JPH02114675A - 半導体発光素子ならびにその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子ならびにその製造方法Info
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- JPH02114675A JPH02114675A JP63268952A JP26895288A JPH02114675A JP H02114675 A JPH02114675 A JP H02114675A JP 63268952 A JP63268952 A JP 63268952A JP 26895288 A JP26895288 A JP 26895288A JP H02114675 A JPH02114675 A JP H02114675A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 40
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 12
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
光通信用長波長面発光型ダイオードの新規な半導体発光
素子に関する。
素子に関する。
第２図は従来の半導体発光素子の断面図である。
図に示すように、上から順に１はｎ側の第１電極、２は
ｎ−１ｎ Ｐの基板、３はｎ−１ｎ Ｐの第１クラッド
層、４はｐ−１ｎｌ−ＸＧａＸＡＳ＋−ｙ Ｐｙの活性
層、５はｐ−Ｉ ｎ Ｐの第２クラッド層、６はｐ−１
ｎｌ−２Ｇ ａ ｚ Ａ Ｓ ＋−ｗ Ｐ ｗのコンタ
クト層、７は５ｉＮＸの絶縁膜、８はｐ型の第２電極と
積層されている。光通信用長波長面発光型ダイオードに
おいて、活性層４をそれよりもバンドギャップの大きい
第１クラッド層３、第２クラッド層５で挾み込むダブル
ヘテロ構造の面発光型になっている。
ｎ−１ｎ Ｐの基板、３はｎ−１ｎ Ｐの第１クラッド
層、４はｐ−１ｎｌ−ＸＧａＸＡＳ＋−ｙ Ｐｙの活性
層、５はｐ−Ｉ ｎ Ｐの第２クラッド層、６はｐ−１
ｎｌ−２Ｇ ａ ｚ Ａ Ｓ ＋−ｗ Ｐ ｗのコンタ
クト層、７は５ｉＮＸの絶縁膜、８はｐ型の第２電極と
積層されている。光通信用長波長面発光型ダイオードに
おいて、活性層４をそれよりもバンドギャップの大きい
第１クラッド層３、第２クラッド層５で挾み込むダブル
ヘテロ構造の面発光型になっている。
この素子は基板にＩｎＰを使用しているため、活性層４
での発光に対して透明である（光通信素子工学、米津宏
雄、工学図書株式会社版、第１３１頁〜第１３３頁））
。
での発光に対して透明である（光通信素子工学、米津宏
雄、工学図書株式会社版、第１３１頁〜第１３３頁））
。
第２図において高速応答化を実施するため従来の活性層
に不純物を、例えば、ｐ型不純半導体であるＺｎをＩ
Ｘ １０”〜Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−３と高濃度にドー
プして添加していた。然し高濃度に添加するため逆耐圧
が低く、且つ逆耐圧電圧は不安定で時間と共に変動する
。特にｐ−ｎ接合が露出している端面での逆耐圧劣化が
顕著で、長期に順方向に通電中に逆耐圧が初期の数分の
工程度に減少する場合がある。このようなサンプルの端
面を化学エツチングで清浄にすると逆耐圧が初期の値に
回復する。このように、従来端面でのｐ−ｎ接合位置は
活性層４中または第１クラッド層３との界面にあり、長
期に順方向に通電中素子端面での電流リークが発生し逆
耐圧劣化を多発していた。
に不純物を、例えば、ｐ型不純半導体であるＺｎをＩ
Ｘ １０”〜Ｉ Ｘ １０１９ｃｍ−３と高濃度にドー
プして添加していた。然し高濃度に添加するため逆耐圧
が低く、且つ逆耐圧電圧は不安定で時間と共に変動する
。特にｐ−ｎ接合が露出している端面での逆耐圧劣化が
顕著で、長期に順方向に通電中に逆耐圧が初期の数分の
工程度に減少する場合がある。このようなサンプルの端
面を化学エツチングで清浄にすると逆耐圧が初期の値に
