JP4381274B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に中空構造のパッケージ内に半導
体素子が封入された半導体装置およびその製造方法に関する。
ＣＣＤやＣＭＯＳイメージャー等の受光センサー（半導体素子）を搭載した半導体装置
は、一般に、筐体内の中空部分に受光センサーが封入された構造をしている。
具体的には、例えば図１１で示すような、中空容器１１５の中空に、撮像素子１１３と
マイクロレンズ１１４とを備えた受光センサーとしての半導体チップ１０１がダイボンド
材１１７を介して搭載され、中空容器１１５の上部にガラスリッド１１２が接着剤１１９
を介して貼り付けられることにより、当該中空に受光センサーが封入されている構造や、
図１２で示すような、基板１２０上に半導体チップ１０１がダイボンド材１１７を介して
搭載され、当該半導体チップ１０１が、ガラスリッド１１２とレンズ１２３を装着した釣
鐘状のホルダー１２２の中空に封入されてなる構造があげられる。
ここで、これら従来の技術にかかる受光半導体装置では、装置製造の際に中空へ水分が
侵入することを完全に防止するのは容易でなく、中空容器内に籠もる湿気によって、半導
体チップが劣化したり、ガラスリッドが結露して受光が妨害され、装置が誤作動したりす
る等の問題がある。また、製造時における水分の浸入を防げたとしても、接着剤等の封止
部材を介して水分が透過することを完全には防止できないため、装置を長期的に使用した
場合には、微量な水分侵入の積算によって、中空容器内に湿気が籠もることになる。
他方、素子出力を装置外部へ取り出すためには、例えば半導体チップ１０１の電極パッ
ド１０９とパッケージ外部まで延出させた電極リード１１６とをワイヤー１１８で接続す
るスペースを中空容器内に設けておく必要があり、このために半導体装置を十分に小型化
することができないという問題がある。
そこで、半導体チップと封止ガラスとの間の中空を透明な接着剤で埋め込み、かつ基板
内部に貫通電極を設けることにより、湿気に起因するトラブルを防止するとともに素子出
力を装置外部に取り出すためのスペースを削減する技術がある（例えば、特許文献１参照
。）。
特開２００２−９４０８２（第２頁）
しかしながら、この特許文献１に記載の技術は、上記湿気による問題を改善できるもの
の、中空の埋め込みに用いた透明な接着剤が光散乱を引き起こすため、受光センサーの集
光性が低下する。よって、装置の受光性能を十分に向上することができないという問題が
ある。
本発明は、湿気が籠もりにくい中空内部に半導体素子を内包させた、ウエハレベルのチ
ップ・スケール・パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明にかかる半導体装置は、半導体基板と、前記半導体
基板の一方主面の素子領域に設けられた半導体素子と、前記一方主面に設けられ、前記素
子領域を取り囲む封止部材と、前記素子領域との間に中空が形成されるようにして、前記
封止部材を介して前記半導体基板に貼り合わされた光透過性部材とを備えた半導体装置で
あって、前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔が設けられ、前
記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口していることを特徴とする。
ここで、上記『貫通孔』は、半導体装置の中空を外気と通気させる構造物をいう。
この構成であると、光透過性部材が有する貫通孔により、半導体素子を封入した中空が
外気とつながっているため、当該中空の通気性が良く、その内部に湿気が籠もりにくい。
よって、中空内部に湿気が籠もることに起因する、半導体素子の劣化や、中空の内面の結
露による装置の誤作動が防止される。
さらに、上記構成であると、半導体素子が設けられた半導体基板が中空容器内に収納さ
れた従来型の半導体装置と異なり、基板上にのみ中空を設けるため、装置が顕著に小型化
する。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記半導体素子が受光センサーであり、前
記素子領域を取り囲む封止部材と半導体素子との間に、その上方が中空である周縁領域が
存在し、前記周縁領域に面して、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が開口され、かつ
、前記貫通孔の経路が、前記素子領域の上方にかからないように延伸している構成とする
ことができる。
貫通孔の内側開口が周縁領域に面して開口され、貫通孔の経路が素子領域の上方にかか
らないということは、受光センサーへ入射する光の経路が貫通孔により妨げられないこと
を意味する。よって、上記構成であると、受光センサーへの入射光が貫通孔によって散乱
等させられることがないので、受光半導体装置の検出精度が高まる。
なお、上記貫通孔の経路が素子領域の上方にかからない態様としては、例えば、貫通孔
の経路が周縁領域の垂直方向に延びたものや、周縁領域の直上から外側に遠ざかる方向に
延びたものなどが挙げられる。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記光透過性部材に設けられた貫通孔が、
