JP5489543B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5489543B2 JP5489543B2 JP2009138402A JP2009138402A JP5489543B2 JP 5489543 B2 JP5489543 B2 JP 5489543B2 JP 2009138402 A JP2009138402 A JP 2009138402A JP 2009138402 A JP2009138402 A JP 2009138402A JP 5489543 B2 JP5489543 B2 JP 5489543B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- region
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 120
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 241000579895 Chlorostilbon Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052876 emerald Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010976 emerald Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003856 thermoforming Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Description
そして、上記目的を達成するために、本発明の第2の観点は、画素領域の外側に、前記画素領域から離れた第1領域および前記画素領域と前記第1領域との間の第2領域を有する撮像素子と、空間部を介して前記画素領域を覆う平板部と、前記空間部に面する内壁を有し、前記第1領域に固定された枠部と、を備えた固体撮像装置であって、前記内壁は、前記撮像素子の受光面の垂線に対して前記画素領域側へ傾斜した第1部分と、前記第1部分に続く、前記受光面に対して垂直な第2部分とを前記平板部側から順に有し、前記空間部から前記内壁への入射光の前記受光面の垂線に対する角度をθ A 、前記第1部分の任意の位置における前記第1部分の前記受光面の垂線に対する傾斜角をθ B 、前記受光面に垂直な方向における前記内壁の長さをH、前記受光面に垂直な方向における第1部分の長さをH 1 、前記受光面に垂直な方向における第2部分の長さをH 2 、前記受光面と平行な方向における前記画素領域から前記第2部分までの距離をL 1 としたとき、
H 2 tanθ A ≦L 1 ・・・(1)
Htan(θ A −2θ B )+(H 1 )tanθ B ≦L 1 ・・・(2)
の関係式を満たすことを特徴とする。
図1(b)において、有効画素領域21は、受光素子が配置された領域に対応する範囲であり、その表面は固体撮像素子2の受光面22である。
内壁の直立面の任意の位置において、
H2tan(θA−2θC)≦L1+L1’ ・・・(1)、
かつ内壁の非垂直面の任意の位置において
Htan(θA−2θB)+(H1)tanθB ≦L1・・・(2)、
θB>θC ・・・(3)
が成立するような内壁とすることが好適である。ここで、θAは受光面の垂線に対する入射光の傾斜角である。θBは入射光が照射される非垂直面Sの任意の位置(点R)における傾斜角(点Rにおける受光面の垂線に対する非垂直面Sの角度)である。θCは入射光が照射される直立面Uの任意の位置(点R)における傾斜角(点Rにおける受光面の垂線に対する直立面Uの角度)である。そして、枠部32の高さはH、高さHのうち非垂直面をH1、直立面の高さはH2、受光面と平行な方向での画素領域の端部から枠部の内壁の直立面の上端までの距離をL1、受光面と平行な方向での直立面の上端から下端までの距離をL1’とする。
内壁の垂直面の任意の位置において、
H2tanθA ≦L1 ・・・(1)’、
かつ内壁の非垂直面の任意の位置において
Htan(θA−2θB)+(H1)tanθB ≦L1 ・・・(2)、
が成立するような内壁とすることが好適である。ここで、式の各要素は、直立面を垂直面と読み替える以外は前述の説明と同様である。
図2(a)は、図1で説明したカバー部材3であり、枠部32の内壁の非垂直面Sは平面からなる1つの傾斜面を有する。図2(b)のカバー部材3は、非垂直面が2の平面からなる2つの傾斜面を有する。非垂直面Sは、これらに限定されず3以上の傾斜面が構成されていても良い。ただし、加工の容易性等を考慮すると、非垂直面Sが1の平面からなることが好ましい。また、枠部32の内壁の非垂直面Sに対して平板部側とは反対側の面は、垂直面Vである。垂直面Vは前述の通り直立面Uであってもよい。図2(c)のカバー部材3は、枠部32の内壁の非垂直面Sが曲面形状からなる傾斜面を有する。図2(d)(e)(f)はそれぞれ図2(a)(b)(c)に対応する平板部31と枠部32が一体に形成されたカバー部材3である。曲面からなる非垂直面は、光の進行方向に影響がない程度(数nm〜300nm)に凹凸を有していて良い。
図2(d)乃至図2(f)のカバー部材3は、ガラスや樹脂などの平板を、研磨やブラスト等の機械加工又はエッチング等の化学的加工によって形成することができる。
図4(a)は、第2の実施例を示す固体撮像装置の断面図であり、図4(b)は、図4(a)のB線内の拡大断面図である。
内壁の第一の面の任意の位置において、
H2tanθA ≦X1 ・・・(1)、
かつ内壁の非垂直面の任意の位置において
Htan(θA−2θB)+(H1)tanθB ≦X1 ・・・(2)、
が成立するような内壁とすることが好適である。ここで、θAは受光面の垂線に対する入射光の傾斜角である。θBは入射光が照射される非垂直面Sの任意の位置(点R)における傾斜角(点Rにおける受光面の垂線に対する非垂直面Sの角度)である。そして、枠部32の高さはH、高さHのうち非垂直面をH1、垂直面の高さはH2、有効画素領域21の端部から枠部の内壁の垂直面Vまでの距離をX1とする。
図6は、第4の実施例を示す固体撮像装置の断面図である。
図6の固体撮像装置1が第2の実施例の図4の固体撮像装置と異なる点は、マイクロレンズ23がカバー部材3の外側にも配置されていることである。また、カバー部材3の固体撮像素子2に面して固定された平面に対向する領域である固定領域はマイクロレンズを構成する材料が平坦な形状を有している。すなわち、カバー部材3に対向する固体撮像素子2との固定領域となる平坦部29を除いて、カバー部材3の枠部の内側(有効画素領域側)と外側にマイクロレンズが配置されている。このような構成によって、固体撮像素子2とカバー部材3とを接着剤で固定する際にはみ出した接着剤が、カバー部材3の外側の領域のマイクロレンズの凹凸による毛細管現象によってカバー部材3の外側に流れる。そのため、有効画素領域側への接着剤のはみ出しを低減することができ、画質低減の原因の一つとなる有効画素領域上への接着剤の浸透が低減できる。従って、有効画素領域への接着剤の浸透を低減するために固定領域と有効画素領域との距離を長くする必要が無くなるため、固体撮像装置1の小型化を実現することができる。
