TWI415707B - 銅製銲線、銲線接合結構及銲線接合方法 - Google Patents

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Description

銅製銲線、銲線接合結構及銲線接合方法
本發明係有關於一種銅製銲線，更特別有關於一種銲線接合結構，其之塊狀部為中間材料所覆蓋，且該中間材料接合於該塊狀部及一接墊。
參考第1圖，在半導體封裝構造製程中，銲線接合方法的技術廣泛地將銲線14應用於晶片10之接墊11與基板12之接墊13間的電性連接。打線接合製程是以金線為主，但銅線具有低成本的優勢。相較於金，銅具有較佳的導電性及導熱性，可使銅製銲線之線徑較細及散熱效率較佳。然而，銅具有延性不足及易氧化的缺點，使銅製銲線在應用上仍有所限制。
目前，銅製銲線只能應用在大尺寸之晶片接墊或低介電值材料(low－K)晶圓之晶片接墊，其原因在於銅製銲線接合製程之成功將取決於晶片接墊之結構強度。為了避免銅製銲線接合製程之失敗，小尺寸晶片接墊將被限制。
參考第2至4圖，其顯示習知銅製銲線接合方法。參考第2圖，藉由一打線機，提供一銅製銲線20，其包含一銅線22及一銅球24。該銅球24是利用放電的方法或氫焰燒結成球而連接於該銅線22之一端。參考第3圖，將該銅球24施壓而變形。參考第4圖，藉由一振動製程，將該銅球24接合於一鋁製接墊32。然而，在施壓製程時，由於銅之硬度較大，因此施壓時銅製銲線20所造成之力將可能損壞 鋁製接墊32之結構。再者，先前技術之鋁製接墊32與銅製銲線20之間的介金屬化合物(intermetallic compound；IMC)所形成之數量不足，因此先前技術之銲線接合結構具有較小的鍵結力，進而只具有較低的可靠度。
因此，便有需要提供一種銅製銲線，能夠解決前述的缺點。
本發明之一目的在於提供一種銅製銲線，其之塊狀部為中間材料所覆蓋。
本發明之另一目的在於提供一種銲線接合結構，其之中間材料接合於一銅製銲線及一接墊之間。
為達上述目的，本發明提供一種銲線接合結構，其包含一銅製銲線、一中間材料及一接墊。該銅製銲線包含一線狀部及一塊狀部，其中該塊狀部連接於該線狀部，且該塊狀部之剖面面積大於該線狀部之剖面面積。該中間材料覆蓋一部份之該塊狀部，並接合於該塊狀部。該接墊接合於該中間材料。
根據本發明之銲線接合方法，在施壓製程時，銅製銲線所造成之力將不會損壞接墊之結構。再者，相較於先前技術，本發明之銲線接合結構具有較大的鍵結力，進而具有較高的可靠度。
為了讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明顯，下文將配合所附圖示，作詳細說明如下。
參考第5至8圖，其顯示本發明之第一實施例之銅製銲線接合方法。參考第5圖，藉由一打線機102，提供一銅製銲線120，其包含一線狀部122及一塊狀部124，其中該塊狀部124連接於該線狀部122之一端，且該塊狀部124之剖面面積大於該線狀部122之剖面面積。該塊狀部124可為球形。舉例而言，該塊狀部124是利用放電的方法或氫焰燒結成球而連接於該線狀部122之一端。
參考第6圖，可藉由一沾黏製程，將一中間材料140覆蓋一部份之該塊狀部124。舉例而言，首先該中間材料140可為粉末固體或液體型態，其置放於一容器142內。然後，將該塊狀部124插入該容器142內，使粉末固體或液體型態之中間材料140沾黏於該塊狀部124上，如此以覆蓋一部份之該塊狀部124。較佳地，該塊狀部124被該中間材料140所覆蓋之面積大於30%之該塊狀部124的整個面積。參考第7圖，藉由一施壓製程，將該塊狀部124及該中間材料140接觸於一接墊132，並施壓而變形。由於該中間材料140介於該塊狀部124與接墊132之間作為施壓緩衝之用，因此施壓時該塊狀部124所造成之力將不會損壞接墊132之結構。參考第8圖，可藉由一振動製程，將該塊狀部124接合於該中間材料140，且同時將該中間材料140接合於該接墊132，如此以形成本發明之銲線接合結構。
另外，本發明之銲線接合結構可應用於一半導體封裝構 造之晶片，亦即該接墊132可為一晶片接墊，且該銅製銲線之一端電性連接於該晶片接墊，該銅製銲線之另一端電性連接於一基板接墊(如第1圖所示)。該晶片接墊電性連接於該晶片之線路(圖未示)。
在本實施例中，該接墊132為鋁所製，且該中間材料140選自錫(Sn)、金(Au)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、錳(Mn)、鎂(Mg)、銦(In)、鍺(Ge)及銀(Ag)所構成之群組。該中間材料140與銅製銲線120之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量，且該中間材料140與鋁製接墊132之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊132與銅製銲線120之間的介金屬化合物所形成之數量。因此，該中間材料140與銅製銲線120之間的鍵結力大於該鋁製接墊132與銅製銲線120之間的鍵結力，且該中間材料140與鋁製接墊132之間的鍵結力大於該鋁製接墊132與銅製銲線120之間的鍵結力。
