CN116768646A - Si-SiC类复合结构体的制造方法 - Google Patents

Si-SiC类复合结构体的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种能够提高Si‑SiC类复合结构体的制造效率的Si‑SiC类复合结构体的制造方法。本发明的实施方式所涉及的Si‑SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，供给体的与成型体接触的接触部分为与成型体对置的面的一部分。

Description

Si-SiC类复合结构体的制造方法
技术领域
本发明涉及Si-SiC类复合结构体的制造方法。
背景技术
Si-SiC类复合材料具有优异的导热率，期待将其用于各种工业产品。作为这种由Si-SiC类复合材料形成的结构体(以下设为Si-SiC类复合结构体。)的制造方法，例如提出了如下技术方案：在将含有Si的含浸金属供给体载置于含有SiC的被含浸体上之后，加热至1200℃以上1600℃以下，由此使得含有Si的熔融金属含浸于被含浸体(参照专利文献1)。
然而，关于这种技术，由于在含浸金属供给体的整个下表面与被含浸体接触的状态下实施含浸工序，因此，有时含浸金属供给体附着(粘附)于被含浸体。若含浸金属供给体附着(粘附)于被含浸体，则Si-SiC类复合材料的质量、尺寸、性能等有可能会偏离能够容许的范围。因此，需要消除含浸金属供给体相对于被含浸体的过度的附着，不得不废弃无法充分消除含浸金属供给体的附着的产品。因此，Si-SiC类复合结构体的成品率有可能会降低。
另外，含浸金属供给体相对于被含浸体的附着部位有可能在每次制造Si-SiC类复合结构体时不同，从而还难以预测含浸金属供给体的附着部位。因此，含浸金属供给体相对于被含浸体的附着部分的消除工序有可能变得复杂。这样，关于专利文献1所记载的技术，在Si-SiC类复合结构体的制造效率的提高方面存有改善的余地。
专利文献1：国际公开第2011/145387号
发明内容
本发明的主要目的在于，提供能够提高Si-SiC类复合结构体的制造效率的Si-SiC类复合结构体的制造方法。
本发明的实施方式所涉及的Si-SiC类复合结构体的制造方法包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，所述供给体的与所述成型体接触的接触部分为与所述成型体对置的面的一部分。
在1个实施方式中，在上述供给体的与成型体对置的面设置有朝向上述成型体突出的凸部，所述凸部与所述成型体接触。
在1个实施方式中，上述凸部的截面包含圆弧形状。
在1个实施方式中，上述凸部具有棱锥形状。
在1个实施方式中，上述供给体在多处部位与上述成型体接触。在该情况下，上述供给体的与成型体接触的多个接触部分中的、彼此相邻的接触部分之间的间隔为78.5mm以下。
在1个实施方式中，上述供给体的与成型体接触的接触部分以线状延伸。
在1个实施方式中，上述成型体具有蜂窝结构。
发明效果
根据本发明的实施方式，能够实现能提高Si-SiC类复合结构体的制造效率的Si-SiC类复合结构体的制造方法。
附图说明
图1是本发明的1个实施方式的Si-SiC类复合结构体的制造方法所涉及的成型体的俯视图。
图2是本发明的1个实施方式的Si-SiC类复合结构体的制造方法所涉及的供给体的立体图。
图3是图2的供给体的仰视图。
图4是示出使图2的供给体与图1的成型体接触的状态的概要剖视图。
图5(a)是本发明的其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图5(b)是示出使图5(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图6(a)是本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图6(b)是示出使图6(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图7(a)是本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图7(b)是示出使图7(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图8是示出使本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体与成型体接触的状态的概要俯视图。
