JP4655426B2 - 半導体素子接続用Auボンディングワイヤおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体素子上の電極パッドと、外部リードとを電気的に接続するために用いる半導体素子接続用Auボンディングワイヤに関する。
【0002】
【従来の技術】
IC、LSIなどの半導体素子上の電極パッドと、外部リードとの電気的接続には、一般的にワイヤ径が10〜100μm程度、主として20〜40μmのAuボンディングワイヤが用いられる。
【0003】
近年、半導体素子サイズは縮小化される傾向にあり、それに対応すべく、より高強度のAuボンディングワイヤの実現を図ってきた。すなわち、半導体素子が小さくなることで、半導体素子上の電極パッドとリードフレーム等の外部リードとの距離が、一般的には長くなり、そのため、ボンディング(接合)後に行われる樹脂モールド時のワイヤ流れによるAuボンディングワイヤ間の接触、いわゆる樹脂流れを防止すべく、Auボンディングワイヤの強度を高めてきた。
【0004】
また、コストダウンの一環として、ワイヤ径を細くする細線化志向が強まってきている。細線化する場合は、樹脂流れの懸念を解消するためや、ボンディングされたAuボンディングワイヤの強度を確保するために、より高強度のAuボンディングワイヤに置き換えられることが多い。
【0005】
また、半導体素子の高集積度化に伴い、半導体素子上の電極間距離、いわゆるボンディングピッチは縮小される傾向もある。狭いボンディングピッチを実現するためには、ボンディングに用いるキャピラリーの先端径、つまりチップ径を小さくする必要があり、それに応じてワイヤ径も細くする必要がある。従って、半導体素子の高集積度化のために必要な細線化の場合でも、樹脂流れの懸念を解消するためや、ボンディングされたAuボンディングワイヤの強度を確保するために、より高強度のAuボンディングワイヤが求められる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
Auボンディングワイヤを高強度化するためには、通常、Au以外の元素の添加量を増やすことで対応する。
【0007】
しかし、Auボンディングワイヤが高強度になると、必然的にワイヤ表面硬度も高く(硬く)なる。特に、ワイヤ径が細くなると、外部リードに接続する二次ボンディング側の接合面が縮小化するため、硬いAuボンディングワイヤでは、十分な接合強度が確保できずに、場合によっては未接合となることもある。
【0008】
また、Auボンディングワイヤには、解きほぐれ性等を確保するために、通常、アニール後に界面活性剤を塗布する。良好な解きほぐれ性を維持するために、界面活性剤の塗布量が潤沢となるような条件を設定するが、界面活性剤の塗布量が多すぎると、正常なボール形成や、正常なループ形成が阻害されることがあり、場合によっては接合不良を起こすこともあった。
【0009】
本発明は、特に細線化されたAuボンディングワイヤのボンディングにおいて、樹脂流れが問題視されず、良好な解きほぐれ性を維持しながら、接合強度の問題や、ボール形成およびループ形成の異常が発生しないAuボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために鋭意検討した結果、Auボンディングワイヤの降伏強度(耐力)と硬度が一定の範囲内にあれば、上記課題が解決できることを見出した。さらに、付着している有機物量も一定の範囲内にあれば、より望ましい。
【0011】
すなわち、本発明の半導体素子接続用Auボンディングワイヤは、炭素系被覆が付着し、0.2%耐力が200MPa以上、ワイヤ表面硬度がビッカース硬度で70以下である。
【0012】
さらに、付着している炭素系被覆の総有機炭素量が4〜30質量ppmであることが望ましい。なお、炭素系被覆は、有機被覆材のうち熱処理後に残った残留物を含む。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のAuボンディングワイヤは、細線化や狭ピッチのボンディングを目的としているので、まず高強度であることが求められる。そこで、Auボンディングワイヤの持つ特性のうち、降伏強度である0.2%耐力に着目した。Auボンディングワイヤが高強度になると、0.2%耐力も増加し、その値が200MPa以上を示すと、樹脂流れに対して十分な耐性が認められる。従って、0.2%耐力の下限を200MPaとした。上限は特に定めないが、Auを主成分とするAuボンディングワイヤでは、300MPaを超えることは稀である。
【0014】
0.2%耐力が200MPa以上を達成するためには、Au以外の元素の添加量を増やせばよいが、ワイヤ表面硬度も高くなり、接合不良が発生するのは前述の通りである。
【0015】
しかし、本発明者らは、ワイヤ表面硬度をビッカース硬度で70以下とすれば、接合不良が発生しないことを見出した。従って、ワイヤ硬度はビッカース硬度で上限を70と設定した。ワイヤ表面硬度にも、下限は特に設定しないが、ビッカース硬度で40以下となることはほとんどない。
【0016】
上記特性を得るためには、添加元素とその添加量および製造条件を、適切に組み合わせる必要がある。Auボンディングワイヤの強度を向上させる元素としては、Ca、Be、Ge、希土類元素等が良く知られている。
【0017】
これらの内、Beは、強度向上効果は大きいが、加工硬化させやすい元素であるため、添加量は適切な範囲に設定するのが望ましい。
【0018】
また、Cu、Ag、Pd、Ptなどの金属元素は、Auと全率固溶するため、大きな強度向上効果は望めない割に、ワイヤ表面硬度を比較的高くする性質を持つ。さらに、これらの元素は、Auの精製時、不可避的不純物となるので、Auボンディングワイヤに比較的多く含まれる。従って、これらの元素の添加量(混入量)には注意を要する。
【0019】
次に、本発明を実現させるための製造条件を説明する前に、Auボンディングワイヤの製造工程について説明する。
【0020】
Auボンディングワイヤは、高純度のAuと、添加する元素を混合して、溶解・鋳造後、溝ロール圧延を行い、ダイスを用いて伸線加工を行うことで、その線径を細くしていく。また、前述の加工の途中で、焼鈍を加えることもある。
【0021】
最終線径まで伸線加工後、加工歪を除去するために焼鈍を行い、所定のスプールに巻き取らせて、ボンディング作業に供される。
【0022】
伸線加工途中の焼鈍、および加工後の焼鈍により、ワイヤ表面硬度は低下するが、同時に強度も低下するので、本発明のAuボンディングワイヤの特性を実現させるためには、組成に合わせた焼鈍条件の最適化が必要となる。
【0023】
組成に合わせた焼鈍条件の最適化以外に、芯材のAu周りに、芯材よりも硬度の低いAu、つまり芯材よりも添加元素濃度の低いAuで覆う二重構造のAuボンディングワイヤとしたり、中心部から周辺部に向けて、添加元素の濃度を低減させることによりワイヤ表面硬度を下げることで、本発明のAuボンディングワイヤの特性を実現させることも可能である。
【0024】
また、ワイヤ表面に付着している総有機炭素量を、4〜30質量ppmの範囲にすると、良好なAuボンディングワイヤが実現できる。
【0025】
前記被覆材の総有機炭素量が4質量ppm未満であると、良好な解きほぐれ性が維持できず、Auボンディングワイヤが繰り出されるとき、折れ曲がる不具合のほかに、付与する潤滑性が乏しいためにキャピラリー内に金粉が堆積して、正常なループ形成が阻害される不具合の生じることがある。逆に、総有機炭素量が30質量ppmを超えると、ワイヤ表面の有機物層に阻害されて、ボール形成や接合に障害が出たり、過剰な有機物がキャピラリーなどのボンディング治具に付着して、正常なループ形成が阻害されることがある。
【0026】
本発明のAuボンディングワイヤは、細線、特に25μm以下で有用であるが、もちろんそれ以上の線径のAuボンディングワイヤに対して適応しても良好な性能が得られる。
【0027】
各特性値の測定は、次のようにして行った。
【0028】
0.2%の耐力の測定は、試料長100mm、歪速度0.1min-1の条件で引張試験を行い、その荷重−伸び線図より読み取った。なお、0.2%耐力は、試験片の標点距離の0.2%の永久伸びを生ずるときの荷重を原断面積で除した商をいう。
【0029】
ワイヤ表面のビッカース硬度は、微小硬さ試験機(アカシ製、MVK−G3型)を用いて、ワイヤ表面に9.8mNの荷重をかけたときの硬度を測定した。
【0030】
総有機炭素量は、微量炭素分析計(堀場製作所製、EMIA U−511型)を用いて、所定の質量とした各試料を1300℃に加熱し、加熱により発生した一酸化炭素および二酸化炭素の合計質量から、Auボンディングワイヤの表面に付着した炭素量の評価をした。
