TWI525726B - Preparation method of package wire with skin layer and its finished product - Google Patents
Preparation method of package wire with skin layer and its finished product Download PDFInfo
- Publication number
- TWI525726B TWI525726B TW103110804A TW103110804A TWI525726B TW I525726 B TWI525726 B TW I525726B TW 103110804 A TW103110804 A TW 103110804A TW 103110804 A TW103110804 A TW 103110804A TW I525726 B TWI525726 B TW I525726B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- skin layer
- wire
- core material
- layer
- oxidation resistant
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4554—Coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Metal Extraction Processes (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
本發明涉及半導體領域,尤指一種具有表皮層的封裝銲線之製備方法及其成品。
為因應半導體領域對精密化、高品質及低成本等產品需求,現今多半係選用表面鍍有抗氧化層之銅線取代金線接合電子、電路元件,以封裝形成一半導體裝置。
台灣專利公告案第I287282號揭示一種抗氧化之銅線,此抗氧化之銅線是由銅線及銅線之外表面包覆的抗氧化層所組成,藉以令銅線具有優於金線之電性可靠度。
台灣專利公告第578286號亦揭示一種連結線,其係包含以銅為主要成分之芯材及形成於芯材上的被覆層,且該被覆層之材料為熔點高於銅之耐氧化性金屬,藉以利用該被覆層防止芯材發生表面氧化之現象。依據該篇專利案所揭示之製備方法,其先於芯材上電鍍被覆層,再對芯材及形成於其上之被覆層進行伸線加工,以使連結線獲得預定之線徑與被覆層厚度。然而,由於伸線加工係於被覆層形成後再進行,故形成於芯材上的被覆層之表面會因伸線加工而形成缺陷,例如:裂痕、孔洞或剝落等,甚而劣化包含此種連結線之半導體裝置的品質,並使其往精密化之發展受到限制。
因此,半導體封裝業者正積極改良現有技術之封裝銲線的表面結構,以期能克服上述問題。例如,台灣專利公開案第200937546號揭示一種半導體裝置用合接線,其包含由導電性金屬構成的芯材以及形成於該芯材上且其成分係有別於前述導電金屬的表皮層。該篇專利案藉由控制表皮層之金屬成分具有面心立方晶體結構及具有50%以上之長邊方向結晶方位<111>,以期能達到減少表皮層因伸線加工而產生缺陷之目的。然而,依此方法製備合接線將提高製程複雜度與製作成本;且由於該篇專利案之表皮層亦係先形成於芯材上才進行伸線加工,故即便控制表皮層之晶體結構與結晶方位比例,仍然無法完全避免表皮層之表面因伸線加工而形成缺陷或裂痕之問題。
有鑑於現有技術所面臨之技術缺陷,本發明之一目的在於改良封裝銲線之製備方法,藉此克服現有技術之封裝銲線之抗氧化層及/或表皮層之表面因伸線加工而形成孔洞或裂痕等缺陷。
本發明之另一目的在於提升現有技術封裝銲線之品質,藉以提升其應用於半導體封裝製程的穩定性與作業性。
為達成前述目的,本發明提供一種具有表皮層的封裝銲線之製備方法,其包括:提供一母材;使用複數眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材,以獲得一芯材;
將該芯材置於一第一電鍍液中,並於該芯材上電鍍形成一抗氧化層,以獲得一包覆有抗氧化層之芯材;將該包覆有抗氧化層之芯材置於一第二電鍍液中,並於該包覆有抗氧化層之芯材上電鍍形成一表皮層,以獲得一包覆有抗氧化層及表皮層之芯材;以及以400℃至800℃之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材,製得一具有表皮層的封裝銲線。
