JPH04127569A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ 本発明は半導体装置およびその製造方法に係り、特に優
れた性能および新機能を有する半導体装置およびその製
造方法に関する

【従来の技術】

ヒ化ガリウム（Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　）に代表されるｍ　−
ｖ族化合物半導体は、一般にキャリアの移動度が大きく
、また光を吸収、放出しやすい直接遷移型の半導体が得
られ、電子素子および光素子として優れた基本特性を有
する。さらに、化合物半導体上には、異なる半導体層を
堆積して、いわゆるペテロ接合を形成することができ、
電気的、光学的性質の変化を利用した各種素子が開発さ
れている。化合物半導体へテロ接合構造の代表的な例と
しては、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ等の構造があり、レーザ素子、受光素子等の光素子
や、電界効果型トランジスタやバイポーラトランジスタ
等の電子素子に利用されている。 ［発明が解決しようとする課題］ ■−ｖ族化合物半導体では、ペテロ接合界面に欠陥が生
じ易く、これによって形成される欠陥準位は半導体の電
気的、光学的特性劣化の原因となる。このため、従来は
化合物半導体上に積層される半導体は、下地である化合
物半導体と同一あるいは類似した結晶構造を持ち、格子
定数が近いものに限られていた。例えばＡ　Ｉ　Ｇ　ａ
　Ａ　ｓ　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓＩ　ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
　／　Ｇ　ａ　Ａ　ｓでは、いずれもペテロ接合を形成
する半導体層の結晶構造は同じセン亜鉛鉱型であり、ま
た格子定数が近い、このほか単体の単結晶半導体を化合
物半導体上に積層した例としては、Ｇ　ｅ　／　Ｇ　ａ
　Ａ　ｓ構造が挙げられる。この場合、ＧａＡｓがセン
亜鉛鉱型であるのに対し、Ｇｅはダイヤモンド型の結晶
構造を有するが。 この両者の構造では原子の配列のしかたがよく似ており
、またＧｅとＧａＡｓの格子定数はほぼ等しい。 化合物半導体上に原子配列が不規則ないわゆるアモルフ
ァス材料を積層した構造としては２酸化シリコン（Ｓｉ
ｎｓ）／ＧａＡｓがある。ＳｉＯ。 は通常絶縁体とみなされるが、これはバンドギャップが
、通常半導体と呼ばれる材料に比べ大きいためである。 この構造はいわゆるＭＩＳ（金属／絶縁体／半導体）型
電界効果トランジスタの導電チャネルとして検討された
ものである。しかしこの構造では、ＧａＡｓ結晶の原子
間の結合がＳｉＯよとの界面で切れており、またＧａお
よびＡ、ｓがＳｉｎ、中のＯと反応するため、Ｓｉｎ、
／ＧａＡｓ界面には高濃度の欠陥とそれにともなう界面
準位が発生する。このためフェルミレベルがこの界面準
位に固定されてしまい、ゲート電極に電圧を印加しても
下の半導体層に電界がかからなくなり、ＭＩＳ型電界効
果トランジスタとしての正常な動作が得られない。 化合物半導体を用いた電子素子および光素子の高性能化
や新しい機能を有する素子の開発には、バンドギャップ
等の電気的、光学的性質がそれぞれの目的に適合した半
導体（Ｉ！緑体）を化合物半導体単結晶上に積層できる
ことが必要である、しかし、従来は、化合物半導体単結
晶上に積層され、かつ特性劣化の原因となる欠陥の発生
のない半導体層または絶縁層は、下地である化合物半導
体結晶と同一もしくは類似した結晶構造を有し、かつ格
子定数が近いものに限られていた。 本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、結晶構造や
格子定数に関する上記限定を必要としない、新規な積層
構造を有する半導体装置およびその製造帆法を提供する
ことである。 ［課題を解決するための手段］ 上記課題は、第１図に示したように、化合物半導体１の
表面とカルコゲン（本明細書では、セレン、テルル、硫
黄をカルコゲンと称する）を反応させて１原子層以上の
厚さを有する変性層２を形成し、その上に、カルコゲン
層またはカルコゲンを主成分とする固体層３を積層する
ことにより解決される。本明細書において、■−■族化
合物半導体の表面に形成された、■族元素とカルコゲン
の化合物および■族元素とカルコゲンの化合物の単独も
しくは両者からなり、１原子層以上数原子層以下の厚さ
を有する膜を変性層と呼ぶ。このような変性層は、ｍ−
ｖ族化合物半導体の表面に通常存在する、自然酸化膜を
実質的に除去した後、もしくは自然酸化膜が実質的に存
在しない清浄な表面を分子線蒸着法などによって形成し
た後、上記化合物半導体の表面とカルコゲンを反応させ
て形成することができる。 また、カルコゲンを主成分とし、さらにカルコゲン以外
の元素を含む固体を、本明細書ではカルコゲナイドと呼
ぶ。 カルコゲン／化合物半導体、またはカルコゲナイド／化
合物半導体構造を製造するには、自然酸化膜が実質的に
存在しない表面を有する■−■族化合物半導体を形成し
た後、カルコゲンの蒸発温度より高温に保ち、この清浄
な化合物半導体表面上に、真空中において上記カルコゲ
ンの分子線を照射して変性層を形成し、さらに、所望の
カルコゲン層あるいはカルコゲナイド層の原料を加熱蒸
発させて、変性層上にカルコゲンあるいはカルコゲナイ
ドを堆積させる。 あるいは、上記清浄表面上に直接カルコゲン層やカルコ
ゲナイド層を堆積してもよい。本発明者の検討によれば
、このようにすることにより、変性層形成の工程を付加
しなくても、化合物半導体とカルコゲンまたはカルコゲ
ナイドの界面に、変性層が形成されているのが確認され
た。 このほか、化合物半導体の表面を、例えば硫化アンモニ
ウムなど、カルコゲンを含む溶液で処理して表面に変性
層を形成した後、真空中において所望のカルコゲン層ま
たはカルコゲナイド層の原料を加熱蒸発させて堆積させ
てもよい。この場合も、自然酸化膜が上記溶液によって
除去されるので、多くの場合、除去の工程を付加する必
要はない。 ［作用コ 代表的なカルコゲンであるセレンは、２電子ボルト程度
のバンドギャップを持つ半導体であり。 撮像管等に利用されている。またカルコゲナイドでは、
例えばＳ　ｅ−Ａ　ｓ−Ｔ　ｅ　、　Ａ　ｓ、Ｓ　ｅ、
、Ｔｅ−Ａ　ｓ−８ｉ−Ｇ　ｅ等多くの材料が知られて
いる。 通常の方法で形成されるカルコゲンまたはカルコゲナイ
ドの固体層は、アモルファス状か微結晶状の構造を有す
る。カルコゲンやカルコゲナイドは高濃度の局在準位を
もち、それに起因するスイッチング、メモリー効果を示
すほか、光誘起の構造不安定性、光導電性等の特有の性
質を有し、スイッチ素子、メモリ素子、受光素子等に広
く応用されている。また、カルコゲナイドではその組成
を変えることにより、広い範囲にわたって電気的、光学
的特性を調節することができる。例えばＳｅ−Ｔｅの組
成比を変えることによりバンドギャップを１ｅＶ以下か
ら２ｅＶまで変えることができる。 これらのカルコゲンもしくはカルコゲナイドを化合物半
導体上に積層することにより、カルコゲンもしくはカル
コゲナイドと化合物半導体双方の特徴を活かした電子素
子や光素子、さらにはカルコゲンもしくはカルコゲナイ
ドと化合物半導体とのへテロ接合における電子構造の変
化を利用した新しい電子素子や光素子が実現される。 化合物半導体とカルコゲン層もしくはカルコゲナイド層
との界面には、酸化物が実質的に存在しない清浄な化合
物半導体表面とカルコゲンとの反応によって形成された
、厚さ１原子層以上数原子層以下の、変性層が存在する
ことが必要である。 以下、化合物半導体としてヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、
カルコゲンとしてアモルファスセレン（ａ−８ｅ）を用
いた例を用いて説明する。 本発明者は以下のことを見出した。 （１）自然酸化膜が実質的に存在しない清浄なＧａＡｓ
（１００）表面に真空中で１５０℃以上の温度でＳｅ分
子線を照射すると、ＳｅはＧａＡｓ表面のＧａあるいは
Ａｓと結合し、厚さが１原子層以上、数原子層以下の変
性層がＧａＡｓ表面に形成される。変性層が形成された
後は余分なＳｅはＧａＡｓの表面に堆積しない。これは
１５０℃以上の温度では固体のＳｅは蒸発し、ＧａＡｓ
の表面には残らないためである。変性層が形成された表
面は２ｘｌの再配列を示した。この変性層の形成された
表面は熱的化学的に安定であり、また電気的な特性の劣
化の原因となる欠陥準位の発生が抑制されていることが
確かめられた。 （２）変性層を形成した後、さらにこの表面に室温にお
いて真空中で再びＳｅ分子線を照射してａ−８ｅ膜を堆
積し、　ａ−８ｅ／Ｇ　ａ　Ａ　ｓ構造を形成した。こ
の際、堆積されたＳｅは変性層、あるいは下地のＧａＡ
ｓと反応しない。これは上記ＳｉＯ２を堆積した場合と
は異なる。 （３）従って、ａ−８ｅ／ＧａＡｓ接合のＧａＡｓ便の
界面での欠陥準位の発生がなく、また、ａ−Ｓｅ側の界
面にも電気的な特性劣化を引き起こす欠陥準位がないの
で、その結果ａ−８ｅ／ＧａＡｓヘテロ界面には欠陥準
位はほとんど発生しない。 ターマン法により求めたａ　−Ｓ　ｅ　／　Ｇ　ａ　Ａ
　ｓ界面の界面準位密度はバンドギャップ中央付近で１
０１２／ｃｍ２／ｅｖ以下と極めて小さかった。 このように変性層をはさんで形成されたａ−８ｅ　／　
Ｇ　ａ　Ａ　ｓヘテロ接合は電気的特性の劣化を引き起
こす欠陥準位の少ない極めて良好な接合を形成する。こ
こではＳｅがアモルファスである場合について説明した
が、結晶化しているばあいも同様であった。 以上化合物半導体をＧ　ａ　Ａ　ｓ、カルコゲンをａ−
８ｅとした場合について説明したが、Ｇ　ａ　Ａ　ｓ以
外の■−ｖ族化合物半導体、或はセレン以外のカルコゲ
ンやカルコゲナイドを用いた場合も同様である。カルコ
ゲンと反応して得られる化合物半導体表面の変性層は有
害な欠陥準位を作らず、カルコゲン、カルコゲナイドを
その上に堆積しても保存される。このため化合物半導体
側の界面には欠陥準位が発生しない。さらに通常カルコ
ゲン、カルコゲナイド側の界面にも欠陥準位が発生しに
くいため、カルコゲンもしくはカルコゲナイドと化合物
半導体の間には極めて良好な接合が形成される。上記の
ように、ＧａＡｓ（Ｚｏｏ）表面にＢｅと結合して得ら
れる変性層は２ｘｌ構造になるが、変性層の構造は化合
物半導体の結晶方位と種類、カルコゲンの種類に依存す
る。変性層はセレンを結合して形成した場合が最も良好
であるが、硫黄、テルルにより形成してもよいことが認
められた。 上記のように化合物半導体上に変性層を介してカルコゲ
ンもしくはカルコゲナイドの層を積層すれば、界面準位
のない良好なヘテロ接合が得られるため、界面での電気
的特性の変化を利用した電子素子や光素子が得られるな
ど、化合物半導体とカルコゲンもしくはカルコゲナイド
の特性の違いを生かした素子の実現される。良好なヘテ
ロ接合が得られるカルコゲナイドとしては、例えばＩＶ
−ＶＩ族、Ｖ−ＶＩ族のカルコゲナイドが挙げられる。 特にカルコゲンを主成分とするアモルファス状もしくは
微結晶状の固体層を積層する場合、積層するカルコゲン
、カルコゲナイドには結晶構造や格子定数の制約がない
ため、素子の設計、開発上の自由度が大幅に増大する。 カルコゲンもしくはカルコゲナイドの層を形成するには
真空中において原料を加熱蒸発させて化合物半導体上に
堆積すればよい。変性層の形成方法としては、カルコゲ
ンの蒸発温度より高温に加熱された、自然酸化膜が実質
的に存在しない清浄な化合物半導体表面に、カルコゲン
分子線を照射すればよい。また、上記のように、自然酸
化膜が実質的に存在しない清浄な化合物半導体表面に直
接カルコゲン層もしくはカルコゲナイド層を堆積しても
よい。この場合化合物半導体は１表面上に堆積されたカ
ルコゲンもしくはカルコゲナイドと反応して、変性層が
界面に形成される。ただし変性層の形成は、高温で分子
線を照射した場合よりもやや不十分となる。さらにカル
コゲンを含む溶液中で処理して変性層を形成してもよい
。しかしこの場合は、酸化物の除去がやや不十分で、表
面に酸化物が残りやすく、高温で分子線を照射して形成
した場合に比べやはり界面の特性は劣る。 従って、上記のように、自然酸化膜を実質的に除去した
後、カルコゲンの蒸発温度よりも高い温度に化合物半導
体の温度を保持し、その表面にカルコゲンの分子線を照
射する方法を用いれば、最も良好な変性層を得ることが
できる。 ［実施例］ 実施例１゜ 本発明の第一の実施例として、ＭＩＳ型電界効果トラン
ジスタを作成した例を第２図を用いて説明する。まず　
アンドープＧ　ａ　Ａ　ｓ層１０の上にｎ型Ａ　Ｉ　Ｇ
　ａ　Ａ　ｓ層１１、ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　Ｍｌ　２、
を順次形成した後、オーミック電極１３を表面に形成し
た（第２図（ａ））。次いでゲート電極部分に開口部を
有するホトレジスト膜１４を形成し、ＣＣｌ４を用いた
反応性イオンエツチングによって、上記開口部によって
露出された部分のｎ型ＧａＡｓ層１２を、その下に形成
されであるｎ型Ａ　Ｉ　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層１１をストッ
パーにして、エツチングし、さらにｎ型ＡｌＧａＡｓ層
１１をエツチングして除去した（第２図（ｂ））、これ
により、Ｇ　ａ　Ａ　５層１０の表面に存在した自然酸
化膜は、実質的に除去される。 次いで真空中において加熱し、基板温度１５０℃でＳｅ
分子線を照射して、上記開口部を介して露出されたノン
ドープＧａＡｓ層１０上に、厚さ１原子層以上の変性層
２を形成し、その後室温（約２０℃）においてアモルフ
ァスＳｅ層１６゜金電極層１７を順次積層してＭＩＳ型
のゲート電極構造を形成した（第２図（Ｃ））。次いで
ホトレジスト膜１４上の不要なアモルファスＳｅＷＪ１
６および金電極層１７を上記ホトレジスト層１４ととも
に除去すし、ＭＩＳ型電界効果トランジスタを形成した
（第２図（ｄ））。ゲート長は１ミクロンとした。また
アモルファスＳ　ｅ　９１６の厚さは５０ｎｍとした。 金電極層１７に正のゲート電圧を加えると、第２図（ｄ
）に示したように２次元電子ガス１８が発生し、両オー
ミック電極１３間に電流が流れた、アンドープＧａＡｓ
層１０とアモルファスＳｅ層１６の界面には殆ど欠陥準
位が存在しないため、ゲート電圧にほぼ比例して２次元
電子ガスを発生させることができ、良好なトランジスタ
特性が得られた。トランジスタの伝達コンダクタンスは
約１００ｍ５／ｍｍであった。アモルファスＳｅの代わ
りに、熱的安定性のより優れたアモルファスＳｅ−Ａｓ
を用いても、同様に良好な結果が得られた。また、真空
中１５０℃でＳｅ分子線を照射して変性層を形成するか
わりに、自然酸化膜が実質的に除去された清浄な表面上
に、アモルファスＳｅ層を直接堆積して１両者の界面に
変性層を形成してもよく、さらにカルコゲンを含む溶液
中で処理して変性層を形成した後アモルファスＳｅ層を
堆積してもよいことが確認された。 本実施例では、化合物半導体としてＧａＡｓ、カルコゲ
ンもしくはカルコゲナイド層としてアモルファスＳｅま
たはアモルファスＳｅ−Ａｓを、それぞれ用いたが、他
の化合物半導体、あるいは他のカルコゲンやカルコゲナ
イドを用いた場合も、同様に良好な結果が得られた。 実施例２゜ 次に第二の実施例として１本発明を撮像管ターゲットに
応用した例を第３図を用いて説明する。 まず、ＧａＡｓ基板２０上にアンドープＡｌＧａＡｓ層
２１、アンドープＧａＡｓ層３０およびｎ型Ｇ　ａ　Ａ
　ｓ層３２を、周知の成長方法を用いて順次形成したの
ち、表面に酸化スズ層２２を堆積した（第３図（ａ））
。ついで表面をガラス基板２３に張り付けた後、裏面よ
りアンドープＡｌＧａＡｓ層２１をストッパーにしてＧ
ａＡｓ基板２０をエツチングして除去し、さらに上記ア
ンドープＡｌＧａＡｓ層２１を除去した（第３図（ｂ）
）。ついで真空中、基板温度１５０℃でアンドープＧａ
Ａｓ層３０の表面にＳｅ分子線を照射して変性層２を形
成した後、室温でアモルファスＳｅ１５１６を変性層の
上に堆積した（第３図（Ｃ））。 最後に２ｘｌＯ−”Ｔｏｒｒ程度の不活性ガス雰囲気中
で上記アモルファスＳｅ層１６上に５ｂ２ｓ。 暦２４を堆積してし、光導電ターゲットを形成した（第
３図（ｄ））。該光導電ターゲットを電子銃筐体と結合
して真空封入することにより、撮像管が完成する。 該撮像管の動作原理を第３図（ｄ）を用いて説明する。 導電性の透明電極である酸化スズ層２２に＋５０Ｖを印
加し、一方、５ｂ２ｓ、層２４を走査電子線２６で走査
してカソードと同電位とし。 上記酸化スズ層２２と上記５ｂ２ｓ１層２４間に５０ｖ
程度の電圧を印可する。この時、酸化スズ層２２からの
正孔注入はｎ型ＧａＡｓ層３２によって阻止され、一方
走査面からの電子注入は５ｂ２ｓ１層２４によって阻止
されるので、暗電流は十分小さく抑えられる。ここでガ
ラス基板２３．および酸化スズ層２２を通して入射光２
５を入射すると、アンドープＧ　ａ　Ａ　ｓ　７３３０
中に電子・正孔対が形成される。このうち正孔は５ｂ２
ｓ、層２４側ヘトリフトし、５ｂ２ｓ、層中で電子と再
結合する。こうして光像が走査する電子線の量の変化と
して電気信号に変換される。 アモルファスＳｅ等、Ｓｅを主体とするアモルファス半
導体は光導電性に優れ、暗抵抗が高いので撮像管ターゲ
ットに適している。しかしアモルファスＳｅ層で電子・
正孔対を形成する場合、アモルファスＳｅのバンドギャ
ップは約２ｅＶと大きく長波長光に対する光キヤリア生
成効率が低いため、赤色光に対する感度が小さいという
問題がある。またＧａＡｓ層で電子・正孔対を形成し、
アモルファスＳｅ層にキャリアを注入する場合において
も、アモルファスＳｅとＧａＡｓの界面に変性層を形成
しない場合は、界面での欠陥準位によってキャリアの走
行が阻止され、良好な光応答が得られなかった。 一方本実施例において形成された撮像管では、バンドギ
ャップが約１．５ｖと小さく光吸収係数がアモルファス
Ｓｅより大きいＧａＡｓが用いられており、しかも、Ｇ
ａＡｓＮとアモルファスＳｅ層の接合部には欠陥準位を
作らない変性層２が形成されている。そのため、全可視
光領域において高感度で、かつ応答特性に優れた撮像管
が得られた。アモルファスＳｅの代わりに、Ｓｅを主体
とし他の元素を含むアモルファス半導体層を用いても、
同様に良好な結果が得られた。例えば熱的安定性のより
優れたアモルファスＳｅ−ＡｓをアモルファスＳｅの代
りに用いてもよい。 本実施例では、化合物半導体としてＧａＡｓ、カルコゲ
ンもしくはカルコゲナイド層としてＳｅを主体とするア
モルファス半導体をそれぞれ用いたが、他の化合物半導
体、あるいは他のカルコゲンもしくはカルコゲナイドを
用いてもよい。特に異なる化合物半導体を用いることに
より、特定の波長域に高感度な撮像管を、形成すること
ができる。 以上、本発明の二実施例を説明したが、このほか太陽電
池等様々な電子素子および光素子への応用が可能なこと
はいうまでもない。 本発明において、上記ｍ−ｖ族化合物半導体としては、
ＧａＡｓのみではなく、例えばＩ　ｎＧａＡｓ、ＩｎＰ
およびＡｌＧａＡｓなど、多くの種類のものが使用でき
る。カルコゲンおよびカルコゲナイドとしては、それぞ
れ、ＳｅおよびＳｅ−Ａｓを用いれば、最も好ましい結
果が得られる。 自然酸化膜は、例えば、真空中での熱処理あるいはドラ
イエツチング（イオンエツチングなど）によって除去す
ることができる。また、ｍ−ｖ族化合物半導体膜を１周
知の分子線蒸着法によって形成すれば、自然酸化膜が存
在しない極めて清浄な表面が得られるので、外気と接触
させることなしに、その上にカルコゲンもしくはカルコ
ゲナイドの膜を形成してもよい。このようにすれば１両
者の界面に変性層が形成され、良好な結果が得られる。 変性層を形成するには、カルコゲンの分子線を照射する
のが、最も確実で効果的な方法であるが、上記表面を、
カルコゲンを含む溶液と接触させたもよい、この場合、
自然酸化膜は上記溶液によって除去されるので、あらか
じめ自然酸化膜を除去する必要は、多くの場合はない。 ［発明の効果］ 本発明によれば、化合物半導体上に種々な電気的、光学
的特性を有する半導体層が積層された構造を有する、半
導体装置が得られるため、化合物半導体を用いる各種電
子素子や光素子の高性能化および新機能の開発の可能性
を著しく広げることができる。特に化合物半導体層とそ
の上に積層された半導体層の界面における欠陥準位密度
が小さいため、電気的、光学的特性の劣化の少ない良好
なペテロ接合が得られる。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明におけるカルコゲンもしくはカルコゲナ
イドと化合物半導体の積層構造を示す断面図、第２図は
本発明の第一の実施例であるＭＩＳ型電界効果トランジ
スタの製造方法を示す固定図、第３図は本発明の第二の
実施例である撮像管ターゲットの製造方法を示す工程図
である。 １・・・化合物半導体層、２・・・変性層、３・・・カ
ルコゲンまたはカルコゲナイド層、１０．３０・・・ア
ンドープＧａＡｓ層、１１−　ｎ型ＡｌＧａＡｓ層、１
２．３２−　ｎ型ＧａＡｓ１．１３−・・オーミック電
極、１４・・・ホトレジスト、１６・・・アモルファス
Ｓｅ層、１７・・・金電極層、１８・・・２次元電子ガ
ス、２０−　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板、２１　・・・アンド
ープＡｌＧａＡｓ！、２２・・・酸化スズ層、２３・・
・ガラス基板、２４・・・Ｓｂ２Ｓ３層、２５・・・入
射光、２６・・・走査電子線。 代理人弁理士　　薄　１）利　幸 −−−−−化合物半埠イ本層 ２−−−一変性層 ３−一一一カルコデンまたはカルコゲナイド層第１ 図 第２ 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、III−Ｖ族化合物半導体基板もしくはIII−Ｖ族化合
   物半導体層と、上記III−Ｖ族化合物半導体基板もしく
   はIII−Ｖ族化合物半導体層上に形成された少なくとも
   １原子層以上の厚さを有する変性層と、該変性層上に形
   成されたカルコゲン層もしくはカルコゲナイド層を、少
   なくとも有することを特徴とする半導体装置。 ２、上記III−Ｖ族化合物半導体はＧａＡｓ、ＩｎＧａ
   Ａｓ、ＩｎＰおよびＡｌＧａＡｓからなる群から選ばれ
   ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ３、上記カルコゲンはＳｅであることを特徴とする請求
   項１もしくは２記載の半導体装置。 ４、上記カルコゲナイドはＳｅ−Ａｓであることを特徴
   とする請求項１もしくは２記載の半導体装置。 ５、上記半導体装置はＭＩＳ型電界効果トランジスタで
   あることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ６、上記半導体装置は撮像管のターゲットであることを
   特徴とする請求項１記載の半導体装置。 ７、III−Ｖ族化合物半導体基板もしくはIII−Ｖ族化合
   物半導体層の表面上に、変性層を介してカルコゲン層も
   しくはカルコゲナイド層を形成する工程を、少なくとも
   有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 ８、上記変性層は、上記III−Ｖ族化合物半導体基板も
   しくはIII−Ｖ族化合物半導体層の、実質的に自然酸化
   膜が存在しない表面上に形成されることを特徴とする請
   求項７記載の半導体装置の製造方法。 ９、上記自然酸化膜は、ドライエッチングもしくは真空
   中における熱処理によって除去されることを特徴とする
   請求項８記載の半導体装置の製造方法。 １０、上記変性層は上記カルコゲンの分子線照射もしく
   は上記表面を上記カルコゲンを含む溶液中に浸漬するこ
   とによって形成されることを特徴とする請求項７ないし
   ９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。 １１、上記III−Ｖ族化合物半導体層は、分子線蒸着法
   によって形成され、上記カルコゲンもしくはカルコゲナ
   イド層は、上記III−Ｖ族化合物半導体層を空気に接触
   させることなしに形成されることを特徴とする、請求項
   ７もしくは８記載の半導体装置の製造方法。