【0031】
ボンディング評価は、ワイヤボンダー(新川製、UTC−300型)を用いた。
【0032】
樹脂流れ性の評価は、200μmのループ高さ、かつ5mmのループ長で、ボンディングした後に、ループに垂直に、一般的な条件で樹脂モールドを行い、ループが樹脂に流されて湾曲し、モールド前の位置から変位した最大距離を、ループ長で除した値の5点の平均値が、3%未満ならば、良好とした。
【0033】
接合性の評価は、AgめっきしたCu材の208pinQFPリードフレームにテストダイをつけ、200μmのループ高さでボンディングを行い、208のループの二次ボンディング側のツィーザ強度をボンドテスター(デイジ製、2400A型)を用いて測定した。測定値のうち、39.2mN以下のものを不良とみなし、その割合を接合性の指標とした。なお、ツィーザ強度とは、2次ボンディング側のワイヤーを、所定のツィーザ治具で挟んで引っ張った時の破断強度である。
【0034】
さらに、208pinQFPリードフレームへのボンディングを、400のICで連続して行い、二次ボンディング側のワイヤ不着回数、ループ形成異常の有無を評価した。
【0035】
(実施例)
(試料1〜4)
高純度Auに、Ca、Geを添加して溶解・鋳造後、溝ロール圧延を施し、ダイスを用いて伸線加工を行い、最終線径25μmのAuボンディングワイヤを得た。
【0036】
伸線加工途中の熱処理条件、および最終の熱処理条件を示す条件1から条件4のうち、試料1は条件1で、試料2は条件2で、試料3は条件3で、および、試料4は条件4で、それぞれ伸線加工を行った。伸線加工後に、ワイヤ表面の総有機炭素量が10質量ppm程度となる条件で、ノニオン系界面活性剤の塗布を行い、所定のスプールに巻き取り、ボンディングに供した。
【0037】
熱処理条件は以下の通りである。
【0038】
[条件1]
・伸線加工途中の熱処理条件:線径が0.3mmの時点にて、伸び率が5%となるように調整した連続焼鈍
・最終の熱処理条件:伸び率が3%となるように調整した焼鈍
[条件2]
・伸線加工途中の熱処理条件:線径が0.3mmの時点にて、伸び率が5%となるように調整した連続焼鈍
・最終の熱処理条件:伸び率が8%となるように調整した焼鈍
[条件3]
・伸線加工途中の熱処理条件:線径が4.0mmの時点にて、焼鈍後のワイヤ表面のビッカース硬度が、焼鈍前の70%となるように、かつ、線径が0.3mmの時点にて、伸び率が5%となるように調整した連続焼鈍
・最終の熱処理条件:伸び率が3%となるように調整した焼鈍
[条件4]
・伸線加工途中の熱処理条件:線径が4.0mmの時点にて、焼鈍後のワイヤ表面のビッカース硬度が、焼鈍前の70%となるように、かつ、線径が0.3mmの時点にて、伸び率が5%となるように調整した連続焼鈍
・最終の熱処理条件:伸び率が8%となるように調整した焼鈍
以上の試料について各測定の結果を表1に示す。
【0039】
(試料5〜8)
高純度Auに添加する元素をCa、Ge、Cuとした以外は、試料1〜4と同様に、それぞれ試料5〜8を作製した。0.2%の耐力の測定、ワイヤ表面のビッカース硬度の測定、総有機炭素量の測定、樹脂流れ性の評価、接合性の評価、二次ボンディング側のワイヤ不着回数、ループ形成異常の有無の評価を、試料1〜4と同じように行った。結果を表1に示す。
【0040】
(試料9〜12)
高純度Auに添加する元素をCa、Be、Laとした以外は、試料1〜4と同様に、それぞれ試料9〜12を作製した。0.2%の耐力の測定、ワイヤ表面のビッカース硬度の測定、総有機炭素量の測定、樹脂流れ性の評価、接合性の評価、二次ボンディング側のワイヤ不着回数、ループ形成異常の有無の評価を、試料1〜4と同じように行った。結果を表1に示す。
【0041】
(試料13〜16)
高純度Auに添加する元素をCa、Be、La、Cuとした以外は、試料1〜4と同様に、それぞれ試料13〜16を作製した。0.2%の耐力の測定、ワイヤ表面のビッカース硬度の測定、総有機炭素量の測定、樹脂流れ性の評価、接合性の評価、二次ボンディング側のワイヤ不着回数、ループ形成異常の有無の評価を、試料1〜4と同じように行った。結果を表1に示す。
【0042】
【表1】
【0043】
表1に示されるように、全試料とも、ワイヤに付着した総有機炭素量は、10質量ppm前後と、本発明の範囲内であるため、ループ形成異常は見出されなかったが、0.2%耐力が200MPa未満である試料2、4、8は、樹脂流れ量が多く、樹脂流れ性に問題があった。
