JP2015074573A - 焼成用さや及び電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】容易に製造できる焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供することである。【解決手段】被焼成体の焼成時に該被焼成体が載置される焼成用さや１０であって、１５％以上４０％以下の気孔率を有するセラミック基材１２と、前記セラミック基材１２の主面に設けられている窒化ホウ素膜１４と、を備えていること、を特徴とする焼成用さや１０。【選択図】図２

Description

本発明は、焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法に関し、より特定的には、金属粉末及びガラスを含んだ電極を備えている電子部品の製造に用いられる焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法に関する。

電子部品の製造工程では、金属粉末及びガラスを含んだ導電性ペーストを積層体に塗布し、所定の温度及び雰囲気で焼成を行って電極を形成する。このような電極の焼成工程では、セッターと呼ばれる焼成用さやが用いられる。焼成用さやは、金属基材又はセラミック基材、及び、金属基材又はセラミック基材の表面上に設けられた窒化ホウ素膜を備えている。窒化ホウ素はガラスと低い濡れ性を有している。これにより、電極が焼成用さやに固着することが抑制される。

しかしながら、窒化ホウ素は、金属やセラミック等に対しても低い濡れ性を有している。そのため、窒化ホウ素膜は、金属基材又はセラミック基材に対して密着しにくい。

そこで、特許文献１に記載の立方晶窒化ホウ素を被覆した材料が知られている。特許文献１に記載の立方晶窒化ホウ素を被覆した材料では、鉄系金属を含まない基体、或いは鉄系金属の触媒作用を封じた鉄系金属を含む基体の表面に、一次元、或いは二次元規則性をもつ直線状の溝を複数形成し、その上に立方晶窒化ホウ素をコーティングしている。これにより、溝の垂直方向に対する膜密着性が向上する。

しかしながら、特許文献１に記載の立方晶窒化ホウ素を被覆した材料では、基体の表面に溝を研磨等により形成する工程が必要であるので、製造工程数が増加するという問題がある。特に、立方晶窒化ホウ素の密着性を向上させるためには、微細な溝を形成する必要があるので、立方晶窒化ホウ素を被覆した材料の製造が困難となる。

特開２０１１−１７４１１０号公報

そこで、本発明の目的は、容易に製造できる焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法を提供することである。

本発明の一形態に係る焼成用さやは、被焼成体の焼成時に該焼成体が載置される焼成用さやであって、１５％以上４０％以下の気孔率を有するセラミック基材と、前記セラミック基材の主面に設けられている窒化ホウ素膜と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、金属粉末及びガラスを含んだ電極を備えた電子部品の製造方法であって、１５％以上４０％以下の気孔率を有するセラミック基材と、該セラミック基材の主面に設けられている窒化ホウ素膜と、を備えている焼成用さやの該窒化ホウ素膜上に前記電子部品を載置して、前記電極を焼成すること、を特徴とする。

本発明によれば、焼成用さやを容易に製造できる。

焼成用さやの外観斜視図である。 図１の焼成用さやのＡ−Ａにおける断面構造図である。 外部電極の焼成時における焼成用さや及び電子部品を示した外観斜視図である。

以下に本発明の一実施形態に係る焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法について説明する。

（焼成用さやの構成）
図１は、焼成用さや１０の外観斜視図である。図２は、図１の焼成用さや１０のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、焼成用さや１０の主面に対する垂直方向を上下方向と定義し、焼成用さや１０を上側から平面視したときの各辺の延在する方向を左右方向及び前後方向と定義する。

焼成用さや１０は、チップ型電子部品の外部電極の焼成に用いられるセッターである。焼成用さや１０は、図１に示すように、セラミック基材１２及び窒化ホウ素膜１４を備えている。

セラミック基材１２は、長方形状の板であり、対向する２つの主面（上面及び下面）と、対向する２つの主面の外縁をとり囲む側面と、を有する。セラミック基材１２は、アルミナ系、ムライト系又はＳｉＣ系のセラミックにより作製されている。また、セラミック基材１２の上面にＺｒＯ₂のコーティングが施されていてもよい。本実施形態に係る焼成用さや１０では、セラミック基材１２は、ムライト系のセラミックにより作製されている。セラミック基材１２は、図２に示すように、無数の気孔Ｐが形成された多孔質部材である。セラミック基材１２の気孔率は、１５％以上４０％以下である。セラミック基材１２の厚みは１ｍｍ〜５ｍｍであり、セラミック基材１２の前後方向及び左右方向の長さは１００ｍｍである。ただし、セラミック基材１２のサイズはこれに限らない。

