JPS5882587A - 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 - Google Patents
埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法Info
- Publication number
- JPS5882587A JPS5882587A JP18051181A JP18051181A JPS5882587A JP S5882587 A JPS5882587 A JP S5882587A JP 18051181 A JP18051181 A JP 18051181A JP 18051181 A JP18051181 A JP 18051181A JP S5882587 A JPS5882587 A JP S5882587A
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- JP
- Japan
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- layer
- type inp
- buried
- grooves
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本兄明紘ＩｎＧ、Ａ、Ｐ活性層の周囲をＩｎＰ層で埋め
込んだ埋め込みへテロ構造半導体レーザの製造方法に関
する。
込んだ埋め込みへテロ構造半導体レーザの製造方法に関
する。
埋め込みへテロ構造半導体レーザ（以下ｂｈ−ＬＤと略
す）は低い発振しきい値電流１女定化さｎた発振横モー
ド、高温動作可能などの優ｒｆｃ特性を有しているため
、光７アイパ逸信用光源として注目を集めている０本出
願人扛物願昭５５−１２３２６１号明細書に示した様に
、活性層を含むメサストライプ以外で確実に電流ブロッ
ク層が形成でき、したがって温度特性に丁ぐｎ、製造歩
留りノ向上し−ｇ ｌ ｎＧａＡｓＰ Ｂ ）ｌ −Ｌ
Ｄ ｔ−Ｉｆ、明Ｌ７’Ｃ０しかしな−がら、この構
造のＢＨ−Ｌｌ）で拡エツチングして形成さｎたメサス
トライプがウェファ全体に対して小さな突起物となって
いるため、メサエッチング後の基板処理、おるいはそｎ
につづく埋め込み成長過程において機械的なダメージを
受けやすく、歩留りの低下を招いていた。
す）は低い発振しきい値電流１女定化さｎた発振横モー
ド、高温動作可能などの優ｒｆｃ特性を有しているため
、光７アイパ逸信用光源として注目を集めている０本出
願人扛物願昭５５−１２３２６１号明細書に示した様に
、活性層を含むメサストライプ以外で確実に電流ブロッ
ク層が形成でき、したがって温度特性に丁ぐｎ、製造歩
留りノ向上し−ｇ ｌ ｎＧａＡｓＰ Ｂ ）ｌ −Ｌ
Ｄ ｔ−Ｉｆ、明Ｌ７’Ｃ０しかしな−がら、この構
造のＢＨ−Ｌｌ）で拡エツチングして形成さｎたメサス
トライプがウェファ全体に対して小さな突起物となって
いるため、メサエッチング後の基板処理、おるいはそｎ
につづく埋め込み成長過程において機械的なダメージを
受けやすく、歩留りの低下を招いていた。
本％明の目的は上記の欠点を除去すべく１発光再結合す
Ｘ ＩｆｉＧａＡｓＰ 活性層を含むメサストライプを
機械的なダメージから防ぎ、高性能なりＨ−ＬｊＪｔ″
歩留りよく製造する製造方法を提供することにある。
Ｘ ＩｆｉＧａＡｓＰ 活性層を含むメサストライプを
機械的なダメージから防ぎ、高性能なりＨ−ＬｊＪｔ″
歩留りよく製造する製造方法を提供することにある。
本発明によ３ｔｆ、第１導電ｆｉｌｎ）’基板上に少な
くとも１ｎＧａＡＳ）’活性層およびそのｉ２導電微Ｉ
ｎｌ’層を積層させた半導体ウェファに、第２導電型ｌ
ｎＰ層、および１ｎ（ｆａＡｓＰ活性鳩まで選択エツチ
ング法により除去して２本の平行な溝を形成する工程と
、擲の形成さ扛た半導体ウェファに少なくとも第２４電
型ｌｎＰ′ｉｉＥ流ブロツク層、第１導電型１ｎＰ１１
