JP2023136805A - Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 - Google Patents
Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023136805A JP2023136805A JP2022042702A JP2022042702A JP2023136805A JP 2023136805 A JP2023136805 A JP 2023136805A JP 2022042702 A JP2022042702 A JP 2022042702A JP 2022042702 A JP2022042702 A JP 2022042702A JP 2023136805 A JP2023136805 A JP 2023136805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molded body
- contact
- supply body
- supply
- composite structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 22
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002459 porosimetry Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F28—HEAT EXCHANGE IN GENERAL
- F28F—DETAILS OF HEAT-EXCHANGE AND HEAT-TRANSFER APPARATUS, OF GENERAL APPLICATION
- F28F21/00—Constructions of heat-exchange apparatus characterised by the selection of particular materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0006—Honeycomb structures
- C04B38/0009—Honeycomb structures characterised by features relating to the cell walls, e.g. wall thickness or distribution of pores in the walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02167—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon carbide not containing oxygen, e.g. SiC, SiC:H or silicon carbonitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
- C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/66—Monolithic refractories or refractory mortars, including those whether or not containing clay
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
- C04B38/0006—Honeycomb structures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5093—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with elements other than metals or carbon
- C04B41/5096—Silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
Abstract
【課題】Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率を向上できるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法は、ＳｉＣを含む成形体にＳｉを含む供給体を接触させた状態で、供給体を加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を前記成形体に含浸させる工程を含み、供給体における成形体との接触部分は、成形体と向かい合う面の一部である。【選択図】図４
Description
本発明は、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に関する。
Ｓｉ－ＳｉＣ系複合材料は、優れた熱伝導率を有しており、各種産業製品への利用が期待されている。このようなＳｉ－ＳｉＣ系複合材料から形成される構造体（以下、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体とする。）の製造方法として、例えば、Ｓｉを含む含浸金属供給体を、ＳｉＣを含む被含浸体上に載せた後、１２００℃以上１６００℃以下に加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を被含浸体に含浸させる技術が提案されている（特許文献１参照）。
しかし、このような技術では、含浸金属供給体の下面全体が被含浸体に接触した状態で含浸工程が実施されるので、被含浸体に対して含浸金属供給体が付着する（こびりつく）場合がある。被含浸体に対して含浸金属供給体が付着する（こびりつく）と、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合材料の質量、寸法、性能などが許容可能な範囲からはずれるおそれがある。そのため、被含浸体に対する含浸金属供給体の過剰な付着は除去する必要があり、含浸金属供給体の付着を十分に除去できない製品は破棄せざるを得ない。そのため、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の歩留まりが低下し得る。
また、被含浸体に対する含浸金属供給体の付着箇所は、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造毎に異なるおそれがあり、含浸金属供給体の付着箇所を予測することも困難である。そのため、被含浸体に対する含浸金属供給体の付着分の除去工程が煩雑となり得る。このように、特許文献１に記載の技術では、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率の向上に改善の余地がある。
また、被含浸体に対する含浸金属供給体の付着箇所は、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造毎に異なるおそれがあり、含浸金属供給体の付着箇所を予測することも困難である。そのため、被含浸体に対する含浸金属供給体の付着分の除去工程が煩雑となり得る。このように、特許文献１に記載の技術では、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率の向上に改善の余地がある。
本発明の主たる目的は、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率を向上できるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法を提供することにある。