その内側開口が前記周縁領域に面して開口した貫通孔のみである構成とすることができる
。
この構成であると、すべての貫通孔が、受光センサーへ入射する光の経路を妨げること
のない位置に配されているため、受光センサーへの入射光が貫通孔によって妨害ないし散
乱させられることを確実に防止できるので、受光半導体装置の検出精度が一層高まる。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記半導体基板の一方主面と反対側の他方
主面に設けられた外部出力端子と、前記半導体基板の主面を貫通し、前記半導体素子と前
記外部出力端子とを導通させる貫通電極とを有する構成とすることができる。
この構成であると、貫通電極を介して半導体素子と外部出力端子とが導通されているた
め、素子の出力を装置外部に取り出すためのスペースを別に設ける必要がない。よって、
半導体装置をウエハレベルのチップ・スケール・パッケージにまで小型化することができ
る。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記光透過性部材に設けられた貫通孔が１
のみである構成とすることができる。
この構成であると、光透過性部材の機械的強度がほとんど低下しないので、光透過性部
材の破損が生じにくい。さらに、１つの半導体装置の長期使用性が高まる。また、貫通孔
の配置パターンを目印にして半導体装置の前後左右方向を簡単に知ることができるため、
装置裏面を確認しなくても、当該装置裏面に設けられた外部出力端子の設計配置パターン
を認識することができるというメリットがある。これにより、電子機器への装置実装時の
確認作業が不要となり、装置実装にかかる作業効率が向上する。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記光透過性部材に設けられた貫通孔が２
以上であり、前記２以上の貫通孔のサイズが互いに異なる構成とすることができる。
この構成であると、中空の通気性がさらに良くなるため、上述した半導体チップの劣化
や装置の誤作動を一層防止することができる。また、サイズの異なる貫通孔の配置パター
ンを目印にして半導体装置の前後左右方向を簡単に認識することができるため、装置裏面
を確認しなくても、当該装置裏面に設けられた外部出力端子の設計配置パターンを把握で
きる。これにより、電子機器への装置実装時の確認作業が不要となり、装置実装にかかる
作業効率が向上する。なお、貫通孔の孔数を増やすほど中空の通気性を高くすることがで
きるが、その孔数は、光透過性部材の機械的強度を損なわない程度に留めておくことが好
ましい。
上記本発明にかかる半導体装置は、さらに、前記半導体素子が受光センサーであり、前
記光透過性部材がガラスであり、当該ガラスの表面に赤外線カットフィルターがコーティ
ングされている構成とすることができる。
この構成であると、赤外線を除去した入射光を、受光センサーで検出することができる
。
また、本発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの一方主面の素子領域に
半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、前記素子領域を取り囲むようにして、前記
一方主面に封止部材を形成する封止部材形成工程と、その主面を貫通する貫通孔が設けら
れた光透過性部材と、前記半導体ウエハとを、前記素子領域との間に中空が形成されるよ
うに、かつ前記貫通孔の内側開口が前記中空に開口するようにして、前記封止部材を介し
て貼り合せる貼り合せ工程と、前記貼り合せ工程後に、前記封止部材を加熱硬化させる加
熱硬化工程とを備えることを特徴とする。
半導体装置の製造時に、外気と通気させずに中空構造を密封形成すると、ウエハと光透
過性部材とを貼り合せる接着剤を熱硬化させる際に、中空内部の空気が熱膨張し、接着剤
のパターン形状が変形して半導体装置の設計精度が低下することがある。
これに対し、本発明にかかる上記構成の半導体装置の製造方法であると、貫通孔の内側
開口が前記中空に開口されるため、加熱硬化工程の際に熱膨張する空気を中空内部から外
部へと逃すことができるので、封止部材のパターン形状の変形を抑制することができる。
上記本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、前記加熱硬化工程後に、前記半
導体ウエハを放熱させる放熱工程をさらに備える構成とすることができる。
半導体装置の製造時に外気と通気させずに中空を密封形成すると、接着剤の熱硬化後の
放熱序冷に伴って中空内部が負圧になり、外部から水分を引き込む。この結果、中空内部
に湿気が籠もり、半導体チップが劣化したり、中空の内面が結露して装置が誤作動したり
する。これに対し、本発明にかかる上記構成の半導体装置の製造方法であると、貫通孔に
よって中空が外部と通気されているため、放熱工程において中空が負圧となるのを防止す
ることができる。
上記本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、前記半導体素子が受光センサー
