JP4865189B2 - GaN系電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
このHEMT構造においては、例えばサファイア基板のような半絶縁性基板91の上に、例えばGaNからなるバッファ層92、アンドープGaN層93、およびこのアンドープGaN層93に比べて超かに薄い、例えばアンドープAlGaN層94が順次積層されたヘテロ接合構造が形成される。そして、アンドープAlGaN層94の上には、例えばn型不純物であるSiが高濃度でドーピングされたn−AlGaNのコンタクト層95が2個形成され、それぞれのコンタクト層95の上にはソース電極Sとドレイン電極Dが形成される。また、ソース電極Sとドレイン電極Dの間に位置するアンドープAlGaN層94の上にはゲート電極Gが形成される。
しかしながら、このHEMT構造を電源用スイッチングデバイスとして用いた場合、スイッチオフの状態にするためにゲート電極に所定の電圧を印加し続けることは電力消費の点で好ましいことではない。
本発明の目的は、ノーマリオフ型で、オン抵抗が小さく大電流動作が可能なGaN系FETの提供することである。
このGaN系FET(EA)は半絶縁性の基板11の上に例えばGaNからなるバッファ層12と、i−GaN系半導体材料またはp−GaN系半導体材料である第1のGaN系半導体材料からなるチャネル層13が順次積層される。
このゲート部G0の両側上は、Siのようなn型不純物が5×1017cm−3以上の高濃度でドーピングされた例えばn−GaNからなる一対のコンタクト層16a,16bが形成され、一方のコンタクト層16aの上にはソース電極Sが、他方のコンタクト層16bの上にはドレイン電極Dが形成される。
第1の電子供給層14a及び第2の電子供給層14bは互いに隔離しながらチャネル部13と接合する。
ここで、電子供給層14a,14bを構成する第2のGaN系半導体材料はチャネル層13を構成する第1のGaN系半導体材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい。そして、チャネル層13と電子供給層14a,14bはヘテロ接合しているため、電子供給層14a,14bの直下に位置する接合界面近傍のチャネル層13には2次元電子ガス6が生ずる。
一方、ゲート部G0において、ゲート電極Gの下方箇所には電子供給層は存在していない。この箇所では、チャネル層13の表面と第1および第2の電子供給層14a,14bの一部を被覆して絶縁層15が形成される。
すなわち、FET(EA)の場合、チャネル層13に発生する2次元電子ガスは連続しているのではなく、ゲート電極Gの直下の位置で遮断される。2次元電子ガス6は一対の電子供給層14a,14bの直下に位置するチャネル層13でのみ発生する。
なお、絶縁層15の材料としては、例えばSiO2、AlN、Al2O3、Ga2O3、TaO2、SiNxまたはSiONを用いることができる。
まず、FET(EA)において、チャネル層13と電子供給層14a,14bのヘテロ接合界面におけるチャネル層13には2次元電子ガス6が発生している。しかし、電子供給層14a,14bが存在せず、代わりに絶縁層15が形成されたチャネル層13の箇所には2次元電子ガスは発生しない。すなわち、チャネル層13に発生する2次元電子ガス6は、絶縁層15の形成箇所でその広がりが断絶した状態になっている。この状態を、図1のゲートG0を拡大した図である図2に示す。
しかし、ゲート電極Gに所定値のバイアス電圧を印加すると、絶縁層15の直下に位置するチャネル層13の箇所には電子の反転分布層が発生する。その結果、電圧印加前は断絶していた2次元電子ガス6がこの反転分布層を介して互いに連結するため、FET(EA)はFET動作を示す。
まず、図3に示すように、半絶縁性基板11の上に、ガスソース分子線エピタキシャル成長(GSMBE:Gas Source Molecular Beam Epitaxial)法や有機金属気相成長法(MOCVD:Metalorganic Chemical Vapor Deposition)などのエピタキシャル結晶成長法で、例えばGaNからなるバッファ層12、例えばp−GaNからなるチャネル層13、および例えばアンドープAlGaNからなる電子供給層14を順次形成する。
なお、ソースおよびドレイン電極に用いる材料としては、Ta−Si,W−Siなどの金属シリサイドおよびその表面にAuを蒸着したもの、あるいはAlとTiを順次蒸着したもの、TiとAu順次蒸着したものを挙げることができる。他方、ゲート電極の材料としては、PtとAuを順次蒸着したもの、PdとAuを順次蒸着したもの、NiとAuを順次蒸着したもの、Pt,NiおよびAuを順次蒸着したもの、WとAuを順次蒸着したものを挙げることができる。
このGaN系FET(EB2)は、p−GaNである第1のGaN系半導体材料からなるチャネル層13の上に、高純度でかつ極薄(例えば10nm以下)の、i型GaNのようなアンドープGaN系半導体層17を形成し、この層17の上に、第1および第2の電子供給層14a,14bと絶縁層15と、ゲート電極Gを形成したものである。
また、図15のように、層17の下にアンダーカット18を形成して抵抗値を小さくすることもできる。
このタイプBに係るGaN系FET(EC)は、2列の溝53を有するGaN系半導体材料からなるチャネル部52を有し、チャネル部52の溝53を除く上面には3列にわたってコンタクト層54が形成される。そして、コンタクト層54の上には、2つの溝53の縁に合わせて合計4個のソース電極Sが形成される。一方、チャネル部52の下面にはドレイン電極Dが位置する。