由於本發明具有表皮層的封裝銲線之製備方法係先經過伸線加工再進行電鍍抗氧化層及表皮層之製程,同時搭配適當的退火溫度進行熱處理,故該電鍍製程能有利於填補因伸線加工而形成於芯材表面的裂痕或孔洞,藉以確保抗氧化層能完整包覆於芯材表面,以提升抗氧化層之表面平整性;且形成於抗氧化層上的表皮層能進一步提升所製得之具有表皮層的封裝銲線的品質,藉以提高其應用於半導體封裝製程的作業性與穩定性。
較佳的,前述以400℃至800℃之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材製得該具有表皮層的封裝銲線之步驟包括:於通有10公升/分鐘(L/min)至15公升/分鐘之氮氣環境中,以400℃至800℃之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材,製得該具有表皮層的封裝銲線。據此,該製備方法能確保熱處理溫度之均勻性,進而提升所製得之具有表皮層的封裝銲線之品質。
較佳的,前述使用該眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材以獲得該芯材之步驟係包括:以100至200公尺/分鐘之伸線速率,使用該眼模減面
率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材,以獲得該芯材。
更佳的,以100至150公尺/分鐘之伸線速率使用該眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材以獲得該芯材之步驟係包括:以100至150公尺/分鐘之伸線速率,使用減面率介於7%至9%之多重鑽石眼模伸線該母材,以獲得一經伸線加工之母材;以及以100公尺/分鐘至150公尺/分鐘之伸線速率,使用出口眼模孔徑值介於15微米至50微米之間的多重鑽石眼模伸線該一經伸線加工之母材,以獲得該芯材。據此,該芯材係具有介於15微米至50微米之間的線徑。
較佳的,該多重鑽石眼模之出口眼模孔徑值係介於15至50微米之間,藉以令所製得之芯材具有介於15至50微米之間的線徑。
較佳的,前述將該芯材置於該第一電鍍液中並於該芯材上電鍍形成該抗氧化層以獲得該包覆有抗氧化層之芯材的步驟係包括:將該芯材置於一第一電鍍液中;以及以0.02安培(A)以上之電流、30公尺/分鐘至50公尺/分鐘之生產線速,於該芯材上電鍍形成該抗氧化層,以獲得該包覆有抗氧化層之芯材。
更佳的,該製備方法係包括以0.02安培至0.3安培之電流於該芯材上電鍍形成該抗氧化層,以獲得該包覆有抗氧化層之芯材。
較佳的,前述將該包覆有抗氧化層之芯材置於該第二電鍍液中並於該包覆有抗氧化層之芯材上電鍍形成該表皮層,以獲得該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材的步驟係包括:將該芯材置於該第二電鍍液中;以及以0.002安培以上之電流,30至50公尺/分鐘之生產線速,於該包覆有抗氧化層之芯材上電鍍形成該表皮層,以獲得該包覆有抗氧化層及該表皮層之芯材。
更佳的,該製備方法係包括以0.002安培至0.020安培之電流於該包覆有抗氧化層之芯材上電鍍形成該表皮層,以獲得該包覆有抗氧化層及該表皮層之芯材。再更佳的,電鍍形成該表皮層之電流係介於0.002安培至0.010安培。
據此,利用電鍍法於芯材上依序形成抗氧化層及表皮層能有利於降低具有表皮層的封裝銲線之製作成本,同時提升第二電鍍液之利用率,並且降低能源之損耗。
較佳的,該第一電鍍液係為一含有第一金屬離子之水溶液,該第一金屬離子可為鈀離子,且第一電鍍液之第一金屬離子的濃度係介於2克/公升至4克/公升;該第二電鍍液係為一含有第二金屬離子之水溶液,該第二電鍍液可含有金離子、銀離子、鉑離子或其組合,該第二電鍍液之第二金屬離子的濃度介於0.2克/公升至2克/公升。據此,經由本發明具有表皮層的封裝銲線之製備方法所製得之成品包括鍍鈀金銲線、鍍鈀銀銲線或鍍鈀鉑銲線,且該等封裝銲線能具有細緻且無裂痕之表面。
較佳的,該母材之線徑係介於50至200微米之間。
為達成前述目的,本發明另提供一種具有表皮層的封裝銲線,其係由如前述之製備方法所製得,且該具有表皮層的封裝銲線包含一芯材、一包覆於該芯材表面之抗氧化層以及一包覆於該抗氧化層表面之表皮層,其中該具有表皮層的封裝銲線的拉伸率係介於4%至19%之間,拉斷力係介於3gf至48gf之間。