図7(a)及び図7(b)は、第5の実施例を示すカバー部材の断面図である。図7(c)は、第5の実施例を示す固体撮像装置の断面図であり、図7(d)は、図7(c)の固体撮像装置をパッケージングした固体撮像装置である。
図7(a)及び図7(b)のカバー部材が図2(a)で示したカバー部材と異なる点は、枠部が複数の部品から構成されていることである。図7(a)のカバー部材3は、平板部31と枠形状の部品32、33が一体構造であり、部品32の内壁が非垂直面Sを構成している。図7(b)のカバー部材3は、平板部31と部品32、33、34が一体構造であり、部品32、33の内壁が非垂直面Sを構成している。平板部と複数の部品のそれぞれは、樹脂35によって固定されている。樹脂35は枠形状の部品32、33より柔軟な樹脂から構成されている。
図7(a)や図7(b)で示されるカバー部材3を用いれば、固体撮像装置の周囲の温度変化があった場合でも、熱膨張係数の異なる固体撮像素子2とカバー部材3との剥離の可能性を低減することができる。なぜなら、温度変化による固体撮像素子2とカバー部材3の異なる伸び或いは縮みを樹脂35が吸収するからである。
2 固体撮像素子
3 カバー部材
21 有効画素領域
22 受光面
26 受光素子
30 空間部
31 平板部
32 枠部
Claims (15)
- 画素領域の外側に、前記画素領域から離れた第1領域および前記画素領域と前記第1領域との間の第2領域を有する撮像素子と、
空間部を介して前記画素領域を覆う平板部と、
前記空間部に面する内壁を有し、前記第1領域に固定された枠部と、を備えた固体撮像装置であって、
前記内壁は、第1部分と、前記第1部分に続く第2部分とを前記平板部側から順に有し、
前記空間部から前記内壁への入射光が前記第1部分で反射して前記第2領域へ入射するように、前記第1部分が前記撮像素子の受光面の垂線に対して前記画素領域側へ傾斜しており、前記受光面の垂線に対する前記第2部分の角度が、前記第1部分の前記受光面の垂線に対する角度よりも小さいことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記空間部から前記内壁への入射光が前記第2部分で反射して前記第2領域へ入射するように、前記第1領域および前記第2領域が設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記入射光の前記受光面の垂線に対する角度をθA、前記第1部分の任意の位置における前記受光面の垂線に対する前記第1部分の角度をθB、前記受光面に垂直な方向における前記内壁の長さをH、前記受光面に垂直な方向における前記第1部分の長さをH1、前記受光面と平行な方向における前記画素領域から前記第2部分の上端までの距離をL1としたとき、Htan(θA−2θB)+(H1)tanθB≦L1の関係式を満たすことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の固体撮像装置。
- 画素領域の外側に、前記画素領域から離れた第1領域および前記画素領域と前記第1領域との間の第2領域を有する撮像素子と、
空間部を介して前記画素領域を覆う平板部と、
前記空間部に面する内壁を有し、前記第1領域に固定された枠部と、を備えた固体撮像装置であって、
前記内壁は、前記撮像素子の受光面の垂線に対して前記画素領域側へ傾斜した第1部分と、前記第1部分に続く、前記受光面に対して垂直な第2部分とを前記平板部側から順に有し、
前記空間部から前記内壁への入射光の前記受光面の垂線に対する角度をθA、前記第1部分の任意の位置における前記第1部分の前記受光面の垂線に対する傾斜角をθB、前記受光面に垂直な方向における前記内壁の長さをH、前記受光面に垂直な方向における第1部分の長さをH1、前記受光面に垂直な方向における第2部分の長さをH2、前記受光面と平行な方向における前記画素領域から前記第2部分までの距離をL1としたとき、
H2tanθA≦L1 ・・・(1)
Htan(θA−2θB)+(H1)tanθB≦L1 ・・・(2)
の関係式を満たすことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1部分が曲面であり前記第2部分が平面であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第1部分の前記平板部側の端部が前記画素領域の直上より外側に位置することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記第2領域に光吸収部材が設けられていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記画素領域に設けられたマイクロレンズを有し、前記光吸収部材が前記マイクロレンズと同一層に配置されていること、または、前記画素領域に設けられたカラーフィルタを有し、前記光吸収部材が前記カラーフィルタと同一層に配置されていることを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記撮像素子は前記第1領域より外側に、凹凸を有する第3領域を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記枠部は枠形状の部品を有し、前記平板部と前記枠形状の部品とが、前記枠形状の部品より弾性係数が小さい樹脂で固定されていることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記撮像素子の前記平板部側とは反対側に固定された配線基板と、前記撮像素子と前記配線基板との間で信号を転送するための導電部と、前記導電部を封止する封止部材と、を有する請求項1乃至10のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記枠部は、前記枠部を構成する複数の部品と、前記複数の部品を相互に固定するための、前記複数の部品より弾性係数が小さい樹脂と、を有することを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記平板部および前記枠部はガラスからなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記平板部および前記枠部は樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記カバー部材は、前記枠部と前記第1領域との間に配された固定部材で前記第1領域に固定されていることを特徴とする請求項1乃至14のいずれかに記載の固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009138402A JP5489543B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 固体撮像装置 |
CN2010101984546A CN101924115B (zh) | 2009-06-09 | 2010-06-04 | 固态图像拾取器件 |
US12/795,458 US8279336B2 (en) | 2009-06-09 | 2010-06-07 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009138402A JP5489543B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 固体撮像装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287619A JP2010287619A (ja) | 2010-12-24 |