であり、前記封止部材形成工程は、前記素子領域と、前記素子領域の周縁の一方主面であ
って前記半導体素子が設けられていない周縁領域とを取り囲むようにして封止部材を形成
する工程であり、前記光透過性部材の貫通孔は、前記光透過性部材と前記半導体ウエハと
を貼り合せた場合に、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が前記周縁領域に面して開口
し、かつ前記貫通孔の経路が前記素子領域の上方にかからないように、前記光透過性部材
に設けられている構成とすることができる。
この構成であると、受光センサーへ入射する光の経路上を妨げることのない位置に貫通
孔が配されるため、受光センサーへの入射光が貫通孔によって妨害ないし散乱させられる
ことがない、検出精度の高い受光半導体装置が提供される。
上記本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、前記半導体素子が受光センサー
であり、前記封止部材形成工程は、前記素子領域と、前記素子領域の周縁の一方主面であ
って前記半導体素子が設けられていない周縁領域とを取り囲むようにして封止部材を形成
する工程であり、前記光透過性部材の貫通孔は、前記光透過性部材と前記半導体ウエハと
を貼り合せた場合に、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が前記周縁領域のみに面して
開口し、かつ前記貫通孔の経路が前記素子領域の上方にかからないように、前記光透過性
部材に設けられている構成とすることができる。
この構成であると、すべての貫通孔が、受光センサーへ入射する光の経路上を妨げるこ
とのない位置に配されるため、受光センサーへの入射光が貫通孔によって散乱させられる
ことを確実に防止した、検出精度の一層高い受光半導体装置が提供される。
上記本発明にかかる半導体装置の製造方法は、さらに、前記放熱工程後に、前記光透過
性部材の貫通孔の内側開口と反対側の外側開口を塞ぐようにして、前記光透過性部材に接
して表面保護層を形成する工程と、前記表面保護層が設けられた光透過性部材を支持し、
前記半導体ウエハの一方主面と反対側の他方主面を研削して、前記半導体ウエハを半導体
基板に加工する工程と、前記研削されてなる半導体基板面に、前記半導体素子と導通する
外部出力端子を形成する工程と、前記表面保護層を除去して前記光透過性部材の一方主面
を露出させた後、前記貫通孔の外側開口を塞ぐようにして、当該露出させた光透過性部材
の一方主面に接してダイシング用シートを貼り付ける、または、前記表面保護層を除去せ
ずに、当該表面保護層に接してダイシング用シートを貼り付ける、ダイシング用シート貼
り付け工程と前記ダイシング用シート貼り付け工程の後、前記半導体基板、前記封止部材
および前記光透過性部材をダイシングする工程とを備える構成とすることができる。
この構成であると、貫通孔の外側開口を塞ぎながら半導体ウエハの研削やダイシングを
行うため、各部材の削屑や、研削やダイシングの際に供給する水分が、当該貫通孔から中
空内部へ浸入することがない。よって、削屑や水分に起因した半導体チップの損傷や、中
空内面での結露の発生が確実に防止される。
本発明によると、半導体素子が封入されている半導体装置の中空が、光透過性部材に設
けられた貫通孔により外気とつながっているため、当該中空の通気性が良く、その内部に
湿気が籠もらない。よって、当該湿気に起因する、半導体チップの劣化や装置の誤作動を
防止できる。さらに、基板を中空容器に収納してなる従来型の半導体装置と異なり、基板
上にのみ中空を設けることにより、装置が顕著に小型化する。
本発明にかかる半導体装置の最良の形態について、以下、実施の形態１を例として説明
する。
〔実施の形態１〕
本実施の形態１にかかる半導体装置２０は、図１の正面図で示すように、外形が方形板
状である主面サイズ５．０Ｘ４．２ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの光透過性部材２と、光透過性
部材２と外形が同じで、厚さ０．１ｍｍである半導体基板１とを備えている。また、この
半導体基板１の一方主面の素子領域２２には、撮像素子５とマイクロレンズ部６とからな
る領域サイズ３．５Ｘ３．３ｍｍの半導体素子２１が設けられている。そして、この素子
領域２２には、後述する封止部材４を介することにより、光透過性部材２が接触しておら
ず、当該素子領域２２の上や、素子領域の外側の周縁であって半導体素子２１が設けられ
ていない一方主面部分である周縁領域２３の上に、中空７（サイズ：４．０Ｘ３．８ｍｍ
、高さ：０．０５ｍｍ）が形成されている。
光透過性部材２には、その主面を貫通する貫通孔３（外径φ：０．２ｍｍφ）が２箇所
に設けられている。そして、図１のＡ−Ｂ線断面の端面図である図２で示すように、この
貫通孔３の内側開口が周縁領域２３の上に開口しており、中空部分７が外気とつながって
いる。また、この貫通孔３は周縁部分の垂直方向に延伸している。なお、後述する半導体
装置の受光精度を高める目的から、貫通孔３の孔径を周縁領域２３の幅よりも小さくなる
ように設計しておくことが好ましい。他方、貫通孔３の横断面形状としては、図１で示す
