KR20160094640A - 티타늄막 식각액 조성물 - Google Patents

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KR20160094640A
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조용준
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 티타늄막 식각액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 퀴놀린계 첨가제 및 물을 포함하는 티타늄막 식각액 조성물에 관한 것이다.
상기 티타늄막 식각액 조성물은 티타늄막 식각속도가 우수하며 실리콘 산화막, 알루미늄막에 대한 향상된 부식 억제 효과를 가져 반도체 제조공정에 있어 향상된 식각 특성으로 생산성 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.

Description

티타늄막 식각액 조성물{ETCHING COMPOSITION FOR A TITANIUM LAYER}
본 발명은 향상된 티타늄막 식각속도 및 하부막에 대한 보호 효과를 확보할 수 있는 티타늄막 식각액 조성물에 관한 것이다.
최근 IT 기술의 발달은 휴대폰, 디지털 카메라, MP3, USB 메모리와 같은 휴대기기의 고성능화, 소형화를 가속화시키고 있다. 더욱이 현재 대두되고 있는 스마트폰은 손안의 PC를 지향하며 발전을 거듭하고 있다. 이러한 제품들은 기존의 PC(personal computer)와 동등한 능력을 지녀야 하며, 이를 구현하기 위해서는 초고속, 대용량, 저소비 전력, 우수한 성능 및 신뢰성을 가진 반도체에 대한 기술 개발이 요구되고 있다.
일반적으로 반도체 장치는 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터(Capacitor)를 단위셀로 하여 제조되고 이러한 반도체 장치의 트랜지스터는 일반적으로 MOS 구조이다.
이러한 MOS 구조의 트랜지스터는 소스(Source) 전극, 게이트(Gate) 전극 및 드레인(Drain) 전극 구조로 이루어지며 실리콘 기판 위에 소스(Source) 전극, 드레인(Drain) 전극 단자를 만들고 이 단자에 전류를 흘려 준다. 게이트(Gate) 전극 단자에는 전압을 걸 수 있도록 되어 있는데 맨 상층부는 금속으로 주로 알루미늄이 이용되고 이 금속층 하부에 산화막은 보통 실리콘 산화물이 사용된다. 이때 전극들 간에 원할한 전류의 흐름을 위해 일반적으로 티타늄실리사이드(TiSi)막을 배선으로 이용하여 전술한 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극을 연결시킨다.
이러한 티타늄실리사이드막 형성 방법은 소스 전극, 게이트 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판 상에 티타늄막을 형성시키고 형성된 티타늄막을 어닐(anneal)시킨 후, 이를 이용하여 티타늄실리사이드막을 성막한다. 이때 어닐 처리를 수행하는 동안 기판이 대기 중에 노출되어 티타늄막이 산소 또는 수증기와 반응함으로써 산화티타늄막이 만들어진다. 산화티타늄막은 강한 결합력으로 인해 티타늄실리사이드막 형성에 문제가 되며 이로 인해 쇼트 현상을 일으킨다. 또한, 반도체 공정이 더욱 복잡해지고 미세화됨에 따라 이러한 불량에 따른 신뢰성 저하의 문제가 심각해지고 있다.
따라서, 티타늄실리사이드막의 불량을 방지하기 위해 실리사이드 공정 이후에 티타늄막을 식각하는 공정은 필수적이다. 통상적으로 플라즈마 등을 이용한 건식 식각 또는 식각액을 이용하는 습식 식각이 사용된다. 습식 식각은 건식 식각에 비하여 장비의 구성이 간단하고 공정 시 시간이 단축된다는 장점이 있다. 또한, 습식 식각 공정에 사용되는 식각액의 수요는 반도체가 응용되는 산업의 발전과 함께 급속도로 성장하였다.