本発明の実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法は、ＳｉＣを含む成形体にＳｉを含む供給体を接触させた状態で、前記供給体を加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を前記成形体に含浸させる工程を含み、前記供給体における前記成形体との接触部分は、前記成形体と向かい合う面の一部である。
１つの実施形態においては、上記供給体における成形体と向かい合う面には、上記成形体に向かって突出する凸部が設けられ、前記凸部が前記成形体と接触する。
１つの実施形態においては、上記凸部は、断面円弧形状を含んでいる。
１つの実施形態においては、上記凸部は、角錐形状を有している。
１つの実施形態においては、上記供給体は、上記成形体と複数箇所で接触している。この場合、上記供給体における成形体との複数の接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔は、７８．５ｍｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記供給体における成形体との接触部分は、線状に延びている。
１つの実施形態においては、上記成形体は、ハニカム構造を有している。
１つの実施形態においては、上記供給体における成形体と向かい合う面には、上記成形体に向かって突出する凸部が設けられ、前記凸部が前記成形体と接触する。
１つの実施形態においては、上記凸部は、断面円弧形状を含んでいる。
１つの実施形態においては、上記凸部は、角錐形状を有している。
１つの実施形態においては、上記供給体は、上記成形体と複数箇所で接触している。この場合、上記供給体における成形体との複数の接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔は、７８．５ｍｍ以下である。
１つの実施形態においては、上記供給体における成形体との接触部分は、線状に延びている。
１つの実施形態においては、上記成形体は、ハニカム構造を有している。
本発明の実施形態によれば、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率を向上できるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法を実現することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。
Ａ．Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法の概要
図１は、本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に係る成形体の平面図であり；図２は、本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に係る供給体の斜視図であり；図３は、図２の供給体の底面図であり；図４は、図２の供給体を図１の成形体に接触させた状態を示す概略断面図である。
本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法は、ＳｉＣを含む成形体１に、Ｓｉを含む供給体２を接触させた状態で、供給体２を加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を成形体１に含浸させる工程（含浸工程）を含んでいる。含浸工程において、供給体２における成形体１との接触部分は、成形体１と向かい合う面の一部である。
本発明者らは、含浸工程において、供給体の一部が成形体と接触していれば、その接触部分を介して、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体に含浸させ得ることを見出し、本発明を完成させた。上記の方法によれば、含浸工程において、供給体における成形体と向かい合う面の一部が成形体と接触しているので、供給体における成形体と向かい合う面の全体が成形体と接触している場合と比較して、成形体に対する供給体の付着量を低減できる。そのため、供給体の付着を容易に除去でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の歩留まりを向上できる。また、供給体が付着し得る箇所を限定できるので、成形体に付着した供給体の除去工程を円滑に実施できる。その結果、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率を向上できる。
図１は、本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に係る成形体の平面図であり；図２は、本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に係る供給体の斜視図であり；図３は、図２の供給体の底面図であり；図４は、図２の供給体を図１の成形体に接触させた状態を示す概略断面図である。
本発明の１つの実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法は、ＳｉＣを含む成形体１に、Ｓｉを含む供給体２を接触させた状態で、供給体２を加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を成形体１に含浸させる工程（含浸工程）を含んでいる。含浸工程において、供給体２における成形体１との接触部分は、成形体１と向かい合う面の一部である。
本発明者らは、含浸工程において、供給体の一部が成形体と接触していれば、その接触部分を介して、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体に含浸させ得ることを見出し、本発明を完成させた。上記の方法によれば、含浸工程において、供給体における成形体と向かい合う面の一部が成形体と接触しているので、供給体における成形体と向かい合う面の全体が成形体と接触している場合と比較して、成形体に対する供給体の付着量を低減できる。そのため、供給体の付着を容易に除去でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の歩留まりを向上できる。また、供給体が付着し得る箇所を限定できるので、成形体に付着した供給体の除去工程を円滑に実施できる。その結果、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率を向上できる。
成形体は、含浸工程においてＳｉを含む溶融金属が含浸される被含浸体である。成形体は、上記の通りＳｉＣを主成分として含んでいる。なお、本明細書において例えば「ＳｉＣ」という表記は、純粋なＳｉＣのみならず、不可避の不純物を含むＳｉＣも包含することを意図している。成形体の構成材料は、ＳｉＣに加えて、Ａｌおよび／またはＳｉを含有することもできる。また、成形体の構成材料は、成形助剤をさらに含有してもよい。成形体におけるＳｉＣの含有割合は、例えば５０質量％以上、好ましくは８５質量％以上であり、例えば１００質量％以下、好ましくは９５質量％以下である。
供給体は、上記の通りＳｉを主成分として含んでいる。供給体の構成材料は、Ｓｉに加えて、Ａｌを含有することもできる。また、供給体の構成材料は、成形助剤をさらに含有してもよい。
供給体におけるＳｉの含有割合は、例えば５０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、例えば１００質量％以下、好ましくは９７質量％以下、さらに好ましくは９６質量％以下である。供給体におけるＳｉの含有割合がこのような範囲であれば、含浸工程において、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体に均一に含浸でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体におけるＳｉの含浸量の均一化を図ることができる。
