JP2017005256A5 - - Google Patents
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Claims (10)
- Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、
前記ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率が３０％以上であり、
前記ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径が、０．９〜１．５μｍであり、
前記ボンディングワイヤがＣｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅ、Ｔｅから選ばれる１種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。 - 下記（１）式で定義する耐力比が１．１〜１．６であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
耐力比＝最大耐力／０．２％耐力 （１） - 前記Ｐｄ被覆層の厚さが０．０１５〜０．１５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記Ｐｄ被覆層上にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ＡｕとＰｄを含む合金表皮層の厚さが０．０５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ボンディングワイヤがＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が総計で０．０１１〜２質量％であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ボンディングワイヤがＡｓ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅから選ばれる１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で０．１〜１００質量ｐｐｍであり、Ｓｎ≦１０質量ｐｐｍ、Ｓｂ≦１０質量ｐｐｍ、Ｂｉ≦１質量ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ボンディングワイヤがさらにＢ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度がそれぞれ１〜２００質量ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- 前記ボンディングワイヤの最表面にＣｕが存在することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
- Ｃｕ合金芯材が、元素周期表第１０族の金属元素を総計で０．１〜３．０質量％含有し、ワイヤ最表面におけるＣｕ濃度が１原子％以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
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