JP2010287619A5 JP2010287619A5 (ja) | 2012-07-26 |
JP5489543B2 true JP5489543B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=43300484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009138402A Active JP5489543B2 (ja) | 2009-06-09 | 2009-06-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8279336B2 (ja) |
JP (1) | JP5489543B2 (ja) |
CN (1) | CN101924115B (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4970845B2 (ja) * | 2006-05-16 | 2012-07-11 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 固体撮像装置 |
GB2465607A (en) * | 2008-11-25 | 2010-05-26 | St Microelectronics | CMOS imager structures |
JP5694670B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-04-01 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5658466B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2015-01-28 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2012169528A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Ricoh Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP5818455B2 (ja) * | 2011-02-17 | 2015-11-18 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP5930263B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2016-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2015019143A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | ソニー株式会社 | 撮像装置、およびカメラシステム |
JP2015038920A (ja) * | 2013-08-19 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 撮像装置および電子機器 |
JP2015099262A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-05-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびカメラモジュール、並びに電子機器 |
JPWO2016072279A1 (ja) * | 2014-11-04 | 2017-08-10 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、カメラモジュール、及び、電子機器 |
CN204760384U (zh) * | 2015-05-18 | 2015-11-11 | 华天科技(昆山)电子有限公司 | 高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构 |
JP6491547B2 (ja) * | 2015-06-12 | 2019-03-27 | 日本電産コパル株式会社 | レンズ駆動装置、光学機器及び電子機器 |
JP6939561B2 (ja) * | 2015-11-24 | 2021-09-22 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子パッケージ、撮像装置及び撮像素子パッケージの製造方法 |
CN108520886A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-11 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 一种影像传感芯片的封装结构及其封装方法 |
EP3686673A1 (en) * | 2019-01-25 | 2020-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Wavefront sensor and associated metrology apparatus |
CN112751993A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 晋城三赢精密电子有限公司 | 底座、摄像头模组及电子装置 |
US11515347B2 (en) * | 2020-01-20 | 2022-11-29 | Omnivision Technologies, Inc. | Dam of image sensor module having sawtooth pattern and inclined surface on its inner wall and method of making same |
WO2022085326A1 (ja) * | 2020-10-22 | 2022-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 |
WO2023095457A1 (ja) * | 2021-11-26 | 2023-06-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0485960A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH07202152A (ja) | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP3759435B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-03-22 | ソニー株式会社 | X−yアドレス型固体撮像素子 |
JP2003309272A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Kyocera Corp | 光半導体装置 |