窒化ホウ素膜１４は、セラミック基材１２の上面を覆うように設けられている。窒化ホウ素膜１４は、例えば、立方晶窒化ホウ素、六方晶窒化ホウ素、乱層構造窒化ホウ素、非晶質窒化ホウ素等により作製される。窒化ホウ素材料は離型性を有する。また、窒化ホウ素材料は金属の触媒作用により変質するが、セラミックに対しては変質することが少ない。本実施形態に係る焼成用さや１０では、窒化ホウ素膜１４は、立方晶窒化ホウ素により作製されている。

また、図２に示すように、セラミック基材１２には無数の気孔Ｐが形成されているので、セラミック基材１２の上面には凹凸が形成されている。そして、窒化ホウ素膜１４は、セラミック基材１２の上面に形成された凹凸を埋めるように形成されている。すなわち、窒化ホウ素膜１４は、セラミック基材１２の上面の凹凸に食い込んでいる。窒化ホウ素膜１４の膜厚は、５μｍ以上１０００μｍ以下である。なお、図２はイメージ図であるので、図２における気孔Ｐの直径や窒化ホウ素膜１４の膜厚等のサイズは実際のサイズとは異なっている。

（焼成用さやの製造方法）
次に、焼成用さや１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。

まず、ムライト系のセラミック粉末を準備する。そして、セラミック粉末に対して、平均粒径４０μｍの架橋アクリル樹脂ビーズを混合する。そして、セラミック粉末及び樹脂ビーズの混合物に対して、所定の溶媒を混ぜることによりセラミックスラリーを作製する。

次に、セラミックスラリーを型に流し込み、乾燥させる。その後、セラミックスラリーの成形体を型から取り出して、１６５０℃で３０時間の条件で焼成を行う。焼成の際に、樹脂ビーズが焼失し、多孔質のセラミック基材１２を得ることができる。

次に、セラミック基材１２の主面に窒化ホウ素膜１４を形成する。まず、窒化ホウ素粒子と所定の溶媒（水）とを混ぜることにより、窒化ホウ素スラリーを得る。

次に、窒化ホウ素スラリーをスプレーによりセラミック基材１２の主面に対して塗布し、一昼夜乾燥させる。これにより、焼成用さや１０が完成する。なお、比較的に厚い窒化ホウ素膜１４を形成したい場合には、スプレーによる塗布と乾燥とを複数回繰り返せばよい。また、スプレーによる塗布の代わりに、ドクターブレード法や含浸処理法等が用いられてもよい。また、乾燥時間短縮のため、乾燥炉による強制乾燥を実施してもよい。

（電子部品の製造方法）
以下に、本発明の一実施形態に係る電子部品の製造方法について図面を参照しながら説明する。図３は、外部電極２４の焼成時における焼成用さや１０及び電子部品２０を示した外観斜視図である。

電子部品２０は、図３に示すように、本体２２及び２つの外部電極２４を備えている。本体２２は、前後方向に長手方向を有する直方体状をなしており、例えば、複数の絶縁体層が上下方向に積層された積層体である。また、本体２２は、図示しないコイルやコンデンサ等の回路素子を内蔵している。なお、本体２２として、積層体の代わりに、樹脂等が固められた素体が用いられてもよい。

２つの外部電極２４は、本体２２の前後方向の２つの端面を覆っており、端面に隣接する上面、下面及び２つの側面の一部にも設けられている。

まず、本体２２を作製する。具体的には、大判のセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷により、回路素子となる導体層を形成する。導体層を接続する必要のある場合は、ビアホール導体を形成する。なお、導体層の形成工程及びビアホール導体の形成工程は、一般的なこれらの形成工程と同じであるので、説明を省略する。

次に、セラミックグリーンシートを積層する。具体的には、セラミックグリーンシートを１枚ずつ積層及び仮圧着して、マザー積層体を得る。そして、マザー積層体に対して静水圧プレスなどにより圧着を行う。