回復する。このように、従来端面でのｐ−ｎ接合位置は
活性層４中または第１クラッド層３との界面にあり、長
期に順方向に通電中素子端面での電流リークが発生し逆
耐圧劣化を多発していた。
そこでこれをな（す必要があった。
第１導電型の基板上に順次第１導電型の第１クラッド層
、第１導電型または第２導電型の活性層、第２導電型の
第２クラッド層、第２導電型のコンタクト層をエピタキ
シャル成長し、第１導電型の基板に第１電極、第２導電
型のコンタクト層上に絶縁層を介して第２電極を設けた
ダブルヘテロ型半導体発光素子において、素子の中央部
分を除く素子の端面を含む周辺部全部にわたって、第２
導電型のコンタクト層側より第１導電型不純物を選択的
に拡散し、その拡散フロントが第１導電型の第１クラッ
ド層中に達しその領域のｐ−ｎ接合が、第１導電型の第
１クラッド層中に形成された半導体発光素子で、かつ素
子中央部の非拡散領域内に発光領域を持った構造とした
。
、第１導電型または第２導電型の活性層、第２導電型の
第２クラッド層、第２導電型のコンタクト層をエピタキ
シャル成長し、第１導電型の基板に第１電極、第２導電
型のコンタクト層上に絶縁層を介して第２電極を設けた
ダブルヘテロ型半導体発光素子において、素子の中央部
分を除く素子の端面を含む周辺部全部にわたって、第２
導電型のコンタクト層側より第１導電型不純物を選択的
に拡散し、その拡散フロントが第１導電型の第１クラッ
ド層中に達しその領域のｐ−ｎ接合が、第１導電型の第
１クラッド層中に形成された半導体発光素子で、かつ素
子中央部の非拡散領域内に発光領域を持った構造とした
。
チップ周囲の端面のｐ−ｎ接合はバンドギャップの大き
い第１導電型の第１クラッド層内に形成されるため、チ
ップ周辺の逆耐圧が高くなり、端面での逆耐圧劣化が無
くなり、逆耐圧特性の信顛性に優れたＬＥＤが実現でき
る。このチップ周辺のみ第１導電型の第１クラッド層内
にｐ−ｎ接合を形成するにはコンタクト層からの上記選
択拡散により容易に製作できる。
い第１導電型の第１クラッド層内に形成されるため、チ
ップ周辺の逆耐圧が高くなり、端面での逆耐圧劣化が無
くなり、逆耐圧特性の信顛性に優れたＬＥＤが実現でき
る。このチップ周辺のみ第１導電型の第１クラッド層内
にｐ−ｎ接合を形成するにはコンタクト層からの上記選
択拡散により容易に製作できる。
Ｃ実施例〕
以下第１導電型としてｎ型、第２導電型としてｐ型につ
いて説明する。
いて説明する。
第１図は本発明素子の構造を示す断面図である。
図において、９はＺｎ拡散領域、３１はＳｉＮ。
の選択拡散膜で、他の記号は前出のものを使用する。基
板２は第１導電型のｎ−ｆｎＰ、第１クラッド層３は第
１導電型のｎ−１ｎ Ｐ、活性層４は第１導電型あるい
は第２導電型のｐ−（またはｎ−）Ｉｎ＋−Ｘ Ｇａｙ
Ａｓ、、ｐｙ 、第２クラッド層５は第２導電型のｐ
−１ｎ Ｐ、コンタクト層６は第２導電型のｐ−Ｉｎ＋
−ｇ Ｑａ、ＡＳＩ−１，ｌＰｗ 、絶縁膜７は５ｉＮ
Ｘ、選択拡散膜３１はＳｉＮえの材料を使用する。上記
端面でのｐ−ｎ接合位置をバンドギャップの大きい第１
導電型の第１クラッド層３内に形成することを特徴とし
ている。
板２は第１導電型のｎ−ｆｎＰ、第１クラッド層３は第
１導電型のｎ−１ｎ Ｐ、活性層４は第１導電型あるい
は第２導電型のｐ−（またはｎ−）Ｉｎ＋−Ｘ Ｇａｙ
Ａｓ、、ｐｙ 、第２クラッド層５は第２導電型のｐ
−１ｎ Ｐ、コンタクト層６は第２導電型のｐ−Ｉｎ＋
−ｇ Ｑａ、ＡＳＩ−１，ｌＰｗ 、絶縁膜７は５ｉＮ
Ｘ、選択拡散膜３１はＳｉＮえの材料を使用する。上記
端面でのｐ−ｎ接合位置をバンドギャップの大きい第１
導電型の第１クラッド層３内に形成することを特徴とし
ている。
本構造は図中に斜線を施したように、ｐ型不純物である
Ｚｎをコンタクト層６側から選択拡散を行い、ｐ−ｎ接
合が第１クラッド層３中に形成されるように拡散を行っ
ている。バンドギャップの大きい所にｐ−ｎ接合が形成
されているため端面での降伏電圧はバルク中の活性Ｎ４
内または第１クラッド層３との界面における降伏電圧よ
り高く端面でのリーク電流が激減し、長期間の通電にお
いても端面での逆耐圧劣化がなくなる。逆耐圧特性の信
頬度に優れた素子が得られる。
Ｚｎをコンタクト層６側から選択拡散を行い、ｐ−ｎ接
合が第１クラッド層３中に形成されるように拡散を行っ
ている。バンドギャップの大きい所にｐ−ｎ接合が形成
されているため端面での降伏電圧はバルク中の活性Ｎ４
内または第１クラッド層３との界面における降伏電圧よ
り高く端面でのリーク電流が激減し、長期間の通電にお
いても端面での逆耐圧劣化がなくなる。逆耐圧特性の信
頬度に優れた素子が得られる。
第３図は本発明の素子の製造工程図である。
（ａｌ エピタキシャル成長工程。
ｎ−１ｎ Ｐの基板２ （ｎ＝２Ｘ１０”ｃｍ−ｊ
）上に順次ｎ−１ｎ Ｐの第１クラッド層３ （ｎ＝５
ｘ１０”ｃｍ−’ 、５μｍ）、ｐ−（またはｎ−）
Ｉｎ１−ｇ Ｇ ａ Ｘ Ａ Ｓ Ｈ−ｙ Ｐ ｙの活
性層４ （ｐまたはｎ＝ ｌ ｘ ｌ Ｑ”ｃｍ−’
ｌ ｐｍ、 ２μｍ０． ９５ ｅＶ）、ｐｉｎ
Ｐの第２クラッド層５ （ｐｍ２Ｘ１０”ｃｍ−’
１ ｐｍ）、、ｐ−Ｉ Ｊ−、Ｇａ、Ａｓ＋−ｗＰ
ｗのコンタクト層６ （ｐｍ５ｘｌ Ｏ”ｃｍ−’０
．５μｍ、Ｅｇ＝１．０ｅＶ）をエピタキシャル成長さ
せる。
）上に順次ｎ−１ｎ Ｐの第１クラッド層３ （ｎ＝５
ｘ１０”ｃｍ−’ 、５μｍ）、ｐ−（またはｎ−）
Ｉｎ１−ｇ Ｇ ａ Ｘ Ａ Ｓ Ｈ−ｙ Ｐ ｙの活
性層４ （ｐまたはｎ＝ ｌ ｘ ｌ Ｑ”ｃｍ−’
ｌ ｐｍ、 ２μｍ０． ９５ ｅＶ）、ｐｉｎ
Ｐの第２クラッド層５ （ｐｍ２Ｘ１０”ｃｍ−’
１ ｐｍ）、、ｐ−Ｉ Ｊ−、Ｇａ、Ａｓ＋−ｗＰ
ｗのコンタクト層６ （ｐｍ５ｘｌ Ｏ”ｃｍ−’０
．５μｍ、Ｅｇ＝１．０ｅＶ）をエピタキシャル成長さ
せる。
（ｂｌ 選択拡散膜形成工程
選択拡散膜としてＳｉＮ、膜をコンタクト層６上全面に
デポジションし、チップ周囲の素子端面の２０μｍ幅の
５ｉＮＸ膜をホトエツチング加工で除去し、選択拡散膜
３１を形成する。
デポジションし、チップ周囲の素子端面の２０μｍ幅の
５ｉＮＸ膜をホトエツチング加工で除去し、選択拡散膜
３１を形成する。
（Ｃ） 選択拡散工程
ｐ型不純物であるＺｎの選択拡散を行い、拡散条件とし
て温度６００度Ｃ拡散時間１時間拡散ソースＺｎＰ、で
、Ｚｎの拡散領域９を形成する。
て温度６００度Ｃ拡散時間１時間拡散ソースＺｎＰ、で
、Ｚｎの拡散領域９を形成する。
その拡散深さを４μｍにする。
（ｄ） 絶縁膜形成工程
選択拡散した後、５ｉＮＸの選択拡散膜３１を除去し、
あらためてコンタクト層６全面に絶縁膜としてＳｉＮ、
膜をデポジションし、チップ中央部に直径３０μｍの窓
をＳｉＮ、膜にホトエツチング工程によりあけ、絶縁膜
７を形成する。
あらためてコンタクト層６全面に絶縁膜としてＳｉＮ、
膜をデポジションし、チップ中央部に直径３０μｍの窓
をＳｉＮ、膜にホトエツチング工程によりあけ、絶縁膜
７を形成する。
ｆｅｌ ｐ側およびｎ側電極形成工程素子の絶縁膜７
側にｐ側の第２電極８を形成し、ウェハの厚みが１００
μｍ程度になるまで基板２の厚さを減らす。最後に基板
２上にｎ側の第１電極金属を全面を蒸着し発光部直上の
金属を直径１００μｍにわたり除去し、光取り出し窓を
形成し、第１電極１の形成が終了し第１図のＬＥＤが得
られる。
側にｐ側の第２電極８を形成し、ウェハの厚みが１００
μｍ程度になるまで基板２の厚さを減らす。最後に基板
２上にｎ側の第１電極金属を全面を蒸着し発光部直上の
金属を直径１００μｍにわたり除去し、光取り出し窓を
形成し、第１電極１の形成が終了し第１図のＬＥＤが得
られる。
本発明において、基板２のキャリア濃度はバルク抵抗に
よる電圧降下が顕著にならない濃度１×１０ ”ｃ ｍ
−３〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ １９ｃ ｍ−’ であればよ
い。第１クラッド層３のキャリア濃度は、良好な逆耐圧
特性が得られる範囲のキャリア濃度に抑えられていれば
よく、５ Ｘ １０ ”ｃ ｍ−’ 以下であればよ