【0044】
また、ワイヤ表面のビッカース硬度が70を超える試料5、7、9、13、14、15は、二次ボンディング側のツィーザ強度が低いものがあり、接合不良が起きている。さらに、試料5、9、13、15では、二次ボンディング側で未接合も発生した。
【0045】
0.2%耐力、ワイヤ表面のビッカース硬度の両特性が本発明の範囲内である試料1、3、6、10、11、12、16は、樹脂流れ性、接合性がともに問題なく、良好な結果を示した。
【0046】
(試料17〜21)
高純度Auに添加する元素をCa、Be、Laとして、ノニオン系界面活性剤の濃度等を変えることで、ワイヤ表面の総有機炭素量を3質量ppm、4質量ppm、10質量ppm、29質量ppm、41質量ppmにそれぞれ調整した以外は、試料4と同様に、それぞれ試料17〜21を作製した。0.2%の耐力の測定、ワイヤ表面のビッカース硬度の測定、総有機炭素量の測定、樹脂流れ性の評価、接合性の評価、二次ボンディング側のワイヤ不着回数、ループ形成異常の有無の評価を、試料1〜4と同じように行った。結果を表2に示す。
【0047】
なお、試料19は、試料12と同一である。
【0048】
【表2】
【0049】
試料17〜21は、0.2%耐力、ワイヤ表面のビッカース硬度がともに、本発明の範囲内であるので、樹脂流れ性、接合性に関しては問題は見られない。
【0050】
しかし、試料17は、付着した総有機炭素量が3質量ppmと少ないので、ループ形成異常が発生した。ボンディング後のキャピラリーを観察すると、金粉を主成分とする堆積物があり、これが正常なループ形成を阻害したものと考えられる。また、ワイヤを解きほぐしてみると、一部にワイヤのひっかかりも観察された。
【0051】
試料21は、付着した総有機炭素量が41質量ppmと多いため、ループ形成異常が発生した。ボンディング後のキャピラリーを観察すると、有機物を主成分とする堆積物が観察され、これが正常なループ形成を阻害したものと考えられる。
【0052】
一方、ワイヤ表面の総有機炭素量が本発明の範囲内である試料18〜20は、ループ形成異常の発生もなく、良好なボンディングとなった。
【0053】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のAuボンディングワイヤは、高い0.2%耐力と、比較的低いワイヤ表面のビッカース硬度とを併せ持つため、特に細線化や狭ピッチのボンディングなど、細線化したAuボンディングワイヤのボンディングを行う際に、良好な樹脂流れ性と接合性の維持を実現した。
【0054】
さらに、ワイヤ表面に付着した有機物量を適切な範囲としたため、ループ形成異常の発生も抑制できた。
【0055】
本発明のAuボンディングワイヤを提供することにより、半導体組立産業に多大なる貢献が可能となる。
Claims (2)
- Ca、Be、Ge、Cu、Ag、Pd、Pt、および希土類元素の群から選択される添加元素を総量で25〜60質量ppm含有し、表面に炭素系被覆が付着している半導体素子接続用Auボンディングワイヤであって、0.2%耐力が200MPa以上であり、ワイヤ表面硬度がビッカース硬度で70以下であり、かつ、付着している炭素系被覆の総有機炭素量が4〜30質量ppmであることを特徴とする半導体素子接続用Auボンディングワイヤ。
- Ca、Be、Ge、Cu、Ag、Pd、Pt、および希土類元素の群から選択される添加元素を含有するAuを、溶解・鋳造後、溝ロール圧延を施し、ダイスを用いて伸線加工を行い最終線径まで伸線加工し、伸線加工後に炭素系被覆を表面に施す工程を有し、かつ、伸線加工途中および加工後に焼鈍を施す半導体素子接続用Auボンディングワイヤの製造方法において、該Auボンディングワイヤ表面の総有機炭素量を4〜30質量ppmとすると共に、前記添加元素の含有量を総量で25〜60質量ppmの範囲とし、該Auボンディングワイヤの組成に応じて前記焼鈍の焼鈍条件を規制することにより、得られるAuボンディングワイヤの0.2%耐力を200MPa以上、かつ、ワイヤ表面硬度をビッカース硬度で70以下とすることを特徴とする半導体素子接続用Auボンディングワイヤの製造方法。
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