供給体におけるＳｉの含有割合は、例えば５０質量％以上、好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上であり、例えば１００質量％以下、好ましくは９７質量％以下、さらに好ましくは９６質量％以下である。供給体におけるＳｉの含有割合がこのような範囲であれば、含浸工程において、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体に均一に含浸でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体におけるＳｉの含浸量の均一化を図ることができる。
１つの実施形態において、供給体２は、成形体１と複数箇所で接触している。供給体２における成形体１との複数の接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔Ｌは、７８．５ｍｍ以下、好ましくは７０ｍｍ以下、より好ましくは６０ｍｍ以下である。互いに隣り合う接触部分の間の間隔Ｌが上記上限以下であれば、含浸工程において、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体により均一に含浸でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体において、Ｓｉの含浸が不十分な部分（Ｓｉの含浸抜け）が生じることを抑制できる。その結果、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の性能のばらつきを抑制でき、優れた性能を有するＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体を安定して製造できる。とりわけ、供給体におけるＳｉの含有割合が上記範囲であり、互いに隣り合う接触部分の間の間隔Ｌが上記上限以下であると、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体におけるＳｉの含浸量のさらなる均一化を図ることができる。なお、互いに隣り合う接触部分の間の間隔Ｌの下限は、代表的には１０ｍｍ以上である。
１つの実施形態において、供給体と成形体との接触部分と、成形体の端面との間の距離は、上記間隔Ｌの１／２以下である。このような構成であれば、含浸工程において、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体により一層均一に含浸できる。
１つの実施形態において、供給体と成形体との接触部分と、成形体の端面との間の距離は、上記間隔Ｌの１／２以下である。このような構成であれば、含浸工程において、Ｓｉを含む溶融金属を成形体の全体により一層均一に含浸できる。
成形体１に対する供給体２の接触は、点接触であってもよく、線接触であってもよく、面接触であってもよい。供給体２が成形体１と複数箇所で接触している場合、複数の接触部分は、その全てが点接触、線接触または面接触のいずれか１つであってもよく、点接触、線接触または面接触のうち２種以上を含んでいてもよい。供給体２と成形体１とが面接触する場合、上記した互いに隣り合う接触部分の間の間隔Ｌ、および、接触部分と成形体の端面との間の距離のそれぞれは、面接触部分の端部（端縁）を基準に測定される。例えば、互いに隣り合う面接触部分の間の間隔Ｌは、面接触部分の端部（端縁）から他の面接触部分の端部（端縁）までの距離を意味し、互いに隣り合う面接触部分と点接触部分との間の間隔Ｌは、面接触部分の端部（端縁）から点接触部分までの距離を意味する。
供給体と成形体との接触部分の面積（接触部分が複数である場合、複数の接触部分の面積の総和）は、供給体における成形体と向かい合う面の面積を１００％としたときに、例えば４０％以下、好ましくは３０％以下である。接触部分の面積が上記上限以下であれば、成形体に対する供給体の付着量をさらに低減でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率をより向上できる。なお、接触部分の面積の下限は、代表的には１％以上である。
含浸工程では、代表的には、ＳｉＣを含む成形体１に、Ｓｉを含む供給体２を接触させた状態で、成形体１および供給体２を加熱する。加熱温度は、例えば１２００℃以上、好ましくは１３００℃以上であり、例えば１６００℃以下、好ましくは１５００℃以下である。加熱時間は、例えば１０分以上、好ましくは１時間以上である。加熱温度が上記範囲、および／または、加熱時間が上記下限以上であると、Ｓｉを含む溶融金属を成形体に円滑に含浸できる。なお、加熱時間の上限は、代表的には１０時間以下、好ましくは５時間以下である。加熱時間が上記上限以下であると、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造効率をさらに向上できる。
含浸工程は、好ましくは、減圧下において実施される。含浸工程が減圧下で実施されると、Ｓｉを含む溶融金属を成形体により一層円滑に含浸できる。含浸工程における圧力は、例えば５００Ｐａ以下、好ましくは３００Ｐａ以下、さらに好ましくは２００Ｐａ以下であり、代表的には１０Ｐａ以上である。なお、含浸工程は、常圧（０．１ＭＰａ）下で実施することもできる。
含浸工程は、好ましくは、減圧下において実施される。含浸工程が減圧下で実施されると、Ｓｉを含む溶融金属を成形体により一層円滑に含浸できる。含浸工程における圧力は、例えば５００Ｐａ以下、好ましくは３００Ｐａ以下、さらに好ましくは２００Ｐａ以下であり、代表的には１０Ｐａ以上である。なお、含浸工程は、常圧（０．１ＭＰａ）下で実施することもできる。
以下、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法に係る成形体および供給体について説明する。
Ｂ．成形体（ハニカム成形体）
成形体としては、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の用途に応じて、任意の適切な形状が採用され得る。成形体の形状として、例えば、円柱形状、楕円柱形状、角柱形状が挙げられる。また、成形体は、成形体の軸線方向（長さ方向）に直交する方向の断面において、その中心部に中空領域を有していてもよい。
１つの実施形態において、成形体は、ハニカム構造を有するハニカム成形体である。成形体がハニカム成形体である場合、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体は、ハニカム構造体であり得る。ハニカム成形体は、複数のセルを有する。セルは、ハニカム成形体の軸線方向（長さ方向）において、ハニカム成形体の第１端面から第２端面まで延びている。セルは、ハニカム成形体の軸線方向に直交する方向の断面において、任意の適切な形状を有する。セルの断面形状として、例えば、三角形、四角形、五角形、六角形以上の多角形が挙げられる。セルの断面形状およびサイズは、すべてが同一であってもよく、少なくとも一部が異なっていてもよい。
成形体としては、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の用途に応じて、任意の適切な形状が採用され得る。成形体の形状として、例えば、円柱形状、楕円柱形状、角柱形状が挙げられる。また、成形体は、成形体の軸線方向（長さ方向）に直交する方向の断面において、その中心部に中空領域を有していてもよい。
