JP2018505567A - 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 - Google Patents
非発光性側壁再結合を低減させるled構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018505567A JP2018505567A JP2017553307A JP2017553307A JP2018505567A JP 2018505567 A JP2018505567 A JP 2018505567A JP 2017553307 A JP2017553307 A JP 2017553307A JP 2017553307 A JP2017553307 A JP 2017553307A JP 2018505567 A JP2018505567 A JP 2018505567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- led
- sidewall
- diode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/816—Bodies having carrier transport control structures, e.g. highly-doped semiconductor layers or current-blocking structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0137—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/819—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates
- H10H20/821—Bodies characterised by their shape, e.g. curved or truncated substrates of the light-emitting regions, e.g. non-planar junctions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
- H10H20/831—Electrodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/852—Encapsulations
- H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562100348P | 2015-01-06 | 2015-01-06 | |
| US62/100,348 | 2015-01-06 | ||
| US14/853,614 US9484492B2 (en) | 2015-01-06 | 2015-09-14 | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US14/853,614 | 2015-09-14 | ||
| PCT/US2015/064295 WO2016111789A1 (en) | 2015-01-06 | 2015-12-07 | Led structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019202959A Division JP2020036038A (ja) | 2015-01-06 | 2019-11-08 | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018505567A true JP2018505567A (ja) | 2018-02-22 |
| JP2018505567A5 JP2018505567A5 (OSRAM) | 2018-04-05 |
Family
ID=56286945
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017553307A Pending JP2018505567A (ja) | 2015-01-06 | 2015-12-07 | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
| JP2019202959A Pending JP2020036038A (ja) | 2015-01-06 | 2019-11-08 | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019202959A Pending JP2020036038A (ja) | 2015-01-06 | 2019-11-08 | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9484492B2 (OSRAM) |
| EP (1) | EP3243223B1 (OSRAM) |
| JP (2) | JP2018505567A (OSRAM) |
| KR (3) | KR20190109586A (OSRAM) |
| CN (1) | CN107408603B (OSRAM) |
| WO (1) | WO2016111789A1 (OSRAM) |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112655097A (zh) * | 2018-09-07 | 2021-04-13 | 三星显示有限公司 | 发光二极管及其制造方法和包括该发光二极管的显示装置 |
| JP2021077885A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体素子及びそれを含む半導体アセンブリ |
| US11139342B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-10-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | UV-LED and display |
| US11217622B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-01-04 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
| JP2022505673A (ja) * | 2018-11-06 | 2022-01-14 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 超低漏洩電流を伴うマイクロled |
| JP2022533787A (ja) * | 2019-05-24 | 2022-07-25 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | パッシベーション層を含む発光ダイオード前駆体 |
| KR20220117302A (ko) * | 2019-12-18 | 2022-08-23 | 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 | 발광 다이오드 전구체 |
| JP2022537495A (ja) * | 2019-06-19 | 2022-08-26 | コンプテック ソリューションズ オーユー | 光電子デバイス |
| JP2022547671A (ja) * | 2019-09-06 | 2022-11-15 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 発光ダイオードおよび発光ダイオードの形成方法 |
| JP2022547670A (ja) * | 2019-09-06 | 2022-11-15 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 歪み緩和構造を組み込んだled前駆体 |
| JP2022551589A (ja) * | 2019-10-01 | 2022-12-12 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP2023510977A (ja) * | 2020-01-22 | 2023-03-15 | ポロ テクノロジーズ リミテッド | 赤色led及び製造方法 |