ｔｆｉブロツク層を２本の平行な婢によってはさまＣた
メサストライプの上面のみ除いて積層させ、さらに第２
４電型１ｎＰ埋め込み層を全面にわたって連続して積層
させるエピタキシャル成長工程とを含むことｔ−褥徴と
する埋め込みへテロ構造半導体レーザの製造方法が得ら
ｎる。
くとも１ｎＧａＡＳ）’活性層およびそのｉ２導電微Ｉ
ｎｌ’層を積層させた半導体ウェファに、第２導電型ｌ
ｎＰ層、および１ｎ（ｆａＡｓＰ活性鳩まで選択エツチ
ング法により除去して２本の平行な溝を形成する工程と
、擲の形成さ扛た半導体ウェファに少なくとも第２４電
型ｌｎＰ′ｉｉＥ流ブロツク層、第１導電型１ｎＰ１１
ｔｆｉブロツク層を２本の平行な婢によってはさまＣた
メサストライプの上面のみ除いて積層させ、さらに第２
４電型１ｎＰ埋め込み層を全面にわたって連続して積層
させるエピタキシャル成長工程とを含むことｔ−褥徴と
する埋め込みへテロ構造半導体レーザの製造方法が得ら
ｎる。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第１図値本究明の＊施例のｌ＄ ）１− 、Ｌ Ｄの断
面図である。このようなりＨ−ＬＤｔ−得るにＦｉ、
ｔず（００１） ｎ−ＩＨＰ 基板１０１上にＨｌｎＰ
ハッ’ｇ’層ｉ０２．ノンドープＩｎＧａＡ、Ｐ活性層
１０３、ｐ−１ｎＰクラ、ド層１０４（厚さ１ μｍ）
？順次積層させたクエファに通常の７オトレジストの技
術によって（１１０＞方向に平行な２本の溝を形成する
。こｎらの＃１拡幅５μｍｓ度とすればよく、２本の−
の間隔が２μｍｓ度に設定し、この２本の糎によっては
さまｎたメサストライプが発光再結合するＩＨＧｇＡ＠
Ｆ活性層１０５ｔ−含むようにする。
面図である。このようなりＨ−ＬＤｔ−得るにＦｉ、
ｔず（００１） ｎ−ＩＨＰ 基板１０１上にＨｌｎＰ
ハッ’ｇ’層ｉ０２．ノンドープＩｎＧａＡ、Ｐ活性層
１０３、ｐ−１ｎＰクラ、ド層１０４（厚さ１ μｍ）
？順次積層させたクエファに通常の７オトレジストの技
術によって（１１０＞方向に平行な２本の溝を形成する
。こｎらの＃１拡幅５μｍｓ度とすればよく、２本の−
の間隔が２μｍｓ度に設定し、この２本の糎によっては
さまｎたメサストライプが発光再結合するＩＨＧｇＡ＠
Ｆ活性層１０５ｔ−含むようにする。
また、とｎらの溝の形成に際しては選択エツチング法を
用いまずＨＣＪ：八０−４：ｌとした混合エツチング液
を用い、３℃で２分間エツチングして。
用いまずＨＣＪ：八０−４：ｌとした混合エツチング液
を用い、３℃で２分間エツチングして。
ｐ−１ｎＰクラ、ドｍｌ Ｏ４ｔ−［、絖いてＨ雪８０
４：）ｌ、ｏ、 ：）１． ｏ＝３ ： １ ： １
ＯＳ合エツチング液’ｔ−用いてｓｏｅ′ｃで１分間エ
ツチングして、１ｎＧａＡｓＰ活性層１０３を除くこと
によｐ自動的にＩ ｎＧ２１ｋＢ’Ｐ活性層１０３’Ｅ
での深さの溝が形成できることになる。このようにして
得らｒｔ＊牛導体ウェファに埋め込み成長を行ない、ｐ
−ＩｎＰブロック層１０６゜ｎ−１ｎＰ ＊ｆｊｔプ’
Ｇｌツク層１０７ｔ’２本の濤ではさま扛たメサストラ
イプ１５０の上面のみを除いて。
４：）ｌ、ｏ、 ：）１． ｏ＝３ ： １ ： １
ＯＳ合エツチング液’ｔ−用いてｓｏｅ′ｃで１分間エ
ツチングして、１ｎＧａＡｓＰ活性層１０３を除くこと
によｐ自動的にＩ ｎＧ２１ｋＢ’Ｐ活性層１０３’Ｅ
での深さの溝が形成できることになる。このようにして
得らｒｔ＊牛導体ウェファに埋め込み成長を行ない、ｐ
−ＩｎＰブロック層１０６゜ｎ−１ｎＰ ＊ｆｊｔプ’
Ｇｌツク層１０７ｔ’２本の濤ではさま扛たメサストラ
イプ１５０の上面のみを除いて。
次にｐ−１ｎＰ埋め込み層１０ｇを全面にわたって連続
するように、最後にｐ−１ｎＧａＡｓ）’電極層１０９
を、順次積層させる。
するように、最後にｐ−１ｎＧａＡｓ）’電極層１０９
を、順次積層させる。
この’ＢＨ−ＬＤにおいては、従来例のように１つのメ
