JP2009158574A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1カラムゲート回路20−1のゲートトランジスタTR1〜4のゲートは、第1及び第2メインビット線GBL0、1に対して直交交差して配置され、第1メインビット線GBL0と2つのビット線BL0−1、BL1−1とを接続する2つのゲートトランジスタTR1、2のドレインは、共通のエリアRD1に形成され、第2メインビット線GBL1と他の2つのビット線とを接続する他の2つのゲートトランジスタのドレインは、他の共通のエリアDR2に形成され、第1及び第2メインビット線線GBL0、1のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなる。
【選択図】図1
Description
10−2、12−2、14−2、16−2 カラム選択信号線
11−1、13−1、15−1、17−1 ゲート
18−1、18−2 コンタクトホール
20−1 第1カラムゲート回路
20−2 第2カラムゲート回路
30−1 第1カラムプリデコード回路
30−2 第2カラムプリデコード回路
40 選択アドレス信号線
100 カラムデコード回路
BL0−1〜BL3−1、BL0−2〜BL3−2 ビット線
GBL0 第1メインビット線
GBL1 第2メインビット線
TR1〜TR4 ゲートトランジスタ
DR1、DR2 ドレイン
Metal1 第1層メタル
Metal2 第2層メタル
Metal3 第3層メタル
Claims (2)
- 複数の第1、第2ブロックの一方の側に、第1メモリセルが配置され、もう一方の側に第2メモリセルが配置されて成るメモリアレイと、
前記第1、第2ブロックの前記一方の側に配置された前記第1メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第1カラムツリーと、
前記第1、第2ブロックの前記もう一方の側に配置された前記第2メモリセルのデータが伝達される配線群を含む第2カラムツリーと、
前記第1メモリセルのビット線を前記第1カラムツリーの第1メインビット線に結合させ、且つ、前記第2メモリセルのビット線を前記第2カラムツリーの第2メインビット線に結合させるカラムデコード回路と、を有する半導体記憶装置であって、
前記カラムデコード回路は、前記第1ブロックに属する第1カラムゲート回路と、前記第2ブロックに属する第2カラムゲート回路と、前記第1、第2カラムゲート回路を制御する第1、第2カラムプリデコード回路とを有し、
前記第1、第2カラムゲート回路のゲートトランジスタのゲートは、前記第1及び第2メインビット線に対して直交交差して配置され、
前記第1メインビット線と2つの前記ビット線とを接続する2つの前記ゲートトランジスタのソースは、共通のエリアに形成され、
前記第2メインビット線と他の2つの前記ビット線とを接続する他の2つの前記ゲートトランジスタのソースは、他の共通のエリアに形成され、
前記第1及び第2メインビット線のレイアウトピッチがカラムゲート回路の繰り返しピッチとなることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記2つのゲートトランジスタが、前記2つのビット線を前記第1又は第2メインビット線のいずれかに接続する場合、
前記2つのゲートトランジスタのソースと前記第1又は第2メインビット線とを接続するコンタクトホールが、前記第1メインビット線側に形成されることにより前記第1メインビット線と接続され、前記第2メインビット線側に形成されることにより前記第2メインビット線と接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007332371A JP2009158574A (ja) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | 半導体記憶装置 |
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Family Applications (1)
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JP2007332371A Pending JP2009158574A (ja) | 2007-12-25 | 2007-12-25 | 半導体記憶装置 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2007
- 2007-12-25 JP JP2007332371A patent/JP2009158574A/ja active Pending
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