JP3210445B2 - 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法 - Google Patents

半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法

Info

Publication number
JP3210445B2
JP3210445B2 JP29991692A JP29991692A JP3210445B2 JP 3210445 B2 JP3210445 B2 JP 3210445B2 JP 29991692 A JP29991692 A JP 29991692A JP 29991692 A JP29991692 A JP 29991692A JP 3210445 B2 JP3210445 B2 JP 3210445B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
organic carbon
bonding
loop
total
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP29991692A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06151497A (ja
Inventor
武明 安倍
祐人 伊賀
一郎 永松
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP29991692A priority Critical patent/JP3210445B2/ja
Publication of JPH06151497A publication Critical patent/JPH06151497A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3210445B2 publication Critical patent/JP3210445B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H01L2224/438—Post-treatment of the connector
    • H01L2224/43848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/45693—Material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/456 - H01L2224/45691, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、トランジスタ，ＩＣ，
ＬＳＩ等の半導体素子のチップ電極と外部リードとの接
続に使用されるボンディング用ワイヤ、さらに詳しく
は、Ａｕワイヤ，Ａｌワイヤ，Ｃｕワイヤ、或いはそれ
らに各種添加元素を含有させた合金ワイヤに関する。
【０００２】
【従来の技術】この種ボンディング用ワイヤはＡｕ，Ａ
ｌ，Ｃｕの何か一つを主要元素として１０〜５０μｍ程
度の極細線に伸線加工され、スプールに所定長さを巻き
込んだ状態でワイヤボンダに取り付けて使用される。ス
プールへの巻き込み長さは以前は一層巻きで１００〜２
００ｍ程度であったのに対し、最近は生産性向上のため
にクロスの多層巻きで１０００〜２０００ｍへと長尺化
する傾向にある。しかし乍ら、長尺巻きのワイヤを使用
する場合、ボンダのキャピラリ，クランパの交換や洗浄
の間隔が長くなり、長時間のボンディング作業によって
キャピラリ，クランパが汚れてくるため、ワイヤ通路が
狭まってワイヤの流動性を阻害し、ループ高さ異常，ル
ープ曲り等のループ異常が発生しやすくなる問題が生じ
る。
【０００３】上記の弊害を除去するためには、キャピラ
リ及びクランパを頻度多く交換・洗浄する必要があり、
その度にボンディング作業の中断を来すため作業性が低
下し、長尺巻きの利点が無意味になる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上の従来事
情に鑑み、ボンディング用極細ワイヤが長尺巻きである
場合にもキャピラリ及びクランパの交換，洗浄の作業回
数が少なくて済むボンディング用ワイヤを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、キャピラリの詰まり，クランパ汚れの原因を検討
したところ、ワイヤ表面の微量の有機物がボンディング
作業中に徐々に堆積するためであることが分かった。こ
の有機物は伸線加工工程で用いる潤滑剤，空気中の浮遊
物やガス等がワイヤ表面に吸着したものと考えられる。
そこでワイヤ表面を徹底的に洗浄して実験したところ、
キャピラリ詰まり，クランパ汚れはなくなったが、スプ
ールに巻き込んだワイヤ間の付着力が大きくなって滑動
性が低下し、スプールからの解きほぐれ性が悪化してボ
ンディングの際にループ異常を多発した。
【０００６】このような結果から、ワイヤ表面の有機物
の量を所定範囲内に規制すればキャピラリ詰まり，クラ
ンパ汚れを起こしにくく、且つ解きほぐれ性も優れたワ
イヤが得られるであろうと推定し、本発明を完成するに
至ったものである。
【０００７】すなわち本発明に係る方法は、表面の総有
機炭素量が５０〜１５００μｇ／ｍ2 である半導体素子
のボンディング用ワイヤを製造する方法である。
【０００８】表面の総有機炭素量が５０μｇ／ｍ2 を下
回ると前述のようにワイヤの滑動性が低下し、ループ異
常を多発する。また、表面の総有機炭素量が１５００μ