チャネル部52の上面に設けられるコンタクト層54bは電子供給層55bと角部で接して形成され、またチャネル部52の下面に設けられるコンタクト層54aは電子供給層55aと角部で接して形成される。ソース電極からの電子の流れが2次元ガス層に到るようにするためである。
絶縁層56bの側部にはゲート電極Gが位置するため、FETの動作時にはゲートバイアスを印加することによって電子の反転分布が生じ、途切れていた電子の流れがつながる。
ついで図19に示すように、チャネル層52cの表面に対し、SiO2からなるマスク58aをパターニングしたのち、例えばECR(Electron Cyclotron Resonance)プラズマを用いて、コンタクト層54aが表出するまで、コンタクト層54bとチャネル層52cの一部をドライエッチングし、溝53を形成する。
つぎに、図21に示すように、マスク58bをパターニングして一部除去し、溝53の底に、溝53の側壁と離隔した絶縁層56aを形成する。
ついで、図24に示すように、マスク58cの全面を、図21の工程で形成した絶縁層56aが再び現れる厚さとなるまでエッチングする。この結果、電子供給層55aの上に絶縁性のマスク58cが載置し、チャネル部52の側壁のうち電子供給層55aが隣接する箇所以外は被覆される。
次に、図28に示すように、AlGaN層55cをチャネル部52の上端(チャネル部の溝53の開孔端)までエッチングし、絶縁層56bの上、かつチャネル部52の側壁に付着した電子供給層55bを形成する。ただし、AlGaN層55cをあえてエッチングせず、そのまま電子供給層55bとすることもできる。
ついで、図30に示すように、SiO2が溝53を覆うようにしてパターニングし、保護層59を形成する。
この後、ソース電極が下方に位置するように、上下を入れ替え、成長用基板60とバッファ層61を研磨した後、ソース電極と同様にしてドレイン電極Dを形成し、図17に示したGaN系FET(EC)を得る。なお、図17のGaN系FET(EC)において、ソース電極Sをチャネル部52の下方に、ドレイン電極Dをチャネル部52の上方に配置することもできる。
まず、図3に示すように、サファイア基板11の上に、ラジカル化窒素(3×10−6Torr)と金属Ga(5×10−7Torr)を用い、GSMBE法により成長温度700℃で厚み50nmのGaN層(バッファ層)12を形成し、さらにその上に金属Ga(5×10−7Torr)、アンモニア(5×10−5Torr)および金属Mg(5×10−9Torr)を用い、成長温度850℃で厚み2μmのp−GaN層13(チャネル層:キャリア濃度は5×1018cm−3)を形成した。
p−GaNのバンドギャップエネルギーは3.4eV、アンドープAl0.2Ga0.8Nのバンドギャップエネルギーは3.94eVである。
まず図18に示すように、サファイア基板60の上に、ラジカル化窒素(3×10−6Torr)と金属Ga(5×10−7Torr)を用い、GSMBE法により成長温度700℃で厚み50nmのGaN層(バッファ層)61を形成し、さらにその上に成長温度850℃で厚み30nmのn−GaN層(コンタクト層)54aを形成した。
つぎに、図21に示すように、マスク58bをパターニングして一部除去し、溝53の底に、溝53の側面と距離30nmにわたって離隔した、溝の底からの厚さが100nmの絶縁層56aを形成した。
ついで、図30に示すように、電子供給層56bを含む溝53の部分にあるSiO2を残してパターニングして保護層59を形成し、コンタクト層54bを表出させた。
この後、ソース電極が下方に位置するように、上下を入れ替え、成長用基板60とバッファ層61を研磨した後、ソース電極と同様にしてドレイン電極Dを厚さ400nmにわたって形成し、図17に示したGaN系FET(EC)を得た。
Claims (16)
- ソース電極およびトレイン電極と、
i−GaN系半導体材料またはp−GaN系半導体材料である第1のGaN系材料からなり前記ソース電極及び前記ドレイン電極と電気的に接続して形成されるチャネル部と、
前記第1のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが大きい第2のGaN系半導体材料からなり、前記チャネル部と接合し、互いに隔離された第1の電子供給部および第2の電子供給部と、
前記第1の電子供給部と前記第2の電子供給部との間に位置する前記チャネル部の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されるゲート電極とを備え、
前記ソース電極と前記チャネル部との電気的接続箇所と前記ドレイン電極と前記チャネル部との電気的接続箇所との間に、前記第1の電子供給部、前記第2の電子供給部、前記絶縁層、および前記ゲート電極が位置し、