| JP2023516811A (ja) * | 2020-03-11 | 2023-04-20 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 画定されたハードマスク開口を有する発光ダイオードデバイ |
| WO2023068160A1 (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
| CN116057718A (zh) * | 2020-06-02 | 2023-05-02 | 元平台技术有限公司 | 具有局部电流孔的高效红色micro-LED |
| JP2023526488A (ja) * | 2020-05-19 | 2023-06-21 | グーグル エルエルシー | 発光素子のための歪み管理層の組合せ |
| JP7422449B1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-01-26 | アルディーテック株式会社 | 発光ダイオードチップ集積装置 |
| JP2024026189A (ja) * | 2018-08-10 | 2024-02-28 | ビジョンラボ コーポレーション | マイクロ発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2024516089A (ja) * | 2021-04-20 | 2024-04-12 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 放射放出半導体チップおよび放射放出半導体チップの製造方法 |
| JP2024160252A (ja) * | 2020-05-19 | 2024-11-13 | グーグル エルエルシー | デバイス、ディスプレイ、発光ダイオード、iii族窒化物デバイス、デバイスを製造する方法、複数のデバイスを製造する方法、マルチカラー発光ダイオードを動作させる方法 |
| JP2025015547A (ja) * | 2019-09-27 | 2025-01-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | ディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置 |
| JP2025503683A (ja) * | 2022-01-14 | 2025-02-04 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 光電子デバイスを処理する方法及び光電子デバイス |
Families Citing this family (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9865772B2 (en) | 2015-01-06 | 2018-01-09 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
| US10297581B2 (en) | 2015-07-07 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Quantum dot integration schemes |
| US10297719B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-05-21 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro-light emitting diode (micro-LED) device |
| KR102402999B1 (ko) | 2015-08-31 | 2022-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| DE102015120089A1 (de) * | 2015-11-19 | 2017-05-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtdiodenchips |
| KR102651054B1 (ko) * | 2016-02-22 | 2024-03-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전사 장치, 이를 이용한 전사 방법 및 표시 장치 |
| US10132478B2 (en) | 2016-03-06 | 2018-11-20 | Svv Technology Innovations, Inc. | Flexible solid-state illumination devices |
| DE102016105407A1 (de) * | 2016-03-23 | 2017-09-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung und elektronische Vorrichtung |
| CN109155345B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-10-28 | 苹果公司 | 用于减少的非辐射侧壁复合的led结构 |
| US10396241B1 (en) * | 2016-08-04 | 2019-08-27 | Apple Inc. | Diffusion revealed blocking junction |
| CN106340597B (zh) * | 2016-08-31 | 2019-01-18 | 纳晶科技股份有限公司 | 发光器件 |
| TWI648870B (zh) * | 2016-12-09 | 2019-01-21 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 發光二極體晶片 |
| TWI646680B (zh) * | 2017-01-10 | 2019-01-01 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體晶片以及顯示面板 |
| US12015103B2 (en) * | 2017-01-10 | 2024-06-18 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Micro light emitting diode display panel with option of choosing to emit light both or respectively of light-emitting regions |
| CN109216417B (zh) * | 2017-06-30 | 2023-10-17 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN109860364B (zh) * | 2017-08-30 | 2020-09-01 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管 |
| US20220384688A1 (en) * | 2017-08-30 | 2022-12-01 | Xiamen San'an Optoelectronics Co., Ltd. | Micro light-emitting diode and micro light-emitting diode array |
| KR102498252B1 (ko) | 2017-09-26 | 2023-02-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 칩들을 포함하는 디스플레이 및 그 제조 방법 |
| US10325889B1 (en) | 2018-01-12 | 2019-06-18 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Display device including LED devices with selective activation function |
| WO2019147589A1 (en) | 2018-01-24 | 2019-08-01 | Apple Inc. | Micro led based display panel |
| US10644196B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-05-05 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
| US10622519B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-04-14 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-LEDs |
| US20190305188A1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | Facebook Technologies, Llc | Reduction of surface recombination losses in micro-leds |
| US10468552B2 (en) * | 2018-03-30 | 2019-11-05 | Facebook Technologies, Llc | High-efficiency micro-LEDs |
| TWI672466B (zh) * | 2018-04-11 | 2019-09-21 | 台灣愛司帝科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示器及其製作方法 |
| KR102579057B1 (ko) | 2018-06-11 | 2023-09-14 | 샤먼 산안 옵토일렉트로닉스 컴퍼니 리미티드 | 발광 어셈블리 |
| DE202019103446U1 (de) * | 2018-06-19 | 2019-11-29 | Soraa, Inc. | Lichtemittierende Gruppe-III-Nitrid-Diode mit hohem Wirkungsgrad |
| CN108598867B (zh) * | 2018-06-26 | 2020-06-12 | 扬州乾照光电有限公司 | Dbr结构芯片及其制备方法 |
| KR102136579B1 (ko) * | 2018-07-27 | 2020-07-22 | 서울대학교산학협력단 | 표시 장치 |
| CN111933771B (zh) * | 2018-07-28 | 2023-02-17 | 厦门三安光电有限公司 | 微发光二极管及其显示装置 |
| US11201265B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-12-14 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
| US10923628B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-02-16 | Lumileds Llc | Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates |
| US10964845B2 (en) | 2018-09-27 | 2021-03-30 | Lumileds Llc | Micro light emitting devices |
| US10811460B2 (en) | 2018-09-27 | 2020-10-20 | Lumileds Holding B.V. | Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates |
| TWI804685B (zh) * | 2018-09-27 | 2023-06-11 | 美商亮銳公司 | 於圖案化模板及基板上之微米級發光二極體顯示器 |
| KR102601950B1 (ko) * | 2018-11-16 | 2023-11-14 | 삼성전자주식회사 | Led 소자, led 소자의 제조 방법 및 led 소자를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR102701758B1 (ko) | 2018-11-27 | 2024-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자, 이의 제조 방법 및 발광 소자를 구비한 표시 장치 |
| CN109755359A (zh) * | 2019-01-15 | 2019-05-14 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种发光二极管芯片的制造方法 |
| EP3696300A1 (de) | 2019-02-18 | 2020-08-19 | Aixatech GmbH | Verfahren zur herstellung eines verbundmaterialkörpers insbesondere für die verwendung bei der herstellung von elektronischen oder optoelektronischen bauelementen |
| US10680035B1 (en) * | 2019-03-12 | 2020-06-09 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Micro light-emitting diode display device and micro light-emitting diode driving circuit |
| KR102737506B1 (ko) | 2019-03-18 | 2024-12-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| US11677042B2 (en) * | 2019-03-29 | 2023-06-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Regrowth of epitaxial layer for surface recombination velocity reduction in light emitting diodes |
| US11158761B2 (en) * | 2019-05-07 | 2021-10-26 | Facebook Technologies, Llc | Bonding methods for light emitting diodes |
| EP3745474A1 (en) * | 2019-05-28 | 2020-12-02 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Optoelectronic device and method for manufacturing an optoe-lectronic device |
| DE102019117207A1 (de) * | 2019-06-26 | 2020-12-31 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip und verfahren zur herstellung eines leuchtdiodenchips |
| JP7403201B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-12-22 | 信一郎 高谷 | 化合物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
| TWI707466B (zh) * | 2019-07-23 | 2020-10-11 | 國立中興大學 | 亮度均勻之被動式微發光二極體陣列裝置 |
| CN110534473B (zh) * | 2019-07-29 | 2022-04-05 | 中国科学院微电子研究所 | 化合物半导体与硅基互补金属氧化物半导体晶圆的异构集成方法及异构集成器件 |
| DE102019121580A1 (de) * | 2019-08-09 | 2021-02-11 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Bauelement mit reduzierter absorption und verfahren zur herstellung eines bauelements |