據此,本發明具有表皮層的封裝銲線更能適用於半導體封裝製程,進而提升利用本發明具有表皮層的封裝銲線進行半導體封裝製程的生產良率及包含其之半導體裝置之品質,使其更加符合精密化之產品需求。
較佳的,該具有表皮層的封裝銲線之拉線強度能符合大於4gf以上之規範,該具有表皮層的封裝銲線之推球強度能符合大於7gf以上之規範,且該具有表皮層的封裝銲線之第二銲點之拉線強度亦符合大於2gf以上之規範。故,本發明具有表皮層的封裝銲線能具有較佳的品質。
較佳的,該具有表皮層的封裝銲線之降伏強度係高於100MPa以上。
較佳的,該具有表皮層的封裝銲線之製程能力指數(CPK)皆符合大於2以上之規範,甚至是高達3至6之間。據此,該具有表皮層的封裝銲線應用於半導體封裝製程時能具有較佳的穩定性。
較佳的,該具有表皮層的封裝銲線所形成之結球(free air ball,FAB)的整體硬度介於59至63HV;該具
有表皮層的封裝銲線之抗氧化層及表皮層係完整包覆於芯材表面,故能降低於半導體封裝製程中發生斷裂之情形,同時提升該具有表皮層的封裝銲線與晶片電極之密合性及接合強度。
較佳的,該抗氧化層之厚度係介於60至160奈米之間。
較佳的,以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,抗氧化層之材料的含量係介於1重量百分比至5重量百分比之間;更佳的,以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,抗氧化層之材料的含量係介於1重量百分比至3重量百分比之間。
較佳的,以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,表皮層之材料的含量係介於0.05重量百分比至0.5重量百分比之間。
更佳的,以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,表皮層之材料的含量係介於0.05重量百分比至0.4重量百分比之間,藉以令所製得之具有表皮層的封裝銲線具有較高的製程能力指數。
較佳的,該母材及該芯材係含有等於或大於99.99重量百分比以上(純度高達等於或大於4N以上)之單晶銅或無氧銅;更佳的,該芯材係含有等於或大於99.9999重量百分比(純度高達等於或大於6N以上)以上之單晶銅。此外,該芯材更包含銀、鐵、錳、砷、磷、硫、鈣、鎂或其組合,該等成分之含量係至少大於0ppm且小於或等於5ppm之間。
較佳的,該抗氧化層之材料為鈀。
較佳的,該表皮層之材料包含金、銀或鉑;更佳的,該表皮層之材料為金。
綜上所述,本發明藉由改良具有表皮層的封裝銲線之製備方法,不僅能避免伸線加工劣化抗氧化層及/或表皮層之表面,更能有助於經由電鍍製程填補形成於芯材表面的裂痕或孔洞,使抗氧化層能完整包覆於芯材表面、表皮層能完整包覆於抗氧化層表面,並且同時提升抗氧化層及表皮層之表面平整性,藉以令所製得之具有表皮層的封裝銲線具有適當的拉伸率及拉斷力,甚而提升其應用於半導體封裝製程的生產良率。
圖1為由實施例4之鍍鈀金銲線所形成之結球(free air ball,FAB)的金相顯微鏡影像圖。
圖2為由田中股份有限公司(TANAKA)販售之鍍鈀金銲線所形成之FAB的金相顯微鏡影像圖。
以下,將藉由下列具體實施例說明本發明之實施方式,熟習此技藝者可經由本說明書之內容輕易地了解本發明所能達成之優點與功效,並且於不悖離本發明之精神下進行各種修飾與變更,以施行或應用本發明之內容。
實施例1至10係大致上經由如下列所述具有
表皮層的封裝銲線之製備方法,製得實施例1至10之鍍鈀金銲線。
首先,準備線徑介於160微米的母材,該母材之主成分為純度4N以上[99.99重量百分比(wt%)以上]之無氧銅,另含有鐵、錳、砷等金屬雜質0.01重量百分比。
接著,以100至150公尺/分鐘(m/min)之伸線速率,使用複數眼模減面率介於7%至9%之多重鑽石眼模,重覆進行多道伸線製程,以獲得經伸線加工之母材,再以出口眼模孔徑值介於15微米至50微米之間的多重鑽石眼模伸線前述經伸線加工之母材,藉以令前述高純度母材伸線至線徑為15微米至50微米之間的芯材。