ような円形状に特に限定されるものではなく、中空７を外気に通気させることができる限
り、どのような形状であってもよい。
光透過性部材２と半導体基板１とは、厚さ０．０５ｍｍの封止部材４を介して貼り付け
られている。さらに、半導体基板１には、その内部に貫通電極８が、その一方主面と反対
側の他方主面に裏面配線９が設けられており、この貫通電極８を介して半導体素子２１と
裏面配線９とが導通されている。また、裏面配線９には外部出力端子としての半田ボール
１１が接続されており、この半田ボール１１の接続箇所以外の裏面配線部分や半導体基板
の他方主面部分は、裏面保護膜１０によって覆われている。
さらに詳しくは図３で示すように、半導体基板１の一方主面部分やマイクロレンズ部６
の表面は表面保護膜１４で覆われており、半導体基板１の他方主面部分は裏面絶縁膜１５
で覆われている。また、貫通電極８と半導体基板１との間には、貫通孔絶縁膜１２が設け
られている。なお、半田ボール１１と半導体素子２１とを導通させる必要から、貫通電極
８と裏面配線９との接触部分には裏面絶縁膜１５が配されておらず、半導体基板１の一方
主面に設けられた、半導体素子２１と導通する電極パッド１３と貫通電極８との接触部分
にも、表面保護膜１４が配されていない。
このような半導体装置２０では、上記貫通孔３により半導体素子２１を封入した中空７
が外気とつながっているため、中空７の通気性が良く、中空内部に湿気が籠もりにくい。
よって、中空に湿気が籠もることに起因した、半導体素子２１の劣化や、中空内面の結露
による装置の誤作動を防止することができる。
さらに、半導体素子が設けられた半導体基板を中空容器内に収納してなる従来型の半導
体装置と異なり、半導体素子２１が設けられた半導体基板１上に中空７が設けられている
ため、パッケージサイズが小型化する。また、貫通電極８を介して半導体素子２１と半田
ボール１１とが導通されているため、素子の出力を装置外部に取り出すためのスペースを
別に設ける必要がなく、装置をウエハレベルのチップ・スケール・パッケージにまで、十
分に小型化することができる。
また、貫通孔３の内側開口が周縁領域２３に面して開口され、かつ、貫通孔３が周縁領
域２３の垂直方向に延伸しているため、受光センサーへ入射する光の経路上を妨げること
のない位置に貫通孔３が配されることになり、外部から光透過性部材２を透過して半導体
素子２１へと入射する光が、貫通孔３によって散乱されることがない。よって、半導体装
置の受光精度が高い。
なお、上記光透過性部材２を、ガラスリッドの表面に赤外線カットフィルターがコーテ
ィングされたものとすれば、赤外線を除去した入射光を受光センサーで検出させることも
できる。
この実施の形態１にかかるＣＳＰ（チップサイズパッケージ）タイプのＣＣＤパッケー
ジを、以下のようにして作製した。
まず、ウエハ１６の一方主面の素子領域２２に、撮像素子５とマイクロレンズ部６とか
らなる受光センサー（ＣＣＤ素子）としての半導体素子２１、この半導体素子２１と導通
する電極パッド１３を含む周辺回路（図示せず）を形成し、マイクロレンズ部１６と、電
極パッド１３の一部と、ウエハ１６の一方主面とをＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４からなる表面保
護膜１４で覆った。
その後、ウエハ１６の一方主面にレジストを塗布し、露光及び現像を行って、電極パッ
ド１３上を窓開けした。次に、レジスト窓開け部分のエッチングをドライエッチングにて
行い、窓開け部分のパッド部、該パッド部下の絶縁膜、及びウエハ１６のＳｉを除去して
穴部を形成した。その後、レジストを除去した。
続いて、例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の無機膜を穴部壁面に沿って成
膜させ、貫通孔絶縁膜１２を形成した。その後、穴部内壁及び底部を含むウエハ１６の一
方主面上に、Ｔｉ及びＣｕを用いたスパッタ法により、めっき用シード層とバリアメタル
層とを兼ねた金属層を形成した。
金属層の形成後、レジストを塗布して露光と現像とを行い、穴部及び電極パッド１３の
形成位置、すなわち埋め込み電極１７を形成すべき位置を窓開けしてレジスト窓部を形成
した。
その後、電解Ｃｕめっきにより、レジスト窓部及び穴部内部の金属層上にＣｕを堆積さ
せて、埋め込み電極１７を形成した。最後に、レジスト及び不用な金属層を除去して、図
４で示すようなウエハ１６を用意した。
続いて、図５で示すように、埋め込み電極１７とその周縁の一方主面部分を覆うように
、エポキシ樹脂を主成分とするペースト状の樹脂を印刷によって転写することにより、半
導体素子２１が設けられた一方主面部分である素子領域２２に加えて、素子領域２２の周
縁であって半導体素子２１が設けられていない一方主面部分である周縁領域２３を取り囲
むようにして、ウエハ１６の上に封止部材４を形成した。
次に、両側主面間を貫通する貫通孔３が設けられたガラスからなる光透過性部材２を、
封止部材４を介してウエハ１６の上に載置した後、加熱により封止部材４の樹脂成分を本
硬化させた。なお、この光透過性部材２は、主面サイズがウエハ１６のそれと等しいもの
を用いた。また、図６で示すように、光透過性部材２の貫通孔３は、光透過性部材２と半