１つの実施形態において、成形体は、ハニカム構造を有するハニカム成形体である。成形体がハニカム成形体である場合、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体は、ハニカム構造体であり得る。ハニカム成形体は、複数のセルを有する。セルは、ハニカム成形体の軸線方向（長さ方向）において、ハニカム成形体の第１端面から第２端面まで延びている。セルは、ハニカム成形体の軸線方向に直交する方向の断面において、任意の適切な形状を有する。セルの断面形状として、例えば、三角形、四角形、五角形、六角形以上の多角形が挙げられる。セルの断面形状およびサイズは、すべてが同一であってもよく、少なくとも一部が異なっていてもよい。
ハニカム成形体の１つの実施形態を図１に示す。ハニカム成形体１ａは、円柱形状を有しており、その中心部に中空領域を有している。ハニカム成形体１ａの第１端面（上面）および第２端面（下面）のそれぞれは、ハニカム成形体の軸線方向に直交する平面である。ハニカム成形体の外径は、目的に応じて適切に設定され得る。ハニカム成形体の外径は、例えば２０ｍｍ～２００ｍｍであり得、また例えば３０ｍｍ～１００ｍｍであり得る。なお、ハニカム成形体の断面形状が円形でない場合には、ハニカム成形体の断面形状（例えば、多角形）に内接する最大内接円の直径をハニカム構造体の外径とすることができる。ハニカム成形体の長さは、目的に応じて適切に設定され得る。ハニカム成形体の長さは、例えば３ｍｍ～２００ｍｍであり得、また例えば５ｍｍ～１００ｍｍであり得、また例えば１０ｍｍ～５０ｍｍであり得る。
ハニカム成形体１ａは、外周壁１１と；外周壁１１の内側に位置している内周壁１２と；外周壁１１と内周壁１２との間に位置している隔壁１３と；を備えている。
ハニカム成形体１ａは、外周壁１１と；外周壁１１の内側に位置している内周壁１２と；外周壁１１と内周壁１２との間に位置している隔壁１３と；を備えている。
外周壁１１は、円筒形状を有している。内周壁１２は、外周壁１１よりも小径な円筒形状を有している。外周壁１１および内周壁１２は、軸線を共有している。外周壁１１および内周壁１２のそれぞれの厚みは、ハニカム構造体の用途に応じて適切に設定され得る。外周壁１１および内周壁１２のそれぞれの厚みは、例えば０．３ｍｍ～１０ｍｍであり得、また例えば０．５ｍｍ～５ｍｍであり得る。外周壁および／または内周壁の厚みがこのような範囲であれば、外力による壁の破壊（例えば、ひび、割れ）を抑制できる。
隔壁１３は、複数のセル１４を規定している。より詳しくは、隔壁１３は、内周壁１２から外周壁１１まで放射方向に延びる第１隔壁１３ａと、周方向に延びる第２隔壁１３ｂとを有しており、第１隔壁１３ａおよび第２隔壁１３ｂが、複数のセル１４を規定している。セル１４の断面形状は、四角形（ハニカム成形体の径方向に長手の長方形）である。
また、図示しないが、第１隔壁１３ａと第２隔壁１３ｂとは、互いに直交し、内周壁１２および外周壁１１と接する部分を除いて四角形（正方形）の断面形状を有するセル１４を規定していてもよい。
ハニカム成形体の軸線方向に直交する方向の断面におけるセル密度（すなわち、単位面積当たりのセル１４の数）は、目的に応じて適切に設定され得る。セル密度は、例えば４セル／ｃｍ２～３２０セル／ｃｍ２であり得る。セル密度がこのような範囲であれば、ハニカム構造体の強度および有効ＧＳＡ（幾何学的表面積）を十分に確保できる。
隔壁１３の厚みは、ハニカム構造体の用途に応じて適切に設定され得る。隔壁１３の厚みは、代表的には、外周壁１１および内周壁１２のそれぞれの厚みよりも薄い。隔壁１３の厚みは、例えば０．１ｍｍ～１．０ｍｍであり得、また例えば０．２ｍｍ～０．６ｍｍであり得る。隔壁の厚みがこのような範囲であれば、ハニカム構造体の機械的強度を十分なものとすることができ、かつ、開口面積（断面におけるセルの総面積）を十分なものとすることができる。
また、図示しないが、第１隔壁１３ａと第２隔壁１３ｂとは、互いに直交し、内周壁１２および外周壁１１と接する部分を除いて四角形（正方形）の断面形状を有するセル１４を規定していてもよい。
ハニカム成形体の軸線方向に直交する方向の断面におけるセル密度（すなわち、単位面積当たりのセル１４の数）は、目的に応じて適切に設定され得る。セル密度は、例えば４セル／ｃｍ２～３２０セル／ｃｍ２であり得る。セル密度がこのような範囲であれば、ハニカム構造体の強度および有効ＧＳＡ（幾何学的表面積）を十分に確保できる。
隔壁１３の厚みは、ハニカム構造体の用途に応じて適切に設定され得る。隔壁１３の厚みは、代表的には、外周壁１１および内周壁１２のそれぞれの厚みよりも薄い。隔壁１３の厚みは、例えば０．１ｍｍ～１．０ｍｍであり得、また例えば０．２ｍｍ～０．６ｍｍであり得る。隔壁の厚みがこのような範囲であれば、ハニカム構造体の機械的強度を十分なものとすることができ、かつ、開口面積（断面におけるセルの総面積）を十分なものとすることができる。
外周壁１１、内周壁１２および隔壁１３のそれぞれにおける空隙率は、目的に応じて適切に設定され得る。それらの空隙率は、例えば１５％以上、好ましくは２０％以上であり、例えば５０％以下、好ましくは４５％以下である。なお、空隙率は、例えば水銀圧入法により測定され得る。外周壁、内周壁および隔壁における空隙率がこのような範囲であれば、含浸工程において、毛細管力を利用して溶融金属をハニカム成形体に含浸させることができる。
外周壁１１、内周壁１２および隔壁１３のそれぞれの密度（成形体の密度）は、目的に応じて適切に設定され得る。それらの密度は、例えば１．７ｇ／ｃｍ３以上、好ましくは１．８ｇ／ｃｍ３以上であり、例えば２．６ｇ／ｃｍ３以下、好ましくは２．８ｇ／ｃｍ３以下である。なお、密度は、例えば水銀圧入法により測定され得る。外周壁、内周壁および隔壁のそれぞれの密度がこのような範囲であれば、外周壁、内周壁および隔壁の内部に、上記した空隙率で空隙を形成することができる。
外周壁１１、内周壁１２および隔壁１３のそれぞれの密度（成形体の密度）は、目的に応じて適切に設定され得る。それらの密度は、例えば１．７ｇ／ｃｍ３以上、好ましくは１．８ｇ／ｃｍ３以上であり、例えば２．６ｇ／ｃｍ３以下、好ましくは２．８ｇ／ｃｍ３以下である。なお、密度は、例えば水銀圧入法により測定され得る。外周壁、内周壁および隔壁のそれぞれの密度がこのような範囲であれば、外周壁、内周壁および隔壁の内部に、上記した空隙率で空隙を形成することができる。
このような成形体（ハニカム成形体）は、以下の方法により作製され得る。まず、ＳｉＣ粉末を含む無機材料粉末にバインダーと水または有機溶媒とを加え、得られた混合物を混練して坏土とし、坏土を所望の形状に成形（代表的には押出成形）し乾燥させて、乾燥体（ハニカム乾燥体）を作製する。次いで、乾燥体（ハニカム乾燥体）を所定の外形加工することによって、所望形状の成形体（ハニカム成形体）を得ることができる。
Ｃ．供給体
供給体としては、成形体の形状に応じて、任意の適切な形状が採用され得る。供給体は、例えば、所定の厚みを有する板形状を有する。供給体の厚み方向と直交する方向の断面形状として、例えば、円形状、楕円形状、多角形状が挙げられる。また、供給体は、その断面の中心部に中空領域を有していてもよい。中空領域を有する供給体は、いわゆるドーナツ形状である。
供給体としては、成形体の形状に応じて、任意の適切な形状が採用され得る。供給体は、例えば、所定の厚みを有する板形状を有する。供給体の厚み方向と直交する方向の断面形状として、例えば、円形状、楕円形状、多角形状が挙げられる。また、供給体は、その断面の中心部に中空領域を有していてもよい。中空領域を有する供給体は、いわゆるドーナツ形状である。
１つの実施形態において、供給体は、凸部を有する。凸部を有する供給体を図２から図８に示す。
図２および図３に示すように、供給体２は、中心部に中空領域を有する円板形状（円環板形状）を有する本体２１と；本体２１から突出する複数の凸部２２と；を備えている。
本体２１の厚みは、目的に応じて適切に設定され得る。本体２１の厚みは、例えば５ｍｍ～２５ｍｍであり得、また例えば８ｍｍ～１５ｍｍであり得る。