之後,以超音波及電解脫脂方式清洗該芯材;再將其置於濃度為2至4克/公升(g/L)之鈀電鍍液中,並以0.02安培以上之電流、30至50公尺/分鐘之生產線速,藉以於芯材上電鍍形成一厚度介於60奈米至160奈米之抗氧化層,以獲得表面形成有抗氧化層之芯材;再將其置於濃度為0.2克/公升至2克/公升之金電鍍液中,以0.002安培以上之電流、30至50公尺/分鐘之生產線速,於抗氧化層上電鍍形成一含量為0.05至0.5重量百分比之表皮層,以獲得表面形成有抗氧化層及表皮層之芯材。於實施例1至10中,該抗氧化層為鈀層,表皮層為金層。
然後,以超音波方式清洗該表面形成有抗氧化層及表皮層之芯材,並以純度4N以上(99.99濃度百分比以上)、氣體流量為10公升/分鐘至15公升/分鐘之氮氣,將殘留於表皮層表面的金電鍍液吹乾。
最後,於持續通有10公升/分鐘至15公升/分鐘之氮氣環境中,以400℃至800℃之退火溫度,利用紅外線熱傳導方式熱處理該具有抗氧化層及表皮層之芯材,即可獲得具有表皮層的封裝銲線。於此,各實施例所製得之具有表皮層的封裝銲線為鍍鈀金銲線。
依據上述製備方法,各實施例所設定之多重鑽石眼模的出口眼模孔徑值(最後一道伸線製程)、伸線速率、鈀層生產線速、鈀層電鍍電流、金層生產線速、金層電鍍電流及退火溫度等製程參數係如下表1所示;且各實施例經由此製程參數所製得之鍍鈀金銲線及比較例之鍍鈀銲線的芯材線徑規格、鈀層厚度、金含量、拉伸率及拉斷力係如下表2所示。
於此,實施例1至10之鍍鈀金銲線係以拉伸試驗機(廠牌:Instron、型號:5543)進行拉伸測試,另設定拉伸試驗機的標準拉線長度25.4cm、依據各個實施例設定線徑範圍15至50μm,測得各實施例之鍍鈀金銲線的拉伸率與拉斷力分析結果。
如上表2所示,經由前述鍍鈀金銲線之製備方法所製得之成品,其拉伸率皆可介於4%至19%之間,其拉斷力皆介於3gf至48gf之間,顯示鍍鈀金銲線之製備方法能順利製得適合用於半導體封裝之銲接線材。
本實驗另以金相顯微鏡觀察各實施例之鍍鈀金銲線的表面,證實經由上述實施例所述的鍍鈀金銲線之製備方法,能完全避免所製得之鍍鈀金銲線的抗氧化層表面因伸線加工而產生缺陷或裂痕。
準備如同前述實施例所用之高純度母材;並以100公尺/分鐘之伸線速率,使用複數眼模減面率介於7%至9%之多重鑽石眼模,重覆進行多道伸線製程,以獲得經伸線加工之母材,再以出口眼模孔徑值為18微米的多重鑽石眼模伸線前述經伸線加工之母材,藉以令前述高純度母材伸線至線徑為18微米的芯材。
接著,以超音波及電解脫脂方式清洗該芯材;再將其置於濃度為2至4g/L之鈀電鍍液中,並以0.068A之電流、30公尺/分鐘之生產線速,於芯材上電鍍形成一厚度介於60奈米至100奈米之抗氧化層,以獲得表面形成有抗氧化層之芯材。於本比較例中,該抗氧化層為鈀層。
然後,以超音波及電解脫脂方式清洗該表面形成有抗氧化層之芯材,並以純度4N以上(99.99濃度百分比以上)、氣體流量為10公升/分鐘至15公升/分鐘之氮氣,
將殘留於抗氧化層表面的鈀電鍍液吹乾。
最後,於持續通有10公升/分鐘至15公升/分鐘之氮氣環境中,以500℃之退火溫度,利用紅外線熱傳導方式熱處理該具有抗氧化層之芯材,即完成本比較例未形成有表皮層的封裝銲線之製作。於此,本比較例所製得之未形成有表皮層的封裝銲線為鍍鈀銲線。
於此,本比較例所設定之多重鑽石眼模的出口眼模孔徑值、伸線速率、鈀層生產線速、鈀層電鍍電流、金層生產線速、金層電鍍電流及退火溫度等製程參數係如上表1所示;且本比較例未形成有表皮層的封裝銲線為鍍鈀銲線,其芯材線徑規格、鈀層厚度、金含量、拉伸率及拉斷力亦如上表2所示。
考量半導體裝置對精密化之產品需求,本實驗係選用線徑皆為17微米的實施例2及3之鍍鈀金銲線作為代表,使用推拉力測試儀(廠牌:Dage、型號:Series 4000)量測前述二種具有表皮層的封裝銲線之拉線(wire pull)、推球(ball shear)與第二銲點等強度,以評估具有表皮層的封裝銲線之品質。
於本試驗例中,待量測之鍍鈀金銲線係使用自動銲線機(廠牌:K&S、型號:Maxum-Plus),以電弧放電法在具有表皮層的封裝銲線前端形成結球(free air ball,FAB);且為提升量測結果之可信度,實施例2及3之鍍鈀金銲線係各自形成30顆球徑為33至35微米之銲球大小,以測試其等之拉線強度、推球強度與第二銲點之拉線強度
的最大值、最小值、平均值及製程能力指數,其量測結果係如下表3所示。