導体ウエハ１６とを貼り合せた場合に、光透過性部材２の貫通孔３の内側開口が周縁領域
２３のみに面して開口し、かつ貫通孔３の経路が、素子領域２２の上方にかからないよう
に延伸するように設けられている。また、この光透過性部材２と半導体ウエハ１６とを貼
り合せることで、素子領域２２と光透過性部材２との間に中空７を形成した。
その後、ウエハ１６をしばらく放置して、封止部材４を放熱させた。
続いて、貫通孔３の内側開口と反対側の外側開口を塞ぐようにして、紫外線によって剥
離が可能な材料からなる表面保護層１８を光透過性部材２の上に配した後、公知の裏面研
磨法を用い、埋め込み電極１７の先端が露出するまでウエハ１６の上記一方主面と反対側
の他方主面、すなわち裏面を研削して、図７で示すように、ウエハ１６を半導体基板１に
、埋め込み電極１７を貫通電極８に加工した。なお、表面保護層１８は、シート状の保護
膜を貼り付けてもよいし、液状の樹脂を塗布することで配してもよい。また、裏面研磨し
た研磨面を、化学機械的研磨法（ＣＭＰ法：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ Ｍｅｔｈｏｄｓ）、または、ドライエッチングまたはウエットエッ
チング等のエッチング法を用いて鏡面加工（清浄化）してもよい。
その後、図８で示すように、半導体基板１の裏面に、裏面絶縁膜１５（図３参照）と、
貫通電極８に導通する裏面配線９と、裏面保護膜１０とを形成した。
ここで、裏面絶縁膜１５や裏面保護膜１０は、エポキシやポリベンズオキサゾールを主
成分とする感光性の有機膜材料を塗布し、露光、現像によって電極間の接触に必要となる
部分を窓開けした後、熱処理により硬化させて形成してもよいし、ＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４
等からなる無機膜を設けた後、フォトレジストマスクを用いたエッチングにより窓開けし
て形成してもよい。
また、裏面配線９は、めっき用シード層とバリアメタル層とを兼ねたチタン（Ｔｉ）層
および銅（Ｃｕ）層をスパッタ法で設けた後に、フォトレジストマスクを用いたエッチン
グにより銅メッキ用の窓開けを行い、当該窓明けした部分に電界メッキ法にて銅配線をメ
ッキ成長させることにより形成してもよいし、銅（Ｃｕ）、ニッケル銅（ＣｕＮｉ）、チ
タン（Ｔｉ）等からなる金属層をスパッタ法で設けた後、フォトレジストマスクを用いた
エッチングにより形成してもよい。
次に、裏面配線９の窓開けした部分にロジン系のフラックスを塗布した後、図９で示す
ように、当該窓開け部分にスズ（Ｓｎ）と銀（Ａｇ）と銅（Ｃｕ）とからなる半田ボール
１１を熱処理して装着した。なお、フラックスは半田ボール１１の装着後に洗浄除去した
。
最後に、紫外光の照射によって表面保護層１８を光透過性部材２から引き剥がし、これ
に代えてダイシング用シート１９を光透過性部材２に貼り付けた後、ダイシング装置を用
いて、図１０で示すように、個々の半導体装置２０を切り分けた。なお、ダイシングに際
しては、表面保護層１８を除去せずに、その上にダイシング用シート１９を貼り付けた状
態で基板を支持してもよい。また、表面保護層１８は薬剤等を用いて除去することもでき
るが、貫通孔３から中空７への水分浸入を確実に防止するため、上記紫外光による除去方
法を用いることが好ましい。
このような本実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法では、貫通孔３が設けられた
光透過性部材２とウエハ１６とを、貫通孔３の内側開口が中空７に開口するようにして、
封止部材４を介して貼り合せることにより、封止部材４の加熱硬化時に熱膨張する空気を
中空７の内部から外へと排気することができる。これにより、加熱硬化時における封止部
材４のパターン形状の変形を顕著に防止でき、半導体装置の設計精度が高まる。
さらに、中空を密封形成してしまうと、接着剤の熱硬化後の放熱序冷に伴って中空内部
が負圧になり、外部から水分を引き込んで中空内部に湿気を籠もらせる結果、半導体チッ
プが劣化したり、中空の内面が結露して装置が誤作動したりすることがあるが、本実施の
形態１にかかる半導体装置の製造方法では、上記貫通孔３を介して中空７が外気とつなが
っているため、封止部材４を放熱させる過程で中空が負圧化して外部から水分を引き込む
ようなことがない。
また、貫通孔３の他方開口を塞ぎながら裏面研磨やダイシングするため、各構成部材の
削屑や、裏面研磨やダイシングの際に供給される水分が、当該貫通孔３から中空７へ浸入
することがない。これにより、削屑や水分に起因した半導体チップの損傷や、装置の誤作
動を引き起こす中空内面の結露の発生を確実に防止することができる。
なお、中空に外気を通気させる側面からは、光透過性部材２に代えて封止部材４に貫通
孔３を設けてもよいが、本実施の形態１のように光透過性部材２に設けることが好ましい
。この理由としては、封止部材の熱硬化や放熱の際に中空が外気に通気されていることが
重要なため、熱硬化以前の封止部材に貫通孔を設けておく必要があるが、この場合には、
熱硬化に伴って貫通孔が溶着閉塞してしまうことがあり、十分な通気状態が得られにくい