複数の凸部２２は、本体２１の厚み方向における一方面に設けられている。複数の凸部２２は、代表的には、本体２１の周方向に互いに等間隔を空けて配置されている。凸部２２の個数は、図示例では４であるが、これに限定されない。凸部２２の個数は、例えば４以上２０以下であり得、また例えば４以上１０以下であり得る。凸部２２の突出長さ（本体の厚み方向における寸法）は、目的に応じて適切に設定され得る。凸部２２の突出長さは、例えば０．５ｍｍ～５ｍｍであり得、また例えば１ｍｍ～３ｍｍであり得る。図４に示すように、凸部２２は、本体２１の厚み方向における断面が円弧形状（断面円弧形状）を含む。１つの実施形態において、凸部は、半球形状であり得る。凸部が断面円弧形状を有していると、供給体の製造（特にプレス成形）するときに、凸部にカケが発生しにくい。そのため、供給体の製造時の形状安定性を期待できる。
図２および図３に示すように、供給体２は、中心部に中空領域を有する円板形状（円環板形状）を有する本体２１と；本体２１から突出する複数の凸部２２と；を備えている。
本体２１の厚みは、目的に応じて適切に設定され得る。本体２１の厚みは、例えば５ｍｍ～２５ｍｍであり得、また例えば８ｍｍ～１５ｍｍであり得る。
複数の凸部２２は、本体２１の厚み方向における一方面に設けられている。複数の凸部２２は、代表的には、本体２１の周方向に互いに等間隔を空けて配置されている。凸部２２の個数は、図示例では４であるが、これに限定されない。凸部２２の個数は、例えば４以上２０以下であり得、また例えば４以上１０以下であり得る。凸部２２の突出長さ（本体の厚み方向における寸法）は、目的に応じて適切に設定され得る。凸部２２の突出長さは、例えば０．５ｍｍ～５ｍｍであり得、また例えば１ｍｍ～３ｍｍであり得る。図４に示すように、凸部２２は、本体２１の厚み方向における断面が円弧形状（断面円弧形状）を含む。１つの実施形態において、凸部は、半球形状であり得る。凸部が断面円弧形状を有していると、供給体の製造（特にプレス成形）するときに、凸部にカケが発生しにくい。そのため、供給体の製造時の形状安定性を期待できる。
このような供給体２は、含浸工程において、凸部２２が成形体１（ハニカム成形体１ａ）の第１端面と接触するように、成形体１（ハニカム成形体１ａ）に載せられる。この状態で、供給体２における凸部２２を含む面が成形体１（ハニカム成形体１ａ）と向かい合っており、凸部２２が、本体２１から成形体１に向かって突出している。凸部２２の一部（詳しくは円弧の頂点部）が、成形体１（ハニカム成形体１ａ）の第１端面と接触している。
図５に示すように、本体２１は、中空領域を有しなくてもよい。また、凸部２２のサイズは特に制限されない。
図６および図７に示すように、凸部２２は、角錐形状を有していてもよい。凸部が角錐形状を有していると、凸部が断面円弧形状である場合と比較して、成形体との接触位置を精度よく設定できる。そのため、供給体が付着し得る箇所を精度よくコントロールでき、成形体に付着した供給体の除去工程をより円滑に実施できる。角錐形状として、例えば、三角錐、四角錐、五角錐以上の多角錐が挙げられる。角錐形状である凸部の頂点部の角度は、任意の適切な値が設定され得る。
図８に示すように、本体２１は、中心部に中空領域を有する円柱形状（円筒形状）を有し、凸部２２は、本体２１の外周面に設けられていてもよい。この場合、成形体１（ハニカム成形体１ａ）は、中空領域を有している。含浸工程において、供給体２は、成形体１（ハニカム成形体１ａ）の中空領域内に配置され、凸部２２は、成形体１（ハニカム成形体１ａ）の内周面と接触する。
図６および図７に示すように、凸部２２は、角錐形状を有していてもよい。凸部が角錐形状を有していると、凸部が断面円弧形状である場合と比較して、成形体との接触位置を精度よく設定できる。そのため、供給体が付着し得る箇所を精度よくコントロールでき、成形体に付着した供給体の除去工程をより円滑に実施できる。角錐形状として、例えば、三角錐、四角錐、五角錐以上の多角錐が挙げられる。角錐形状である凸部の頂点部の角度は、任意の適切な値が設定され得る。
図８に示すように、本体２１は、中心部に中空領域を有する円柱形状（円筒形状）を有し、凸部２２は、本体２１の外周面に設けられていてもよい。この場合、成形体１（ハニカム成形体１ａ）は、中空領域を有している。含浸工程において、供給体２は、成形体１（ハニカム成形体１ａ）の中空領域内に配置され、凸部２２は、成形体１（ハニカム成形体１ａ）の内周面と接触する。
１つの実施形態において、供給体における成形体との接触部分は、線状に延びている。成形体と線状に接触可能な供給体を図９から図１１に示す。供給体における成形体との接触部分が線状に延びていると、接触部分の一部にカケなどの破損が生じても、供給体と成形体との接触面積を十分に確保でき、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体におけるＳｉの含浸抜けが生じることを安定して抑制できる。
図９に示すように、供給体２は、いわゆるドーナツ形状を有している。供給体２における成形体１と向かい合う面は、厚み方向における断面が円弧形状（断面円弧形状）を有している。断面円弧形状の面は、供給体２の周方向の全体にわたって延びている。含浸工程において、供給体２の断面円弧形状の面の一部（詳しくは頂点部）は、成形体１（ハニカム成形体１ａ）に対して、供給体の周方向に延びる線状に接触する。
また、図１０に示すように、供給体２における成形体１と向かい合う面は、厚み方向における断面がＶ字形状（断面Ｖ字形状）を有していてもよい。断面Ｖ字形状の面の頂点部の角度は、任意の適切な値が設定され得る。
なお、図９および図１０に示す構成では、供給体２は、中空領域を有しているが、中空領域を有しなくてもよい。この場合、図示しないが、上記特定の断面形状（断面円弧形状、断面Ｖ字形状）を有する面を含む供給体の部分は、円板形状を有する本体の周端部から突出しており、凸部に相当し得る。また、図１１に示すように、供給体２は、断面円形状であってもよい。
また、図１０に示すように、供給体２における成形体１と向かい合う面は、厚み方向における断面がＶ字形状（断面Ｖ字形状）を有していてもよい。断面Ｖ字形状の面の頂点部の角度は、任意の適切な値が設定され得る。
なお、図９および図１０に示す構成では、供給体２は、中空領域を有しているが、中空領域を有しなくてもよい。この場合、図示しないが、上記特定の断面形状（断面円弧形状、断面Ｖ字形状）を有する面を含む供給体の部分は、円板形状を有する本体の周端部から突出しており、凸部に相当し得る。また、図１１に示すように、供給体２は、断面円形状であってもよい。
このような供給体は、以下の方法により作製され得る。Ｓｉ粉末を含む材料粉末を所望の形状に成形（代表的にはプレス成形）した後、乾燥させて、所望形状の供給体を得ることができる。
上記した実施形態では、上記した特定の構造（凸部、断面円弧形状、断面Ｖ字形状）を有する供給体が、成形体が有する平坦な第１端面と接触しているが、本発明はこれに限定されない。例えば、成形体に凸部を設けて、供給体が有する平坦な端面に接触させてもよい。これによっても、供給体における成形体と向かい合う面の一部を、成形体に接触させ得る。
また、上記した実施形態では、供給体と成形体とが直接接触しているが、供給体と成形体とは、中継部材を介して接触していてもよい。この場合、供給体における成形体との接触部分とは、供給体における中継部材との接触部分を意味する。これによっても、成形体に対する供給体の付着量を低減できる。中継部材は、供給体および成形体のそれぞれと別体であり、代表的には、上記凸部と同様の形状を有している。１つの実施形態において、中継部材は、含浸工程において、成形体が有する平坦な第１端面と供給体が有する平坦な端面との間に挟まれる。中継部材の構成材料として、例えば、上記した成形体の構成材料、上記した供給体の構成材料、および、ＳｉＣの前駆体材料（例えばカーボン）が挙げられる。