图9(a)是本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图9(b)是示出使图9(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图10(a)是本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图10(b)是示出使图10(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图11(a)是本发明的又一其他实施方式所涉及的供给体的仰视图。图11(b)是示出使图11(a)的供给体与成型体接触的状态的概要剖视图。
图12示出了通过实施例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
图13示出了通过比较例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
附图标记说明
1…成型体；1a…蜂窝成型体；2…供给体；21…凸部。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明，本发明并不限定于这些实施方式。
A.Si-SiC类复合结构体的制造方法的概要
图1是本发明的1个实施方式的Si-SiC类复合结构体的制造方法所涉及的成型体的俯视图；图2是本发明的1个实施方式的Si-SiC类复合结构体的制造方法所涉及的供给体的立体图；图3是图2的供给体的仰视图；图4是示出使图2的供给体与图1的成型体接触的状态的概要剖视图。
本发明的1个实施方式的Si-SiC类复合结构体的制造方法包含如下工序(含浸工序)：在使得含有Si的供给体2与含有SiC的成型体1接触的状态下，对供给体2进行加热而使得含有Si的熔融金属含浸于成型体1。在含浸工序中，供给体2的与成型体1接触的接触部分是与成型体1对置的面的一部分。
本发明的发明人发现：在含浸工序中，若供给体的一部分与成型体接触，则能够借助该接触部分而使得含有Si的熔融金属含浸于整个成型体，由此完成了本发明。根据上述方法，在含浸工序中，供给体的与成型体对置的面的一部分与成型体接触，因此，与供给体的与成型体对置的整个面与成型体接触的情况相比，能够降低供给体相对于成型体的附着量。因此，能够容易地消除供给体的附着，能够提高Si-SiC类复合结构体的成品率。另外，能够限定供给体有可能附着的部位，因此，能够顺畅地实施附着于成型体的供给体的消除工序。其结果，能够提高Si-SiC类复合结构体的制造效率。
成型体是在含浸工序中使得含有Si的熔融金属含浸的被含浸体。如上所述，成型体含有SiC作为主成分。此外，在本说明书中，例如“SiC”之类的标记意图不仅包括纯粹的SiC，还包括含有不可避免的杂质的SiC。除了SiC以外，成型体的构成材料还可以含有Al以及/或者Si。另外，成型体的构成材料还可以含有成型助剂。成型体的含有SiC的比例例如为50质量％以上，优选为85质量％以上，例如为100质量％以下，优选为95质量％以下。
如上所述，供给体含有Si作为主成分。除了Si以外，供给体的构成材料还可以含有Al。另外，供给体的构成材料还含有成型助剂。
供给体的含有Si的比例例如为50质量％以上，优选为90质量％以上，进一步优选为95质量％以上，例如为100质量％以下，优选为97质量％以下，进一步优选为96质量％以下。若供给体的含有Si的比例处于这种范围，则在含浸工序中能够使得整个成型体均匀地含浸含有Si的熔融金属，能够实现Si-SiC类复合结构体的Si的含浸量的均匀化。