ｇ／ｍ2 を上回ると、キャピラリ詰まり，クランパ汚れ
が発生しやすくなり、作業性が低下する。よって、表面
の総有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲内に
設定した。
【０００９】ワイヤ表面の総有機炭素量の測定は、試料
ワイヤ５００〜１０００ｍを秤量し、０．１Ｎ−ＮａＯ
Ｈ水溶液を７０ｇ加えてウォーターバスで３０分間煮沸
して抽出を行い、冷却後８Ｎ−ＨＣｌを１ｍｌ加えて軽
く振盪し、高純度空気で１５分間バブリングする。これ
を島津製作所製ＴＯＣ−５０００型有機炭素測定機に供
給して有機炭素濃度を測定し、この値から総有機炭素重
量を計算して試料ワイヤの表面積で除して表面の総有機
炭素量とする。
【００１０】表面の総有機炭素量が５０〜１５００μｇ
／ｍ2 であるワイヤを製造する一つの方法は、通常の工
程、すなわち溶解，鋳造，伸線，アニール，巻取り工程
を経て製造されたワイヤの表面には既に１５００μｇ／
ｍ2 を上回る総有機炭素が認められるので、これを温湯
洗浄，フロン洗浄，アルコール洗浄，洗剤洗浄，酸洗
浄，アルカリ洗浄，電解洗浄，超音波洗浄，オゾン洗
浄，プラズマ洗浄，レーザー洗浄等の方法で洗浄して、
表面の総有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲
に入るようにすることを特徴とする（請求項１）。この
方法は通常工程におけるアニール工程の前あるいは後に
洗浄工程を設ければ良く、実施が容易である特徴があ
る。
【００１１】他の製造方法として、通常の工程で製造さ
れたワイヤの表面を上記のような方法で充分に洗浄して
表面の総有機炭素量を５０μｇ／ｍ2 未満とし、これに
潤滑剤の稀薄溶液を塗布した後に溶剤を蒸発させて表面
の総有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲に入
るようにする方法がある（請求項２）。塗布は通常はア
ニール工程の後で行われるが、耐熱性の高い潤滑剤の場
合はアニール工程の前で行ってアニールと溶剤の蒸発を
同時に行うことも可能である。この方法は洗浄及び塗
布、乾燥工程が加わるため前の方法より工程が増える
が、付着量の管理が容易でワイヤ性能のばらつきを小さ
くできる特徴がある。
【００１２】潤滑剤成分としては、パラフィン系炭化水
素、ナフテン系炭化水素、芳香族系炭化水素等の鉱油
系、ポリオレフィン、アルキルベンゼン、脂肪酸、高級
アルコール、脂肪酸せっけん、ポリグリコール、ポリフ
ェニルエーテル、脂肪酸ジエステル、ポリオールエステ
ル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、スルフォン
酸塩、アミン、アミン塩、シリコーン、燐酸エステル、
フルオロカーボン、フルオロポリエーテル、フルオログ
リコール等の合成油系、牛脂、豚脂、パーム油、大豆
油、菜種油、ひまし油、松根油等の天然油脂系があげら
れるが、どれを用いても良い。また、それら数成分の混
合系でも良い。
【００１３】
【発明の効果】本発明の方法で得られる半導体素子のボ
ンディング用ワイヤは、表面の総有機炭素量を１５００
μｇ／ｍ2 以下としてボンディング作業時のキャピラリ
詰り，クランパ汚れ等を解消してループ高さ異常，ルー
プ曲り等のループ不良の発生を防ぎ、同時に、同有機炭
素量を５０μｇ／ｍ2 以上としてスプールに巻き込んだ
ワイヤ間の付着力を小さくして滑動性を向上させ、スプ
ールからの解きほぐれ性を良好とする。従って、キャピ
ラリ及びクランパを頻度多く交換・洗浄する必要なく、
且つボンディングの際のループ異常を来すことなくスプ
ールへの長尺クロス多層巻きを可能とし、ボンディング
作業性の大幅な改善，向上をなし得る。
【００１４】そうして、請求項１の方法によれば、通常
の工程で製造されるワイヤ表面の１５００μｇ／ｍ2 を
上回る総有機炭素量を洗浄により所定範囲内とするの
で、例えばワイヤ表面に潤滑防錆剤を塗布してその膜厚
を制御するような手段に比べ、通常工程におけるアニー
ル工程の前あるいは後に洗浄工程を設ければ良く、実施
が容易である。また、請求項２の方法によれば、通常の
工程で製造されるワイヤ表面の総有機炭素量を洗浄によ
り５０μｇ／ｍ2 未満としこれに潤滑剤を塗布して所定
範囲内とするので、前記同様実施が容易であることに加
え、付着量の管理が容易でワイヤ性能のばらつきを小さ
くできる特徴がある。
【００１５】
【実施例】以下に実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明は特にこれに限定されるものではない。
また、実施例はＡｕワイヤのみの例であるが、Ａｌワイ
ヤ，Ｃｕワイヤ、或いはＡｕ，Ａｌ，Ｃｕの何か一つを
主要元素とする合金ワイヤについても同様な効果がある
ことを確認した。
【００１６】（実施例１）表１中の試料Ｎo.１〜７は、
伸線加工工程で天然油脂系の潤滑剤を用いて通常の工程
で製造される直径２５μｍのＡｕワイヤを、アニール前
に８０℃の純水温湯洗浄を１〜２０秒行って表面の総有
機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲内とした本
発明実施品（試料Ｎo.２〜６）、前記洗浄をせずに若し
くは５０秒行って表面の総有機炭素量を５０〜１５００
μｇ／ｍ2 の範囲外とした比較品（試料Ｎo.１，７）で
ある。
【００１７】これら各試料について、スプールにクロス
多層巻きで２０００ｍ巻き取ってボンディング作業を行
い、キャピラリ詰まり発生距離，１０００ｍ使用時にお
けるループ異常の発生率，２０００ｍ使用時におけるク
ランパ汚れ，ワイヤ自重による解きほぐれ性の各項目に
ついて測定・観察を行った。結果を表中に記す。尚、解
きほぐれ性の評価は、良好：スプールからワイヤが自重
で滑らかに落下する、不良：スプールからワイヤが自重
で落下しない、とした。
【００１８】
【表１】
【００１９】（実施例２）表２中の試料Ｎo.８〜１５
は、伸線加工工程で各種の潤滑剤を用いて通常の工程で
製造される直径２５μｍのＡｕワイヤを、アニール前に
８０℃の純水温湯洗浄を１秒行って表面の総有機炭素量
を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲内とした本発明実施
品（試料Ｎo.９，１１，１３，１５）、前記洗浄をせず
に表面の総有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範
囲外とした比較品（試料Ｎo.８，１０，１２，１４）で
ある。
【００２０】これら各試料について、実施例１と同条件
でボンディング作業を行い、キャピラリ詰まり発生距
離，１０００ｍ使用時におけるループ異常の発生率，２
０００ｍ使用時におけるクランパ汚れ，ワイヤ自重によ
る解きほぐれ性の各項目について測定・観察を行った。
結果を表中に記す。
【００２１】
【表２】
【００２２】（実施例３）表３中の試料Ｎo.１６〜２４
は、伸線加工工程で天然油脂系の潤滑剤を用いて通常の
工程で製造される直径２５μｍのＡｕワイヤを、表中記
載の各種の方法で１秒間洗浄して表面の総有機炭素量を
５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲内とした本発明実施品
（試料Ｎo.１７〜２４）、前記洗浄をせずに表面の総有
機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲外とした比
較品（試料Ｎo.１６）である。
【００２３】これら各試料について、実施例１と同条件
でボンディング作業を行い、キャピラリ詰まり発生距
離，１０００ｍ使用時におけるループ異常の発生率，２
０００ｍ使用時におけるクランパ汚れ，ワイヤ自重によ
る解きほぐれ性の各項目について測定・観察を行った。
結果を表中に記す。
【００２４】
【表３】
【００２５】（実施例４）表４中の試料Ｎo.２５〜３７
は、伸線加工工程で天然油脂系の潤滑剤を用いて通常の
工程で製造される直径２５μｍのＡｕワイヤを、５秒間
電解洗浄して表面の総有機炭素量を５０μｇ／ｍ2 以下
としてからアニールを行い、次いで各種の潤滑剤の稀薄
溶液を塗布して乾燥を行い表面の総有機炭素量を５０〜
１５００μｇ／ｍ2 の範囲内とした本発明実施品（試料
Ｎo.２６〜３７）、前記潤滑剤の塗布をせずに表面の総
有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲外とした
比較品（試料Ｎo.２５）である。
【００２６】これら各試料について、実施例１と同条件
でボンディング作業を行い、キャピラリ詰まり発生距
離，１０００ｍ使用時におけるループ異常の発生率，２
０００ｍ使用時におけるクランパ汚れ，ワイヤ自重によ
る解きほぐれ性の各項目について測定・観察を行った。
結果を表中に記す。
【００２７】
【表４】
【００２８】以上、表１〜４記載の測定結果から、表面
の総有機炭素量を５０〜１５００μｇ／ｍ2 の範囲内と
した本発明実施品が、ボンディング作業時のキャピラリ
詰り，クランパ汚れ等を解消してループ高さ異常，ルー
プ曲り等のループ不良の発生を防止でき、且つスプール
からの解きほぐれ性も良好であることが確認できた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−94534（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−10633（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 総有機炭素量が１５００μｇ／ｍ 2 を上
    回るワイヤ表面を洗 浄して、表面の総有機炭素量が５０
    〜１５００μｇ／ｍ 2 となるようにする ことを特徴とす
    るクロス多層巻きして用いる半導体素子のボンディング
    用ワ イヤの製造方法。
  2. 【請求項２】 洗浄により表面の総有機炭素量を５０μ
    ｇ／ｍ 2 未満とし、 これに潤滑剤を塗布して、表面の総
    有機炭素量が５０〜１５００μｇ／ｍ 2 となるようにす
    ることを特徴とするクロス多層巻きして用いる半導体素
    子のボンディング用ワイヤの製造方法。
JP29991692A 1992-11-10 1992-11-10 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法 Expired - Fee Related JP3210445B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29991692A JP3210445B2 (ja) 1992-11-10 1992-11-10 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29991692A JP3210445B2 (ja) 1992-11-10 1992-11-10 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06151497A JPH06151497A (ja) 1994-05-31
JP3210445B2 true JP3210445B2 (ja) 2001-09-17

