JP2018078297A5 - - Google Patents
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Claims (7)
- Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する線径１５μｍ以上５０μｍ以下の半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、
前記ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率が３０％以上であり、
前記ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径が、０．９μｍ以上１．５μｍ以下であり、
前記ボンディングワイヤがＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、
前記ボンディングワイヤがさらにＢ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。 - ワイヤ全体に対する、前記Ｂ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度がそれぞれ１質量ｐｐｍ以上２００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Ｐｄ被覆層の厚さが０．０１５μｍ以上０．１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- ワイヤ全体に対する、前記Ｎｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度が総計で０．０５０質量％以上２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Ｃｕ合金芯材が、Ｎｉ、Ｐｄ及びＰｔからなる群から選択される１種以上の元素を総計で０．１質量％以上２．０質量％以下含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Ｐｄ被覆層上にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ＡｕとＰｄを含む合金表皮層の厚さが０．０５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
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