在1个实施方式中，供给体2在多处部位与成型体1接触。供给体2的与成型体1接触的多个接触部分中的、彼此相邻的接触部分之间的间隔L为78.5mm以下，优选为70mm以下，更优选为60mm以下。若彼此相邻的接触部分之间的间隔L为上述上限值以下，则在含浸工序中能够利用整个成型体均匀地含浸含有Si的熔融金属，关于Si-SiC类复合结构体，能够抑制产生Si的含浸不充分的部分(Si的含浸遗漏)。其结果，能够抑制Si-SiC类复合结构体的性能的偏差，能够稳定地制造具有优异的性能的Si-SiC类复合结构体。特别地，若供给体的含有Si的比例处于上述范围、且彼此相邻的接触部分之间的间隔L为上述上限值以下，则能够实现Si-SiC类复合结构体的Si的含浸量的进一步的均匀化。此外，彼此相邻的接触部分之间的间隔L的下限值代表性地为10mm以上。
在1个实施方式中，供给体和成型体的接触部分与成型体的端面之间的距离为上述间隔L的1/2以下。根据这种结构，在含浸工序中，能够利用整个成型体更均匀地含浸含有Si的熔融金属。
供给体2与成型体1的接触可以为点接触，也可以为线接触，还可以为面接触。当供给体2在多处部位与成型体1接触时，多个接触部分全部都可以是点接触、线接触或者面接触的任1种，也可以包含点接触、线接触或者面接触中的2种以上。在供给体2与成型体1进行面接触的情况下，以面接触部分的端部(端缘)为基准对上述彼此相邻的接触部分之间的间隔L以及接触部分与成型体的端面之间的距离分别进行测定。例如，彼此相邻的面接触部分之间的间隔L是指面接触部分的端部(端缘)至其他面接触部分的端部(端缘)的距离，彼此相邻的面接触部分与点接触部分之间的间隔L是指面接触部分的端部(端缘)至点接触部分的距离。
关于供给体与成型体的接触部分的面积(在接触部分为多个的情况下，多个接触部分的面积的总和)，当供给体的与成型体对置的面的面积设为100％时，例如为40％以下，优选为30％以下。若接触部分的面积为上述上限值以下，则能够进一步降低供给体相对于成型体的附着量，能够进一步提高Si-SiC类复合结构体的制造效率。此外，接触部分的面积的下限值代表性地为1％以上。
在含浸工序中，代表性地，在使得含有Si的供给体2与含有SiC的成型体1接触的状态下，对成型体1及供给体2进行加热。加热温度例如为1200℃以上，优选为1300℃以上，例如为1600℃以下，优选为1500℃以下。加热时间例如为10分钟以上，优选为1小时以上。若加热温度处于上述范围、以及/或者加热时间为上述下限值以上，则能够使得含有Si的熔融金属顺畅地含浸于成型体。此外，加热时间的上限值代表性地为10小时以下，优选为5小时以下。若加热时间为上述上限值以下，则能够进一步提高Si-SiC类复合结构体的制造效率。
优选地，在减压条件下实施含浸工序。若在减压条件下实施含浸工序，则能够利用成型体进一步顺畅地含浸含有Si的熔融金属。含浸工序的压力例如为500Pa以下，优选为300Pa以下，进一步优选为200Pa以下，代表性地为10Pa以上。此外，还可以在常压(0.1MPa)下实施含浸工序。
以下，对Si-SiC类复合结构体的制造方法所涉及的成型体以及供给体进行说明。
B.成型体(蜂窝成型体)
作为成型体，可以根据Si-SiC类复合结构体的用途而采用任意的适当形状。作为成型体的形状，例如能举出圆柱形状、椭圆柱形状、棱柱形状。另外，成型体可以在与成型体的轴线方向(长度方向)正交的方向的截面中在其中心部具有中空区域。
在1个实施方式中，成型体为具有蜂窝结构的蜂窝成型体。在成型体为蜂窝成型体的情况下，Si-SiC类复合结构体可以为蜂窝结构体。蜂窝成型体具有多个隔室。隔室在蜂窝成型体的轴线方向(长度方向)上从蜂窝成型体的第一端面延伸至第二端面。隔室在与蜂窝成型体的轴线方向正交的方向的截面中具有任意的适当形状。作为隔室的截面形状，例如，能举出三角形、四边形、五边形、六边形以上的多边形。隔室的截面形状以及尺寸可以全部都相同，也可以至少一部分不同。