JP3729817B2 (ja) * | 2003-04-28 | 2005-12-21 | 松下電器産業株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP4365743B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2009-11-18 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 撮像装置 |
JP4672301B2 (ja) * | 2004-07-28 | 2011-04-20 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法 |
JP4428526B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2010-03-10 | パナソニック株式会社 | 光学デバイス |
US8368096B2 (en) | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
JP4714499B2 (ja) | 2005-04-08 | 2011-06-29 | パナソニック株式会社 | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
JP4794283B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-10-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
JP2007208817A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
JP2008166632A (ja) * | 2006-12-29 | 2008-07-17 | Manabu Bonshihara | 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラモジュール |
JP2008193441A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス及びその製造方法 |
JP2009123848A (ja) * | 2007-11-13 | 2009-06-04 | Sharp Corp | 固体撮像装置とその製造方法、および電子機器 |
-
2009
- 2009-06-09 JP JP2009138402A patent/JP5489543B2/ja active Active
-
2010
- 2010-06-04 CN CN2010101984546A patent/CN101924115B/zh active Active
- 2010-06-07 US US12/795,458 patent/US8279336B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100309354A1 (en) | 2010-12-09 |
CN101924115A (zh) | 2010-12-22 |
CN101924115B (zh) | 2012-07-04 |
US8279336B2 (en) | 2012-10-02 |
JP2010287619A (ja) | 2010-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5489543B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8013410B2 (en) | Imaging device, method for manufacturing the imaging device and cellular phone | |
US7988371B2 (en) | Camera module | |
JP4794283B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US8411197B2 (en) | Image pickup device and production method thereof | |
JP5794020B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JP3981348B2 (ja) | 撮像装置およびその製造方法 | |
JP5818455B2 (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH10270672A (ja) | 固体撮像素子 | |
US8241951B2 (en) | Method of manufacturing solid-state image pickup device and solid-state image pickup device | |
JP2008305972A (ja) | 光学デバイス及びその製造方法、並びに、光学デバイスを用いたカメラモジュール及び該カメラモジュールを搭載した電子機器 | |
JP2003204053A (ja) | 撮像モジュール及び該撮像モジュールの製造方法、デジタルカメラ | |
JP5392458B2 (ja) | 半導体イメージセンサ | |
TW201438216A (zh) | 固體攝像元件、攝像裝置、電子裝置及製造方法 | |
WO2010001524A1 (ja) | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 | |
US20090230408A1 (en) | Optical device and method for manufacturing the same | |
EP1602959A1 (en) | Imaging device and electronic apparatus | |
JP2008250285A (ja) | 光学部材及びそれを備えた撮像デバイス | |
JP2014053512A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP5658466B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
JP2009170585A (ja) | 固体撮像装置 | |
WO2023162713A1 (ja) | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 | |
JP2007027603A (ja) | 撮像装置 | |
WO2023058413A1 (ja) | 半導体装置および電子機器 | |
JP2013225705A (ja) | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130912 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140128 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140225 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5489543 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |