JP5546670B1 - 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】芯材表面に、ワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、芯材上には、芯材よりも酸化耐性の貴な金属または合金(以下、「貴な金属等」という)からなる被覆材が被覆された表面形態であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
ここで、FABとは、ボンディングツール先端から延出したワイヤの先端へ窒素や窒素水素等の非酸化性ガスまたは還元ガスを吹き付けながらスパーク放電することによりワイヤの先端に形成される溶融ボールをいう。FABの場合、ボンディングワイヤの溶融ボールが第一ボンドされるまでは不活性雰囲気または還元性雰囲気が保たれているので、純銅合金ワイヤ自体も第一ボンディング時に酸化することがない。
まず、無垢の高純度銅ワイヤは、ボンディング接続前に表面が酸化して酸化銅膜が形成されるという致命的な欠点が有った。このため、上記のように、さまざまな合金化元素を用いたり、貴な金属等の被覆層を厚くしたり多重層にしたり、あるいは、芯材・被覆層界面に拡散層を設けたりして酸化銅膜の形成を防止しようとしてした。ところが、パラジウム(Pd)等を厚く被覆したコーティング銅ワイヤでは、安定したFABが形成されにくく、突然、溶融ボールがいびつになったり、硬くなったり、チップダメージも発生したりするという原因不明の問題が生じていた。このような理由から、Pdコーティング銅ワイヤはFAB用ボンディングワイヤとしてあまり普及しなかった。
これは、超音波装置による細線用ボンディングワイヤの接合条件が周波数(数十〜数百kHz程度)と出力(最大数W程度)と加圧力(数〜数十gf程度)によって定まるため、最適な超音波条件は、芯材の成分組成以外に被覆層の膜厚にも左右されるからである。
例えば、「Au,Al,Cuの何か一つを主要元素として10〜50μm程度の極細線に伸線加工され、スプールに所定長さを巻き込んだ状態でワイヤボンダに取り付けて使用される(特開平6−151497号公報(後述する「特許文献3」)0002段落)」ボンディング用ワイヤを、溶解鋳造後にインゴットを酸洗いなどして「表面の総有機炭素量が50〜1500μg/m2 であることを特徴とする半導体素子のボンディング用ワイヤ(同公報請求項1)」とすることも考えられた。この方法は、「表面の総有機炭素量が50〜1500μg/m2 であるワイヤを製造する一つの方法は、通常の工程、すなわち溶解,鋳造,伸線,アニール,巻取り工程を経て製造されたワイヤの表面には既に1500μg/m2 を上回る総有機炭素が認められるので、これを…酸洗浄…等の方法で洗浄して、表面の総有機炭素量を50〜1500μg/m2 の範囲に入るようにする(同公報請求項2)ものである。この方法は通常工程におけるアニール工程の前あるいは後に洗浄工程を設ければ良く、実施が容易である特徴がある。(同公報0010段落)」そして、「潤滑剤成分としては、パラフィン系炭化水素、ナフテン系炭化水素、芳香族系炭化水素等の鉱油系、ポリオレフィン、アルキルベンゼン、脂肪酸、高級アルコール、脂肪酸せっけん、ポリグリコール、ポリフェニルエーテル、脂肪酸ジエステル、ポリオールエステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、スルフォン酸塩、アミン、アミン塩、シリコーン、燐酸エステル、フルオロカーボン、フルオロポリエーテル、フルオログリコール等の合成油系、牛脂、豚脂、パーム油、大豆油、菜種油、ひまし油、松根油等の天然油脂系があげられるが、どれを用いても良い。また、それら数成分の混合系でも良い(同公報0012段落)」と記載されている。また、界面活性剤を用いるものもある(特開2002−241782号公報等)。
例えば、粒子径が100nm以下の貴金属粒子を含有する液状組成物を塗布後加熱することによって、「コスト低減上貴金属皮膜の膜厚は1μm以下が好まし」い「卑金属ワイヤ上に均一で薄い貴金属被覆膜を形成する製造」法(特開2006−210642号公報0010・0011段落)がある。また、ナノオーダーを基準とした膜厚であっても、「また、外層厚さが20nm未満では、酸化を抑制する効果が小さいためウェッジ接合でも接合不良が生じ、セカンド接合における信頼性評価を改善することも困難となる」(特開2009−140953号公報の請求項1および0053段落)など、これまでのコーティング銅ワイヤの場合には、被覆層によって芯材と大気とは完全に遮断されていることがわかる。
本発明の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造において、当該被覆材の表面形態がその芯材の結晶粒界に沿って形成されていることが好ましい。
他方、純銅合金ワイヤの上限は、100質量ppm未満が好ましい。純銅合金ワイヤの場合に上限を100質量ppm未満としたのは、「フォーナインゴールド」を表示する純金合金ボンディングワイヤに合わせたためである。なお、金属成分が100質量ppm未満であれば、純銅合金ボンディングワイヤの表面層近傍に金属不純物が偏析することはない。
好ましい10点測定した時の筋雲状の溝の平均粗さ(RZ)は、最終線径の3〜15%、より好ましくは5〜11%である。芯材単独では縮径しても、筋雲状の溝は形成されない。また、理論的膜厚が数オングストローム(0.1nm)までは多数本の筋雲状の溝が形成されるが、サブオングストローム(<0.01nm)では被覆材が薄すぎて筋雲状の溝は形成されない。ここで、「理論的膜厚」とは、膜厚の実測値をワイヤの線径の縮径率で比例計算したときの膜厚の推測値をいう。
また、有機カーボン層の厚さを総有機炭素量(TOC値)を50〜3,000μg/m2としたのは、ボールボンディング用ワイヤの線径が一般的に15〜25μmであり、総有機炭素量(TOC値)から容易に有機カーボン層の理論的厚さを計算で求めることができるからである。
