JP2018139293A5 - - Google Patents
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Claims (6)
- Cu合金芯材と、前記Cu合金芯材の表面に形成されたPd被覆層とを有する線径15μm以上50μm以下の半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、
下記(1)式で定義する耐力比が1.1以上1.6以下であり、
前記ボンディングワイヤがNi、Zn、Rh、In、Ir、Ptから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含み、
前記ボンディングワイヤがさらにB、P、Mg、Ca、Laから選ばれる少なくとも1種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
耐力比=最大耐力/0.2%耐力 (1) - ワイヤ全体に対する、前記B、P、Mg、Ca、Laから選ばれる少なくとも1種以上の元素の濃度がそれぞれ1質量ppm以上200質量ppm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Pd被覆層の厚さが0.015μm以上0.150μm以下であることを特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- ワイヤ全体に対する、前記Ni、Zn、Rh、In、Ir、Ptから選ばれる少なくとも1種以上の元素の濃度が総計で0.050質量%以上2質量%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Pd被覆層上にさらにAuとPdを含む合金表皮層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記AuとPdを含む合金表皮層の厚さが0.050μm以下であることを特徴とする請求項5記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
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