以下、実施例によって本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。
＜実施例１＞
１．ハニカム成形体の作製
ＳｉＣ粉末と成形助剤粉末とを含む坏土を、図１に示す形状に押出成形した後、乾燥させて、ハニカム乾燥体を得た。次いで、ハニカム乾燥体を外面加工して、ハニカム成形体を得た。ハニカム成形体は、外周壁（外径８６ｍｍ）と、外周壁の内側に位置している内周壁（内径６６ｍｍ）と、外周壁および内周壁の間に位置して複数のセルを規定する隔壁と、を備えていた。ハニカム成形体におけるセル密度は５６セル／ｃｍ２、隔壁の厚さは０．３ｍｍ、外周壁および内周壁のそれぞれの厚さは２ｍｍであった。
＜実施例１＞
１．ハニカム成形体の作製
ＳｉＣ粉末と成形助剤粉末とを含む坏土を、図１に示す形状に押出成形した後、乾燥させて、ハニカム乾燥体を得た。次いで、ハニカム乾燥体を外面加工して、ハニカム成形体を得た。ハニカム成形体は、外周壁（外径８６ｍｍ）と、外周壁の内側に位置している内周壁（内径６６ｍｍ）と、外周壁および内周壁の間に位置して複数のセルを規定する隔壁と、を備えていた。ハニカム成形体におけるセル密度は５６セル／ｃｍ２、隔壁の厚さは０．３ｍｍ、外周壁および内周壁のそれぞれの厚さは２ｍｍであった。
２．供給体の作製
Ｓｉ粉末と成形助剤粉末とを含む材料粉末を、図２に示す形状にプレス成形した後、乾燥させて、供給体を得た。供給体は、円環板形状を有する本体（内径４１ｍｍ、外径７３ｍｍ、厚み１０ｍｍ）と、本体から突出する４つの凸部とを、備えていた。
Ｓｉ粉末と成形助剤粉末とを含む材料粉末を、図２に示す形状にプレス成形した後、乾燥させて、供給体を得た。供給体は、円環板形状を有する本体（内径４１ｍｍ、外径７３ｍｍ、厚み１０ｍｍ）と、本体から突出する４つの凸部とを、備えていた。
３．含浸工程
次いで、図４に示すように、供給体の凸部がハニカム成形体と接触するように、供給体をハニカム成形体上に載せた後、減圧条件（２００Ｐａ）下において、１５００℃で４時間加熱して、Ｓｉを含む溶融金属をハニカム成形体に含浸させた。なお、凸部とハニカム成形体との接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔は、５４ｍｍであった。
以上によって、ハニカム構造体（Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体）を得た。その後、ハニカム構造体を室温（２３℃）まで冷却し、ハニカム構造体に対する供給体の付着状態を確認した。図１２に、実施例１で得られたハニカム構造体の平面写真を示す。
次いで、図４に示すように、供給体の凸部がハニカム成形体と接触するように、供給体をハニカム成形体上に載せた後、減圧条件（２００Ｐａ）下において、１５００℃で４時間加熱して、Ｓｉを含む溶融金属をハニカム成形体に含浸させた。なお、凸部とハニカム成形体との接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔は、５４ｍｍであった。
以上によって、ハニカム構造体（Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体）を得た。その後、ハニカム構造体を室温（２３℃）まで冷却し、ハニカム構造体に対する供給体の付着状態を確認した。図１２に、実施例１で得られたハニカム構造体の平面写真を示す。
＜比較例１＞
供給体が凸部を備えておらず、含浸工程において、供給体の下面全体をハニカム成形体に接触させたこと以外は、実施例１と同様にしてハニカム構造体（Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体）を得た。その後、ハニカム構造体を室温（２３℃）まで冷却し、ハニカム構造体に対する供給体の付着状態を確認した。図１３に、比較例１で得られたハニカム構造体の平面写真を示す。
供給体が凸部を備えておらず、含浸工程において、供給体の下面全体をハニカム成形体に接触させたこと以外は、実施例１と同様にしてハニカム構造体（Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体）を得た。その後、ハニカム構造体を室温（２３℃）まで冷却し、ハニカム構造体に対する供給体の付着状態を確認した。図１３に、比較例１で得られたハニカム構造体の平面写真を示す。
図１２および図１３から明らかな通り、含浸工程において、供給体におけるハニカム成形体との接触部分を、成形体と向かい合う面の一部とすることで、ハニカム構造体に対する供給体の付着（こびりつき）量を低減でき、かつ、付着（こびりつき）箇所を限定することができる。
本発明の実施形態によるＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法は、各種産業製品の製造に用いられ、特に、熱交換器の製造に好適に用いられ得る。
１ 成形体
１ａ ハニカム成形体
２ 供給体
２１ 凸部
１ａ ハニカム成形体
２ 供給体
２１ 凸部
Claims (7)
- ＳｉＣを含む成形体にＳｉを含む供給体を接触させた状態で、前記供給体を加熱して、Ｓｉを含む溶融金属を前記成形体に含浸させる工程を含み、
前記供給体における前記成形体との接触部分は、前記成形体と向かい合う面の一部である、Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。 - 前記供給体における前記成形体と向かい合う面には、前記成形体に向かって突出する凸部が設けられ、前記凸部が前記成形体と接触する、請求項１に記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。
- 前記凸部は、断面円弧形状を含む、請求項２に記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。
- 前記凸部は、角錐形状を有している、請求項２に記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。
- 前記供給体は、前記成形体と複数箇所で接触しており、
前記供給体における前記成形体との複数の接触部分のうち、互いに隣り合う接触部分の間の間隔は、７８．５ｍｍ以下である、請求項１～４のいずれかに記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。 - 前記供給体における前記成形体との接触部分は、線状に延びている、請求項１～５のいずれかに記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。
- 前記成形体は、ハニカム構造を有している、請求項１～６のいずれかに記載のＳｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022042702A JP2023136805A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 |
| DE102022213327.7A DE102022213327A1 (de) | 2022-03-17 | 2022-12-08 | VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VERBUNDSTRUKTUR AUF DER GRUNDLAGE VON Si-SiC |
| US18/166,049 US20230298882A1 (en) | 2022-03-17 | 2023-02-08 | METHOD OF MANUFACTURING Si-SiC-BASED COMPOSITE STRUCTURE |
