JP4748532B2 - GaN系半導体装置の製造方法 - Google Patents
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前記能動層における前記2つの電極の一方の電極を形成する部分に、選択的にイオン注入して高抵抗化したイオン注入層を形成する工程と、溝の内壁面のみに前記イオン注入層を残して絶縁層を形成するように、前記イオン注入層を前記シリコン基板に達する深さまでエッチングする工程と、前記絶縁層の内面に、前記能動層の表面と前記シリコン基板とを電気的に接続するように前記一方の電極を、前記シリコン基板および前記能動層の両方にオーミック接合する金属を用いて形成する工程と、前記溝を埋めるように、前記能動層上に層間絶縁膜を堆積する工程と、前記層間絶縁膜における前記2つの電極の他方の電極と対応する箇所に貫通孔を開け、前記他方の電極と電気的に接続するパッド電極を、前記層間絶縁膜上面の一部および前記貫通孔内部に形成する工程と、前記シリコン基板と前記能動層の間に、p-GaN層及びn-GaN層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
第1実施形態に係るGaN系半導体装置20を、図1に基づいて説明する。
○ソース電極31が能動層25の表面とシリコン基板21を電気的に接続しているので、ソース電極31がシリコン基板21を介して裏面電極34と電気的に接続され、裏面電極34全体がソース電極31用のボンディングパッドとなる。これにより、ソース電極31のボンディングパッドが不要になり、ボンディングパッドの数が減るので、素子サイズ(チップ面積)を小さくすることができる。
次に、第2実施形態に係るGaN系半導体装置20Aを、図5に基づいて説明する。
このような構成を第2実施形態によれば、上記第1実施形態と同様の作用効果を奏する。
次に、第3実施形態に係るGaN系半導体装置20Cを、図6に基づいて説明する。
次に、第4実施形態に係るGaN系半導体素子20Dを、図7に基づいて説明する。
次に、第6実施形態に係るGaN系半導体素子20Eを、図8に基づいて説明する。
・図6に示す上記第3実施形態に係るGaN系半導体装置20Cでは、ソース電極42が、エピタキシャル層41におけるソース電極42を形成する部分をシリコン基板21に達する深さまで掘った溝27B内に、シリコン基板21およびエピタキシャル層41の両方と電気的に接触するように形成されているが、本発明はこれに限定されない。ドレイン電極44が、エピタキシャル層41におけるドレインソース電極44を形成する部分をシリコン基板21に達する深さまで掘った溝27B内に、シリコン基板21およびエピタキシャル層41の両方と電気的に接触するように形成した構成にも、本発明は適用可能である。
21:P型のシリコン(Si)基板
22:バッファ層
23:チャネル層(キャリア走行層)
24:キャリア供給層
25,55:能動層
31,31B:ソース電極
32,32B:ドレイン電極
33:ゲート電極
27,27A,27B,27C,27D、27E:溝
28,28D:パッシベーション膜
29,29B,29D:層間絶縁膜
29a:貫通孔
30d,30s:パッド電極
41:エピタキシャル層(能動層)
42:ソース電極
43:ゲート電極
44:ドレイン電極
45:ゲート酸化膜
52:バッファ層
53:キャリア走行層
54:キャリア供給層
61:カソード電極
62:アノード電極
81:p-GaN層
82:n-GaN層
Claims (1)
- P型のシリコン(Si)基板と、該基板上に形成されたGaN系半導体からなる能動層と、オン状態で2つの電極間で能動層を介して電流が流れる第1電極および第2電極の少なくとも2つの電極と、前記基板の裏面に形成された裏面電極と、を備えたGaN系半導体装置の製造方法であって、
前記能動層における前記2つの電極の一方の電極を形成する部分に、選択的にイオン注入して高抵抗化したイオン注入層を形成する工程と、
溝の内壁面のみに前記イオン注入層を残して絶縁層を形成するように、前記イオン注入層を前記シリコン基板に達する深さまでエッチングする工程と、
前記絶縁層の内面に、前記能動層の表面と前記シリコン基板とを電気的に接続するように前記一方の電極を、前記シリコン基板および前記能動層の両方にオーミック接合する金属を用いて形成する工程と、
前記溝を埋めるように、前記能動層上に層間絶縁膜を堆積する工程と、
前記層間絶縁膜における前記2つの電極の他方の電極と対応する箇所に貫通孔を開け、
前記他方の電極と電気的に接続するパッド電極を、前記層間絶縁膜上面の一部および前記貫通孔内部に形成する工程と、
前記シリコン基板と前記能動層の間に、p-GaN層及びn-GaN層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするGaN系半導体装置の製造方法。
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