前記チャネル部のうち、前記第1の電子供給部および前記第2の電子供給部の直下に位置する箇所に2次元電子ガスが発生する、ノーマリオフ型のGaN系電界効果トランジスタ。 - 前記チャネル部と前記ソース電極間および前記チャネル部と前記ドレイン電極間に、前記第1のGaN系半導体材料よりもバンドギャップエネルギーが小さいかまたは等しい第3のGaN系半導体材料で形成されるコンタクト層を備える請求項1のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記第1のGaN系材料はp−GaN系半導体材料で、前記第2のGaN系半導体材料はアンドープGaN系半導体材料であり、前記p−GaN系半導体材料をMA、前記アンドープGaN系半導体材料をMBとしたとき、MAとMBの組合せM A /M B では、p−GaN/AlGaN、p−GaN/AlInGaN、p−InGaN/GaN、p−GaNAs/GaN、p−GaInNAsP/GaN、p−GaInNP/GaN、p−GaNP/GaN、p−GaN/AlGaInNAsPまたはp−AlInGaN/AlGaNである請求項1または2のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記絶縁層の材料は、SiO2、AlN、Al2O3、Ga2O3、TaOx、SiNxまたはSiONである請求項1または2のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層の少なくとも一部は前記チャネル部内に埋設される請求項2のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層の埋設部と前記チャネル部の接続界面は曲面である請求項5のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層の埋設部は、前記第1の電子供給部および前記第2の電子供給部に対してアンダーカット部を形成する請求項5または6のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記第1の電子供給部と前記第2の電子供給部との間には、前記第2のGaN系半導体材料より形成される1個以上の電子供給部が前記チャネル部と接合して形成され、
前記第1の電子供給部および前記第2の電子供給部と前記1個以上の電子供給部の間に不連続箇所があってチャネル部が表出し、この表出したチャネル部の上に前記絶縁層および前記ゲート電極が形成され、
前記チャネル部のうち、前記第1の電子供給部、前記第2の電子供給部、および前記1個以上の電子供給部の直下に位置する箇所に2次元電子ガスが発生する請求項1または2のGaN系電界効果トランジスタ。 - 前記絶縁層と前記チャネル部の間に前記第1のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ前記第2のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが小さい第4のGaN系半導体材料から形成される層を有する請求項1または2のGaN系電界効果トランジスタ。
- ソース電極およびトレイン電極と、
i−GaN系半導体材料またはp−GaN系半導体材料である第1のGaN系材料からなり、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と電気的に接続して形成されるチャネル部と、
前記第1のGaN系半導体材料よりバンドギャップエネルギーが大きい第2のGaN系半導体材料からなる、互いに隔離された第1の電子供給部および第2の電子供給部と、
前記第1の電子供給部と前記第2の電子供給部との間に位置する前記チャネル部の上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成されるゲート電極とを備え、
さらに、前記ソース電極と前記チャネル部との電気的接続箇所と前記ドレイン電極と前記チャネル部との電気的接続箇所との間の前記チャネル部の上に、前記第2のGaN系半導体材料よりもバンドギャップエネルギーが小さいi−GaN層を有し、
前記i−GaN層の上に、前記第1の電子供給部、前記第2の電子供給部、前記絶縁層、および前記ゲート電極が位置し、
前記i−GaN層のうち、前記第1の電子供給部および前記第2の電子供給部の直下に位置する箇所に2次元電子ガスが発生する、ノーマリオフ型のGaN系電界効果トランジスタ。 - 前記コンタクト層の少なくとも一部は前記チャネル部内に埋設され、このコンタクト層の埋設された部分は、前記i−GaN層と接する請求項10のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記コンタクト層の埋設部は、前記第1の電子供給部および前記第2の電子供給部に対してアンダーカット部を形成する請求項11のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記チャネル部は堤形状をなし、この堤形状チャネル部の上面に前記ソース電極、下面に前記ドレイン電極がそれぞれ形成され、前記チャネル部の側壁面に前記第1の電子供給部、前記第2の電子供給部、および前記絶縁層が形成される請求項1のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記チャネル部と前記ソース電極間および前記チャネル部と前記ドレイン電極間に、前記第1のGaN系半導体材料よりもバンドギャップエネルギーが小さいかまたは等しい第3のGaN系半導体材料で形成されるコンタクト層を備える請求項13のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記電界効果トランジスタは一列に配列される複数の堤形状チャネル部を具備し、これら複数の堤形状チャネル部はコンタクト層を介して隣り合うチャネル部と接続する請求項14のGaN系電界効果トランジスタ。
- 前記複数の堤形状チャネル部の下面に設けられるドレイン電極は一体に形成される請求項15のGaN系電界効果トランジスタ。
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