| CN202310124177.1A CN116768646A (zh) | 2022-03-17 | 2023-02-16 | Si-SiC类复合结构体的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022042702A JP2023136805A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023136805A true JP2023136805A (ja) | 2023-09-29 |
Family
ID=87849299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022042702A Pending JP2023136805A (ja) | 2022-03-17 | 2022-03-17 | Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230298882A1 (ja) |
| JP (1) | JP2023136805A (ja) |
| CN (1) | CN116768646A (ja) |
| DE (1) | DE102022213327A1 (ja) |
Family Cites Families (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5512377A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-28 | Babcock Hitachi Kk | Method of preventing contact wear of heat transfer tube |
| DE3933277A1 (de) * | 1989-02-08 | 1990-08-09 | Nippon Dia Clevite Co | Verfahren zum verbinden von metallteilen |
| JP2746677B2 (ja) * | 1989-08-01 | 1998-05-06 | 日本碍子株式会社 | セラミック部品と金属部品の接合方法 |
| US5324692A (en) * | 1990-08-09 | 1994-06-28 | Hoechst Ceramtec Aktiengesellschaft | Process for producing moldings from silicon-infiltrated silicon carbide |
| JPH06227880A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-08-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 炭化珪素−シリコン複合材の製造方法 |
| JP3794042B2 (ja) * | 1995-10-13 | 2006-07-05 | 住友電気工業株式会社 | 複合合金部材の製造方法 |
| JPH10113761A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-06 | Fujikura Ltd | ヒートシンクの製造方法 |
| JPH10279376A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Toyo Tanso Kk | 炭素−炭化ケイ素複合材料を用いた連続鋳造用部材 |
| JP3664421B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2005-06-29 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン含浸炭化珪素材の製造方法 |
| JP4067165B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2008-03-26 | 電気化学工業株式会社 | 複合体とそれを用いたヒートシンク |
| JP3683100B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2005-08-17 | 東芝セラミックス株式会社 | シリコン含浸炭化珪素部材の製造方法 |
| JP2000094458A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-04 | Ribooru:Kk | タイル様凹凸模様を有するプラスチックブロックの製造 方法 |
| JP4111669B2 (ja) * | 1999-11-30 | 2008-07-02 | シャープ株式会社 | シート製造方法、シートおよび太陽電池 |
| JP2001260123A (ja) * | 2000-03-15 | 2001-09-25 | Mieko Matsuo | 多孔陶磁器の製造法 |
| JP4464552B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2010-05-19 | 日本碍子株式会社 | 新規な複合材料および複合材料の製造方法 |
| JP2004022885A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Metals Ltd | Ａｌ−ＳｉＣ系複合体および放熱部品 |
| JP2004084008A (ja) * | 2002-08-27 | 2004-03-18 | Mitsubishi Materials Corp | 焼結複合部材の製造方法及び焼結複合部材 |
| US6939490B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-09-06 | Honeywell International Inc. | Process for unidirectional infiltration of preform with molten resin or pitch |
| JP4321857B2 (ja) * | 2003-01-29 | 2009-08-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックスの接合構造 |
| KR200354808Y1 (ko) * | 2003-09-24 | 2004-06-30 | 박기호 | 허니컴 페널. |
| TWI244220B (en) * | 2004-02-20 | 2005-11-21 | Epistar Corp | Organic binding light-emitting device with vertical structure |
| KR100910592B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2009-08-03 | 동영다이아몬드공업(주) | 가공용 팁 및 이를 장착한 가공용 공구 |
| EP2088135A4 (en) * | 2006-10-24 | 2011-06-29 | Tokuyama Corp | PROCESS FOR PRODUCING COMPOUND OF SINTERED ALUMINUM NITRIDE ELEMENT AND HIGH-POINT METALLIC ELEMENT |
| JP2008127214A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Honda Motor Co Ltd | 炭化ケイ素ナノ構造体およびその製造方法 |
| WO2008126334A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Ibiden Co., Ltd. | ハニカム構造体の製造方法 |