ことがあげられる。また、ダイシング工程において、接着剤が塗布されていない部分を介
して、中空部分に水やＳｉ屑が浸入する不具合が生じる。
他方、封止部材を貫通させて中空管を埋め込むことにより、熱硬化時にも安定した通気
状態が得られるようにすることはできるが、装置の部品数や作業工程数が増加するため好
ましくない。
以上説明したように、本実施の形態１では、中空内部に湿気が籠もりにくいため、半導
体素子の劣化や、中空内面の結露による装置の誤作動が防止される。さらに、ウエハレベ
ルのチップ・スケール・パッケージにまで十分に小型化することができる。また、半導体
素子へと入射する光が貫通孔によって散乱等させられることがない。よって、半導体装置
の受光精度が高い。
また、本実施の形態１では、加熱硬化による封止部材のパターン形状の変形が顕著に防
止される。また、裏面研磨やダイシングに伴う、削屑や水分に起因した半導体チップの損
傷や、装置の誤作動を引き起こす中空内面の結露の発生が確実に防止される。
〔実施の形態２〕
本実施の形態２は、例えば図１３で示すように、光透過性部材２に設けられた貫通孔３
が１のみであること以外は、上記実施の形態１と同様の半導体装置であり、貫通孔を有し
つつも光透過性部材の機械的強度がさらに高く、破損しにくくなるため、実施の形態１と
同様の作用効果に加えて、半導体装置の長期信頼性の向上効果が得られるものである。
さらに、貫通孔３の配置パターンを目印にして半導体装置２０の前後左右方向を簡単に
認識することができるため、装置裏面を確認しなくても、当該装置裏面に設けられた半田
ボール１１の設計配置パターンを把握することができる。これにより、電子機器への装置
実装時の確認作業が不要となるため、実装にかかる作業効率が高まる。
〔実施の形態３〕
本実施の形態３は、例えば図１４で示すように、光透過性部材２に設けられた２の貫通
孔３のサイズが互いに異なること以外は、上記実施の形態１と同様の半導体装置であり、
サイズの異なる貫通孔３の配置パターンを目印にして半導体装置２０の前後左右方向を簡
単に知ることができるため、実施の形態１と同様の作用効果に加えて、装置裏面を確認し
なくても、当該装置裏面に設けられた半田ボール１１の設計配置パターンを認識できると
いう効果が得られるものである。
なお、貫通孔３の横断面の孔径は、上述したように、周縁領域２３の幅よりも小さくな
るように設定しておくことが好ましい。また、その形状については、特に限定するもので
はない。
〔実施の形態４〕
本実施の形態４は、例えば図１５で示すように、光透過性部材２に設けられた貫通孔３
が４つであること以外は、上記実施の形態１と同様の半導体装置であり、中空の通気性が
さらに良くなるため、実施の形態１と同様の作用効果に加えて、湿気に起因した、半導体
チップの劣化や装置の誤作動を一層防止することができるものである。
なお、この光透過性部材の貫通孔は、その孔数を増やすほど中空の通気性が高くなるが
、孔数が多くなりすぎると光透過性部材が破損しやすくなるため、十分な機械的強度を損
なわない程度の孔数としておくことが好ましい。
〔その他の事項〕
（１）上記実施の形態１〜４では、貫通孔３の経路が、周縁領域２３の垂直方向に延伸
している構造を示したが、半導体装置の受光精度を高める目的からは、半導体素子２１へ
と入射する光の経路上を妨げることのない位置に設けられていることが重要であるため、
例えば図１６および図１７で示すように、貫通孔３の経路が、内側開口を基点として、素
子領域２２から遠ざかる方向に延伸した構造としてもよい。
（２）上記実施の形態１〜４では中抜き構造の貫通孔を示したが、中空７を外気と通気
させることができる限り、このような中抜き構造に限るものではなく、例えば当該部分に
空気透過率の高い材料を用いるなど、貫通孔内部の通気性が光透過性部材のそれよりも高
くなるように調整された構造であってもよい。
（３）上記実施の形態１〜４では、光透過性部材２に設けられた貫通孔３が封止部材に
近接している構造を示したが、素子領域の外側の周縁であって半導体素子２１が設けられ
ていない一方主面部分である周縁領域２３に面して貫通孔の内側開口が開口され、かつ貫
通孔の経路が素子領域の上方にかからないように延伸する限り、このような構造に限るも
のではなく、例えば図１８で示すように、複数の素子領域２２を島状に点在させた場合に
は、光透過性部材の中央に貫通孔を設け、隣り合う素子領域間の周縁領域に面して貫通孔
の内側開口を開口させた構造としてもよい。
（４）上記実施の形態１〜４では、光透過性部材２に設けられた貫通孔３の内側開口が
周縁領域２３のみに面して開口している場合を示したが、この内側開口が素子領域２２に
面して中空に開口している貫通孔をさらに含むような装置構造を除外するものではない。
ただし、貫通孔による入射光の散乱等を確実に防止するためには、上記実施の形態１〜４
で示すように、全ての貫通孔の内側開口が周縁領域２３に面して開口している構造とする
ことが好ましい。
（５）上記実施の形態１〜４では、ペースト状の樹脂を印刷によって転写することによ
り封止部材４を形成したが、エポキシ、ポリイミド及びアクリル等からなる感光性の樹脂
の塗布後に露光、現像して形成してもよい。また、中空７に対応した部分が打ち抜かれた