い。低濃度側はバルク抵抗が顕著にならない５ Ｘ １
０”ｃｍ−’ 以上で、第１クラツドＮ３の厚みはエ
ピタキシャル成長が容易に行なえる３〜２０μｍであれ
ばよい。活性層４のキャリア濃度は結晶性が良好なｐま
たはｎ＝ Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３〜Ｉ Ｘ ｌ ０１
９ｃｍ−’ の範囲で、その厚みは注入キャリアの拡
散長より小さい０．１μｍ〜３゜０μｍであればよい。
よる電圧降下が顕著にならない濃度１×１０ ”ｃ ｍ
−３〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ １９ｃ ｍ−’ であればよ
い。第１クラッド層３のキャリア濃度は、良好な逆耐圧
特性が得られる範囲のキャリア濃度に抑えられていれば
よく、５ Ｘ １０ ”ｃ ｍ−’ 以下であればよ
い。低濃度側はバルク抵抗が顕著にならない５ Ｘ １
０”ｃｍ−’ 以上で、第１クラツドＮ３の厚みはエ
ピタキシャル成長が容易に行なえる３〜２０μｍであれ
ばよい。活性層４のキャリア濃度は結晶性が良好なｐま
たはｎ＝ Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３〜Ｉ Ｘ ｌ ０１
９ｃｍ−’ の範囲で、その厚みは注入キャリアの拡
散長より小さい０．１μｍ〜３゜０μｍであればよい。
ｐ−１ｎ Ｐの第２クラッド層５のキャリア濃度はバル
ク抵抗による電圧降下が顕著にならない濃度ｐ＝ Ｉ
Ｘ １０”〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃｍ−’ で、その厚
みは０．５〜２．ｃ＋ｍであればよい。ｐ−ｒｎ＋−ｚ
ａａ ｚ Ａ Ｓ １−ＨＰ ＠のコンタクトＮ６のキ
ャリア濃度は第２クラッド層５と同じ理由でｐｍ５Ｘ１
０”ｃ ｍ−” 〜ｌ ｘ ｌ Ｑ ”ｃｚ−”
その厚みは０゜２〜１μｍであればよい。第３図（ｂｌ
において選択拡散膜３１のチップ周囲における除去幅と
しては５〜１００μｍの任意の幅に取ればよい。また第
３図ｔｃ）において選択拡散により形成されたｐ−ｎ接
合位置は第１クラッド層３内にあればよい。活性層４の
バンドギャップエネルギーは第１クラッド層３のそれよ
りも小さい０．７〜１，３ｅＶでればよい、コンタクト
層６のバンドギャップエネルギーはオーミック特性が良
好に取れる０、７〜１．３５６Ｖであればよい。
ク抵抗による電圧降下が顕著にならない濃度ｐ＝ Ｉ
Ｘ １０”〜Ｉ Ｘ Ｉ Ｑ”ｃｍ−’ で、その厚
みは０．５〜２．ｃ＋ｍであればよい。ｐ−ｒｎ＋−ｚ
ａａ ｚ Ａ Ｓ １−ＨＰ ＠のコンタクトＮ６のキ
ャリア濃度は第２クラッド層５と同じ理由でｐｍ５Ｘ１
０”ｃ ｍ−” 〜ｌ ｘ ｌ Ｑ ”ｃｚ−”
その厚みは０゜２〜１μｍであればよい。第３図（ｂｌ
において選択拡散膜３１のチップ周囲における除去幅と
しては５〜１００μｍの任意の幅に取ればよい。また第
３図ｔｃ）において選択拡散により形成されたｐ−ｎ接
合位置は第１クラッド層３内にあればよい。活性層４の
バンドギャップエネルギーは第１クラッド層３のそれよ
りも小さい０．７〜１，３ｅＶでればよい、コンタクト
層６のバンドギャップエネルギーはオーミック特性が良
好に取れる０、７〜１．３５６Ｖであればよい。
チップ周囲の端面のｐ−ｎ接合をクラッド層内に形成す
ることにより、逆耐圧が時間的に変動せず、逆耐圧特性
の信軌性に優れたＬＥＤが製作できた。
ることにより、逆耐圧が時間的に変動せず、逆耐圧特性
の信軌性に優れたＬＥＤが製作できた。
本発明は説明の都合上、第１導電型、第２導電型を持っ
た材料で説明した。
た材料で説明した。
また、ｐ型拡散不純物としてＺｎ使用したが、その他に
Ｃｄ、Ｍｇでも差し支えない。また本発明において、ｎ
型とｐ型を入れ替えた構造でも同様の効果が得られる。
Ｃｄ、Ｍｇでも差し支えない。また本発明において、ｎ
型とｐ型を入れ替えた構造でも同様の効果が得られる。
そして本構造はＧａ＋−ｘ ＡｌＸＡｓ／ＧａＡｓ系、
Ｉ ｎ＋−＋ｔ ＧａＸＡＳＩ−ｙ ｐ、／ＧａＡｓ系
