JP2691952B2 - 耐食膜を支持体から除去する組成物とその除去方法 - Google Patents

耐食膜を支持体から除去する組成物とその除去方法

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    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐食膜（レジスト）、
例えば感光性耐食膜もしくはポリイミド被覆膜などの高
分子被覆層を支持体から除去するための組成物に関し、
ヒドロキルアミン、少なくとも１種のアルカノールアミ
ンおよび選択成分としての少なくとも１種の極性溶媒か
らなる耐食膜除去用組成物、およびこれを用いた耐食膜
除去方法に関するものである。前記耐食膜除去用組成物
は、特に感光性耐食膜を半導体集積回路の製造中に支持
体または基板から除去することや、加熱硬化させたポリ
イミド被覆膜のような硬化重合体耐食膜を支持体から該
支持体を損傷することなく除去するのに適している。
【０００２】
【従来の技術】超小型回路の２次加工において、多数の
適切にドープされた領域を半導体のチップ上の正確な位
置に付与するためには、前記半導体上に１つ以上の相互
連結パターンを付与する必要がある。ポジ型の抵抗耐食
膜が支持体上にイメージパターンを形成するためのマス
キング材として使用され、エッチング他の方法でパター
ンが支持体上に形成される。そこで該支持体加工の最終
工程においては、露光されない耐食膜を支持体から除去
する必要がある。しかしながら、近年になって支持体に
おけるパターン形成のためにプラズマエッチング、活性
イオンエッチングが使用されるようになり、従来耐食膜
マスクの除去のために使用されてきた剥離剤、例えば、
塩化メチレン、テトラクロロエチレンのようなハロゲン
化炭化水素、ジエタノールアミン、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ピロリドン、ジエタノール
アミン、トリエタノールアミンのようなアミンおよびそ
の誘導体、エチレングリコールモノエチルエーテル、２
−ブトキシエタノール、２−（ブトキシエトキシ）エタ
ノールのようなグリコール類、ジメチルスルホンのよう
なアルキルスルホンでは、耐食膜の除去は実質的に困難
であった。また、上記のエッチング工程中において、支
持体側壁に有機金属化合物による汚染物が副生るが、上
記従来の剥離剤ではのこのような有機金属による汚染物
の除去もできない。
【０００３】そのうえ、前記エッチング加工中、有機金
属化合物が側壁高分子物質として形成される。上述の溶
媒も、この側壁有機金属重合体の除去には効果的でな
い。感光性耐食膜除去に効果的な最近開発された技術
は、プラズマ灰化としても周知のプラズマ酸化である。
しかし、この方法が感光性耐食膜の除去に有効である
が、エッチング工程中に形成された側壁有機金属重合体
の除去には効果的でない。
【０００４】又、マイクロエレクトロニクスにおいて
は、ポリイミドが２次加工補助材、不動態化材又は層間
絶縁材として広く用いられるようになってきた。ポリイ
ミド類の２次加工補助材としての用途には、感光性耐食
膜や多層耐食膜における平坦化材やイオンインプランテ
ーション用マスク等があり、これらの用途においては、
ポリイミドポリマーはウエファー又は支持体上に塗布さ
れた後、適当な熱処理方法により硬化し、パターニング
した後剥離除去される。
【０００５】従来使用されている耐食膜除去用の剥離剤
の多くは、加熱硬化されたポリイミドの剥離除去に対し
ては十分な効果を発揮し得ない。従って硬化ポリイミド
を除去するためには他の方法、例えば支持体をヒドラジ
ン又は酸素プラズマ中で煮沸する方法などを採用しなけ
ればならなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、支持体から
の耐食膜の除去に際しての上記の問題点に鑑み、支持体
から耐食膜を除去するに際して効果的な除去を行い得る
ことができるような新規な除去剤組成物を提供すること
を目的とするものであって、さらに詳しくは、ヒドロキ
ルアミン、少なくとも１種のアルカノールアミン、およ
び選択成分としての少なくとも１種の極性溶媒からなる
耐食膜除去用組成物を提供することを目的とするもので
ある。
【０００７】又、本発明は上記のさらなる目的は、ヒド
ロキルアミン、少なくとも１種のアルカノールアミンお
よび選択成分としての少なくとも１種の極性溶媒からな
る耐食膜除去用組成物を使用した耐食膜除去方法を提供
することにある。
【０００８】本発明は、さらに半導体集積回路の作製に
当たって、これに使用される支持体に損傷を与えること
なく、又その後の作業や工程に悪影響を及ぼすことなく
感光性耐食膜を支持体から除去するための耐食膜除去用