图1中示出了蜂窝成型体的1个实施方式。蜂窝成型体1a具有圆柱形状，且在其中心部具有中空区域。蜂窝成型体1a的第一端面(上表面)以及第二端面(下表面)分别为与蜂窝成型体的轴线方向正交的平面。可以根据目的而适当地设定蜂窝成型体的外径。蜂窝成型体的外径例如可以为20mm～200mm，另外，例如可以为30mm～100mm。此外，在蜂窝成型体的截面形状并非圆形的情况下，可以将与蜂窝成型体的截面形状(例如多边形)内切的最大内切圆的直径设为蜂窝结构体的外径。可以根据目的而适当地设定蜂窝成型体的长度。蜂窝成型体的长度例如可以为3mm～200mm，另外，例如可以为5mm～100mm，另外，例如还可以为10mm～50mm。
蜂窝成型体1a具备：外周壁11；内周壁12，其位于外周壁11的内侧；以及间隔壁13，其位于外周壁11与内周壁12之间。
外周壁11具有圆筒形状。内周壁12具有直径小于外周壁11的直径的圆筒形状。外周壁11以及内周壁12共有轴线。可以根据蜂窝结构体的用途而适当地设定外周壁11以及内周壁12各自的厚度。外周壁11以及内周壁12各自的厚度例如可以为0.3mm～10mm，另外，例如可以为0.5mm～5mm。若外周壁以及/或者内周壁的厚度处于这种范围，则能够抑制外力对壁的破坏(例如裂痕、裂纹)。
间隔壁13规定出多个隔室14。更详细而言，间隔壁13具有：第一间隔壁13a，其沿辐射方向从内周壁12延伸至外周壁11；以及第二间隔壁13b，其沿周向延伸，第一间隔壁13a以及第二间隔壁13b规定出多个隔室14。隔室14的截面形状为四边形(在蜂窝成型体的径向上较长的长方形)。
另外，虽未图示，但第一间隔壁13a及第二间隔壁13b可以彼此正交、且规定出除了与内周壁12及外周壁11接触的部分以外而具有四边形(正方形)的截面形状的隔室14。
可以根据目的而适当地设定与蜂窝成型体的轴线方向正交的方向的截面中的隔室密度(即，每单位面积的隔室14的数量)。隔室密度例如可以为4隔室/cm2～320隔室/cm2。若隔室密度处于这种范围，则能够充分确保蜂窝结构体的强度以及有效GSA(几何表面积)。
可以根据蜂窝结构体的用途而适当地设定间隔壁13的厚度。代表性地，间隔壁13的厚度比外周壁11以及内周壁12各自的厚度薄。间隔壁13的厚度例如可以为0.1mm～1.0mm，另外，例如可以为0.2mm～0.6mm。若间隔壁的厚度处于这种范围，则能够充分确保蜂窝结构体的机械强度，并且能够充分确保开口面积(截面中的隔室的总面积)。
可以根据目的而适当地设定外周壁11、内周壁12以及间隔壁13各自的空隙率。上述空隙率例如为15％以上，优选为20％以上，例如为50％以下，优选为45％以下。此外，例如可以通过水银压入法而测定空隙率。若外周壁、内周壁以及间隔壁的空隙率处于这种范围，则能够在含浸工序中利用毛细管力而使得熔融金属含浸于蜂窝成型体。
可以根据目的而适当地设定外周壁11、内周壁12以及间隔壁13各自的密度(成型体的密度)。上述密度例如为1.7g/cm3以上，优选为1.8g/cm3以上，例如为2.6g/cm3以下，优选为2.8g/cm3以下。此外，例如可以通过水银压入法而测定密度。若外周壁、内周壁以及间隔壁各自的密度处于这种范围，则能够在外周壁、内周壁以及间隔壁的内部以上述空隙率而形成空隙。
能够通过以下方法而制作这种成型体(蜂窝成型体)。首先，对含有SiC粉末的无机材料粉末加入粘合剂以及水或有机溶剂，对获得的混合物进行混炼而形成坯料，使坯料成型(代表地为挤出成型)为期望的形状并使其干燥，由此制作干燥体(蜂窝干燥体)。接下来，对干燥体(蜂窝干燥体)实施规定的外形加工而能够获得期望形状的成型体(蜂窝成型体)。
C.供给体
作为供给体，可以根据成型体的形状而采用任意的适当形状。供给体例如具有板状，该板状具有规定的厚度。作为与供给体的厚度方向正交的方向的截面形状，例如能举出圆形、椭圆形、多边形。另外，供给体可以在其截面的中心部具有中空区域。具有中空区域的供给体为所谓的面包圈形状。
在1个实施方式中，供给体具有凸部。图2至图8中示出了具有凸部的供给体。
如图2及图3所示，供给体2具备：主体21，其具有在中心部具有中空区域的圆板形状(圆环板形状)；以及多个凸部22，它们从主体21突出。
可以根据目的而适当地设定主体21的厚度。主体21的厚度例如可以为5mm～25mm，另外，例如可以为8mm～15mm。