なお、本発明の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造において、当該貴な金属等が金(Au)、銀(Ag)または白金(Pt)を5〜20質量%および残部が純度99.99質量%以上のパラジウム(Pd)からなるパラジウム合金であることがより好ましい。
なお、後述の実施品のセカンドウィンドウ試験と表面形態の撮影のためのワイヤは別途作製した。
超音波装置によるセカンドウィンドウ試験は、X軸に超音波電流を10mAから130mAまで10mAごとに13段階設け、Y軸に加圧力を10gfから100gfまで10gfごとに10段階設け、全130の領域中で接合可能な領域の個数を求める試験である。表2に示す例では、実施例1の成分組成を有する製造直後の直径30μmのボンディングワイヤについて、 ケイ・アンド・エス社製全自動ワイヤボンダICONN型超音波装置にて、Agめっきされたリードフレーム(QFP−200)上に120kHzの周波数でセカンドウィンドウ試験を各ウィンドウにつき1,000本ずつ行ったものである。表2に示す例の場合の接合可能な領域(白色のボックス)の個数は65個である。不着またはボンダが停止した領域(網目模様のボックス)の個数も65個である。この試験結果から、線径が太く超音波出力が大きなボンディングワイヤの場合には、縮径前の波目模様の溝のピッチや深さ等を適宜変形すれば良いことがわかる。
実施品1の成分組成を有する製造直後の直径18μmのボンディングワイヤを用いてFABを形成した時の熱影響を受けていない箇所および超音波接合した時の潰れた箇所の表面状態についてレーザー顕微鏡(キーエンス社製VK−971)で撮影したものを、それぞれ図1および図2に示す。図1から明らかなように、ワイヤの長手方向に沿って楕円体状のパラジウム(Pd)粒子が列をなし、純銅合金ワイヤ上に分散している海島構造が見える。JIS B0601およびB0031に基づき、10点測定した時の平均粗さ(RZ)は、1.4μmである。
なお、図1および図2に示す芯材の周囲を取り囲むパラジウム(Pd)被覆材の理論的膜厚は5nmである。FIBを用いてこのボンディングワイヤを切断し、2万倍の走査電子顕微鏡を用いて切断箇所の断面を観察したが、パラジウム(Pd)被覆材の膜は観察されなかった。
総有機炭素量(TOC)の測定は、次のようにして行った。
総有機炭素量の測定は、それぞれ10,000mの純銅合金接続線を秤量し、0.1N−NaOH水溶液を200g加えてウォーターバスで30分間煮沸して抽出を行い、冷却後8N−HClを2.5ml加えて軽く振盪し、高純度空気で15分間バブリングする。これを島津製作所製TOC−5000型有機炭素測定機に供給して有機炭素濃度を測定し、この値から総有機炭素重量を計算して20μm径の純銅合金接続線の表面積で除して表面の非イオン性界面活性剤の総有機炭素量とした。
次いで、上記本発明のボールボンディング用純銅合金接続線(実施品1〜実施品19)を20℃×湿度30%のクリーンルーム内で72時間保管する前後で、表2に示すようなセカンドウィンドウ試験をしたところ、表3の結果を得た。
Claims (11)
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に芯材よりも酸化耐性の貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材がその芯材の結晶粒界に沿って形成されている被覆された表面形態であることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材がその芯材の結晶粒界に沿って形成されている被覆された表面形態であり、そのコーティング銅ワイヤの表面には、総有機炭素量(TOC値)が50〜3,000μg/m2の有機カーボン層が存在していることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に芯材よりも酸化耐性の貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材が海島構造における球体状の島となって形成されている被覆された表面形態であることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材が海島構造における球体状の島となって形成されている被覆された表面形態であり、そのコーティング銅ワイヤの表面には、総有機炭素量(TOC値)が50〜3,000μg/m2の有機カーボン層が存在していることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に芯材よりも酸化耐性の貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材がその芯材の金属色が見える部分とその被覆材の酸化耐性の貴な金属または貴な金属の合金の金属色が見える部分のモザイク模様で形成されている被覆された表面形態であることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 被覆層と純度99.99質量%以上の純銅合金または銅合金からなる芯材とから構成されるコーティング銅ワイヤの構造であって、その芯材表面は、そのワイヤの長手方向に沿った多数本の筋雲状の溝が環状に形成され、その芯材上に貴な金属または貴な金属の合金からなる被覆材がその芯材の金属色が見える部分とその被覆材の酸化耐性の貴な金属または貴な金属の合金の金属色が見える部分のモザイク模様で形成されている被覆された表面形態であり、そのコーティング銅ワイヤの表面には、総有機炭素量(TOC値)が50〜3,000μg/m2の有機カーボン層が存在していることを特徴とする超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 当該総有機炭素量(TOC値)が200〜1,000μg/m2であることを特徴とする請求項2、4または6のいずれか1項に記載の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 