반도체 공정의 경우 건식 식각 공정이 많이 사용되고 있다. 건식 식각 공정은 할로겐 식각 가스를 이용하고 있으며, 습식 식각에 비해 이방성 프로파일을 가지며 식각 제어력이 우수하다는 장점이 있다. 그러나 건식 식각을 위해선 고가의 장비가 필요하고 대면적화에 어려움이 있으며 식각속도가 느리기 때문에 생산성면에서 불리하다는 단점이 있다. 이에 티타늄의 경우 건식 식각 보다는 습식 식각에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
일례로, 대한민국 특허공개 제2000-0028870호는 불산, 과요오드산 및 황산으로 이루어진 에칭제 조성물을 제시하고 있다.
대한민국 특허공개 제2014-0107602호는 불소 이온, 2개 이상의 질소 함유 구조단위를 갖는 질소 함유 화합물, 및 물로 구성된 에칭액 조성물을 제안하고 있다. 이때 불소 이온의 공급원은 불산, 헥사플루오로인산, 테트라플루오로붕산, 헥사플루오로규산이며 이 에칭액의 수소이온농도는 5 이하이다.
이들 특허들은 티타늄 습식 식각에 사용되는 식각액을 제안하면서 티타늄에 대한 박리성이 높은 불소계 물질이 포함하고 있다. 그러나 불소계 물질로 많이 사용되는 불산의 경우 물과 반응하게 되면 반응성이 매우 높아지며 이로 인해서 공정 중에 티타늄 이외의 막에 결함을 일으키거나 장비를 손상시키는 등의 문제가 발생한다. 이를 보완하기 위해 식각액 조성에 각종 첨가제가 추가되는 것이 제안되고 있다.
한편, 반도체 제작 공정에 적합한 유기 잔류물 제거 조성물에 있어서 히드록실 아민, 알칸올 아민이 유용하며 기판 상의 존재하는 금속막의 부식을 방지하기 위해 다양한 부식 억제제의 첨가되어 사용되어 왔다. 예를 들어, 하기 특허들에 이러한 조성물을 언급하고 있다.
구체적으로 대한민국 특허공개 제2005-0037511호에는 2-(2-아미노에틸아미노)-에탄올, 알칸올 아민, 킬레이트제 또는 부식 억제제, 물, 극성 유기용매 및 하이드록실 아민을 포함하는 조성물이, 대한민국 특허공개 제2011-0025609호에는 하이드록실 아민, 부식 억제제, 알칸올 아민 및 물로 이루어진 조성물이, 미국특허 공개 제2003-0032567호에는 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 킬레이트제, 물 및 부식 억제제를 포함하는 조성물이, 미국특허 등록 제5,279,711호에는 하이드록실 아민, 알칸올 아민 및 극성 용매로 이루어진 조성물이, 미국특허 등록 제5,334,332호에는 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 물 및 킬레이트제로 이루어진 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 이들 특허들은 반도체 기판 상의 존재하는 유기 잔류물 즉, 감광성 수지를 제거하기 위한 것이며 사용시 기판 상에 함께 존재하는 알루미늄, 알루미늄/규소/구리, 구리, 티타늄, 질화티타늄, 티타늄/텅스텐, 텅스텐, 산화규소, 폴리실리콘 결정 등을 비롯한 다양한 금속층에 대해 부식 현상을 억제를 위한 것으로 특히, 금속으로 이루어진 막의 식각에 대한 고려는 전혀 이루어지지 않고 있다.
더욱이, 금속의 종류에 따라 부합되는 식각액을 매우 예민하게 선택해야 하므로 각 금속에 적합한 식각액을 찾아내는 것이 중요하다.
대한민국 특허공개 제2000-0028870호 대한민국 특허공개 제2014-0107602호 대한민국 특허공개 제2005-0037511호 대한민국 특허공개 제2011-0025609호 미국특허 공개 제2003-0032567호 미국특허 등록 제5,279,711호 미국특허 등록 제5,334,332호
이에 티타늄막을 빠른 속도로 식각함과 동시에 함께 적층되는 다른 층들에 대한 보호 효과를 확보하기 위해 다각적으로 연구한 결과, 본 출원인은 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 퀴놀린계 첨가제 및 물을 사용할 경우, 티타늄 식각 반응에 있어서 상기 문제점을 해결할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 티타늄막 식각에 있어서 우수한 식각속도 및 다른 막질에 대한 부식 방지 효과를 갖는 티타늄막 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 퀴놀린계 첨가제 및 물을 포함하는 티타늄 식각액 조성물을 제공한다.
상기 티타늄막 식각액 조성물은 전체 조성물 100 중량%를 만족하도록, 하이드록실 아민 25 내지 50 중량%, 알칸올 아민 1 내지 50 중량%, 퀴놀린계 첨가제 0.01 내지 3 중량%, 및 잔부로 물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 티타늄막 식각액 조성물은 티타늄막 식각속도가 우수하며 물을 포함하지 않아 실리콘 산화막, 게이트 소재막, 알루미늄막에 대한 부식이 억제되므로 반도체 제조공정에 있어 향상된 식각 특성으로 생산성 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
본 발명은 반도체 제조 공정에서 티타늄막 습식 식각시 다른 막질에 대한 손상없이 티타늄막만을 효과적으로 식각하는 티타늄막 식각액 조성물을 제시한다.
티타늄의 식각에 있어서 티타늄막의 특수한 화학적 성질로 인하여 불소 이온을 필요로 하며 이에 따라 일반적으로 불산을 많이 사용한다. 그러나 불산은 물과 반응하게 되면, 부식성이 매우 강해지며 이로 인해 하부막을 공격하거나 장비를 손상시키는 등의 부작용을 보이게 된다.
이에 본 발명에서는 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 퀴놀린계 첨가제 및 물로 이루어진 식각액 조성물을 사용하여 티타늄막 식각 공정이 보다 안정적이고 효과적으로 진행될 수 있도록 한다.
자세히 설명하면, 하이드록실 아민은 분자 구조 내 함유된 하이드록실 이온(OH-, hydroxyl ion)이 해리되어 티타늄막 표면을 식각하는 역할을 한다. 또한, 알칸올 아민은 전체 식각액 조성물의 pH를 높여 하이드록실 아민의 반응성을 증가시켜 티타늄막의 식각속도를 향상시킨다. 더불어 퀴놀린계 첨가제는 티타늄막과 함께 적층되는 다른 막, 일례로 실리콘 산화막, 게이트 소재막, 알루미늄막의 부식을 방지하여 티타늄막만 선택적으로 식각될 수 있도록 한다.
이하 각 조성을 설명한다.
본 발명에서의 하이드록실 아민은 NH2OH로 표시되는 화합물로 티타늄막 표면을 식각하는 역할을 하며 구체적으로 용매 상에서 하이드록실 이온을 해리함으로써 진행된다.
상기 하이드록실 아민은 직접 제조하거나 시판되는 것을 사용할 수 있다. 이러한 하이드록실 아민은 일반적으로 물에 분산된 수용액 형태로 많이 사용된다. 특히, 본 발명에서와 같이 식각액으로 사용하기 위해선, 하이드록실 아민 수용액 형태로 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 50 % 농도의 하이드록실아민 수용액을 사용하였다. 그러나 하이드록실 아민 수용액은 다양한 농도 범위를 가질 수 있으며 이는 직접 제조하거나 시판되는 제품을 사용할 수 있다.
이러한 하이드록실 아민은 전체 조성물 100 중량% 내에서 25 내지 50 중량%로 사용되는 것이 바람직하다. 상기 함량 범위를 벗어나는 경우 원하는 티타늄막 식각속도를 얻을 수 없다.
본 발명에서의 알칸올 아민은 분자 구조 내 하이드록실기와 아미노기를 동시에 가지고 있는 물질로서 수소이온농도(pH)를 조절할 수 있다. 즉, 즉, 수소이온농도(pH)는 수소원자가 얼마나 이온상태로 있느냐를 측정하는 것으로서 수소이온농도(pH)는 0부터 14까지 나눠서 물질의 산의 세기가 얼마나 강한지를 나타내는데, 이때 중성은 수소이온농도(pH)가 7이고, 이를 기준으로 수소이온농도(pH)가 7보다 더 낮으면 산으로 분류되고 더 높으면 염기로 분류할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 알칸올아민을 사용하여 수소이온농도(pH)를 높임으로써 전술한 하이드록실 아민의 반응성을 높여 티타늄막의 식각속도를 향상시키는 역할을 한다.
구체적으로 상기 알칸올아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸디에탄올아민, N, N-디메틸에탄올아민, N, N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (하이드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-하이드록시에틸)모폴린, N-(3-하이드록시프로필)모폴린 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종을 사용할 수 있다. 바람직하게는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N-메틸디에탄올아민 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종이 사용가능하다.
이러한 알칸올아민은 전체 조성물 100 중량% 내에서 1 내지 50 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 10 내지 30 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 알칸올아민이 1 중량% 미만으로 사용되는 경우, 수소이온농도(pH) 조절이 어려우며, 50 중량%를 초과하는 경우, 과량 사용으로 인해 티타늄막 식각속도를 저하시키는 문제가 발생될 수 있다.
본 발명에서의 퀴놀린계 첨가제는 티타늄과 함께 적층되는 실리콘 산화막, 게이트 소재막, 알루미늄막 등의 부식을 방지하기 위한 것으로 2-하이드록시퀴놀린, 4-하이드록시퀴놀린, 6-하이드록시퀴놀린, 8-하이드록시나이트로퀴놀린, 2-메틸-8-퀴놀리놀, 5-하이드록시아이소퀴놀린, 8-하이드록시퀴놀린-5-술폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종을 사용할 수 있다.
이러한 퀴놀린계 첨가제는 전체 조성물 100 중량% 내에서 0.01 내지 3 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 0.1 내지 1 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 첨가제가 0.01 중량% 미만으로 포함되는 경우, 다른 막질에 대한 보호 효과가 감소되며, 반대로 3 중량%를 초과하는 경우, 부식 억제 효과가 과도해져 티타늄막 식각속도가 감소되는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 티타늄막 식각액 조성물은 물을 함유하는데, 이는 하이드록실 아민이 수용액 상태로 적용하기 때문이라 할 수 있다. 즉, 물은 하이드록실 아민을 용해시키기 위한 것을 주목적으로 하고, 더불어 그외 상기 언급한 바의 조성을 용해 또는 분산시키며 하이드록실 이온에 의해 티타늄의 식각 반응이 보다 잘 이루어지도록 한다.
상기 물은 본 발명에 있어 특히 적합한 용도인 반도체 공정에 대한 적용의 관점에서 기본적으로 깨끗한 물이 반드시 요구된다. 구체적으로 반도체에 영향을 미칠 수 있는 금속 및 기타 불순물은 가능한 적은 것이 바람직하다. 이러한 물을 얻기 위한 방법으로서는 이온 교환법 등을 들 수 있다.
이러한 물의 함량은 특별히 한정되지 않으나 전체 조성물 100 중량%를 만족할 수 있도록 하는 잔부로 포함될 수 있다. 본 발명에서의 물의 함량은 전술한 조성을 충분히 용해시킬 수 있는 범위로, 사용하는 하이드록실 아민 수용액의 농도에 따라 달라질 수 있다.
본 발명에서의 티타늄막은 티타늄막 또는 티타늄 합금막으로 목적에 따라 티타늄을 주성분으로 하고 다른 금속을 사용하여 합금으로 된 금속막을 포함하는 개념이다.
상기에서 언급된 티타늄막 식각방법은 당 업계에 통상적으로 알려진 방법에 의하여 수행될 수 있다. 예컨대, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무를 이용한 방법 등이 사용될 수 있으며, 이 경우, 식각 조건으로서 온도는 대개 30 내지 80 ℃, 바람직하게는 50 내지 70 ℃이고, 침적, 분무, 또는 침적 및 분무 시간은 대개 30초 내지 10분, 바람직하게는 1분 내지 5분이다. 그러나, 이러한 조건은 엄밀하게 적용되지는 않으며, 당업자에 의해 용이하거나 적합한 조건으로 선택될 수 있다.
본 발명에서 티타늄막과 함께 적층되며 기판 상에 존재하는 다른 막으로는 실리콘 산화막, 게이트 소재막 등이 있다. 실리콘 산화막은 게이트와 기판을 분리하는 절연체이며 주로 절연성이 있는 산화실리콘을 사용한다. 게이트 소재막은 금속막으로 이루어지며 게이트 단자를 형성하는 것으로 전도성이 있는 알루미늄으로 이루어진다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은 반도체 장치 제조 공정에 있어 소스 전극, 게이트 전극, 드레인 전극이 형성된 반도체 기판 상에 티타늄막을 증착시킨 후 티타늄실리사이드막이 형성되면 상부의 잔존된 티타늄을 제거하기 위한 조성물이 필요하다. 이는 티타늄실리사이드의 상부에 잔존된 티타늄 및 산화티타늄으로 인해 발생될 수 있는 접촉 불량을 미연에 방지시킬 수 있다.
특히, 본 발명에 따른 식각액 조성물로 처리함으로써 제거가 요구되는 막질만을 선택적으로 제거할 수 있으며, 후속 공정의 신뢰성을 높여 반도체 장치의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 식각액 조성은 반도체 장치뿐 아니라 이를 포함하는 표시장치, MEMS 장치, 프린트 배선 기판 등의 제조공정에 사용 가능하다.
본 발명의 티타늄막 식각액 조성물은 우수한 티타늄막 식각속도 및 다른 막질에 대한 뛰어난 보호 효과를 가져 반도체 제조공정에 있어 향상된 식각 특성으로 생산성 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 7: 티타늄막 식각액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성에 따라 티타늄막 식각액 조성물을 제조하였다.
조성
(중량%)		 실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5 비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4 비교예 5 비교예 6 비교예 7
하이드록실 아민 A-11) 34.5 34.5 34.5 34.5 49 49.5 35 34.5 34.5 - - -
알칸올
아민		 B-12) 30 - - 30 1 - 30 - - - - -
B-23) - 30 - - - - - - - - - -
B-34 - - 30 - - - - - - - - -
알킬 아민 C-15) - - - - - - - 30 - - - -
C-26) - - - - - - - - 30 - - -
무기산 D-17) - - - - - - - - - 1 - 10
D-28) - - - - - - - - - - 1 -
퀴놀린계 첨가제 E-19) 1 1 1 - 1 1 - 1 1 - - -
E-210) - - - 1 - - - - - - - -
산화제 H2O2 - - - - - - - - - - - 10
물 34.5 34.5 34.5 34.5 49 49.5 35 34.5 34.5 99 99 80
1) A-1: 하이드록실 아민(Hydroxyl amine)
2) B-1: 모노에탄올아민(monoethanolamine)
3) B-2: 아미노에톡시에탄올(2-(2-Aminoethoxy)Ethanol)
4) B-3: 트리에탄올아민(Triethanol amine)
5) C-1: 에틸렌디아민(Ethylenediamine)
6) C-2: 트리에틸아민(Triethylamine)
7) D-1: 황산(Sulfuric acid)
8) D-2: 불산(Hydrofluoric acid)
9) E-1: 8-하이드록시퀴놀린(8-Quinolinol)
10) E-2: 8-하이드록시퀴놀린-5-술폰산(8-Hydroxyquinoline-5-sulfonic Acid)
실험예 1: 식각 특성 평가
실리콘 웨이퍼 위에 티타늄막, 실리콘 산화막, 알루미늄막이 각각 단일막으로 증착된 웨이퍼를 준비하였다. 상기 기판을 2x2 cm 크기로 샘플링하여, 실시예 및 비교예로부터 얻어진 식각액 조성물을 70 ℃까지 승온한 후, 상기 기판을 1 내지 5분간 침적 하였다. 물로 세정 후 Ellipsometer(SE-MG-1000)를 통해 각각의 막두께 변화를 아래와 같은 기준으로 판단하여 그 결과를 표 2에 표시하였다.
<기준>
(1) 티타늄막 식각속도
◎: 식각속도 100 Å/min 이상
○: 식각속도 50 내지 100 Å/min 미만
△: 식각속도 50 Å/min 미만
×: 식각 안됨
(2) 실리콘 산화막 변화
◎: 부식 전혀 없음
○: 부식 거의 없음
△: 표면 거침 발생
×: 에칭 발생
(3) 알루미늄막 변화
◎: 부식 전혀 없음
○: 부식 거의 없음
△: 표면 거침 발생
×: 에칭 발생
티타늄막 실리콘 산화막 알루미늄막
실시예1 ◎ ◎ ◎
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ◎ ◎ ◎
실시예4 ◎ ◎ ◎
실시예5 ○ ◎ ◎
비교예1 △ ◎ ◎
비교예2 ◎ ○ △
비교예3 △ ◎ ◎
비교예4 △ ◎ ◎
비교예5 × ◎ ×
비교예6 ◎ × ×
비교예7 ○ ◎ ×
상기 표 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 제시하는 실시예 1 내지 5의 티타늄막 식각액은 비교예 1 내지 7과 비교하였을 때 티타늄막에 대한 식각 효과는 우수함과 동시에 패턴 상에 존재하는 다른 막인 실리콘 산화막, 알루미늄막에 대한 보호 효과도 탁월함을 확인하였다.
구체적으로, 알칸올 아민을 사용하지 않은 비교예 1, 3 및 4의 경우, 타 막질에 대한 보호 효과는 가지나 티타늄막 식각속도가 저하됨을 확인할 수 있었다.
다음으로 퀴놀린계 첨가제를 사용하지 않은 비교예 2의 경우, 티타늄막 식각은 가능하나 다른 막 특히, 알루미늄막에 대한 부식 억제는 이루어지지 않음을 확인할 수 있었다.
그리고, 본 발명의 조성과 전혀 다른 무기산과 산화제를 사용한 비교예 5 내지 7을 보면, 황산만을 사용한 비교예 5의 경우 티타늄막 식각과 알루미늄막 보호가 전혀 이루어지지 않았으며, 불산을 사용한 비교예 6은 티타늄 식각은 진행되었으나 타층에 대한 보호효과를 전혀 가지지 못함을 확인하였고, 황산과 산화제를 함께 사용한 비교예 7은 티타늄막 식각은 가능하나 알루미늄막 보호에 부적합함을 보였다.
본 발명의 티타늄막 식각액 조성물은 우수한 티타늄막 식각속도 및 다른 막질에 대한 뛰어난 보호 효과를 가져 반도체 제조공정에 있어 향상된 식각 특성으로 생산성 및 신뢰성을 크게 향상시킬 수 있다.

Claims (4)

  1. 하이드록실 아민, 알칸올 아민, 퀴놀린계 첨가제 및 물을 포함하는 티타늄막 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 알칸올 아민은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸디에탄올아민, N, N-디메틸에탄올아민, N, N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (하이드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, N-(2-하이드록시에틸)모폴린, N-(3-하이드록시프로필)모폴린 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 티타늄막 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 퀴놀린계 첨가제는 2-하이드록시퀴놀린, 4-하이드록시퀴놀린, 6-하이드록시퀴놀린, 8-하이드록시나이트로퀴놀린, 2-메틸-8-퀴놀리놀, 5-하이드록시아이소퀴놀린, 8-하이드록시퀴놀린-5-술폰산 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 티타늄막 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 티타늄막 식각액 조성물은 전체 조성물 100 중량%를 만족하도록,
    하이드록실 아민 25 내지 50 중량%,
    알칸올 아민 1 내지 50 중량%,
    첨가제 0.01 내지 3 중량%, 및
    잔부로 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 티타늄막 식각액 조성물.
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