Family

ID=17878480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29991692A Expired - Fee Related JP3210445B2 (ja) 1992-11-10 1992-11-10 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3210445B2 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11201281A (ja) * 1998-01-12 1999-07-27 Aichi Mach Ind Co Ltd 歯車式変速機の自動変速装置
JPH11201277A (ja) * 1998-01-12 1999-07-27 Aichi Mach Ind Co Ltd 歯車式変速機の自動変速装置
KR20000049783A (ko) * 2000-04-29 2000-08-05 고일억 반도체용 금의 극세선 및 타겟의 재료 제조방법
JP4655426B2 (ja) * 2001-07-19 2011-03-23 住友金属鉱山株式会社 半導体素子接続用Ａｕボンディングワイヤおよびその製造方法
JP4756659B2 (ja) * 2009-08-10 2011-08-24 田中電子工業株式会社 超音波ボンディング用アルミニウムリボン
JP4791571B2 (ja) * 2009-11-26 2011-10-12 田中電子工業株式会社 超音波ボンディング用アルミニウムリボン
JP2013172032A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Nippon Micrometal Corp ボンディングワイヤの製造方法
JP5507730B1 (ja) 2013-04-02 2014-05-28 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用貴金属希薄銀合金ワイヤ
JP5546670B1 (ja) * 2013-06-13 2014-07-09 田中電子工業株式会社 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造
CN105405828B (zh) * 2014-09-15 2018-01-12 田中电子工业株式会社 超声波接合用纯铜合金线的剖面构造

Also Published As

Publication number Publication date
JPH06151497A (ja) 1994-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3210445B2 (ja) 半導体素子のボンディング用ワイヤの製造方法
TWI546418B (zh) 晶圓切片方法及其使用的組合物
DE60317124T2 (de) Waschflüssigkeitzusammensetzung für ein Halbleitersubstrat
DE60222532T2 (de) Zusammensetzung zur reinigung nach einem chemischen-mechanischen polierverfahren
JP4025953B2 (ja) 洗浄剤組成物
KR102323027B1 (ko) 땜납이 고화된 회로 기판의 제조 방법, 전자 부품이 탑재된 회로 기판의 제조 방법 및 플럭스용 세정제 조성물
JP5507730B1 (ja) ボールボンディング用貴金属希薄銀合金ワイヤ
JP5023706B2 (ja) ボンディングワイヤとその製造方法
CA2044146C (en) Non-toxic, non-flammable cleaner for printed board cleaning
JPH04143094A (ja) はんだ付け用フラックス
JPH05501427A (ja) 無ステイン性固体潤滑剤
JP7372662B2 (ja) 洗浄剤組成物及び洗浄剤組成物用原液
JP2007158082A (ja) 半導体素子用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JPH10166177A (ja) 被覆半田材料及びその製造方法
JP2836692B2 (ja) 半導体素子のボーディング用線
JP3722501B2 (ja) ハンダ付け用フラックス
JP4048718B2 (ja) 水溶性潤滑剤
JPH0362896A (ja) 洗浄剤組成物
JP2001279491A (ja) 封孔処理剤
US20040116315A1 (en) Liquid composition for cleaning hydrophobic substrate and cleaning method therewith
JP4791571B2 (ja) 超音波ボンディング用アルミニウムリボン
JPH08288332A (ja) ボンディングワイヤの製造方法
JP2003031607A (ja) 半導体素子用ボンディングワイヤおよびその製造方法
JPH08321524A (ja) ボンディングワイヤの製造方法
JPH08321522A (ja) ボンディングワイヤの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080713

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090713

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100713

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110713

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120713

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees