JP2009004487A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. （ａ）第１の基板の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第１のＳｎ吸収層を形成する工程と、
   （ｂ）第２の基板の主表面上に、ＡｕＳｎ合金からＳｎを吸収して、該ＡｕＳｎ合金のＳｎの組成比を低下させる金属からなる第２のＳｎ吸収層を形成する工程と、
   （ｃ）前記第１のＳｎ吸収層及び前記第２のＳｎ吸収層の少なくとも一方のＳｎ吸収層の上に、ＡｕＳｎ合金からなる半田層を形成する工程と、
   （ｄ）前記第１の基板と第２の基板の主表面同士が対向するように、前記第１の基板と第２の基板とを密着させた状態で、前記半田層を溶融させて、該第１の基板を第２の基板に接合する工程と
   を有する基板接合方法。
2. 前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層がＮｉで形成されている請求項１に記載の基板接合方法。
3. 前記半田層が、前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層のうち一方のＳｎ吸収層の上にのみ形成されており、前記半田層が形成されている方のＳｎ吸収層の厚さが１００ｎｍ以上である請求項２に記載の基板接合方法。
4. 前記半田層が形成されていない方のＳｎ吸収層の厚さが１５０ｎｍ以上である請求項３に記載の基板接合方法。
5. 前記工程（ｄ）において、前記半田層内のＳｎ原子が、前記第１のＳｎ吸収層及び第２のＳｎ吸収層内に拡散することにより、固化後の前記半田層のＳｎの組成比が、溶融前の前記半田層のＳｎの組成比より小さくなっている請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板接合方法。
6. 第１の基板と、
   前記第１の基板に接合された半導体からなる動作層と、
   前記動作層を前記第１の基板に接合するＡｕ、Ｓｎ、及び他の第３の元素を含む合金からなる接合層と
   を有し、前記接合層内に、前記接合層内の厚さ方向に関する中央部分、該中央部分よりも前記第１の基板側の第１の部分、及び前記動作層側の第２の部分を定義したとき、前記中央部分のＳｎの組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれのＳｎの組成比よりも小さく、前記中央部分のＡｕの組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれのＡｕの組成比よりも大きく、前記中央部分の前記第３元素の組成比が、前記第１の部分及び前記第２の部分のいずれの前記第３の元素の組成比よりも小さくなるように各元素の組成比が厚さ方向に関して変化している半導体装置。
7. 第１の基板と、
   前記第１の基板に接合された半導体からなる動作層と、
   前記動作層を前記第１の基板に接合するＡｕ、Ｓｎ、及び他の第３の元素を含む合金からなる接合層と
   を有し、前記接合層が、前記第３の元素を主成分とする２つの層と、該２つの層の間に配置されたＡｕを主成分とする層とを含む半導体装置。
8. 前記第３の元素が、Ｎｉ、Ｐｔ、またはＰｄである請求項６または７に記載の半導体装置。
9. 前記第１の部分及び第２の部分において、第３の元素の組成比が、Ａｕの組成比及びＳｎの組成比のいずれよりも大きい請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
10. 前記中央部分において、Ａｕの組成比が第３の元素の組成比よりも大きく、第３の元素の組成比がＳｎの組成比よりも大きい請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。