JP2003086737A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 実装基板に接合される実装表面を有する表面実装型の半導体装置であって、
   第１表面と、第２表面と、前記第１表面よりも前記第２表面の近くに配置され動作時に発熱する発熱部と、前記第２表面上に形成された少なくとも１つのパターニングされた電極と、を有する半導体チップと、
   前記半導体チップを覆うように設けられた樹脂と、
   前記半導体チップの前記第１表面から引き出された電極端子と、
   を備え、
   前記電極端子の実装面と、前記少なくとも１つのパターニングされた電極の表面と、が前記実装表面と略同一の平面となるように露出し、前記少なくとも１つのパターニングされた電極の前記表面の周囲は、前記樹脂によって取り囲まれていることを特徴とする表面実装型の半導体装置。
2. 前記電極端子の前記実装面と、前記パターニングされた電極の前記表面と、にそれぞれ設けられた半田層をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 実装基板に接合される実装表面を有する表面実装型の半導体装置であって、
   リードフレームと、
   前記リードフレームに接合された半導体チップであって、前記半導体チップよりも小さい少なくとも１つの電極が形成された半導体チップと、
   前記半導体チップを覆うように設けられた樹脂と、
   を備え、
   前記リードフレームの実装面と、前記少なくとも１つの電極の表面と、が前記実装表面と略同一の平面となるように露出し、前記少なくとも１つの電極の前記表面の周辺は、前記樹脂によって取り囲まれていることを特徴とする表面実装型の半導体装置。
4. 前記半導体チップの動作時に発熱する発熱部が、前記リードフレームに接合される前記半導体チップの表面よりも前記電極が形成された前記半導体チップの表面の近くに配置されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 接合部と、電極端子と、を有するリードフレームと、
   第１表面と、前記リードフレームの前記接合部に接合されている第２表面と、前記第１表面上に形成された少なくとも１つのパターニングされた電極と、を有する半導体チップと、
   前記半導体チップを覆うように設けられた樹脂と、
   を備え、
   前記リードフレームの前記電極端子の実装面は、前記少なくとも１つのパターニングされた電極の表面と、略同一の平面上にあり、
   前記少なくとも１つのパターニングされた電極の前記表面は、前記半導体チップの前記第１表面に露出し、
   前記少なくとも１つのパターニングされた電極の前記表面の周囲は、前記樹脂によって取り囲まれていることを特徴とする半導体装置。
6. 前記半導体チップの動作時に発熱する発熱部が、前記半導体チップの前記第２表面よりも前記第１表面の近くに配置されていることを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
7. 前記半導体チップが接合された表面に対向する前記リードフレームの表面の少なくとも一部は、前記樹脂によって覆われることなく露出されたことを特徴とする請求項３〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
8. 前記樹脂によって覆われることなく露出された前記リードフレームの前記表面の前記少なくとも一部は、凹凸面であることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
9. 前記リードフレームの前記実装面と、前記電極の前記表面と、にそれぞれ設けられた半田層をさらに備えたことを特徴とする請求項３〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
10. 前記電極と前記樹脂との接合界面は、前記電極の厚み方向に沿って、湾曲あるいは段差の少なくともいずれかを有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の半導体装置。
11. 前記電極は、複数の金属層を積層してなり、前記複数の金属層のうちのいずれかの金属層の端面は、他の金属層の端面よりも後退してなることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体装置。