多个凸部22设置于主体21的厚度方向上的一个面。代表性地，多个凸部22在主体21的周向上彼此隔开相等间隔地配置。在图示例子中，凸部22的个数为4个，但并不限定于此。凸部22的个数例如可以为4个以上20个以下，另外，例如可以为4个以上10个以下。可以根据目的而适当地设定凸部22的突出长度(主体的厚度方向上的尺寸)。凸部22的突出长度例如可以为0.5mm～5mm，另外，例如可以为1mm～3mm。如图4所示，凸部22在主体21的厚度方向上的截面包含圆弧形状(截面呈圆弧形状)。在1个实施方式中，凸部可以为半球形状。若凸部具有圆弧形状的截面，则在制造供给体(特别是冲压成型)时难以在凸部产生崩碎。因此，能够期待制造供给体时的形状稳定性。
在含浸工序中，这种供给体2以凸部22与成型体1(蜂窝成型体1a)的第一端面接触的方式载置于成型体1(蜂窝成型体1a)。在该状态下，供给体2的包含凸部22的面与成型体1(蜂窝成型体1a)对置，凸部22从主体21朝向成型体1突出。凸部22的一部分(详细而言，为圆弧的顶点部)与成型体1(蜂窝成型体1a)的第一端面接触。
如图5所示，主体21可以不具有中空区域。另外，凸部22的尺寸并未特别限制。
如图6及图7所示，凸部22可以具有棱锥形状。若凸部具有棱锥形状，则与凸部的截面呈圆弧形状的情况相比，能够高精度地设定与成型体接触的接触位置。因此，能够高精度地控制供给体有可能附着的部位，能够更顺畅地实施附着于成型体的供给体的消除工序。作为棱锥形状，例如能举出三棱锥、四棱锥、五棱锥以上的多棱锥。棱锥形状的凸部的顶点部的角度可以设定为任意的适当值。
如图8所示，主体21可以具有在中心部具有中空区域的圆柱形状(圆筒形状)，凸部22可以设置于主体21的外周面。在该情况下，成型体1(蜂窝成型体1a)具有中空区域。在含浸工序中，供给体2配置于成型体1(蜂窝成型体1a)的中空区域内，凸部22与成型体1(蜂窝成型体1a)的内周面接触。
在1个实施方式中，供给体的相对于成型体的接触部分以线状延伸。图9至图11中示出了能够以线状与成型体接触的供给体。若供给体的相对于成型体的接触部分以线状延伸，则即使在接触部分的一部分产生崩碎等破损，也能够充分确保供给体与成型体的接触面积，能够稳定地抑制产生Si-SiC类复合结构体的Si的含浸遗漏。
如图9所示，供给体2具有所谓的面包圈形状。供给体2的与成型体1对置的面的厚度方向的截面具有圆弧形状(截面呈圆弧形状)。截面呈圆弧形状的面在供给体2的整个周向上延伸。在含浸工序中，供给体2的截面呈圆弧形状的面的一部分(详细而言为顶点部)以沿供给体的周向延伸的线状与成型体1(蜂窝成型体1a)接触。
另外，如图10所示，供给体2的与成型体1对置的面的厚度方向的截面可以具有V字形状(截面呈V字形状)。截面呈V字形状的面的顶点部的角度可以设定为任意的适当值。
此外，关于图9及图10所示的结构，供给体2具有中空区域，但也可以不具有中空区域。在该情况下，虽未图示，但包含具有上述特定的截面形状(断面圆弧形状、截面呈V字形状)的面的供给体的部分从具有圆板形状的主体的周端部突出，相当于凸部。另外，如图11所示，供给体2的截面可以为圆形。
通过以下方法能够制作这种供给体。使得含有Si粉末的材料粉末成型(代表性地为冲压成型)为期望的形状，然后使其干燥而获得期望形状的供给体。
在上述实施方式中，具有上述特定的构造(凸部、断面呈圆弧形状、截面呈V字形状)的供给体与成型体具有的平坦的第一端面接触，但本发明并不限定于此。例如，可以在成型体设置凸部、且使其与供给体具有的平坦的端面接触。由此，也能够使得供给体的与成型体对置的面的一部分与成型体接触。
另外，在上述实施方式中，供给体与成型体直接接触，但供给体与成型体也可以借助中继部件而接触。在该情况下，供给体的与成型体接触的接触部分是指供给体的与中继部件接触的接触部分。由此也能够降低供给体相对于成型体的附着量。中继部件相对于供给体以及成型体分别形成为分体结构，代表性地，具有与上述凸部相同的形状。在1个实施方式中，中继部件在含浸工序中夹入于成型体具有的平坦的第一端面与供给体具有的平坦的端面之间。作为中继部件的构成材料，例如，能举出上述成型体的构成材料、上述供给体的构成材料、以及SiC的前体材料(例如碳)。