エポキシやポリイミド等からなるシート状の接着性樹脂を貼り付けて形成してもよい。
以上説明したように、本発明によると、湿気の籠もりにくい中空構造内に半導体素子が
内包されているため、半導体素子の劣化や装置の誤作動を防止することにも利用できるの
で、その産業上の利用可能性は大きい。
図１は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の一例を示す正面図である。 図２は、図１のＡ−Ｂ線断面の一例を示す端面図である。 図３は、図２の端面図における貫通電極近傍の構造を示す拡大図である。 図４は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、ウエハ上に半導体素子と埋め込み電極とが設けられた製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図５は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、埋め込み電極上に封止部材が塗布された製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図６は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、封止部材上に光透過性部材が設けられた製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図７は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、光透過性部材上に表面保護層を設け、ウエハを半導体基板に調製した製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図８は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、半導体基板の裏面上に裏面配線と裏面保護膜とが設けられた製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図９は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、裏面配線上に半田ボールが設けられた製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図１０は、本発明の半導体装置の製造方法にかかる製造工程を説明するための図であって、個々の半導体装置にダイシングされる直前の製造途中の半導体装置を示す断面模式図である。 図１１は、従来のＣＣＤパッケージを示す断面模式図である。 図１２は、従来のＣＣＤモジュールを示す断面模式図である。 図１３は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の別例を示す正面図である。 図１４は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の別例を示す正面図である。 図１５は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の別例を示す正面図である。 図１６は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の別例を示す正面図である。 図１７は、図１６のＡ−Ｂ線断面の一例を示す端面図である。 図１８は、本発明にかかる半導体パッケージ用多層基板の別例を示す正面図である。
符号の説明
１ 半導体基板
２ 光透過性部材
３ 貫通孔
４ 封止部材
５ 撮像素子
６ マイクロレンズ部
７ 中空
８ 貫通電極
９ 裏面配線
１０ 裏面保護膜
１１ 半田ボール
１２ 貫通孔絶縁膜
１３ 電極パッド
１４ 表面保護膜
１５ 裏面絶縁膜
１６ ウエハ
１７ 埋め込み電極
１８ 表面保護層
１９ ダイシング用シート
２０ 半導体装置
２１ 半導体素子
２２ 素子領域
２３ 周縁領域

Claims (14)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板の一方主面の素子領域に設けられた半導体素子と、
    前記一方主面に設けられ、前記素子領域を取り囲む封止部材と、
    前記素子領域との間に中空が形成されるようにして、前記封止部材を介して前記半導体
    基板に貼り合わされた光透過性部材と
    を備えた半導体装置であって、
    前記光透過性部材に、当該光透過性部材の主面を貫通する貫通孔が設けられ、
    前記貫通孔の内側開口が、前記中空に開口している
    ことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記半導体素子が受光センサーであり、
    前記素子領域を取り囲む封止部材と半導体素子との間に、その上方が中空である周縁領
    域が存在し、
    前記周縁領域に面して、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が開口され、
    かつ、前記貫通孔の経路が、前記素子領域の上方にかからないように延伸している