、Ｉｎ１−、ＧａＸＡＳＩ−、Ｓｂ、／ＩｎＳｂ系、Ｇ
ａ、−ｘＡｊ！ｘＡｓｌ−ｙ ｓｂ、／ＧａＳｂ系にも
適用できることは容易に類推可能である。
Ｉ ｎ＋−＋ｔ ＧａＸＡＳＩ−ｙ ｐ、／ＧａＡｓ系
、Ｉｎ１−、ＧａＸＡＳＩ−、Ｓｂ、／ＩｎＳｂ系、Ｇ
ａ、−ｘＡｊ！ｘＡｓｌ−ｙ ｓｂ、／ＧａＳｂ系にも
適用できることは容易に類推可能である。
第１図は本発明素子の構造を示す断面図、第２図は従来
素子の構造を示す断面図、第３図は本発明の素子の製造
工程図である。 ｌは第１電極、２は基板、３は第１クラッド層、４は活
性層、５は第２クラッド層、６はコンタクト層、７は絶
縁膜、８は第２電極、９は拡散領域、３１は選択拡散膜
。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （ａ）エピタキ／ヤル成長工穆 （ｄ）絶縁膜形成工程 本発明素子の構造を示す断面図 第 １ 図 従来素子の構造を示す断面図 第 ２ 図 （Ｃ）選択拡散工程 本発明素子の製造過程を示す図 第 ３ 図 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２６８９５２号 ２、発明の名称 半導体発光素子ならびにその製造方法 ３、補正をする者 住 所 大阪市中央区北浜四丁目５番３３号名 称 （
２１３）住友電気工業株式会社代表者川上哲部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄１；１
／ （１１明細書第５頁第１３行に 「第１導電型不純物」 とあるを 「第２導電型不純物」 と補正する。 （２）明細書第８頁第１６行に 「温度６００度Ｃ」 とあるを 「温度６００℃」 と補正する。 （３）明細書第１０頁第１２行乃至第１［ｐ＝５ｘｌＱ
Ｍ７．：ｌ Ｊ とあるを ｒｐ＝ｌｘｌ Ｏ”ｃｎｉ’ Ｊ と補正する。 ３行に
素子の構造を示す断面図、第３図は本発明の素子の製造
工程図である。 ｌは第１電極、２は基板、３は第１クラッド層、４は活
性層、５は第２クラッド層、６はコンタクト層、７は絶
縁膜、８は第２電極、９は拡散領域、３１は選択拡散膜
。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉蟲久五部 （ａ）エピタキ／ヤル成長工穆 （ｄ）絶縁膜形成工程 本発明素子の構造を示す断面図 第 １ 図 従来素子の構造を示す断面図 第 ２ 図 （Ｃ）選択拡散工程 本発明素子の製造過程を示す図 第 ３ 図 １、事件の表示 昭和６３年特許願第２６８９５２号 ２、発明の名称 半導体発光素子ならびにその製造方法 ３、補正をする者 住 所 大阪市中央区北浜四丁目５番３３号名 称 （
２１３）住友電気工業株式会社代表者川上哲部 ４、代理人 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄１；１
／ （１１明細書第５頁第１３行に 「第１導電型不純物」 とあるを 「第２導電型不純物」 と補正する。 （２）明細書第８頁第１６行に 「温度６００度Ｃ」 とあるを 「温度６００℃」 と補正する。 （３）明細書第１０頁第１２行乃至第１［ｐ＝５ｘｌＱ
Ｍ７．：ｌ Ｊ とあるを ｒｐ＝ｌｘｌ Ｏ”ｃｎｉ’ Ｊ と補正する。 ３行に
Claims (2)
- （１）第１導電型の基板上に順次第１導電型の第１クラ
ッド層、第１導電型または第２導電型の活性層、第２導
電型の第２クラッド層、第２導電型のコンタクト層をエ
ピタキシャル成長し、第１導電型の基板上に第１電極、
第２導電型のコンタクト層上に絶縁層を介して第２電極
を設けたダブルヘテロ型半導体発光素子において、 素子の中央部分を除く素子の端面を含む周辺部全部にわ
たつて、第２導電型のコンタクト層側より第２導電型不
純物を選択的に選択拡散し、その拡散フロントが第１導
電型の第１クラッド層中に達しその領域のｐ−ｎ接合が
、第１導電型の第１クラッド層中に形成された半導体発
光素子で、 かつ素子中央部の非拡散領域内に発光領域を持つことを