次に、マザー積層体をダイサー等によりカットすることにより、複数の未焼成の本体２２を得る。更に、未焼成の本体２２を焼成することにより、焼成された本体２２を得る。

次に、本体２２の両端面に、金属粉末（例えば、Ｃｕ粉末）及びガラスを含んだ導電性ペーストを塗布して、外部電極２４の下地電極を形成する。更に、下地電極が形成された本体２２を図３に示すように、焼成用さや１０の窒化ホウ素膜１４上に並べて載置する。そして、焼成炉において、８００℃以上１０００℃以下の温度、及び、１．０×１０^-14ＭＰａ以下の酸素濃度の条件下で外部電極２４の下地電極を焼成する。

最後に、下地電極の表面にＮｉめっき及びＳｎめっきを施す。これにより、電子部品２０が完成する。

（効果）
本実施形態に係る焼成用さや１０によれば、窒化ホウ素膜１４がセラミック基材１２に対して密着するようになる。より詳細には、セラミック基材１２は、１５％以上４０％以下の気孔率を有する多孔質部材である。そのため、図２に示すように、セラミック基材１２の上面には微細な凹凸が形成されている。これにより、窒化ホウ素膜１４は、セラミック基材１２の上面の凹凸を埋めるように形成される。よって、アンカー効果によって、窒化ホウ素膜１４がセラミック基材１２により強固に密着するようになる。また、窒化ホウ素材料は離型性を有するので、窒化ホウ素膜１４の上に載置された電子部品２０がくっつきにくくなる。以上より、電子部品２０の外部電極２４の下地電極の焼成時に、電子部品２０が窒化ホウ素膜１４に固着したり、窒化ホウ素膜１４がセラミック基材１２からはがれたりすることが抑制される。

また、本実施形態に係る焼成用さや１０によれば、焼成用さや１０を容易に製造することができる。より詳細には、焼成用さや１０では、セラミック基材１２が多孔質部材であることにより、セラミック基材１２の主面に凹凸が形成されている。このような多孔質部材であるセラミック基材１２の作製には、セラミック基材１２の材料となるセラミックスラリーに樹脂ビーズを混入し、セラミックスラリーを型に流し込んで成形した後に焼成すればよい。よって、本実施形態に係る焼成用さや１０によれば、セラミック基材１２の主面に凹凸を形成するために、セラミック基材１２に対して加工を施す必要がない。その結果、焼成用さや１０を容易に製造することが可能となる。なお、セラミック基材１２は、１５％以上４０％以下の気孔率を有していることが好ましいことが、後述する実験結果より分かっている。

また、本実施形態に係る電子部品２０の製造方法では、焼成用さや１０を用いて、１．０×１０^-14ＭＰａ以下の酸素濃度の条件下で外部電極２４の下地電極を焼成している。これにより、焼成時における電子部品２０の固着や窒化ホウ素膜１４のはがれが抑制されることが後述する実験結果より分かっている。

また、電子部品２０の外部電極２４の焼成温度の上限は、１０００℃であることが好ましい。焼成温度が１０００℃を超えると、外部電極２４中のＣｕが過焼結を起こして、外部電極２４と本体２２内の導体とが接続されないためである。

（第１の実験）
本願発明者は、セラミック基材１２の好ましい気孔率を求めるために、以下に説明する第１の実験を行った。まず、本願発明者は、以下に示す焼成用さや１０の５種類のサンプルＡ〜サンプルＥを５０枚ずつ作製した。

サンプルＡ：気孔率１０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＢ：気孔率１５％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＣ：気孔率３０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＤ：気孔率４０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＥ：気孔率５０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＡ〜サンプルＥのその他の製造条件は、焼成用さや１０の製造方法において説明した条件であるので説明を省略する。