根據本發明之銲線接合方法，在施壓製程時，由於該中間材料介於該塊狀部與接墊之間作為施壓緩衝之用，因此銅製銲線所造成之力將不會損壞接墊之結構。再者，相較於先前技術，本發明之銲線接合結構具有較大的鍵結力，進而具有較高的可靠度。
參考第9a及9b至11圖，其顯示本發明之第二實施例之銅製銲線接合方法。參考第9a及9b圖，藉由一打線機202，提供一銅製銲線220，其包含一線狀部222及一塊狀 部224，其中該塊狀部224連接於該線狀部222之一端，且該塊狀部224之剖面面積大於該線狀部222之剖面面積。該塊狀部224可為非球形。舉例而言，在本實施例中，該塊狀部224先利用放電的方法或氫焰燒結成球而連接於該線狀部222之一端。然後，藉由一施壓製程，將該塊狀部224接觸於一外部工具252之非黏性表面250，並施壓而變形成該非球形塊狀部224，如第10圖所示。該非球形塊狀部224具有一平坦或粗糙之底面226，如第9a圖所示。或者，另藉由一夾擠製程，利用一夾擠工具254將該非球形塊狀部224沿左右方向(如箭頭所示)夾擠而變形成另一種非球形塊狀部224，第11圖所示。該非球形塊狀部224具有兩個或四個平坦之側面228，如第9b圖所示。
參考第12圖，可藉由一沾黏製程，將一中間材料240覆蓋一部份之該塊狀部224。舉例而言，首先該中間材料240可為粉末固體或液體型態，其置放於一容器242內。然後，將該塊狀部224插入該容器242內，使粉末固體或液體型態之中間材料240沾黏於該塊狀部224上，如此以覆蓋一部份之該塊狀部224。較佳地，該塊狀部224被該中間材料240所覆蓋之面積大於30%之該塊狀部224的整個面積。參考第13圖，可藉由一振動製程，將該塊狀部224接合於該中間材料240，且同時將該中間材料240接合於一接墊232，如此以形成本發明之銲線接合結構。
在本實施例中，該接墊232為鋁所製，且該中間材料240選自錫(Sn)、金(Au)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、錳(Mn)、鎂(Mg)、銦(In)、鍺(Ge)及銀(Ag)所構成之群組。該中間材 料240與銅製銲線220之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量，且該中間材料240與鋁製接墊232之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊232與銅製銲線220之間的介金屬化合物所形成之數量。因此，該中間材料240與銅製銲線220之間的鍵結力大於該鋁製接墊232與銅製銲線220之間的鍵結力，且該中間材料240與鋁製接墊232之間的鍵結力大於該鋁製接墊232與銅製銲線220之間的鍵結力。
根據本發明之銲線接合方法，在施壓製程時，銅製銲線所造成之力乃作用於一外部工具之非黏性表面，因此將不會損壞接墊之結構。再者，相較於先前技術，本發明之銲線接合結構具有較大的鍵結力，進而具有較高的可靠度。
雖然本發明已以前述實施例揭示，然其並非用以限定本發明，任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與修改。因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧晶片
11‧‧‧接墊
12‧‧‧基板
13‧‧‧接墊
14‧‧‧銲線
20‧‧‧銲線
22‧‧‧銅線
24‧‧‧銅球
32‧‧‧接墊
102‧‧‧打線機
120‧‧‧銲線
122‧‧‧線狀部
124‧‧‧塊狀部
132‧‧‧接墊
140‧‧‧中間材料
142‧‧‧容器
202‧‧‧打線機
220‧‧‧銲線
222‧‧‧線狀部
224‧‧‧塊狀部
226‧‧‧底面
228‧‧‧側面
232‧‧‧接墊
240‧‧‧中間材料
242‧‧‧容器
250‧‧‧表面
252‧‧‧工具
254‧‧‧工具
第1圖為先前技術之銲線接合方法之剖面示意圖。
第2至4圖為先前技術之銅製銲線接合方法之剖面示意圖。
第5至8圖為本發明之第一實施例之銅製銲線接合方法之剖面示意圖。
第9a及9b至13圖為本發明之第二實施例之銅製銲線接合方法之剖面示意圖。
120‧‧‧銲線
122‧‧‧線狀部
124‧‧‧塊狀部
140‧‧‧中間材料
142‧‧‧容器