組成物を提供することを目的とするものである。
【０００９】又さらに本発明は、支持体から硬化重合体
耐食膜、特に部分硬化又は完全硬化したポリイミド被覆
膜を支持体に損傷を与えることなく、該支持体から除去
するための耐食膜除去用組成物を提供することを目的と
するものである。
【００１０】又さらに本発明の他の目的は、支持体から
耐食膜とともにプラズマエッチング工程などのエッチン
グ工程中に形成された有機金属重合体からなる側壁汚染
物質を同時に除去することのできる耐食膜除去用組成物
を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ための本発明は、ヒドロキシルアミン、前記ヒドロキシ
ルアミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノール
アミンからなり、前記ヒドロキシルアミンと前記アルカ
ノールアミンが耐食膜を支持体から除去するのに足る十
分な量で存在している耐食膜除去用組成物［この組成物
は支持体から耐食膜を溶解剥離除去（ストリップ）する
ことを主たる効果とするので、以下便宜上ストリップ組
成物と称する。］を特徴とするものである。又本発明の
ストリップ組成物においては、１種以上の極性溶媒を任
意選択成分として含有させることができる。むしろ前記
極性溶媒の添加によってストリップ組成物の耐食膜の除
去作用は一層強化され、耐食膜を支持体から殆ど完全に
除去することができるのでより効果的である。
【００１２】本発明のストリップ組成物は、感光性の絶
縁耐食膜の除去に際して、特に半導体集積回路の作成中
に、その後の作業工程に何らかの悪影響を与えたり、作
業を阻害することなく除去作業を行うのに適している。
【００１３】さらに、本発明のストリップ組成物は、硬
化重合体耐食膜、例えば部分的もしくは完全に硬化した
ポリイミドコーチングの支持体からの除去、又プラズマ
エッチング工程中に支持体上に形成された有機金属重合
体の除去に適している。
【００１４】耐食膜を本発明のストリップ組成物を用い
て支持体から除去する方法は、前記耐食膜をストリップ
組成物に適当な温度で、存在する特定耐食膜の除去に十
分な時間をかけて接触させる必要がある。
【００１５】
【作用】本発明のストリップ組成物には、ヒドロキシル
アミン、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なく
とも１種のアルカノールアミンおよび任意選択成分とし
ての１種以上の極性溶媒が含有される。前記ストリップ
組成物は、プラズマエッチング雰囲気中で処理された感
光性耐食膜およびポリイミドのような硬化重合体を含む
耐食膜の除去に適した協働的剥離効果を示し、その上前
記プラズマエッチング工程などのエッチング工程におい
て支持体上に副生する有機金属重合体による汚染物の除
去効果を有する。
【００１６】本発明のストリップ組成物には、重量比で
ヒドロキシルアミンが少なくとも５％、１種以上のアル
カノールアミンが少なくとも１０％含有されることが好
ましい。又さらにストリップ組成物には、任意選択成分
として１種以上の極性溶媒が重量比で５％乃至８５％含
有されることが好ましい。
【００１７】本発明での使用に適当なヒドロキシルアミ
ンが有する分子構造はＮＨ２ＯＨである。
【００１８】本発明で使用する適当なアルカノールアミ
ンは、前記ヒドロキシルアミンとの混和性を有し、好ま
しくは水溶性であることである。そのうえ、本発明で有
用なアルカノールアミンの沸点が好ましくは、例えば１
００°Ｃ以上という相対的に高く、又発火点が好ましく
は、例えば１５０°Ｃ以上であることである。適当なア
ルカノールアミンは、第１、第２もしくは第３アミン類
で好ましくは、モノアミン類、ジアミン類又はトリアミ
ン類でそのうちモノアミン類が最も好ましい。アミン類
のアルカノール基には１乃至５の炭素原子をもつことが
好ましい。
【００１９】本発明の使用に適当な好ましいアルカノー
ルアミン類は、化学式Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２−ＣＨ２−
Ｏ−Ｒ３［式中Ｒ１とＲ２はＨ、ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２
又はＣＨ２ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３はＣＨ２ＣＨ２−Ｏ
Ｈである］で示されるものである。
【００２０】適当なアルカノールアミンの実施例には、
エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノー
ルアミン、第３ブチルジエタノールアミンイソプロパノ
ールアミン、２−アミノ−１−プロパノール、３−アミ
ノ−１−プロパノール、イソブタノールアミン、２−ア