次に、サンプルＡ〜サンプルＥに複数の電子部品２０を載置し、外部電極２４の下地電極の焼成を５００回繰り返して、窒化ホウ素膜１４の膜厚を測定した。電子部品２０のサイズは長さ３．２ｍｍ、幅２．２５ｍｍのものを用いた。電子部品２０の個数は約１０００個／焼成用さや、焼成温度は８００℃〜９００℃、焼成時間は０．５時間〜１時間とした。窒化ホウ素膜１４の膜厚の測定では、マイクロメーターにより１枚のサンプルに対して９か所における窒化ホウ素膜１４の膜厚を測定し、これらの第１の平均値を求めた。更に、５０枚のサンプルのそれぞれの第１の平均値の第２の平均値を求めて窒化ホウ素膜１４の膜厚とした。表１は、第１の実験の結果を示した表である。第１の実験では、３００回の焼成を行っても、窒化ホウ素膜１４の膜厚が５μｍ以上残存しているサンプルについて良と判定した。表では、良をＧと表記し、不良をＮＧと表記した。なお、５μｍ以上のサンプルを良と判定した理由は、後述する第３の実験において、電子部品２０の固着（電子部品２０と窒化ホウ素膜１４との固着）及び窒化ホウ素膜１４のはがれ（窒化ホウ素膜１４のセラミック基材１２からのはがれ）を防止するためには、窒化ホウ素膜１４の膜厚が５μｍ以上であることが好ましいことが分かっているためである。

表１によれば、１０％の気孔率を有するサンプルＡでは、１５０回の焼成が行われると、窒化ホウ素膜１４の膜厚が４μｍとなった。よって、サンプルＡについては、不良と判定した。一方、１５％以上の気孔率を有するサンプルＢ、サンプルＣ及びサンプルＤでは、３００回以上の焼成が行われても、窒化ホウ素膜１４の膜厚が５μｍ以上であった。なお、サンプルＥでは、３００回以上の焼成が行われても、窒化ホウ素膜１４の膜厚が５μｍ以上であることが明らかであるので、実験を行わなかった。よって、電子部品２０の固着及び窒化ホウ素膜１４のはがれを防止する観点から、セラミック基材１２の気孔率は、１５％以上が好ましいことが分かる。

以上のように、セラミック基材１２の気孔率が高くなるにしたがって、窒化ホウ素膜１４が残存しやすいことが分かる。以下に理由を説明する。

外部電極２４の下地電極の焼成は、１回行うたびに、ブラシなどにより電子部品２０を焼成用さや１０から掻き落とす（ブラッシング）。そのため、ブラッシングの度に窒化ホウ素膜１４が僅かに削られる。窒化ホウ素膜１４が削られて薄くなると、窒化ホウ素膜１４の強度が低下する。

ただし、１回のブラッシングにより窒化ホウ素膜１４が削られる量は、セラミック基材１２の気孔率に関係なく一律である。しかしながら、セラミック基材１２の気孔率が低くなれば、窒化ホウ素膜１４のセラミック基材１２に対する密着性が低くなるので、窒化ホウ素膜１４がセラミック基材１２からはがれやすくなる。よって、低い気孔率を有するサンプル及び高い気孔率を有するサンプルのいずれにおいても同様に窒化ホウ素膜１４が薄くなったとしても、低い気孔率を有するサンプルの方が、高い気孔率を有するサンプルに比べて、窒化ホウ素膜１４のはがれが発生しやすい。

ここで、窒化ホウ素膜１４の膜厚の測定では、マイクロメーターにより１枚のサンプルに対して９か所における窒化ホウ素膜１４の膜厚を測定し、これらの第１の平均値を求めた。窒化ホウ素膜１４にはがれが発生していない場合には、窒化ホウ素膜１４の膜厚の減少はブラッシングによる削れに依存する。このとき、低い気孔率を有するサンプルの窒化ホウ素膜１４の膜厚と、高い気孔率を有するサンプルの窒化ホウ素膜１４の膜厚とは、略等しい。ただし、前記の通り、低い気孔率を有するサンプルの方が、高い気孔率を有するサンプルに比べて、窒化ホウ素膜１４のはがれが発生しやすい。窒化ホウ素膜１４のはがれが発生すると、第１の平均値が低下し、更に、第２の平均値が低下する。その結果、低い気孔率を有するセラミック基材１２の窒化ホウ素膜１４の膜厚が、高い気孔率を有するセラミック基材１２の窒化ホウ素膜１４の膜厚よりも小さくなる。

（第２の実験）
本願発明者は、セラミック基材１２の好ましい気孔率を求めるために、以下に説明する第２の実験を行った。まず、本願発明者は、焼成用さや１０の５種類のサンプルＡ〜サンプルＥを５０枚ずつ作製した。サンプルＡ〜サンプルＥの条件については、既に説明したので省略する。

次に、サンプルＡ〜サンプルＥに電子部品２０を載置し、外部電極２４の下地電極の焼成を５００回繰り返して、セラミック基材１２に割れが発生した割合を調べた。表２は、第２の実験の結果を示した表である。表２において、例えば、サンプルＥの５０回の欄に１０％と記載されている意味は、１回目〜５０回目までの焼成において、５０枚のサンプルＥの内の５枚のサンプルＥに割れが発生したことを意味する。第２の実験では、３００回の焼成を行っても、セラミック基材１２に割れが発生しなかったサンプルについて良と判定した。

表２によれば、５０％の気孔率を有するサンプルＥでは、５０回の焼成が行われると、セラミック基材１２に割れが発生した。一方、４０％以下の気孔率を有するサンプルＢ、サンプルＣ及びサンプルＤでは、３００回以上の焼成が行われても、セラミック基材１２に割れが発生しなかった。なお、サンプルＡでは、３００回以上の焼成が行われても、セラミック基材１２に割れが発生しないことが明らかであるので、実験を行わなかった。よって、セラミック基材１２の割れの観点から、セラミック基材１２の気孔率は、４０％以下が好ましいことが分かる。

以上のように、第１の実験及び第２の実験によれば、セラミック基材１２の気孔率は、１５％以上４０％以下が好ましいことが分かる。

（第３の実験）
次に、本願発明者は、窒化ホウ素膜１４の好ましい膜厚を求めるために、以下に説明する第３の実験を行った。まず、本願発明者は、以下に示す焼成用さや１０の５種類のサンプルＦ〜サンプルＩを１００枚ずつ作製した。なお、サンプルＦ〜サンプルＩのその他の製造条件は、焼成用さや１０の製造方法において説明した条件であるので説明を省略する。

サンプルＦ：気孔率３０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚３μｍ
サンプルＧ：気孔率３０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５μｍ
サンプルＨ：気孔率３０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚５０μｍ
サンプルＩ：気孔率３０％，窒化ホウ素膜１４の膜厚１００μｍ
サンプルＦ〜サンプルＩのその他の製造条件は、焼成用さや１０の製造方法において説明した条件であるので説明を省略する。

次に、サンプルＦ〜サンプルＩに複数の電子部品２０を載置し、外部電極２４の下地電極の焼成を５００回繰り返して、電子部品２０が窒化ホウ素膜１４に固着した割合（以下、固着率と称す）、及び、窒化ホウ素膜１４にはがれが発生した割合（以下、はがれ率と称す）を調べた。すなわち、第３の実験では、窒化ホウ素膜１４の性能劣化を調べた。電子部品２０が１つでも固着した場合には、固着が発生したと判定した。同様に、窒化ホウ素膜１４に１箇所でもはがれが発生した場合には、はがれが発生したと判定した。なお、電子部品２０のサイズは長さ３．２ｍｍ、幅２．２５ｍｍのものを用いた。電子部品２０の個数は約１０００個／焼成用さや、焼成温度は８００℃〜９００℃、焼成時間は０．５時間〜１時間とした。

表３は、第３の実験の結果を示した表である。表３において、例えば、サンプルＦの７５回の欄に固着率が３％と記載されている意味は、１回目〜７５回目までの焼成において、１００枚のサンプルＦの内の３枚のサンプルＦに固着が発生したことを意味する。同様に、表３において、例えば、サンプルＦの７５回の欄にはがれ率が２％と記載されている意味は、１回目〜７５回目までの焼成において、１００枚のサンプルＦの内の２枚のサンプルＦにはがれが発生したことを意味する。そして、第３の実験では、３００回の焼成を行っても、固着率及びはがれ率の合計が５％より小さいサンプルについて良と判定した。なお、１枚の焼成用さやに、固着およびはがれの両方が発生した場合は、はがれの方にカウントした。

表３によれば、窒化ホウ素膜１４の膜厚が３μｍであるサンプルＦでは、７５回の焼成が行われると、固着率とはがれ率の合計が５％以上となった。一方、窒化ホウ素膜１４の膜厚が５μｍ以上であるサンプルＧ、サンプルＨ及びサンプルＩでは、３００回以上の焼成が行われても、固着率及びはがれ率の合計が５％より小さかった。よって、電子部品２０の固着及び窒化ホウ素膜１４のはがれの観点（すなわち、窒化ホウ素膜１４の性能の観点）から、窒化ホウ素膜１４の膜厚は、５μｍ以上であることが好ましいことが分かる。

（第４の実験）
次に、本願発明者は、焼成用さや１０を用いた電子部品２０の製造方法における好ましい条件を調べるために、以下に説明する第４の実験を行った。具体的には、焼成時の雰囲気の酸素濃度が高くなれば、窒化ホウ素膜１４が昇華してしまい離型性が低減するので、その確認実験を行なった。そこで、本願発明者は、サンプルＣを用いて、焼成時の雰囲気の酸素濃度を変化させて、電子部品２０の外部電極２４の下地電極の焼成を１００回繰り返した。酸素濃度は、１．０×１０^-17ＭＰａ、１．０×１０^-15ＭＰａ、１．０×１０^-14ＭＰａ、１．０×１０^-13ＭＰａ、１．０×１０^-12ＭＰａ、１．０×１０^-10ＭＰａとした。また、焼成温度の最高温度を９００℃とした。

本願発明者は、サンプルの外観を観察して、窒化ホウ素膜１４の昇華の有無を判定した。更に、窒化ホウ素膜１４のはがれ及び電子部品２０の固着の発生の有無も判定した。そして、１００回の焼成後に、昇華、はがれ又は固着のいずれもが発生しなかったサンプルを良と判定した。表４は、第４の実験の結果を示した表である。

表４によれば、酸素濃度が１．０×１０^-13ＭＰａ以上である場合には、１００回以下の焼成で、昇華、はがれ又は固着のいずれかが発生した。一方、酸素濃度は、１．０×１０^-14ＭＰａ以下である場合には、焼成を１００回行っても、昇華、はがれ又は固着が発生しなかった。よって、焼成用さや１０を用いた電子部品２０の製造方法では、酸素濃度は、１．０×１０^-14ＭＰａ以下であることが好ましい。なお、酸素濃度は、１．０×１０^-20ＭＰａ以上であることが好ましい。１．０×１０^-20ＭＰａより値が小さいと、外部電極２４中のガラス成分が揮発する可能性があるからである。

（その他の実施形態）
本発明に係る焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法は、前記実施形態に係る焼成用さや１０及びこれを用いた電子部品２０の製造方法に限らない。

なお、窒化ホウ素膜は、セラミック基材１２の上面及び下面に設けられてもよいし、上面のみに設けられていてもよい。また、セラミック基材１２の側面を含む全面に設けられていてもよい。

本発明は、焼成用さや及びこれを用いた電子部品の製造方法に有用であり、特に、焼成用さやを容易に製造できる点において優れている。

１０ 焼成用さや
１２ セラミック基材
１４ 窒化ホウ素膜
２０ 電子部品
２２ 本体
２４ 外部電極

Claims (4)

1. 被焼成体の焼成時に該被焼成体が載置される焼成用さやであって、
   １５％以上４０％以下の気孔率を有するセラミック基材と、
   前記セラミック基材の主面に設けられている窒化ホウ素膜と、
   を備えていること、
   を特徴とする焼成用さや。
2. 前記窒化ホウ素膜の厚さは、５μｍ以上であること、
   を特徴とする請求項１に記載の焼成用さや。
3. 金属粉末及びガラスを含んだ電極を備えた電子部品の製造方法であって、
   １５％以上４０％以下の気孔率を有するセラミック基材と、該セラミック基材の主面に設けられている窒化ホウ素膜と、を備えている焼成用さやの該窒化ホウ素膜上に前記電子部品を載置して、前記電極を焼成すること、
   を特徴とする電子部品の製造方法。
4. １．０×１０^-14ＭＰａ以下の酸素濃度の条件下において前記電極を焼成すること、
   を特徴とする請求項３に記載の電子部品の製造方法。

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