【实施例】
以下，利用实施例对本发明进行具体说明，但本发明并未由这些实施例限定。
<实施例1>
1.蜂窝成型体的制作
对含有SiC粉末以及成型助剂粉末的坯料进行挤出成型而使其形成为图1所示的形状，然后使其干燥而获得蜂窝干燥体。接下来，对蜂窝干燥体的外表面实施加工而获得蜂窝成型体。蜂窝成型体具备：外周壁(外径为86mm)；内周壁(内径为66mm)，其位于外周壁的内侧；以及间隔壁，其位于外周壁与内周壁之间且规定出多个隔室。蜂窝成型体的隔室密度为56隔室/cm2，间隔壁的厚度为0.3mm，外周壁以及内周壁各自的厚度为2mm。
2.供给体的制作
对含有Si粉末以及成型助剂粉末的材料粉末进行冲压成型而使其形成为图2所示的形状，然后使其干燥而获得供给体。供给体具备：主体(内径为41mm，外径为73mm，厚度为10mm)，其具有圆环板状；以及4个凸部，它们从主体突出。
3.含浸工序
接下来，如图4所示，以使得供给体的凸部与蜂窝成型体接触的方式将供给体载置于蜂窝成型体上，然后在减压条件(200Pa)下以1500℃的温度进行4小时的加热，由此使得含有Si的熔融金属含浸于蜂窝成型体。此外，凸部与蜂窝成型体的接触部分中的、彼此相邻的接触部分之间的间隔为54mm。
通过以上方式获得蜂窝结构体(Si-SiC类复合结构体)。然后，使得蜂窝结构体冷却至室温(23℃)，并确认了供给体相对于蜂窝结构体的附着状态。图12中示出了通过实施例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
<比较例1>
除了供给体不具备凸部、以及在含浸工序中使得供给体的整个下表面与蜂窝成型体接触以外，与实施例1同样地获得了蜂窝结构体(Si-SiC类复合结构体)。然后，使得蜂窝结构体冷却至室温(23℃)，并确认了供给体相对于蜂窝结构体的附着状态。图13中示出了通过比较例1而获得的蜂窝结构体的俯视照片。
根据图12及图13明确可知，在含浸工序中，使供给体的与蜂窝成型体接触的接触部分为与成型体对置的面的一部分而能够降低供给体相对于蜂窝结构体的附着(粘附)量，并且能够限定附着(粘附)部位。
[产业上的利用可能性]
本发明的实施方式所涉及的Si-SiC类复合结构体的制造方法能够用于各种工业产品的制造，特别优选应用于热交换器的制造。

Claims (7)

1.一种Si-SiC类复合结构体的制造方法，包含以下工序：在使含有Si的供给体与含有SiC的成型体接触的状态下，对所述供给体进行加热而使含有Si的熔融金属含浸于所述成型体，
所述供给体的与所述成型体接触的接触部分为与所述成型体对置的面的一部分。
2.根据权利要求1所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
在所述供给体的与所述成型体对置的面设置有朝向所述成型体突出的凸部，所述凸部与所述成型体接触。
3.根据权利要求2所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
所述凸部的截面包含圆弧形状。
4.根据权利要求2所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
所述凸部具有棱锥形状。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
所述供给体在多处部位与所述成型体接触，
所述供给体的与所述成型体接触的多个接触部分中的、彼此相邻的接触部分之间的间隔为78.5mm以下。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
所述供给体的与所述成型体接触的接触部分以线状延伸。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的Si-SiC类复合结构体的制造方法，其特征在于，
所述成型体具有蜂窝结构。
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