如上表3所示,實施例2及3之鍍鈀金銲線的拉線強度、推球強度及第二銲點之拉線強度皆符合大於4gf以上、7gf以上及2gf以上的規範,顯示經由前述製備方法所製得之鍍鈀金銲線進行拉線製程時不僅不易發生斷裂的情形,其第二銲點更能與晶片電極形成良好的接合強度,同時確保放電燒球所形成之FAB能完整地接合於銲接墊上,避免球型銲點發生偏移、畸形或形成有高爾夫球形(即,球型銲點之中心點位於鍍鈀銲線外側)之外觀。
再者,實施例2及3之鍍鈀金銲線的拉線強度、推球強度及第二銲點之拉線強度皆係控制於一定的範圍內,故能使拉線強度、推球強度及第二銲點之拉線強度獲得大於3之CPK,進而提升鍍鈀金銲線的品質與穩定性。
考量半導體裝置對精密化之產品需求,本試驗例係經由如同前述試驗例1之方法,分析線徑皆為18微米的實施例4之鍍鈀金銲線與比較例1之鍍鈀銲線;且為提升量測結果之可信度,實施例4之鍍鈀金銲線與比較例1之鍍鈀銲線係各自形成30顆球徑為33至35微米之銲球大小,以評量有無形成表皮層對其封裝銲線之品質的影響。前述兩種封裝銲線之量測結果係如下表4所示。
如上表4所示,比對實施例4之鍍鈀金銲線與比較例1之鍍鈀銲線的實驗結果可知,實施例4之鍍鈀金銲線能具有優於比較例1之鍍鈀銲線的拉線強度及第二銲點之拉線強度,顯示於抗氧化層上進一步形成表皮層更能有利於降低具有表皮層的封裝銲線於半導體封裝製程中發生斷裂之情形;且實施例4之鍍鈀金銲線更能具有優於比
較例1之鍍鈀銲線的推球強度,藉此確保所形成之銲球能完整地接合於銲接墊上。
此外,比對實施例4之鍍鈀金銲線與比較例1之鍍鈀銲線的實驗結果可知,實施例4之鍍鈀金銲線的拉線強度、推球強度及第二銲點之拉線強度皆係控制於一定的範圍內,故能確保其CPK皆符合大於2之規範,甚至是大於3以上;反觀比較例1之鍍鈀銲線,由於其拉線強度與推球強度的偏差較大,致使其CPK僅約2.14及2.29。據此,經由上述比對結果驗證,藉由改變鍍鈀金銲線之製備方法,並且於抗氧化層上再形成一表皮層,能有利於提升具有表皮層的封裝銲線應用於半導體封裝製程的品質與穩定性。
本試驗例係經由如同前述試驗例1之方法,分析線徑皆為18微米的實施例4之鍍鈀金銲線與田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線(商品型號為CLR-1A);且為提升量測結果之可信度,實施例4及田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線係各自形成30顆球徑為33至35微米之銲球大小,以評量各具有表皮層的封裝銲線的品質,其量測結果係如下表5所示。
如上表5所示,實施例4之鍍鈀金銲線與田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線不論就拉線強度、推球強度、第二銲點之拉線強度雖皆能符合大於4gf以上、7gf以上及2gf以上的規範;但田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線的第二銲點之拉線強度卻具有顯著之偏差,致使其CPK僅有0.99,顯然違反CPK需大於2之規範;反觀實施例4之鍍鈀金銲線,其拉線強度、推球強度、第二銲點之拉線強度皆能控制於一定的範圍內,故能確保CPK符合大於2以上之規範,甚至能將其CPK提升達3至5之間。
經由上述比對結果驗證,經由本發明之製備方法所製得之具有表皮層的封裝銲線能具體解決市面上封裝銲線之表面易形成缺陷或裂痕等問題,藉此進一步提升具有表皮層的封裝銲線應用於半導體封裝製程的品質與穩定性。
本試驗例係經由如同前述試驗例1之方法,於線徑皆為18微米的實施例4之鍍鈀金銲線與田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線(商品型號為CLR-1A)的前端分別形成球徑為33至35微米之銲球大小;再使用硬度儀(廠
牌:Future-Tech、型號:FM-800)量測各鍍鈀金銲線之FAB的維氏硬度[Vickers hardness(HV)]。
請參閱圖1及圖2所示,本試驗例係於各FAB之外圍取4點(於圖式上標註編號1、3、4及5處)、各FAB之中心取1點(於圖式上標註編號2處),量測其FAB之外圍與中心的硬度大小,其量測結果係如下表6所示。
如上表6所示,由於田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線係由先電鍍抗氧化層及表皮層再進行伸線加工所製得,故抗氧化層及表皮層之表面結構與品質易受伸線加工的影響而無法完整包覆芯材表面,致使由田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線所形成之FAB的整體硬度皆高於63HV,故田中股份有限公司販售之鍍鈀金銲線於封裝製程中較易發生斷裂且密合性不佳的問題。
反觀實施例4之鍍鈀金銲線,該鍍鈀金銲線所形成之FAB不論外圍或中心硬度皆低於田中股份有限公司之鍍鈀金銲線所形成之FAB的硬度。據此,經由實驗結果證實,利用前述製備方法能確保所製得之具有表皮層之封裝銲線的表面結構與品質,更能有利於提升具有表皮層之
封裝銲線的作業性,同時維持具有表皮層之封裝銲線所需之線弧的穩定性。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
Claims (18)
- 一種具有表皮層的封裝銲線之製備方法,其包括:提供一母材;使用一眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材,以獲得一芯材;將該芯材置於一第一電鍍液中,以0.02安培以上之電流、30至50公尺/分鐘之生產線速,於該芯材上電鍍形成一抗氧化層,以獲得一包覆有抗氧化層之芯材;將該包覆有抗氧化層之芯材置於一第二電鍍液中,以0.002安培以上之電流、30至50公尺/分鐘之生產線速,於該包覆有抗氧化層之芯材上電鍍形成一表皮層,以獲得一包覆有抗氧化層及表皮層之芯材;以及以400℃至800℃之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材,製得一具有表皮層的封裝銲線。
- 如請求項1所述之製備方法,其中以400℃至800°C之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材製得該具有表皮層的封裝銲線之步驟包括:於通有10公升/分鐘至15公升/分鐘之氮氣環境中,以400℃至800℃之溫度熱處理該包覆有抗氧化層及表皮層之芯材,製得該具有表皮層的封裝銲線。
- 如請求項1所述之製備方法,其中使用該眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材以獲得該芯材之步驟包括:以100至150公尺/分鐘之伸線速率,使用該眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材,以獲得該芯材。
- 如請求項3所述之製備方法,其中以100至150公尺/分鐘之伸線速率使用該眼模減面率介於7%至9%之間的多重鑽石眼模伸線該母材以獲得該芯材之步驟係包括:以100至150公尺/分鐘之伸線速率,使用減面率介於7%至9%之眼模伸線該母材,以獲得一經伸線加工之母材;以及以100至150公尺/分鐘之伸線速率,使用出口眼模孔徑值介於15微米至50微米之間的多重鑽石眼模伸線該一經伸線加工之母材,以獲得該芯材。
- 如請求項1所述之製備方法,其中該第一電鍍液為一含有第一金屬離子之水溶液,該第一金屬離子為鈀離子。
- 如請求項5所述之製備方法,其中該第一電鍍液之第一金屬離子的濃度係介於2克/公升至4克/公升。
- 如請求項1所述之製備方法,其中該第二電鍍液為一含有第二金屬離子之水溶液,該第二金屬離子為金離子、銀離子、鉑離子或其組合。
- 如請求項7所述之製備方法,其中該第二電鍍液之第二金屬離子的濃度係介於0.2克/公升至2克/公升。
- 如請求項1至8中任一項所述之製備方法,其中該母材之線徑係介於50至200微米之間。
- 如請求項1至8中任一項所述之製備方法,其中該芯材含有99.99重量百分比以上之單晶銅或無氧銅。
- 如請求項10所述之製備方法,其中該芯材更包含銀、鐵、錳、砷、磷、硫、鈣、鎂或其組合。
- 一種具有表皮層的封裝銲線,其係由如請求項1至 11中任一項所述之製備方法所製得,且該具有表皮層的封裝銲線包含一芯材、一包覆於該芯材表面之抗氧化層以及一包覆於該抗氧化層表面之表皮層,其中該具有表皮層的封裝銲線之拉伸率係介於4%至19%之間,拉斷力係介於3gf至48gf之間。
- 如請求項12所述之具有表皮層的封裝銲線,其中抗氧化層之厚度係介於60至160奈米之間。
- 如請求項13所述之具有表皮層的封裝銲線,其中以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,該抗氧化層之材料的含量係介於1重量百分比至5重量百分比之間。
