メインビット線GBL1と2つのゲートトランジスタTR1、TR2のドレインの共通のエリアDR1との交差部分に、接続のためのコンタクトホールを形成することにより、切り替え接続が可能となる。
この切り替え接続を第2カラムゲート回路20−2に適用することにより、図2に示される第2カラムゲート回路20−2内でビット線とメインビット線の接続を入れ替えることができ、図4のクロス接続を無くすることができる。これにより、図4の場合と同様の配線接続が第2カラムゲート回路20−2内で行なわれるため、センス回路に対し選択、非選択ビット線の接続対応関係を保つことができる。
以上説明したように、本発明によると、不揮発性半導体メモリの、対となるメモリアレイの第1、第2メインビット線の接続において、対となるメモリアレイのアドレスデコーダのアドレス割付を同一に保ち、且つ、配線のクロス接続を発生しない第1、第2メインビット線の接続構成を有する半導体記憶装置を提供することができる。
本発明によるカラムゲート回路のレイアウトを示すレイアウト図。 本発明によるカラムデコード回路を示すブロック図。 差動増幅器のセンス線と参照センス線との容量バランスを得るメモリアレイ構成を示すメモリブロック図。 第1カラム選択デコーダのアドレス割付が同一の場合のメインビット線の構成を示すメインビット線構成図。 第1カラムゲートのレイアウトを示すレイアウト図。 第1カラムゲートの断面図。
符号の説明
10−1、12−1、14−1、16−1 カラム選択信号線
10−2、12−2、14−2、16−2 カラム選択信号線
11−1、13−1、15−1、17−1 ゲート
18−1、18−2 コンタクトホール
20−1 第1カラムゲート回路
20−2 第2カラムゲート回路
30−1 第1カラムプリデコード回路
30−2 第2カラムプリデコード回路
40 選択アドレス信号線
100 カラムデコード回路
BL0−1〜BL3−1、BL0−2〜BL3−2 ビット線
GBL0 第1メインビット線
GBL1 第2メインビット線
TR1〜TR4 ゲートトランジスタ
DR1、DR2 ドレイン
Metal1 第1層メタル
Metal2 第2層メタル
Metal3 第3層メタル

Claims (2)

  1. 複数の第1、第2ブロックの一方の側に、第1メモリセルが配置され、もう一方の側に第2メモリセルが配置されて成るメモリアレイと、
    前記第1、第2ブロックの前記一方の側に配置された前記第1メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第1カラムツリーと、
    前記第1、第2ブロックの前記もう一方の側に配置された前記第2メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第2カラムツリーと、
    前記第1メモリセルのビット線を前記第1カラムツリーの第1メインビット線に結合させ、且つ、前記第2メモリセルのビット線を前記第2カラムツリーの第2メインビット線に結合させるカラムデコード回路と、を有する半導体記憶装置であって、
    前記カラムデコード回路は、前記第1ブロックに属する第1カラムゲート回路と、前記第2ブロックに属する第2カラムゲート回路と、前記第1、第2カラムゲート回路を制御する第1、第2カラムプリデコード回路とを有し、
    前記第1、第2カラムゲート回路のゲートトランジスタのゲートは、前記第1及び第2メインビット線に対して直交交差して配置され、
    前記第1メインビット線と2つの前記ビット線とを接続する2つの前記ゲートトランジスタのソースは、共通のエリアに形成され、
    前記第2メインビット線と他の2つの前記ビット線とを接続する他の2つの前記ゲートトランジスタのソースは、他の共通のエリアに形成され、
    前記第1及び第2メインビット線のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなることを特徴とする半導体記憶装置。
  2. 前記2つのゲートトランジスタが、前記2つのビット線を前記第1又は第2メインビット線のいずれかに接続する場合、
    前記2つのゲートトランジスタのソースと前記第1又は第2メインビット線とを接続するコンタクトホールが、前記第1メインビット線側に形成されることにより前記第1メインビット線と接続され、前記第2メインビット線側に形成されることにより前記第2メインビット線と接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
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