JP2023165801A5 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 38
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 14
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (7)
- シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上に位置する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に位置する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置する領域を有する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上に位置する領域を有し、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層上に位置する領域と、前記第３の導電層上に位置する領域と、前記第４の導電層上に位置する領域と、を有する第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜上に位置する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層との重なりを有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１のチャネル形成領域との重なりを有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層との重なりを有する、半導体装置。 - シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上に位置する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に位置する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置する領域を有する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上に位置する領域を有し、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層上に位置する領域と、前記第３の導電層上に位置する領域と、前記第４の導電層上に位置する領域と、を有する第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜上に位置する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層との重なりを有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１のチャネル形成領域との重なりを有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層との重なりを有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１のチャネル形成領域と重ならない、半導体装置。 - シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上に位置する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に位置する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置する領域を有する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上に位置する領域を有し、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層上に位置する領域と、前記第３の導電層上に位置する領域と、前記第４の導電層上に位置する領域と、を有する第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜上に位置する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層との重なりを有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１のチャネル形成領域との重なりを有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層との重なりを有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の導電層と重ならない領域を有し、
前記領域は、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、インジウム、フッ素、塩素、チタン、及び亜鉛のいずれかから選択される一以上を含む、半導体装置。 - シリコンを含む第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタと、
酸化物半導体を含む第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記第１のチャネル形成領域上に位置する領域を有する第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に位置する領域を有する第１の導電層と、
前記第１の導電層の側面と接する領域を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に位置する領域を有する第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のチャネル形成領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に位置する領域を有する第４の絶縁膜と、
前記第４の絶縁膜上に位置する領域を有し、前記第２のチャネル形成領域との重なりを有する第２の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方としての機能を有する第３の導電層と、
前記酸化物半導体層の上面と接する領域を有し、且つ前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の他方としての機能を有する第４の導電層と、
前記第２の導電層上に位置する領域と、前記第３の導電層上に位置する領域と、前記第４の導電層上に位置する領域と、を有する第５の絶縁膜と、
前記第５の絶縁膜上に位置する領域を有する第５の導電層と、を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層との重なりを有し、
前記第１の導電層の上面は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第１のチャネル形成領域との重なりを有し、
前記第５の導電層は、前記第１の導電層との重なりを有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の導電層と重ならない領域を有し、
前記領域は、リン、砒素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、インジウム、フッ素、塩素、チタン、及び亜鉛のいずれかから選択される一以上を含み、
前記酸化物半導体層は、前記第１のチャネル形成領域と重ならない、半導体装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の膜厚は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である半導体装置。 - 請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有する半導体装置。 - 請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜として、窒化シリコン膜を有し、
前記第３の絶縁膜及び前記第４の絶縁膜としてそれぞれ、酸化シリコン膜を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024113893A JP2024147700A (ja) | 2011-06-10 | 2024-07-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011129976 | 2011-06-10 | ||
| JP2011129976 | 2011-06-10 | ||
| JP2021072437A JP6999848B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-04-22 | 半導体装置 |
| JP2021207907A JP7354220B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-12-22 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021207907A Division JP7354220B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-12-22 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024113893A Division JP2024147700A (ja) | 2011-06-10 | 2024-07-17 | 半導体装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023165801A JP2023165801A (ja) | 2023-11-17 |
| JP2023165801A5 true JP2023165801A5 (ja) | 2023-12-04 |
| JP7524435B2 JP7524435B2 (ja) | 2024-07-29 |
Family
ID=47293530
Family Applications (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012121639A Expired - Fee Related JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2012-05-29 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2015136608A Expired - Fee Related JP6025928B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-07-08 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2016199903A Active JP6291552B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-11 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2018021838A Expired - Fee Related JP6461392B2 (ja) | 2011-06-10 | 2018-02-09 | 半導体装置 |
| JP2018240815A Active JP6681969B2 (ja) | 2011-06-10 | 2018-12-25 | 半導体装置 |
| JP2020052391A Active JP6875577B2 (ja) | 2011-06-10 | 2020-03-24 | 半導体装置 |
| JP2021072437A Active JP6999848B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-04-22 | 半導体装置 |
| JP2021207907A Active JP7354220B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-12-22 | 半導体装置 |
| JP2023152067A Active JP7524435B2 (ja) | 2011-06-10 | 2023-09-20 | 半導体装置 |
| JP2024113893A Pending JP2024147700A (ja) | 2011-06-10 | 2024-07-17 | 半導体装置 |
Family Applications Before (8)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012121639A Expired - Fee Related JP6005401B2 (ja) | 2011-06-10 | 2012-05-29 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2015136608A Expired - Fee Related JP6025928B2 (ja) | 2011-06-10 | 2015-07-08 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2016199903A Active JP6291552B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-11 | 半導体装置の作製方法 |
| JP2018021838A Expired - Fee Related JP6461392B2 (ja) | 2011-06-10 | 2018-02-09 | 半導体装置 |
| JP2018240815A Active JP6681969B2 (ja) | 2011-06-10 | 2018-12-25 | 半導体装置 |
| JP2020052391A Active JP6875577B2 (ja) | 2011-06-10 | 2020-03-24 | 半導体装置 |
| JP2021072437A Active JP6999848B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-04-22 | 半導体装置 |
| JP2021207907A Active JP7354220B2 (ja) | 2011-06-10 | 2021-12-22 | 半導体装置 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024113893A Pending JP2024147700A (ja) | 2011-06-10 | 2024-07-17 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US9287407B2 (ja) |
| JP (10) | JP6005401B2 (ja) |
| KR (3) | KR102069385B1 (ja) |
| TW (8) | TW202414610A (ja) |
Families Citing this family (76)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6009226B2 (ja) | 2011-06-10 | 2016-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US8673426B2 (en) * | 2011-06-29 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit |
| JP6013685B2 (ja) | 2011-07-22 | 2016-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8994019B2 (en) | 2011-08-05 | 2015-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US8952379B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-02-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| WO2013039126A1 (en) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9082663B2 (en) | 2011-09-16 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US9431545B2 (en) | 2011-09-23 | 2016-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP5912394B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8637864B2 (en) | 2011-10-13 | 2014-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| KR20140086954A (ko) * | 2011-10-28 | 2014-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제작 방법 |
| US9653614B2 (en) | 2012-01-23 | 2017-05-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US9419146B2 (en) | 2012-01-26 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US8956912B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8916424B2 (en) | 2012-02-07 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US20130221345A1 (en) * | 2012-02-28 | 2013-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| JP6019331B2 (ja) * | 2012-03-05 | 2016-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | トランジスタ、半導体装置、表示装置および電子機器、並びに半導体装置の製造方法 |
| KR20130136063A (ko) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
| US9488315B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution apparatus for directional and proportional delivery of process gas to a process chamber |
| KR102089314B1 (ko) * | 2013-05-14 | 2020-04-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| KR102044667B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2019-11-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 산화물 박막 트랜지스터를 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| JP6374221B2 (ja) | 2013-06-05 | 2018-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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2012
- 2012-05-29 JP JP2012121639A patent/JP6005401B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-31 US US13/484,670 patent/US9287407B2/en active Active
- 2012-06-05 TW TW112145005A patent/TW202414610A/zh unknown
- 2012-06-05 TW TW111103172A patent/TWI828047B/zh active
- 2012-06-05 TW TW106102180A patent/TWI631628B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-05 TW TW105110577A patent/TWI581339B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-05 TW TW107117085A patent/TWI754751B/zh active
- 2012-06-05 TW TW108125823A patent/TWI754830B/zh active
- 2012-06-05 TW TW112123210A patent/TW202341290A/zh unknown
- 2012-06-05 TW TW101120145A patent/TWI559407B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-06-07 KR KR1020120060780A patent/KR102069385B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-07-08 JP JP2015136608A patent/JP6025928B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-02-12 KR KR1020160016143A patent/KR102112302B1/ko active IP Right Grant
- 2016-02-16 US US15/044,428 patent/US9837545B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-11 JP JP2016199903A patent/JP6291552B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-30 US US15/827,426 patent/US10833202B2/en active Active
-
2018
- 2018-02-09 JP JP2018021838A patent/JP6461392B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2018-12-25 JP JP2018240815A patent/JP6681969B2/ja active Active
-
2020
- 2020-03-24 JP JP2020052391A patent/JP6875577B2/ja active Active
- 2020-05-12 KR KR1020200056653A patent/KR102188546B1/ko active IP Right Grant
-
2021
- 2021-04-22 JP JP2021072437A patent/JP6999848B2/ja active Active
- 2021-12-22 JP JP2021207907A patent/JP7354220B2/ja active Active
-
2023
- 2023-09-20 JP JP2023152067A patent/JP7524435B2/ja active Active
-
2024
- 2024-07-17 JP JP2024113893A patent/JP2024147700A/ja active Pending
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