JP3917649B2 - 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 83
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 62
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 69
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940124543 ultraviolet light absorber Drugs 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
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- H—ELECTRICITY
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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Description
なお、ウェハーレベルCSPではないが、透明板に代えて、マイクロレンズ上に表面が平坦な界面を有する透明樹脂膜を備え、マイクロレンズの屈折率をn2、透明樹脂膜の屈折率をn1とした時、1<n1<n2の関係を有することを特徴とするマイクロレンズの態様が示されているものもある(特許文献5)。
このため、従来のウェハーレベルCSPは長期信頼性が低いか又は生産歩留まりが低かった。しかも、仮に接着剤が適量であったとしても、従来のウェハーレベルCSPの固体撮像装置は元来外部からの衝撃に弱く、特に衝撃に対する対策が施されていなかった。
ウェハー(1)の表面部に多数の受光部(2)と前記受光部の1つ1つにマイクロレンズ(3)が形成され、前記ウェハー(1)の周辺の随所に前記受光部(2)への電力供給及び電気信号の授受を行う貫通電極(4)が設けられ、
この貫通電極(4)の一端は前記ウェハー(1)の表面部で受光素子への配線に接続される電極パッド(4a)に接続され、他端は裏面電極(5)を通じて配線に接続され、
前記ウェハー(1)の表面に前記マイクロレンズ(3)を取り囲むように四囲に配した隔壁部となるリブ(7)が設けられ、
前記リブ(7)の上面に接着剤で透明板(8)が貼り付けられ、前記リブ(7)と前記透明板(8)の接合部に四方を囲う保護枠(10)が設けられてなることを特徴とする。
前記透明材料23は、複数の積層膜で構成されるようにしてもよい。
−撮像装置の基本構成について−
図1は、本発明に係る撮像装置の第1の基本構成を示す構成断面図である。撮像装置は、撮像素子と光学素子とからなり、両者を接着剤などの接合手段で接合してなる。撮像素子は、多数の受光部と電極や配線及び保護ダイオードなど撮像機能を担う半導体装置とからなり、光学素子は光学ガラスやマイクロレンズなどからなる。撮像装置は撮像素子の上部に透明板を接着剤で接合して気密封止したものである。
図8は、本発明に係る撮像装置の変形例を示す構成断面図である。撮像装置は、撮像素子と光学素子とからなり、通常は両者を接着剤などの接合手段で接合してなる。撮像素子は、多数の受光部と電極や配線及び保護ダイオードなど撮像機能を担う半導体装置とからなり、光学素子は光学ガラスやマイクロレンズなどからなる。撮像装置は撮像素子の上部に透明板を接着剤で接合して気密封止したものである。
特に、高屈折率無機材料をマイクロレンズに用いて透明材料23及びその上にさらに、SOG膜やプラズマCVD膜を例えば500nm以上、好ましくは1μm程度以上形成することにより、チップ表面にキズがつかずに、ガラスを貼る必要が無くなり、撮像素子の大幅な低コスト化や高性能化に寄与する。またこの構造は必ずしも、貫通電極を必要としない通常の撮像素子にも用いることができる。
−撮像装置の製造方法について−
はじめに、貫通電極の形成方法について説明する。本発明に係る撮像装置はウェハーレベルCSPで形成されることを特徴とするが、中でも、貫通電極の形成工程がとりわけ重要である。ウェハーを貫通する電極を形成しやすくするために、裏面から研磨して薄膜化する方法が提案されているが(例えば特許文献6:WO2004/059740)、工程が複雑化し、かつ研磨後の加工工程で薄いウェハーのハンドリングにより、ウェハーの破損や結晶欠陥の導入を生じやすいため、工程の改善が望まれる。本発明では、裏面研磨工程を必要としないか、又は一連の工程の最後に研磨やエッチングを施すことにより、前述の不具合を解決する新たな方法を提案する。
あるいは、CSP形成の全工程が終了した後に、貫通電極が露出するまで裏面を研磨することも可能である。
2 受光部
3 マイクロレンズ
4 貫通電極
5 裏面電極
6 フレキシブル・プリント基板
7 リブ
8 透明板
9 空隙
10 保護枠
11 窪み
12 保護膜
13 穴(凹)
14 ウェハー表面の電極
15 穴(凹)
16 トレンチ
17 局所酸化膜
20 スクライブライン
22 保護膜
23 低屈折率透明材料
24 凹部
25 フード型保護枠
26 全光光源
27 高集積回路装置(LSI)
28 保護層
Claims (11)
- ウェハーレベル・チップ・サイズ・パッケージからなる固体撮像装置パッケージであって、
ウェハー(1)の表面部に多数の受光部(2)と前記受光部の1つ1つにマイクロレンズ(3)が形成され、前記ウェハー(1)の周辺の随所に前記受光部(2)への電力供給及び電気信号の授受を行う貫通電極(4)が設けられ、
この貫通電極(4)の一端は前記ウェハー(1)の表面部で受光素子への配線に接続される電極パッド(4a)に接続され、他端は裏面電極(5)を通じて配線に接続され、
前記ウェハー(1)の表面に前記マイクロレンズ(3)を取り囲むように四囲に配した隔壁部となるリブ(7)が設けられ、
前記リブ(7)の上面に接着剤で透明板(8)が貼り付けられ、前記リブ(7)と前記透明板(8)の接合部に四方を囲う保護枠(10)が設けられてなることを特徴とする固体撮像装置パッケージ。 - 前記保護枠(10)の内側の前記リブ(7)と前記透明板(8)の接合部近傍には、窪み(11)が形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置パッケージ。
- 前記保護枠(10)は、光吸収体で構成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置パッケージ。
- 前記透明板(8)と前記マイクロレンズ(3)との間には前記マイクロレンズ(3)よりも屈折率が相対的に屈折率の低い透明材料(23)が設けられてなることを特徴とする請求項1又は2記載の固体撮像装置パッケージ。
- 前記マイクロレンズ(3)は、有機材料、二酸化シリコン、シリコン酸窒化膜、シリコンナイトライド膜、無機絶縁膜、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム又は無機金属酸化膜により構成されていることを特徴とする請求項4記載の固体撮像装置パッケージ。
- 前記透明材料(23)は、内部に微細な空孔を分散して含む熱硬化性の透明樹脂、二酸化シリコン、ポーラスシリカ膜、有機無機ハイブリッド膜、高分子化合物又は透光性低密度誘電体膜であって、前記マイクロレンズよりも低屈折率であることを特徴とする請求項4又は5記載の固体撮像装置パッケージ。
- 前記透明材料(23)は、複数の積層膜で構成されることを特徴とする請求項6記載の固体撮像装置パッケージ。
- 請求項1又は請求項4記載の固体撮像装置パッケージの製造方法であって、前記貫通電極の形成に当たり、予めウェハー(1)の裏面に半球面状の穴(凹)(13)を等方性エッチングにより形成し、この穴底部からウェハー表面の電極(14)に向かう貫通孔(開口)をドライエッチングにより形成し、貫通電極4を設けることを特徴とする固体撮像装置パッケージの製造方法。
- 請求項1又は請求項4記載の固体撮像装置パッケージの製造方法であって、前記貫通電極の形成に当たり、予めウェハー(1)の裏面に径大な筒状の穴(凹)(15)をドライエッチングで形成し、この穴の底部からウェハー表面に向かう径小な貫通孔(開口)を形成し、これを通じて貫通電極(4)を設けることを特徴とする固体撮像装置パッケージの製造方法。
- 請求項1又は請求項4記載の固体撮像装置パッケージの製造方法であって、前記貫通電極の形成に当たり、撮像素子のウェハープロセスの範囲内において、予め、ウェハー(1)の表面からトレンチ(16)を形成し、局所酸化膜(17)を形成して、さらにトレンチ内に電極材料を埋めて配線形成し、電極パッドと接続しておき、その後、裏面から前記トレンチ(16)内の電極下端まで一様に基板を薄膜化することを特徴とする固体撮像装置パッケージの製造方法。
- 請求項1又は請求項4記載の固体撮像装置パッケージの製造方法であって、前記貫通電極の形成に当たり、撮像素子のウェハープロセスの範囲内において、予め、ウェハー(1)の表面からトレンチ(16)を形成し、局所酸化膜(17)を形成して、さらにトレンチ内に電極材料を埋めて配線形成し、電極パッドと接続しておき、その後、裏面から前記トレンチ(16)に達する穴(凹)を設けて裏面側からも貫通電極を形成し、接続することを特徴とする固体撮像装置パッケージの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005000001 | 2005-01-04 | ||
JP2005000001 | 2005-01-04 | ||
PCT/JP2005/023875 WO2006073085A1 (ja) | 2005-01-04 | 2005-12-27 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006306225A Division JP2007134725A (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006306224A Division JP4871707B2 (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3917649B2 true JP3917649B2 (ja) | 2007-05-23 |
JPWO2006073085A1 JPWO2006073085A1 (ja) | 2008-06-12 |
Family
ID=36647567
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006519698A Expired - Fee Related JP3917649B2 (ja) | 2005-01-04 | 2005-12-27 | 固体撮像装置パッケージ及びその製造方法 |
JP2006306225A Pending JP2007134725A (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006306224A Active JP4871707B2 (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置パッケージ |
JP2007232079A Active JP4340310B2 (ja) | 2005-01-04 | 2007-09-06 | 固体撮像装置パッケージ |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006306225A Pending JP2007134725A (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2006306224A Active JP4871707B2 (ja) | 2005-01-04 | 2006-11-13 | 固体撮像装置パッケージ |
JP2007232079A Active JP4340310B2 (ja) | 2005-01-04 | 2007-09-06 | 固体撮像装置パッケージ |
Country Status (6)
Country | Link |
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US (1) | US8368096B2 (ja) |
JP (4) | JP3917649B2 (ja) |
KR (2) | KR100922669B1 (ja) |
CN (1) | CN101065844B (ja) |
DE (1) | DE112005003327T5 (ja) |
WO (1) | WO2006073085A1 (ja) |
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-
2005
- 2005-12-27 CN CN2005800403976A patent/CN101065844B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-27 JP JP2006519698A patent/JP3917649B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-27 KR KR1020087019856A patent/KR100922669B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-27 KR KR1020077015239A patent/KR100877028B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-27 WO PCT/JP2005/023875 patent/WO2006073085A1/ja active Application Filing
- 2005-12-27 US US11/813,242 patent/US8368096B2/en active Active
- 2005-12-27 DE DE112005003327T patent/DE112005003327T5/de not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-11-13 JP JP2006306225A patent/JP2007134725A/ja active Pending
- 2006-11-13 JP JP2006306224A patent/JP4871707B2/ja active Active
-
2007
- 2007-09-06 JP JP2007232079A patent/JP4340310B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4340310B2 (ja) | 2009-10-07 |
KR100877028B1 (ko) | 2009-01-07 |
KR100922669B1 (ko) | 2009-10-19 |
DE112005003327T5 (de) | 2007-11-29 |
KR20070086904A (ko) | 2007-08-27 |
CN101065844B (zh) | 2010-12-15 |
CN101065844A (zh) | 2007-10-31 |
JP2007123909A (ja) | 2007-05-17 |
JP2008072111A (ja) | 2008-03-27 |
US20080042227A1 (en) | 2008-02-21 |
JP4871707B2 (ja) | 2012-02-08 |
JPWO2006073085A1 (ja) | 2008-06-12 |
JP2007134725A (ja) | 2007-05-31 |
US8368096B2 (en) | 2013-02-05 |
WO2006073085A1 (ja) | 2006-07-13 |
KR20080081097A (ko) | 2008-09-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3917649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110216 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120216 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130216 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140216 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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