特徴とする半導体発光素子。 - （２）第１導電型の基板上に順次第１導電型の第１クラ
ッド層、第１導電型または第２導電型の活性層、第２導
電型の第２クラッド層、第２導電型のコンタクト層をエ
ピタキシャル成長し、第１導電型の基板に第１電極、第
２導電型のコンタクト層上に絶縁層を介して第２電極を
設けたダブルヘテロ型半導体発光素子において、 絶縁膜を第２導電型のコンタクト層上全面にデポジショ
ンし、チップ周囲をホトエッチング加工で除去して選択
拡散膜を製造する工程と、 前記選択拡散膜側から第２導電型のコンタクト層に素子
の端面を含む周辺部全部にわたつて第２導電型の不純物
の選択拡散を行い、該選択拡散の拡散フロントは第１導
電型の第１クラッド層中に達し、かつそのｐ−ｎ接合を
該第１導電型の第１クラッド層中に形成される拡散領域
を形成する工程と、 前記選択領域を形成後、あらためて第２導電型のコンタ
クト層の全面に絶縁膜をデポジションし、チップ中央部
の該絶縁膜に発光用窓を形成する工程と、 素子の両端に電極を形成する工程とを具えたことを特徴
とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268952A JPH02114675A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体発光素子ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268952A JPH02114675A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体発光素子ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02114675A true JPH02114675A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17465574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268952A Pending JPH02114675A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 半導体発光素子ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02114675A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999031735A1 (en) * | 1997-12-12 | 1999-06-24 | Honeywell, Inc. | Bandgap isolated light emitter |
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| JP2018505567A (ja) * | 2015-01-06 | 2018-02-22 | アップル インコーポレイテッド | 非発光性側壁再結合を低減させるｌｅｄ構造 |
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| US10446712B2 (en) | 2015-01-06 | 2019-10-15 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268952A patent/JPH02114675A/ja active Pending
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| US10714655B2 (en) | 2015-01-06 | 2020-07-14 | Apple Inc. | LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination |
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