| KR102892292B1 (ko) | 2019-08-19 | 2025-11-26 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US11309464B2 (en) | 2019-10-14 | 2022-04-19 | Facebook Technologies, Llc | Micro-LED design for chief ray walk-off compensation |
| US11424289B2 (en) | 2019-11-14 | 2022-08-23 | Meta Platforms Technologies, Llc | In situ selective etching and selective regrowth of epitaxial layer for surface recombination velocity reduction in light emitting diodes |
| FR3105568B1 (fr) * | 2019-12-19 | 2021-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour fabriquer un substrat comprenant une couche d’ingan relaxee |
| KR102802247B1 (ko) * | 2020-01-22 | 2025-05-07 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| EP3855513A3 (en) | 2020-01-22 | 2021-11-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor led and method of manufacturing the same |
| KR102871497B1 (ko) | 2020-01-22 | 2025-10-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| KR102866518B1 (ko) | 2020-02-03 | 2025-09-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치 |
| CN111341893B (zh) * | 2020-03-03 | 2021-03-26 | 中国科学院半导体研究所 | 一种AlGaN基二极管及其制备方法 |
| DE102020106113A1 (de) * | 2020-03-06 | 2021-09-09 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender halbleiterkörper, strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterkörpers |
| CN113451108B (zh) * | 2020-03-24 | 2024-06-25 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种超柔性透明半导体薄膜及其制备方法 |
| GB2593698B (en) | 2020-03-30 | 2022-12-07 | Plessey Semiconductors Ltd | Monolithic electronic device |
| KR102506449B1 (ko) * | 2020-04-23 | 2023-03-07 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 |
| KR102870852B1 (ko) | 2020-06-24 | 2025-10-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| US11764095B2 (en) | 2020-07-10 | 2023-09-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Wet alignment method for micro-semiconductor chip and display transfer structure |
| TW202221937A (zh) * | 2020-08-04 | 2022-06-01 | 英商普羅科技有限公司 | Led裝置及製造方法 |
| TWI858136B (zh) * | 2020-09-18 | 2024-10-11 | 許華珍 | 一種顯示裝置 |
| KR20220045478A (ko) | 2020-10-05 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
| US11600656B2 (en) | 2020-12-14 | 2023-03-07 | Lumileds Llc | Light emitting diode device |
| CN114744092B (zh) * | 2021-01-08 | 2025-04-18 | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 | 减少非辐射复合的微发光二极体的制作方法及制作机台 |
| US20240128400A1 (en) * | 2021-03-05 | 2024-04-18 | The Regents Of The University Of California | Method to improve the performance of gallium-containing micron-sized light-emitting devices |
| US20220320366A1 (en) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Semileds Corporation | Method To Remove An Isolation Layer On The Corner Between The Semiconductor Light Emitting Device To The Growth Substrate |
| DE102021207298A1 (de) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip |
| CN113851568A (zh) * | 2021-08-19 | 2021-12-28 | 厦门大学 | 一种利用原子层沉积技术提高微型led调制带宽的办法 |
| KR20230033773A (ko) | 2021-09-01 | 2023-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| DE112021008444T5 (de) * | 2021-11-10 | 2024-09-12 | Ams-Osram International Gmbh | Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips |
| DE102021129843A1 (de) | 2021-11-16 | 2023-05-17 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung einer vielzahl strahlungsemittierender halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip |
| CN114188453A (zh) * | 2021-11-30 | 2022-03-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 垂直led芯片及其制备方法、led阵列及显示面板 |
| JP7272412B1 (ja) | 2021-12-03 | 2023-05-12 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
| CN118661271A (zh) * | 2022-01-31 | 2024-09-17 | 上海显耀显示科技有限公司 | 一种具有再生长层的微型led面板及其制造方法 |
| KR20230130201A (ko) * | 2022-03-02 | 2023-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함한 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법 |
| US12148863B2 (en) | 2022-03-24 | 2024-11-19 | Meta Platforms Technologies, Llc | Directional light extraction from micro-LED via localization of light emitting area using mesa sidewall epitaxy |
| DE102022119108A1 (de) * | 2022-07-29 | 2024-02-01 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements |
| CN115458647B (zh) * | 2022-10-31 | 2025-08-19 | 天津三安光电有限公司 | 一种垂直led芯片结构及其制造方法及发光装置 |
| KR20240174913A (ko) * | 2023-06-08 | 2024-12-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| DE102023132870A1 (de) * | 2023-11-24 | 2025-05-28 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronisches bauelement und verfahren |
| WO2025165671A1 (en) * | 2024-01-30 | 2025-08-07 | Meta Platforms Technologies, Llc | Band gap engineering with self-aligned process |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114675A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子ならびにその製造方法 |
| JPH05110202A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Nec Corp | 面発光素子の製造方法 |
| JPH05275802A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH09162441A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH11284280A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにiii−v族化合物半導体素子の製造方法 |
| DE10039435A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit erhöhter Strahlungsauskopplung und Herstellungsverfahren hierfür |
| JP2004281559A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2005244245A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体チップおよびこの種の半導体チップの製造方法 |
| JP2009260357A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 光電子半導体素子および光電子半導体素子の製造方法 |
| US20100276726A1 (en) * | 2009-05-04 | 2010-11-04 | Hyun Kyong Cho | Light emitting device, package, and system |
| JP2012500479A (ja) * | 2008-08-19 | 2012-01-05 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 両面不動態化を伴う半導体発光デバイスを製造するための方法 |
| JP2013110374A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Sony Corp | 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置 |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0680855B2 (ja) * | 1984-04-19 | 1994-10-12 | 日本電気株式会社 | 埋め込み構造半導体レーザ |
| JPS62162383A (ja) * | 1986-01-11 | 1987-07-18 | Fumio Inaba | 半導体発光装置 |
| JPS63143889A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Ricoh Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JPS63196089A (ja) | 1987-02-10 | 1988-08-15 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体発光素子の製造方法 |
| US5138624A (en) | 1989-11-16 | 1992-08-11 | The Boeing Company | Multiwavelength LED and laser diode optical source |
| JP2655943B2 (ja) * | 1991-02-28 | 1997-09-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH0555711A (ja) | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| JPH05218498A (ja) | 1992-02-03 | 1993-08-27 | Mitsubishi Kasei Corp | 横方向に接合を有する発光ダイオード |
| JPH06163981A (ja) * | 1992-11-25 | 1994-06-10 | Victor Co Of Japan Ltd | 半導体装置 |
| US5614734A (en) | 1995-03-15 | 1997-03-25 | Yale University | High efficency LED structure |
| JP3585817B2 (ja) | 2000-09-04 | 2004-11-04 | ユーディナデバイス株式会社 | レーザダイオードおよびその製造方法 |
| US6891202B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Infinera Corporation | Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices |
| US6906353B1 (en) * | 2003-11-17 | 2005-06-14 | Jds Uniphase Corporation | High speed implanted VCSEL |
| JP4655920B2 (ja) * | 2005-12-22 | 2011-03-23 | 日立電線株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP5017865B2 (ja) * | 2006-01-17 | 2012-09-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP4903643B2 (ja) * | 2007-07-12 | 2012-03-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子 |
| JP5170869B2 (ja) * | 2007-11-05 | 2013-03-27 | 古河電気工業株式会社 | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 |
| KR100903103B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-16 | 우리엘에스티 주식회사 | 화합물 반도체를 이용한 발광소자 |
| JP2009224480A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Panasonic Corp | 2波長半導体レーザ装置 |
| CN102067346B (zh) * | 2008-08-19 | 2013-09-04 | 晶能光电(江西)有限公司 | 具有钝化层的半导体发光器件及其制造方法 |
| JP5356292B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2013-12-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
| US8237174B2 (en) * | 2010-05-10 | 2012-08-07 | National Central University | LED structure |
| DE102010026518B4 (de) * | 2010-07-08 | 2025-02-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Leuchtdiodenchip und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Leuchtdiodenchips |
| US9093818B2 (en) * | 2010-07-15 | 2015-07-28 | The Regents Of The University Of California | Nanopillar optical resonator |
| CN103415935B (zh) * | 2011-03-14 | 2016-09-14 | 皇家飞利浦有限公司 | 具有重新分布用于倒装芯片安装的垂直接触件的led |
| JP2014204095A (ja) * | 2013-04-10 | 2014-10-27 | 信越半導体株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8987765B2 (en) * | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US8928021B1 (en) | 2013-06-18 | 2015-01-06 | LuxVue Technology Corporation | LED light pipe |
| US9450147B2 (en) | 2013-12-27 | 2016-09-20 | Apple Inc. | LED with internally confined current injection area |
-
2015
- 2015-09-14 US US14/853,614 patent/US9484492B2/en active Active
- 2015-12-07 EP EP15812919.7A patent/EP3243223B1/en active Active
- 2015-12-07 JP JP2017553307A patent/JP2018505567A/ja active Pending
- 2015-12-07 KR KR1020197027276A patent/KR20190109586A/ko not_active Withdrawn
- 2015-12-07 CN CN201580076368.9A patent/CN107408603B/zh active Active
- 2015-12-07 KR KR1020177020694A patent/KR20170100611A/ko not_active Ceased
- 2015-12-07 WO PCT/US2015/064295 patent/WO2016111789A1/en not_active Ceased
- 2015-12-07 KR KR1020217018569A patent/KR102380538B1/ko active Active
-
2019
- 2019-11-08 JP JP2019202959A patent/JP2020036038A/ja active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02114675A (ja) * | 1988-10-25 | 1990-04-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子ならびにその製造方法 |
| JPH05110202A (ja) * | 1991-10-17 | 1993-04-30 | Nec Corp | 面発光素子の製造方法 |
| JPH05275802A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザの製造方法 |
| JPH09162441A (ja) * | 1995-12-05 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH11284280A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法ならびにiii−v族化合物半導体素子の製造方法 |
| DE10039435A1 (de) * | 2000-08-11 | 2002-02-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit erhöhter Strahlungsauskopplung und Herstellungsverfahren hierfür |
| JP2004281559A (ja) * | 2003-03-13 | 2004-10-07 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2005244245A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 発光半導体チップおよびこの種の半導体チップの製造方法 |
| JP2009260357A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 光電子半導体素子および光電子半導体素子の製造方法 |
| JP2012500479A (ja) * | 2008-08-19 | 2012-01-05 | ラティス パワー (チアンシ) コーポレイション | 両面不動態化を伴う半導体発光デバイスを製造するための方法 |
| US20100276726A1 (en) * | 2009-05-04 | 2010-11-04 | Hyun Kyong Cho | Light emitting device, package, and system |
| JP2013110374A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-06-06 | Sony Corp | 発光素子およびその製造方法、並びに発光装置 |
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7710250B2 (ja) | 2018-08-10 | 2025-07-18 | ビジョンラボ コーポレーション | マイクロ発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP2024026189A (ja) * | 2018-08-10 | 2024-02-28 | ビジョンラボ コーポレーション | マイクロ発光ダイオード装置の製造方法 |
| JP7197686B2 (ja) | 2018-09-07 | 2022-12-27 | 三星ディスプレイ株式會社 | 発光素子、及びその製造方法、並びに発光素子を備えた表示装置 |
| JP2021536134A (ja) * | 2018-09-07 | 2021-12-23 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co., Ltd. | 発光素子、及びその製造方法、並びに発光素子を備えた表示装置 |
| JP7499916B2 (ja) | 2018-09-07 | 2024-06-14 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示装置 |
| CN112655097A (zh) * | 2018-09-07 | 2021-04-13 | 三星显示有限公司 | 发光二极管及其制造方法和包括该发光二极管的显示装置 |
| JP2023106470A (ja) * | 2018-09-07 | 2023-08-01 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示装置 |
| JP7280430B2 (ja) | 2018-09-07 | 2023-05-23 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示装置 |
| JP2023025278A (ja) * | 2018-09-07 | 2023-02-21 | 三星ディスプレイ株式會社 | 発光素子 |
| US11139342B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-10-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | UV-LED and display |
| JP2023112092A (ja) * | 2018-11-06 | 2023-08-10 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 超低漏洩電流を伴うマイクロled |
| JP7374516B2 (ja) | 2018-11-06 | 2023-11-07 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 超低漏洩電流を伴うマイクロled |
| JP2022505673A (ja) * | 2018-11-06 | 2022-01-14 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 超低漏洩電流を伴うマイクロled |
| US12484347B2 (en) | 2018-11-06 | 2025-11-25 | The Regents Of The University Of California | Method of forming micro-LEDs with ultra-low leakage current |
| JP7447151B2 (ja) | 2019-05-24 | 2024-03-11 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | パッシベーション層を含む発光ダイオード前駆体 |
| JP2022533787A (ja) * | 2019-05-24 | 2022-07-25 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | パッシベーション層を含む発光ダイオード前駆体 |
| JP2022537495A (ja) * | 2019-06-19 | 2022-08-26 | コンプテック ソリューションズ オーユー | 光電子デバイス |
| JP7503080B2 (ja) | 2019-06-19 | 2024-06-19 | コンプテック ソリューションズ オーユー | 光電子デバイス |
| US11967606B2 (en) | 2019-07-19 | 2024-04-23 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| US11217622B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-01-04 | Nichia Corporation | Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device |
| US11682691B2 (en) | 2019-07-19 | 2023-06-20 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
| JP2022547671A (ja) * | 2019-09-06 | 2022-11-15 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 発光ダイオードおよび発光ダイオードの形成方法 |
| JP2022547670A (ja) * | 2019-09-06 | 2022-11-15 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 歪み緩和構造を組み込んだled前駆体 |
| JP7338045B2 (ja) | 2019-09-06 | 2023-09-04 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 発光ダイオードおよび発光ダイオードの形成方法 |
| JP2025015547A (ja) * | 2019-09-27 | 2025-01-30 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | ディスプレイ用発光素子およびそれを有するディスプレイ装置 |
| US12224379B2 (en) | 2019-10-01 | 2025-02-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing optoelectronic semiconductor chips, and optoelectronic semiconductor chip |
| JP2022551589A (ja) * | 2019-10-01 | 2022-12-12 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | オプトエレクトロニクス半導体チップの製造方法およびオプトエレクトロニクス半導体チップ |
| JP7654381B2 (ja) | 2019-11-06 | 2025-04-01 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 半導体素子及びそれを含む半導体アセンブリ |
| JP2021077885A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司Epistar Corporation | 半導体素子及びそれを含む半導体アセンブリ |
| KR20220117302A (ko) * | 2019-12-18 | 2022-08-23 | 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 | 발광 다이오드 전구체 |
| KR102775450B1 (ko) | 2019-12-18 | 2025-03-05 | 플레세이 세미컨덕터스 리미티드 | 발광 다이오드 전구체 |
| JP7561851B2 (ja) | 2019-12-18 | 2024-10-04 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 発光ダイオード前駆体およびその製造方法 |
| JP2023507445A (ja) * | 2019-12-18 | 2023-02-22 | プレッシー・セミコンダクターズ・リミテッド | 発光ダイオード前駆体およびその製造方法 |
| JP2023510977A (ja) * | 2020-01-22 | 2023-03-15 | ポロ テクノロジーズ リミテッド | 赤色led及び製造方法 |
| JP7694574B2 (ja) | 2020-03-11 | 2025-06-18 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 画定されたハードマスク開口を有する発光ダイオードデバイ |
| JP2023516811A (ja) * | 2020-03-11 | 2023-04-20 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 画定されたハードマスク開口を有する発光ダイオードデバイ |
| JP2024160252A (ja) * | 2020-05-19 | 2024-11-13 | グーグル エルエルシー | デバイス、ディスプレイ、発光ダイオード、iii族窒化物デバイス、デバイスを製造する方法、複数のデバイスを製造する方法、マルチカラー発光ダイオードを動作させる方法 |
| JP7774105B2 (ja) | 2020-05-19 | 2025-11-20 | グーグル エルエルシー | デバイス、ディスプレイ、発光ダイオード、iii族窒化物デバイス、デバイスを製造する方法、複数のデバイスを製造する方法、マルチカラー発光ダイオードを動作させる方法 |
| JP7766048B2 (ja) | 2020-05-19 | 2025-11-07 | グーグル エルエルシー | Led構造及び発光デバイス |
| JP2023526488A (ja) * | 2020-05-19 | 2023-06-21 | グーグル エルエルシー | 発光素子のための歪み管理層の組合せ |
| CN116057718A (zh) * | 2020-06-02 | 2023-05-02 | 元平台技术有限公司 | 具有局部电流孔的高效红色micro-LED |
| JP2023529582A (ja) * | 2020-06-02 | 2023-07-11 | メタ プラットフォームズ テクノロジーズ, リミテッド ライアビリティ カンパニー | 局在化電流開口をもつ高効率赤色マイクロled |
| JP7688721B2 (ja) | 2021-04-20 | 2025-06-04 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 放射放出半導体チップおよび放射放出半導体チップの製造方法 |
| JP2024516089A (ja) * | 2021-04-20 | 2024-04-12 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 放射放出半導体チップおよび放射放出半導体チップの製造方法 |
| JP2023060611A (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-28 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
| JP7367743B2 (ja) | 2021-10-18 | 2023-10-24 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
| WO2023068160A1 (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 信越半導体株式会社 | 接合型半導体ウェーハの製造方法 |
| JP2025503683A (ja) * | 2022-01-14 | 2025-02-04 | エイエムエス-オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 光電子デバイスを処理する方法及び光電子デバイス |
| JP7422449B1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-01-26 | アルディーテック株式会社 | 発光ダイオードチップ集積装置 |
| WO2024052971A1 (ja) * | 2022-09-06 | 2024-03-14 | アルディーテック株式会社 | 発光ダイオードチップ、発光ダイオードチップ集積装置および発光ダイオードチップ集積装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3243223A1 (en) | 2017-11-15 |
| US20160197232A1 (en) | 2016-07-07 |
| CN107408603A (zh) | 2017-11-28 |
| KR20210076197A (ko) | 2021-06-23 |
| JP2020036038A (ja) | 2020-03-05 |
| WO2016111789A1 (en) | 2016-07-14 |
| KR20190109586A (ko) | 2019-09-25 |
| CN107408603B (zh) | 2020-04-14 |
| KR102380538B1 (ko) | 2022-03-29 |
| US9484492B2 (en) | 2016-11-01 |
| EP3243223B1 (en) | 2022-06-08 |
| KR20170100611A (ko) | 2017-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020036038A (ja) | 非発光性側壁再結合を低減させるled構造 | |
| US10714655B2 (en) | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination | |
| US11978825B2 (en) | LED with internally confined current injection area | |
| US9601659B2 (en) | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination | |
| CN109155345B (zh) | 用于减少的非辐射侧壁复合的led结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170809 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180129 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180628 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181018 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190318 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190618 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190708 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191108 |
|
| C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20191108 |
|
| C11 | Written invitation by the commissioner to file amendments |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C11 Effective date: 20191125 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20191223 |
|
| C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20200106 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20200117 |
|
| C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20200127 |
|
| C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20200525 |
|
| C23 | Notice of termination of proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C23 Effective date: 20200727 |
|
| C03 | Trial/appeal decision taken |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C03 Effective date: 20200903 |
|
| C30A | Notification sent |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C3012 Effective date: 20200903 |