サストライプのみが突起物のように形成さｎておらず％
埋め込み成長の段階でのカーボンボートとの接触による
基板損傷が生じに（く、製造歩留りが大幅に向上した。
サストライプのみが突起物のように形成さｎておらず％
埋め込み成長の段階でのカーボンボートとの接触による
基板損傷が生じに（く、製造歩留りが大幅に向上した。
このようにして得らｆたＢ）ｉ−ＬｉＪにおいて、室温
での発蚕しきい値電流が１０〜２０ ｍＡ ＋ 微分
蓋子効率が５０チ程度というものが再現性よく得ら扛た
。
での発蚕しきい値電流が１０〜２０ ｍＡ ＋ 微分
蓋子効率が５０チ程度というものが再現性よく得ら扛た
。
本発明の実施例においては、活性層を含むメサストライ
プの両側にｐ−ＩｎＰクラッド層を残した製法であるた
め、メサエッチング後の基板処理、埋め込み成長時等の
素子作製時に起こる機械的なダメージを防ぐことができ
、そｎによってＢＨ−ＬＤの製造歩留りが大１−に改善
した。このようにして得ら１ｒＬ−ｆｃレーザは均一性
、再現性がよく、ウェファ間でのバラツキも少なく、Ｂ
Ｈ−ＬＬ）の製造歩留りが大幅に向上した０本楯明にお
いては、゛本願の発明者らが新たに開発した成長法を採
用することによりｈ活性層金倉むメサストライプの両側
の部分にはｎ−１ｎｐ層が積層さｎるので、この部分を
通じて電流がｆＬｒすることはなく、電流は活性層を含
むメサストライプのみに集中して流ｎる。
プの両側にｐ−ＩｎＰクラッド層を残した製法であるた
め、メサエッチング後の基板処理、埋め込み成長時等の
素子作製時に起こる機械的なダメージを防ぐことができ
、そｎによってＢＨ−ＬＤの製造歩留りが大１−に改善
した。このようにして得ら１ｒＬ−ｆｃレーザは均一性
、再現性がよく、ウェファ間でのバラツキも少なく、Ｂ
Ｈ−ＬＬ）の製造歩留りが大幅に向上した０本楯明にお
いては、゛本願の発明者らが新たに開発した成長法を採
用することによりｈ活性層金倉むメサストライプの両側
の部分にはｎ−１ｎｐ層が積層さｎるので、この部分を
通じて電流がｆＬｒすることはなく、電流は活性層を含
むメサストライプのみに集中して流ｎる。
本発明の特徴は通常のＢＨ−ＬＬ）における活性層を含
むメサストライプの両側にｐ−１ｎ）’クラッドノ曽を
残したことであｐ、それによってメサエッチング後の基
板処理、埋め込み成長時に起こる機械的ダメージを防ぐ
ことができた。またストライブ形成０＠０濤のエツチン
グにおいても選択エツチング法を用いたため、メサエッ
チングの再現性もきわめて良い製造方法である。
むメサストライプの両側にｐ−１ｎ）’クラッドノ曽を
残したことであｐ、それによってメサエッチング後の基
板処理、埋め込み成長時に起こる機械的ダメージを防ぐ
ことができた。またストライブ形成０＠０濤のエツチン
グにおいても選択エツチング法を用いたため、メサエッ
チングの再現性もきわめて良い製造方法である。
第１図値本発明の製造方法によるＢ）ｉ−ＬＬ）の菓子
断面図でるる。 図中、１０１・・・・・・ｎ−１，Ｐ基板、１０２・・
・・・・ｎ −１１１’′（ｙツア層魯１０３ ””
ＩｎＧａＡｇＰ活性層。 １０４・・・・・・ｐ−ＩｎＰ クラッド層、１０５・
・・・・・発光再結合する１１ｕ２Ａ５１’活性層、
ｌ Ｏ６−・−・ｐ−ｘｎｐ電流ブロック層、１０７
・・・・・・ｎ−１ｎＰ電電流ブロク２層１０８・・・
・・・ｐ−１ｎＰ埋め込み臀、１０９・・・、、、 ｐ
−１ｎａａＡｓｌ’電極層、 １１０ ””” ｐ形
オーミック性電極、１１１・・・・・・ｎ形オーミック
性電極である。
断面図でるる。 図中、１０１・・・・・・ｎ−１，Ｐ基板、１０２・・
・・・・ｎ −１１１’′（ｙツア層魯１０３ ””
ＩｎＧａＡｇＰ活性層。 １０４・・・・・・ｐ−ＩｎＰ クラッド層、１０５・
・・・・・発光再結合する１１ｕ２Ａ５１’活性層、
ｌ Ｏ６−・−・ｐ−ｘｎｐ電流ブロック層、１０７
・・・・・・ｎ−１ｎＰ電電流ブロク２層１０８・・・
・・・ｐ−１ｎＰ埋め込み臀、１０９・・・、、、 ｐ
−１ｎａａＡｓｌ’電極層、 １１０ ””” ｐ形
オーミック性電極、１１１・・・・・・ｎ形オーミック
性電極である。
Claims (1)
- 第１導電型１ｎＰ基板上に少なくともＩｎ（ｆａＡｓＰ
活性層およびその上の第２導電型１ｎＰＭｔ−積層させ
た半導体ウェファに、前記第２導電ｆｉｌｎＰ層および
前記１．＆ａＡｓｌ’活性層まで選択エツチング法によ
り除去して２本の平行なｔｐｕｅ形成する工程と、溝の
形成さｒｔｆＣ前ｂピ半り体ウェファに少なくとも第２
導電型ｌｎＰ電流ブロツク層、第１導Ｘ型ｌｎＰ寛流ブ
ロック）ｔｌｌ’に前記２本の平行な鋳によってはさ１
１′したメサストライプの上面のみを除いて積層させ、
さらに第２導電型１．Ｐ埋め込み層を余聞にわたって連
続して積層させるエピタキクヤル成長工程とを営むこと
金脣徴とする埋め込みへテロ構造半導体レーザの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18051181A JPS5882587A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18051181A JPS5882587A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5882587A true JPS5882587A (ja) | 1983-05-18 |
| JPS6244440B2 JPS6244440B2 (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=16084522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18051181A Granted JPS5882587A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5882587A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017977A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nec Corp | 半導体レ−ザダイオ−ド |
| US4958202A (en) * | 1986-09-12 | 1990-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2010101502A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Rinnai Corp | ガス通路のフィルタ取付構造 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP18051181A patent/JPS5882587A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6017977A (ja) * | 1983-07-11 | 1985-01-29 | Nec Corp | 半導体レ−ザダイオ−ド |
| US4958202A (en) * | 1986-09-12 | 1990-09-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2010101502A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Rinnai Corp | ガス通路のフィルタ取付構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6244440B2 (ja) | 1987-09-21 |
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