Claims (28)

  1. 一種銅製銲線，包含：一線狀部；一塊狀部，連接於該線狀部，其中該塊狀部具有一粗糙的底面，且該塊狀部之剖面面積大於該線狀部之剖面面積；以及一中間材料，覆蓋在該塊狀部的粗糙底面，其中該中間材料係選自錫(Sn)、金(Au)、鋅(Zn)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、錳(Mn)、鎂(Mg)、銦(In)及鍺(Ge)所構成之群組。
  2. 依申請專利範圍第1項之銅製銲線，其中該中間材料為粉末固體。
  3. 依申請專利範圍第1項之銅製銲線，其中該中間材料為液體。
  4. 依申請專利範圍第1項之銅製銲線，其中該塊狀部被該中間材料所覆蓋之面積大於30%之該塊狀部的整個面積。
  5. 依申請專利範圍第1項之銅製銲線，其中該塊狀部為一非球形。
  6. 依申請專利範圍第5項之銅製銲線，其中該非球形塊狀部具有兩個平坦之側面。
  7. 依申請專利範圍第5項之銅製銲線，其中該非球形塊狀部具有四個平坦之側面。
  8. 一種銲線接合結構，包含： 一銅製銲線，包含一線狀部及一塊狀部，其中該塊狀部連接於該線狀部，該塊狀部具有一粗糙的底面，且該塊狀部之剖面面積大於該線狀部之剖面面積；一中間材料，覆蓋在該塊狀部的粗糙底面，並接合於該塊狀部，其中該中間材料係選自錫、金、鋅、鉑、鈀、錳、鎂、銦及鍺所構成之群組；以及一接墊，接合於該中間材料。
  9. 依申請專利範圍第8項之銲線接合結構，其中該接墊為一晶片接墊。
  10. 依申請專利範圍第8項之銲線接合結構，其中該接墊為鋁所製。
  11. 依申請專利範圍第10項之銲線接合結構，其中該中間材料與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量，且該中間材料與鋁製接墊之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量。
  12. 依申請專利範圍第11項之銲線接合結構，其中該中間材料與銅製銲線之間的鍵結力大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的鍵結力，且該中間材料與鋁製接墊之間的鍵結力大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的鍵結力。
  13. 依申請專利範圍第8項之銲線接合結構，其中該塊狀部被該中間材料所覆蓋之面積大於30%之該塊狀部的整個面積。
  14. 依申請專利範圍第8項之銲線接合結構，其中該塊狀部為一非球形。
  15. 依申請專利範圍第14項之銲線接合結構，其中該非球形塊狀部具有兩個平坦之側面。
  16. 依申請專利範圍第14項之銲線接合結構，其中該非球形塊狀部具有四個平坦之側面。
  17. 一種銲線接合方法，包含下列步驟：提供一銅製銲線，其包含一線狀部及一塊狀部，其中該塊狀部連接於該線狀部且具有一粗糙的底面，該塊狀部之剖面面積大於該線狀部之剖面面積；將一中間材料藉由一沾黏製程覆蓋一部份之該塊狀部，其中該中間材料係選自錫、金、鋅、鉑、鈀、錳、鎂、銦及鍺所構成之群組；以及將該塊狀部接合於該中間材料，且同時將該中間材料接合於一接墊。
  18. 依申請專利範圍第17項之銲線接合方法，其中該中間材料為粉末固體。
  19. 依申請專利範圍第17項之銲線接合方法，其中該中間材料為液體。
  20. 依申請專利範圍第17項之銲線接合方法，其中該接墊為鋁所製。
  21. 依申請專利範圍第20項之銲線接合方法，其中該中間材料與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量 大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量，且該中間材料與鋁製接墊之間的介金屬化合物所形成之數量大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的介金屬化合物所形成之數量。
  22. 依申請專利範圍第21項之銲線接合方法，其中該中間材料與銅製銲線之間的鍵結力大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的鍵結力，且該中間材料與鋁製接墊之間的鍵結力大於該鋁製接墊與銅製銲線之間的鍵結力。
  23. 依申請專利範圍第17項之銲線接合方法，其中該塊狀部為球形。
  24. 依申請專利範圍第23項之銲線接合方法，另包含下列步驟：將該塊狀部及中間材料接觸於該接墊，並施壓而變形。
  25. 依申請專利範圍第17項之銲線接合方法，其中該塊狀部為非球形。
  26. 依申請專利範圍第25項之銲線接合方法，另包含下列步驟：將該塊狀部接觸於一外部工具之非黏性表面，並施壓而變形。
  27. 依申請專利範圍第25項之銲線接合方法，其中該非球形塊狀部具有兩個平坦之側面。
  28. 依申請專利範圍第25項之銲線接合方法，其中該非 球形塊狀部具有四個平坦之側面。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180008245A (ko) 2015-06-15 2018-01-24 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 반도체 장치용 본딩 와이어
KR101659254B1 (ko) 2015-07-23 2016-09-22 닛데쓰스미킹 마이크로 메탈 가부시키가이샤 반도체 장치용 본딩 와이어
TWI556337B (zh) * 2015-07-24 2016-11-01 Nippon Micrometal Corp Connection lines for semiconductor devices

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107123A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法、その製造装置および半導体集積回路装置
TW200504902A (en) * 2003-07-25 2005-02-01 Shinkawa Kk Wire-bonding method

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08107123A (ja) * 1994-10-04 1996-04-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法、その製造装置および半導体集積回路装置
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