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 前記貫通孔の経路が、前記周縁領域の垂直方向に延伸している
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  4. 前記貫通孔の経路が、前記周縁領域の直上から外側に遠ざかる方向に延伸している
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  5. 前記光透過性部材に設けられた貫通孔は、内側開口が前記周縁領域に面して開口した貫
    通孔のみからなる
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
  6. 前記半導体基板の一方主面と反対側の他方主面に設けられた外部出力端子と、
    前記半導体基板の主面を貫通し、前記半導体素子と前記外部出力端子とを導通させる貫
    通電極と
    をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  7. 前記光透過性部材に設けられた貫通孔が１のみである
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  8. 前記光透過性部材に設けられた貫通孔が２以上であり、前記２以上の貫通孔のサイズが
    互いに異なる
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  9. 前記半導体素子が受光センサーであり、
    前記光透過性部材がガラスであり、当該ガラスの表面に赤外線カットフィルターがコー
    ティングされている
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  10. 半導体ウエハの一方主面の素子領域に半導体素子を形成する半導体素子形成工程と、
    前記素子領域を取り囲むようにして、前記一方主面に封止部材を形成する封止部材形成
    工程と、
    その主面を貫通する貫通孔が設けられた光透過性部材と、前記半導体ウエハとを、前記
    素子領域との間に中空が形成されるように、かつ前記貫通孔の内側開口が前記中空に開口
    するようにして、前記封止部材を介して貼り合せる貼り合せ工程と、
    前記貼り合せ工程後に、前記封止部材を加熱硬化させる加熱硬化工程と
    を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 前記加熱硬化工程後に、前記半導体ウエハを放熱させる放熱工程をさらに備える
    ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
  12. 前記半導体素子が受光センサーであり、
    前記封止部材形成工程は、前記素子領域と、前記素子領域の周縁の一方主面であって前
    記半導体素子が設けられていない周縁領域とを取り囲むようにして封止部材を形成する工
    程であり、
    前記光透過性部材の貫通孔は、前記光透過性部材と前記半導体ウエハとを貼り合せた場
    合に、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が前記周縁領域に面して開口し、かつ前記貫
    通孔の経路が、前記素子領域の上方にかからないように、前記光透過性部材に設けられて
    いる
    ことを特徴とする請求項１０または１１記載の半導体装置の製造方法。
  13. 前記光透過性部材の貫通孔の内側開口が、前記光透過性部材と前記半導体ウエハとを貼
    り合せた場合に、前記周縁領域のみに面して開口するようにして、前記光透過性部材に設
    けられている
    ことを特徴とする請求項１０乃至１２記載の半導体装置の製造方法。
  14. 前記放熱工程後に、前記光透過性部材の貫通孔の内側開口と反対側の外側開口を塞ぐよ
    うにして、前記光透過性部材に接して表面保護層を形成する工程と、
    前記表面保護層が設けられた光透過性部材を支持し、前記半導体ウエハの一方主面と反
    対側の他方主面を研削して、前記半導体ウエハを半導体基板に加工する工程と、
    前記研削されてなる半導体基板面に、前記半導体素子と導通する外部出力端子を形成す
    る工程と、
    前記表面保護層を除去して前記光透過性部材の一方主面を露出させた後、前記貫通孔の
    外側開口を塞ぐようにして、当該露出させた光透過性部材の一方主面に接してダイシング
    用シートを貼り付ける、または、前記表面保護層を除去せずに、当該表面保護層に接して
    ダイシング用シートを貼り付ける、ダイシング用シート貼り付け工程と
    前記ダイシング用シート貼り付け工程の後、前記半導体基板、前記封止部材および前記
    光透過性部材をダイシングする工程と
    をさらに備えることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置の製造方法。
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