ミノ（２−エトキシエタノール）及び２−アミノ（２−
エトキシ）プロパノールが含まれる。
【００２１】本発明で使用する適当な極性溶媒には、エ
チレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテ
ル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチ
レングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコー
ル、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピ
レングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリ
コールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレ
ンジアミン及びエチレントリアミンが含まれる。技術上
周知の付加的の極性溶媒も本発明の組成物に使用でき
る。
【００２２】本発明のストリップ組成物は、多くのポジ
型感光性耐食膜の除去に優れた効果を示すが、特にノボ
ラック型接着剤又は樹脂とオルトーナフトキノンジアジ
ドスルホン酸エステル又はアミド増感剤からなる感光性
耐食膜の除去に有効である。本発明のストリップ組成物
の使用により支持体から有効に除去し得る市販の感光性
耐食膜は、例えばＫ．Ｔ．Ｉ．感光性耐食膜８２０，８
２５、フィリップ．エー．ハント．ケミカル社（Ｐｈｉ
ｌｉｐ Ａ．Ｈｕｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ）製のウエイ
コート（Ｗａｙｃｏａｔ）ＨＰＲ１０４、ＨＰＲ１０
６、ＨＰＲ２０４およびＨＰＲ２０６感光製耐食膜、シ
ップレー．カンパニー社（ＳｈｉｐｌｅｙＣｏ．Ｉｎ
ｃ．）製のＡＺ−１３００シリーズ、ＡＺ−１４００シ
リーズ、ＡＺ−２４００シリーズの感光性耐食膜および
東京応化工業社製の感光性耐食膜ＯＦＰＲ８００等が挙
げられる。
【００２３】さらに又、本発明のストリップ組成物は、
約４００℃以上の高温で硬化されたポリイミド被覆膜で
さえ十分に除去することができる。本発明のストリップ
組成物によって効果的に除去することのできるポリイミ
ド類の例としては、チバ．ガイギー社（Ｃｉｂａ Ｇｅ
ｉｇｙ）製のプロイミド（Ｐｒｏｉｍｉｄｅ）２９３や
アサヒＧ−６２４６−Ｓ、デュポン社（ＤｕＰｏｎｔ）
製のＰＩ２５４５およびＰＩ２５４６等が挙げられる。
【００２４】本発明のストリップ組成物によって、侵蝕
されることなく感光性耐食膜の除去を行うことができる
支持体の例としては、アルミニウム、チタニウム−タン
グステン、アルミニウム−珪素、銅などの金属支持体、
酸化珪素、窒化珪素、ガリウム／砒化物のような非金属
支持体などが挙げられる。
【００２５】支持体から本発明のストリップ組成物を用
いる耐食膜又は他の物質除去の方法は、耐食膜をその上
に覆う支持体を本発明のストリップ組成物と、前記耐食
膜の除去に十分な時間と温度で接触させることが必要で
ある。前記時間と温度は、支持体から除去される特定物
質に基き決定される。一般に、温度は約５０°Ｃ乃至１
５０°Ｃの範囲で、又接触時間は約２乃至３０分であ
る。
【００２６】変動する条件にあって、本発明のストリッ
プ組成物を用いる支持体からの耐食膜の除去を具体的に
示す実施例をさらに以下に記す。次掲の実施例は、本発
明をさらに具体的に示すものであって、本発明の範囲を
限定するものでない。
【００２７】耐食膜の支持体からの除去に適した本発明
によるストリップ組成物の実施例を下表１に示す。
【００２８】
【実施例】
【００２９】
【表１】 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ストリップ ヒドロキシル アルカノールアミン 溶 媒 組 成 物 アミン Wt.% Wt.% Wt.% ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― Ａ １０％ 90% ２−エトキシ−２− 0% アミノエタノール Ｂ ５０％ 50% ２−エトキシ−２− 0% アミノエタノール Ｃ １０％ 45% ２−エトキシ−２ 45% Ｎ−メチル−２− アミノエタノール ピロリドン Ｄ １０％ 45% ジエタノールアミン 45% Ｎ−メチル−２− ピロリドン Ｅ ５０％ 50% ジエタノールアミン 0% Ｆ ２０％ 30% ジエタノールアミン 50% ジプロピレングリコ ールエチルエーテル Ｇ ３５％ 35% ジエタノールアミン 30% ジエチレングリコー ルブチルエーテル Ｈ ３５％ 50% ２−エトキシ−２− 15% トリエチレングリコ アミノエタノール ールブチルエーテル Ｉ ２５％ 25% 第３ブチル 50% Ｎ−メチル−２− ジエタノールアミン ピロリドン Ｊ ５０％ 25% ２−エトキシ−２− 25% ジエチレン アミノエタノール トリアミン Ｋ ２５％ 50% ２−エトキシ−２− 25% ジエチレン アミノエタノール トリアミン ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例１ 実施例１は、感光性耐食膜を、本発明の異なるストリッ
プ組成物を用いる支持体からの除去を示す。支持体を普
通の方法で処理してから支持体を本発明のストリップ組
成物で処理する。
【００３０】これを以下に詳細に説明する。市販のスピ
ンコート装置を用いて１０００ｒｐｍ乃至５０００ｒｐ
ｍの回転速度でウエファー支持体上にポジ型感光性耐食
膜Ｋ．Ｔ．Ｉ．８２０をスピンコートし、その表面に厚
さ０．５ミクロン乃至２．５ミクロンの薄膜を形成し
た。その後、前記支持体を１０分乃至２０分間、８０℃
乃至９０℃の温度に加熱し、前記感光性耐食膜から溶媒
を完全に除去した。次に感光性耐食膜を、周知のイメー
ジパターン転写技術を用いて選択的に露光し、該感光性
耐食膜の露光域を現像液で溶解した。その後、ウエファ
ー上に形成されたパターンを噴霧リンスにより洗浄した
後、ウエファーを硬化熱処理した。熱処理温度は１２５
℃乃至２００℃であった。熱処理により耐食膜は硬化し
ウエファーの表面に確実に付着した。最終工程で、本発
明のストリップ組成物を用いウエファーから未露光のポ
ジ型感光性耐食膜の除去を行った。以下に除去工程の詳
細を示す。先ずストリップ組成物浴を１０００ｍｌのビ
ーカー中に採り、その中に前述の熱処理により耐食膜を
硬化させたウエファーを浸漬した。ビーカー内を断続的
に所定の回数撹拌した後ウエファーをビーカーから取り
出し、これを脱イオン水のシャワーですすぎ、遠心・水
洗脱水機にかけて遠心脱水した。耐食膜のストリップ効
果を耐食膜の除去に要する時間と、すすぎ後ウエファー
表面に残留する感光性耐食膜の残留物の量から判定し
た。表１のストリップ組成物を使用して上述の工程によ
り耐食膜の除去を行ったものの判定結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 耐食膜硬焼 ストリップ 浴 温 浴時間 観 測 温 度 組 成 物 （分） ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― １２５°Ｃ Ａ ６５°Ｃ １０ 耐食膜は３分間で溶解 すすぎは極めてきれい。 １５０°Ｃ Ａ ６５°Ｃ ５ 耐食膜は支持体から極めて きれいに除去。 １８０°Ｃ Ｂ ６５°Ｃ １０ 耐食膜は２分間で溶解 すすぎはきれい。 １５０°Ｃ Ｄ ７５°Ｃ ５ 耐食膜は３分間で溶解 すすぎはきれい。 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例２ 実施例２は、ポリイミド耐食膜コーチングのストリップ
組成物を用いる支持体からの除去を具体的に示す。実施
例１においてと同様、通常のコーチング法を用いた。
【００３２】詳述すれば、ウエファー支持体をアサヒＧ
６２４６−Ｓのネガ型イメージ形成性ポリイミドで厚さ
が１６ミクロンになるようコートした。コートしたウエ
ファーを２５０°Ｃの温度で焼付けてポリイミドに存在
する溶媒を除去した。ポリイミドのコーチングをそこで
３５０ｍＪを投与してニコンステッパーで露光、アサヒ
Ａ−１４５／Ｃ−２１０現像液で現像した。ウエファー
をその後、ストリップ組成物が含まれた浴に浸漬させ、
下表３に示す温度と時間により実施例１のストリップ浴
で処理した。
【００３３】
【表３】 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ストリップ 浴 温 浴時間 観 測 組 成 物 （分） ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― Ｂ ７０°Ｃ １０ ポリイミドは溶解 すすぎはきれい。 Ｃ ６５°Ｃ １０ ポリイミドは溶解 すすぎはきれい。
【００３４】 Ｅ ７５°Ｃ １０ ポリイミドは２分後溶解 すすぎは極めてきれい。
【００３５】 Ｉ ６５°Ｃ １０ ポリイミドは溶解 すすぎは極めてきれい。 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 実施例３ 実施例３は、物質をその上で多層をなす支持体からのポ
リイミドコーチングの除去を具体的に示す。
【００３６】３インチ（約７．６２ｃｍ）ガリウム／砒
化物ウエファー上にチバ．ガイギー社製プロイミド２９
３による被覆膜を厚さ４ミクロンになるようにスピンコ
ートした。次に４００℃の温度で３０分間加熱処理を行
い上記プロイミド２９３によるポリイミド被覆膜を完全
に硬化させた。次に、ポリイミド被覆面に酸化珪素を厚
さ１０００オングストロームになるように蒸着した。そ
の後、ポジ型感光性耐食膜を酸化珪素面に塗布し、イメ
ージパターン転写技術を施すことによりイメージパター
ンを形成し、周知のプラズマエッチング技術を用いて酸
化珪素面をエッチングすることによりイメージパターン
を感光性耐食膜から酸化珪素面に転写した。次に、感光
性耐食膜とポリイミドが同時にエッチングすることによ
りパターンをさらにポリイミド層にも転写した。この処
理により金属膜の形成が望まれない領域のパターンを付
与することができた。その後、チタン／タングステン金
属膜をウエファー・ポリイミド組合せ上に蒸着した。こ
の結果、金属膜を被覆が望まれる領域のみに付着させる
ことができた。最後に、ウエファーを本発明のストリッ
プ組成物に浸漬処理することによって、ポリイミドの除
去を行った。この工程において、本発明のストリップ組
成物によって金属膜が侵蝕されることなくポリイミドの
除去を行うことができた。また、得られた支持体には有
機金属化合物による汚染は全く見られなかった。
【００３７】アルミニウムを珪素ウエファーに厚さが６
０００オングストロームになるまで溶射した。ウエファ
ー上の金属フィルムの板耐性を、プロメトリックス(Pro
met-rix)ＶＰ−１０４点プローブを用いて測定してから
前記ウエファーをストリップ組成物で処理した。その
後、ウエファーをストリップ組成物Ｂもしくは、ストリ
ップ組成物Ｃに表１に述べるように１０分、１５分及び
２０分間浸漬した。その後、金属フィルムの板耐性を再
度測定した。金属腐食の量は、金属フィルムに関して現
れる厚さの変化率を基準にする。結果を下表４と５に示
す。
【００３８】
【表４】 ストリップ組成物Ｂ ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 時 間／分 Ｒｓ初期 Ｒｓ最終 厚さの変化率 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ２０ ４７．７４ ４８．３９ １．３４％ １５ ４７．８６ ４８．３３ ０．９７％ １０ ４７．７１ ４７．８５ ０．２９％ ０ ３８．３９ ３８．３９ ０．００％ ――――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００３９】
【表５】 ストリップ組成物Ｃ ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― 時 間／分 Ｒｓ初期 Ｒｓ最終 厚さの変化率 ―――――――――――――――――――――――――――――――――――― ２０ ４７．０５ ４７．３９ ０．７２％ １５ ４７．１７ ４７．４６ ０．６１％ １０ ４７．２ ４７．３ ０．２１％ ０ ４７．４７ ４７．４７ ０．００％ ――――――――――――――――――――――――――――――――――――
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明のストリップ
組成物によるときは、耐食膜、特に半導体集積回路の製
造中における感光性耐食膜や硬化されたポリイミド被覆
膜のような硬化重合体被覆膜の除去に際して、支持体の
損傷をきたすことなく、またその後の工程を阻害するこ
となく効果的に除去を行うことができる上に、エッチン
グ工程において副生した有機金属化合物による汚染物を
有効に除去することができるので工業上優れた発明であ
るということができる。

Claims (31)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 耐食膜を支持体から除去するための組成
    物であって、ヒドロキシルアミン、該ヒドロキシルアミ
    ンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミン
    からなり、前記ヒドロキシルアミンと前記アルカノール
    アミンとが耐食膜を支持体から除去するのに足る十分な
    量で存在していることを特徴とする耐食膜除去用組成
    物。
  2. 【請求項２】 前記ヒドロキシルアミンは、重量比で５
    ％乃至９０％の量で存在することを特徴とする請求項１
    記載の耐食膜除去用組成物。
  3. 【請求項３】 前記少なくとも１種のアルカノールアミ
    ンは、重量比で１０％乃至９５％の量で存在することを
    特徴とする請求項１記載の耐食膜除去用組成物。
  4. 【請求項４】 前記耐食膜除去用組成物が、さらに少な
    くとも１種の極性溶媒を含むことを特徴とする請求項１
    記載の耐食膜除去用組成物。
  5. 【請求項５】 前記少なくとも１種の極性溶媒は、重量
    比で５％乃至８５％の量で存在することを特徴とする請
    求項４記載の耐食膜除去用組成物。
  6. 【請求項６】 前記少なくとも１種の極性溶媒は、エチ
    レングリコール、エチレングリコールアルキルエーテ
    ル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチ
    レングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコー
    ル、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピ
    レングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリ
    コールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレ
    ンジアミンおよびエチレントリアミンから本質的になる
    群より選ばれたものであることを特徴とする請求項４又
    は５記載の耐食膜除去用組成物。
  7. 【請求項７】 前記少なくとも１種のアルカノールアミ
    ンのアルカノール基には、１乃至５の炭素原子が含まれ
    ることを特徴とする請求項１記載の耐食膜除去用組成
    物。
  8. 【請求項８】 前記少なくとも１種のアルカノールアミ
    ンは、モノアミン類、ジアミン類およびトリアミン類か
    らなる群から選ばれたものであることを特徴とする請求
    項１記載の耐食膜除去用組成物。
  9. 【請求項９】 前記少なくとも１種のアルカノールアミ
    ンは、次式、即ち、Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−
    Ｒ３（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｈ、ＣＨ、ＣＨ３ＣＨ
    ２又はＣＨ２ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３は、ＣＨ２ＣＨ２
    ＯＨである）で示されることを特徴とする請求項１記載
    の耐食膜除去用組成物。
  10. 【請求項１０】 表面に耐食膜を有する支持体から耐食
    膜を除去するに際して、ヒドロキシルアミンおよび該ヒ
    ドロキシルアミンと混和性のある少なくとも１種のアル
    カノールアミンからなる耐食膜除去用組成物を、耐食膜
    を支持体から除去するに足る温度および時間で、該支持
    体と接触させることを特徴とする耐食膜の除去方法。
  11. 【請求項１１】 前記耐食膜が感光性絶縁耐食膜である
    ことを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方法。
  12. 【請求項１２】 前記耐食膜がポリイミド被覆膜である
    ことを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方法。
  13. 【請求項１３】 前記ヒドロキシルアミンは、重量比で
    ５％乃至９０％の量で存在することを特徴とする請求項
    １０記載の耐食膜の除去方法。
  14. 【請求項１４】 前記少なくとも１種のアルカノールア
    ミンは、重量比で１０％乃至９５％の量で存在すること
    を特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方法。
  15. 【請求項１５】 前記耐食膜除去用組成物が、さらに少
    なくとも１種の極性溶媒を含むことを特徴とする請求項
    １０記載の耐食膜の除去方法。
  16. 【請求項１６】 前記少なくとも１種の極性溶媒は、重
    量比で５％乃至８５％の量で存在することを特徴とする
    請求項１５記載の耐食膜の除去方法。
  17. 【請求項１７】 前記少なくとも１種の極性溶媒は、エ
    チレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテ
    ル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチ
    レングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコー
    ル、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピ
    レングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリ
    コールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレ
    ンジアミンおよびエチレントリアミンから本質的になる
    群より選ばれたものであることを特徴とする請求項１５
    又は１６記載の耐食膜の除去方法。
  18. 【請求項１８】 前記少なくとも１種のアルカノールア
    ミンのアルカノール基には、１乃至５の炭素原子が含ま
    れることを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記少なくとも１種のアルカノールア
    ミンは、モノアミン類、ジアミン類およびトリアミン類
    からなる群から選ばれたものであることを特徴とする請
    求項１０記載の耐食膜の除去方法。
  20. 【請求項２０】 前記少なくとも１種のアルカノールア
    ミンは、次式、即ち、Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ
    −Ｒ３（式中、Ｒ１およびＲ２は、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ３
    ＣＨ２又はＣＨ２ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３は、ＣＨ２Ｃ
    Ｈ２ＯＨである）で示されることを特徴とする請求項１
    ０記載の耐食膜の除去方法。
  21. 【請求項２１】 前記支持体が半導体ウエファーである
    ことを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方法。
  22. 【請求項２２】 前記温度が５０℃乃至１５０℃の範囲
    であることを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去
    方法。
  23. 【請求項２３】 前記時間が２分乃至３０分の範囲であ
    ることを特徴とする請求項１０記載の耐食膜の除去方
    法。
  24. 【請求項２４】 ヒドロキシルアミン、該ヒドロキシル
    アミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールア
    ミンおよび少なくとも１種の極性溶媒からなる耐食膜を
    支持体から除去するための組成物であって、 （１）前記少なくとも１種のアルカノールアミンには少
    なくともジグリコールアミンが含まれ、 （２）前記少なくとも１種の極性溶媒には、少なくとも
    水が含まれ、 （３）ヒドロキシルアミン、該ヒドロキシルアミンと混
    和性のある少なくとも１種のアルカノールアミンおよび
    少なくとも１種の極性溶媒は、耐食膜を支持体から除去
    するのに足る十分な量で存在していることを特徴とする
    耐食膜除去用組成物。
  25. 【請求項２５】 前記ヒドロキシルアミンと前記水とが
    ほぼ５０：５０の比率で存在することを特徴とする請求
    項２４記載の耐食膜除去用組成物。
  26. 【請求項２６】 前記ジグリコールアミンは６０重量％
    以上存在することを特徴とする請求項２５記載の耐食膜
    除去用組成物。
  27. 【請求項２７】 前記ヒドロキシルアミンが１７．５重
    量％以下、前記水が１７．５重量％以下、前記ジグリコ
    ールアミンが６０重量％以上存在することを特徴とする
    請求項２４又は２５記載の耐食膜除去用組成物。
  28. 【請求項２８】 ヒドロキシルアミン、該ヒドロキシル
    アミンと混和性のありかつ少なくともジグリコールアミ
    ンを含む少なくとも１種のアルカノールアミン、少なく
    とも水を含む少なくとも１種の極性溶媒からなる耐食膜
    除去用組成物と耐食膜ををコーティングされた支持体と
    を、該支持体から耐食膜を除去するに足る時間、接触さ
    せることを特徴とする支持体からの耐食膜の除去方法。
  29. 【請求項２９】 前記耐食膜除去用組成物においては、
    ヒドロキシルアミンと前記水とがほぼ５０：５０の比率
    で存在することを特徴とする請求項２８記載の耐食膜の
    除去方法。
  30. 【請求項３０】 前記耐食膜除去用組成物においては、
    ジグリコールアミンが６０重量％以上存在することを特
    徴とする請求項２９記載の耐食膜の除去方法。
  31. 【請求項３１】 前記耐食膜除去用組成物においては、
    ヒドロキシルアミンが１７．５重量％以下、前記水が１
    ７．５重量％以下、前記ジグリコールアミンが６０重量
    ％以上存在することを特徴とする請求項２８又は２９記
    載の耐食膜の除去方法。
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