| JP2009051684A (ja) * | 2007-08-24 | 2009-03-12 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素構造体及び炭化ケイ素構造体の製造方法 |
| JP2009204278A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Nippon Light Metal Co Ltd | 熱交換器 |
| FR2951461B1 (fr) | 2009-10-16 | 2011-11-25 | Lorraine Inst Nat Polytech | Procede d'extraction enzymatique en milieu aqueux d'huiles et de proteines a partir de matiere vegetale |
| JP2011131230A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Hot Kk | 熱交換器における金属管の接続構造 |
| JP2011207116A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス構造体の製造方法 |
| JP5791925B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2015-10-07 | イビデン株式会社 | ハニカム構造体及び排ガス浄化装置 |
| JP2012116707A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Nippon Steel Materials Co Ltd | シリコン融液の搬送部材及びその製造方法 |
| JP2012214364A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-11-08 | Ngk Insulators Ltd | ハニカム構造体、Ｓｉ−ＳｉＣ系複合材料、ハニカム構造体の製造方法及びＳｉ−ＳｉＣ系複合材料の製造方法 |
| JP2013161635A (ja) * | 2012-02-03 | 2013-08-19 | Toyota Industries Corp | 端子接続部材、端子接続部材の製造方法及び蓄電装置並びに移動体 |
| JP6078885B2 (ja) * | 2013-04-02 | 2017-02-15 | 日本碍子株式会社 | 複合耐火物および複合耐火物の製造方法 |
| JP6350112B2 (ja) * | 2014-08-22 | 2018-07-04 | 三浦工業株式会社 | 熱交換器用部材及びその製造方法 |
| JP6685121B2 (ja) * | 2015-12-11 | 2020-04-22 | 富士電機株式会社 | 金属部材とセラミックス部材の接合方法 |
| JP2017117869A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP6575387B2 (ja) * | 2016-02-15 | 2019-09-18 | 住友電気工業株式会社 | カーボンナノ構造体の製造方法及びカーボンナノ構造体の製造装置 |
| JP7446810B2 (ja) * | 2019-02-05 | 2024-03-11 | ダイセルミライズ株式会社 | 複合成形体の製造方法 |
| JP2021091565A (ja) * | 2019-12-09 | 2021-06-17 | イビデン株式会社 | 複合材料及び複合材料の製造方法 |
| JP7313540B2 (ja) * | 2020-03-09 | 2023-07-24 | 日本碍子株式会社 | 電気加熱式担体及び排気ガス浄化装置 |
-
2022
- 2022-03-17 JP JP2022042702A patent/JP2023136805A/ja active Pending
- 2022-12-08 DE DE102022213327.7A patent/DE102022213327A1/de active Pending
-
2023
- 2023-02-08 US US18/166,049 patent/US20230298882A1/en active Pending
- 2023-02-16 CN CN202310124177.1A patent/CN116768646A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116768646A (zh) | 2023-09-19 |
| US20230298882A1 (en) | 2023-09-21 |
| DE102022213327A1 (de) | 2023-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104098339B (zh) | 复合耐火物及复合耐火物的制造方法 | |
| WO2009122538A1 (ja) | ハニカム構造体 | |
| US10597336B2 (en) | Porous ceramic structure | |
| CA2157638C (en) | Carbonate fuel cell matrix | |
| JP2023136805A (ja) | Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 | |
| JP5230903B2 (ja) | 焼成用セッター | |
| JP5331636B2 (ja) | 目封止ハニカム構造体の製造方法 | |
| JP2016155264A (ja) | ハニカム構造体の製造方法、及びハニカム成形体 | |
| JP7374219B2 (ja) | モノリシックセラミック体及びアセンブリ | |
| US7556755B2 (en) | Process for producing ceramic molding having three-dimensional network structure | |
| CN107001159B (zh) | 陶瓷板状体以及其制造方法 | |
| JP6810075B2 (ja) | 焼成治具 | |
| JP2015071519A (ja) | 多孔質ＳｉＣ焼結体及び多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法 | |
| JP2015523950A (ja) | 断熱体の製造方法 | |
| JP6714433B2 (ja) | 多孔質セラミック構造体及びその製造方法 | |
| JP2015074573A (ja) | 焼成用さや及び電子部品の製造方法 | |
| JP2009084102A (ja) | セラミックスハニカム構造体の焼成方法 | |
| JP2571108B2 (ja) | 燃料電池用カーボン部材の製造方法 | |
| JP2015205780A (ja) | 多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法及び保護層を備えた多孔質ＳｉＣ焼結体 | |
| JP2023140574A (ja) | Ｓｉ－ＳｉＣ系複合構造体の製造方法 | |
| JP4850352B2 (ja) | 大型黒鉛材及びその製造方法 | |
| WO2018020860A1 (ja) | 多孔質セラミック粒子および多孔質セラミック構造体 | |
| CN108916410A (zh) | 一种用于组织脱水机的陶瓷多路阀芯及其制作工艺 | |
| JP4459164B2 (ja) | セラミック多孔体の製造方法 | |
| JP4402269B2 (ja) | 電極材料を焼付けるための治具及びその製造方法 |