当該被覆材が純度99.99質量%以上の金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)ロジウム(Rh)若しくはイリジウム(Ir)またはそれらの合金からなる高純度貴金属であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 当該芯材が純度99.99質量%以上の金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)ロジウム(Rh)若しくはイリジウム(Ir)またはそれらの合金からなる高純度貴金属を含有し、かつ、残部が純度99.99質量%以上の銅(Cu)からなる銅合金であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 当該芯材が純度99.99質量%以上の金(Au)、銀(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)ロジウム(Rh)若しくはイリジウム(Ir)またはそれらの合金からなる高純度貴金属を0.5〜5質量%および残部が純度99.99質量%以上の銅(Cu)からなる銅合金であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
- 当該超音波接合用コーティング銅ワイヤがフリーエアーボール用ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124903A JP5546670B1 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 |
TW103119855A TW201511150A (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-09 | 超聲波焊接用鍍覆銅線之結構 |
SG10201403091UA SG10201403091UA (en) | 2013-06-13 | 2014-06-10 | Structure of coated copper wire for ultrasonic bonding |
CN201410265987.XA CN104241237B (zh) | 2013-06-13 | 2014-06-13 | 超声波键合用镀覆铜丝结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013124903A JP5546670B1 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5546670B1 true JP5546670B1 (ja) | 2014-07-09 |
JP2015002213A JP2015002213A (ja) | 2015-01-05 |
Family
ID=51409577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013124903A Expired - Fee Related JP5546670B1 (ja) | 2013-06-13 | 2013-06-13 | 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5546670B1 (ja) |
CN (1) | CN104241237B (ja) |
SG (1) | SG10201403091UA (ja) |
TW (1) | TW201511150A (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6167227B2 (ja) | 2014-04-21 | 2017-07-19 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
WO2016189758A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
WO2016189752A1 (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
SG11201604432SA (en) | 2015-06-15 | 2017-01-27 | Nippon Micrometal Corp | Bonding wire for semiconductor device |
US10468370B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-11-05 | Nippon Micrometal Corporation | Bonding wire for semiconductor device |
CN106463495B (zh) * | 2015-08-12 | 2020-09-04 | 日铁新材料股份有限公司 | 半导体装置用接合线 |
JP6410692B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2018-10-24 | 田中電子工業株式会社 | 銅合金ボンディングワイヤ |
WO2017221434A1 (ja) * | 2016-06-20 | 2017-12-28 | 日鉄住金マイクロメタル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN104241237B (zh) | 2017-04-12 |
CN104241237A (zh) | 2014-12-24 |
JP2015002213A (ja) | 2015-01-05 |
TW201511150A (zh) | 2015-03-16 |
SG10201403091UA (en) | 2015-01-29 |
TWI563580B (ja) | 2016-12-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140409 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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