- 如請求項12所述之具有表皮層的封裝銲線,其中該具有表皮層的封裝銲線之芯材的線徑係介於15至50微米之間。
- 如請求項14所述之具有表皮層的封裝銲線,其中該抗氧化層之材料包含鈀。
- 如請求項12至16中任一項所述之具有表皮層的封裝銲線,其中以整體具有表皮層的封裝銲線為基準,該表皮層之材料的含量係介於0.05重量百分比至0.5重量百分比之間。
- 如請求項17所述之具有表皮層的封裝銲線,其中該表皮層之材料包含金、銀、鉑或其組合。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103110804A TWI525726B (zh) | 2013-11-25 | 2014-03-24 | Preparation method of package wire with skin layer and its finished product |
CN201410362538.7A CN104658916A (zh) | 2013-11-25 | 2014-07-28 | 具有表皮层的封装焊线的制备方法及其成品 |
MYPI2014702704A MY172293A (en) | 2013-11-25 | 2014-09-22 | Process for preparing a surface-coated welding wire and the product thereof |
PH12014000283A PH12014000283A1 (en) | 2013-11-25 | 2014-10-08 | Surface-coated welding wire and process for preparing the same |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW102142800 | 2013-11-25 | ||
TW103110804A TWI525726B (zh) | 2013-11-25 | 2014-03-24 | Preparation method of package wire with skin layer and its finished product |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201521128A TW201521128A (zh) | 2015-06-01 |
TWI525726B true TWI525726B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=53935116
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103110804A TWI525726B (zh) | 2013-11-25 | 2014-03-24 | Preparation method of package wire with skin layer and its finished product |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
MY (1) | MY172293A (zh) |
PH (1) | PH12014000283A1 (zh) |
TW (1) | TWI525726B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI740031B (zh) * | 2018-04-02 | 2021-09-21 | 日商田中電子工業股份有限公司 | 球焊用貴金屬被覆銀線及其製造方法、及使用球焊用貴金屬被覆銀線的半導體裝置及其製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180008245A (ko) | 2015-06-15 | 2018-01-24 | 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
KR101659254B1 (ko) | 2015-07-23 | 2016-09-22 | 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
-
2014
- 2014-03-24 TW TW103110804A patent/TWI525726B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-09-22 MY MYPI2014702704A patent/MY172293A/en unknown
- 2014-10-08 PH PH12014000283A patent/PH12014000283A1/en unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI740031B (zh) * | 2018-04-02 | 2021-09-21 | 日商田中電子工業股份有限公司 | 球焊用貴金屬被覆銀線及其製造方法、及使用球焊用貴金屬被覆銀線的半導體裝置及其製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
PH12014000283A1 (en) | 2016-08-15 |
MY172293A (en) | 2019-11-20 |
TW201521128A (zh) | 2015-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6254841B2 (ja) | 半導体装置用ボンディングワイヤ | |
CN102130067B (zh) | 一种表面镀钯键合铜丝 | |
TWI532857B (zh) | 用於接合應用的銀合金線 | |
TWI786381B (zh) | 鈀被覆銅接合線、鈀被覆銅接合線的製造方法、使用該接合線的半導體裝置及其製造方法 | |
US10840208B2 (en) | Bonding wire for semiconductor device | |
TWI761637B (zh) | 鈀被覆銅接合線及其製造方法 | |
TW201444005A (zh) | 高速信號線用接合線 | |
TWI525726B (zh) | Preparation method of package wire with skin layer and its finished product | |
TW202030338A (zh) | 鈀被覆銅接合線、線接合構造、半導體裝置及半導體裝置的製造方法 | |
WO2019193771A1 (ja) | ボールボンディング用貴金属被覆銀ワイヤおよびその製造方法、ならびにボールボンディング用貴金属被覆銀ワイヤを使用した半導体装置およびその製造方法 | |
TW202045739A (zh) | 鈀被覆銅接合線、鈀被覆銅接合線之製造方法、及使用此之線接合構造、半導體裝置及其製造方法 | |
TW201505147A (zh) | 用於接合應用之經塗覆銅線 | |
TWI555155B (zh) | 銀合金線材 | |
JP2010062395A (ja) | 銅ボンディングワイヤ | |
TWI565841B (zh) | 多鍍層銀線及其製法 | |
TW201806038A (zh) | 絕緣鍵合絲 | |
TWI553670B (zh) | Preparation method of packaging wire and its finished product | |
JP2010040944A (ja) | 銅絶縁ボンディングワイヤ及びその製造方法 | |
WO2016031989A1 (ja) | 半導体接続のCuピラー用円柱状形成物 | |
TW201633482A (zh) | 用於接合應用的改良的經塗佈銅線 | |
JP2022512991A (ja) | 電子部品の接触面を電気的に接続するプロセス | |
CN104658916A (zh) | 具有表皮层的封装焊线的制备方法及其成品 | |
CN104658930B (zh) | 封装焊线的制备方法及其成品 | |
TW201505112A (zh) | 用於接合應用之經塗覆銅線 | |
CN109390309A (zh) | 一种表面有镀层的铜合金线及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |